BÀI TẬP KỶ THUẬT ĐO LƯỜNG ĐIỆN: ĐO ĐIỆN ÁP VÀ DÒNG ĐIỆN

Chia sẻ: NGOC NHU | Ngày: | Loại File: DOC | Số trang:21

7
1.131
lượt xem
430
download

BÀI TẬP KỶ THUẬT ĐO LƯỜNG ĐIỆN: ĐO ĐIỆN ÁP VÀ DÒNG ĐIỆN

Mô tả tài liệu
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

TÀI LIỆU THAM KHẢO ĐO LƯỜNG ĐIỆN - CHƯƠNG I: ĐO ĐIỆN ÁP VÀ DÒNG ĐIỆN

Chủ đề:
Lưu

Nội dung Text: BÀI TẬP KỶ THUẬT ĐO LƯỜNG ĐIỆN: ĐO ĐIỆN ÁP VÀ DÒNG ĐIỆN

  1. ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP CHƯƠNG I: ĐO ĐIỆN ÁP VÀ DÒNG ĐIỆN Một ampe-kế dùng cơ cấu đo từ điện có điện trở cơ cấu đo R(m) =99Ω và dòng 1.1 làm lệch tối đa Imax = 0,1mA. Điện trở shunt Rs = 1Ω. Tính dòng điện tổng cộng đi qua ampe-kế trong các trường hợp: a) kim lệch tối đa b) 0,5Dm; (FSD = Imax, full scale deviation) c) 0,25Dm Hình B.1.1 Giải: a) kim lệch tối đa Dm: Điện áp hai đầu cơ cấu đo: Vm=Im.Rm=0,1mA.99Ω=99mV Vm 9,9mV IsRs = Vm => Is = = = 9,9mA 1Ω Rs Dòng tổng cộng: I = Is + I = 9,9 + 0,1 = 10mA b) 0,5Dm: Im = 0,5 . 1mA = 0,05mA Vm = Im.Rm = 0,05mA.99Ω = 4,95mV Vm 4.95mV = = 4.95mA Is = 1Ω Rs I = Is + Im = 4.95mA + 0,05mA=5mA c)0,25mA: Im = 0,25.0,1mA = 0,025mA Vm = ImRm = 0,025mA.99Ω = 2,475mV Trang 1
  2. ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP Vm 2,475 = = 2,475V Io= Rs 1 1.2 Một cơ cấu đo từ điện có I= 100µA, điện trở nội khung quay R= 1KΩ. Tính điện trở shunt mắc vào cơ cấu đo để trở thành một ampe-kế tương ứng với hình 1.1. a) Dm = 100mA = tầm đo 1 b) Dm = 1A = tầm đo 2 Giải: a) ở tầm đo 100mA Vm= ImRm = 100.1 = 100mV It = Is+ Im => Is = It –Im = 100mA – 100µA = 9,9mA Vm 100mV = = 1,001Ω Rs = Is 99,9mA b) Ở tầm đo 1A: Vm = ImRm = 100mV Is= It – Im = 1A- 100µA= 999,9mA Vm 100mV = = 0,10001Ω Rs= Is 999,9mA 1.3 Một cơ cấu đo từ điện có ba điện trở shunt được mắc theo kiểu shunt ayrton sử dụng làm ampe-kế. Ba điện trở có trị số R1=0,05Ω, R2=0,45Ω, R3=4,5Ω, Rm= 1kΩ, Imax= 50µA, có mạch đo như hình sau, tính các trị số tầm đo của ampe-kế Hình B.1.3 Giải: Trang 2
  3. ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP Tại độ lệch 0,5 Dm Vs= Imax.Rm= 50µA.1kΩ = 50mV Vs 50 = = 10mA Is= R1 + R2 + R3 5Ω It=Is+Im=50µA+10mA = 10,05mA; I=10mA. Khóa điện ở C: Vs= Im(Rm+R3) = 50µA.(1kΩ+4,5Ω) = 50mV Vs 50mV = = 100mA Is= R1 + R 2 0,5Ω + 4,5Ω Khóa điện ở D: Vs= Im(Rm +R2 +R3) = 50µA(1kΩ + 4,5Ω +0,45Ω) =50mV Vs 50mV = = 1A.I = 50µA+1A=1,00005A = 1A Is = R1 0,05Ω 1.4 Một cơ cấu đo từ điện Imax =100µA,điện trở dây nội (dây quấn) Rm = 1KΩ được sử dụng làm vôn kế DC. Tính điện trở tầm đo để vônkế có Vtd= 100V. Tính điện áp V hai đầu vôn kế khi kim có độ lệch 0,75Dm; 0,75Dm và 0,25Dm (độ lệch tối đa Dm) Hình B.1.4 Giải: V − Rm V = IM (Rs + Rm) => Rs = Im Khi V= Vtd=100V => IM = Imax =100µA 100V Rs = -1KΩ =999KΩ 100 µA Trang 3
  4. ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP Tại độ lệch 0,75 Dm Im = 0,75.100µA = 75µA V= Im(Rs+ Rm) 75µA(999kΩ +1kΩ)=75V Tại độ lệch 0,5 Dm Im = 50 µA V= 50 µA(999 kΩ+1kΩ)=50V Tại độ lệch 0,25 Dm V= 25µA(999 kΩ+1kΩ)=25V 1.5 Một cơ cấu đo từ điện có Imax=50 µA; Rm =1700 Ω được sử dụng làm vôn kế DC có tầm đo 10V, 50V, 100V. tính các điện trở tầm đo theo hình sau: Hình B.1.5 Giải Theo hình a: V Rm + R1 = I max V 10V = > R1 = − Rm = − 1700Ω = 198,3kΩ 50 µA I max 50V R2 = − 1700Ω = 998,3kΩ 50 µA 100V R3 = − 1700Ω = 1,9983MΩ 50 µA Theo hình b: Trang 4
  5. ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP V1 10V R1 = − Rm = − 1700Ω = 198,3kΩ 50 µA I max V2 Rm + R1 + R2 = Im V2 50V R2 = − R1 − Rm = − 198,3kΩ − 1700Ω = 800kΩ 50 µA Im ax V V3 Rm + R1 + R2 + R3 = = > R3 = 3 − R2 − R1 − Rm I max Im 100V = − 800kΩ − 198,3kΩ − 1700Ω = 1MΩ 50 µA 1.6 Một vônkế có tầm đo 5V, được mắc vào mạch, đo điện áp hai đầu điện trở R2 như hình sau: a) Tính điện áp VR2 khi chưa mắc Vônkế. b) Tính VR2 khi mắc vôn kế, có độ nhạy 20kΩ/V. c) Tính VR2 khi mắc vôn kế, có độ nhạy 200kΩ/V Hình B.1.6 Giải: a) VR2 khi chưa mắc Vônkế. 50kΩ R2 VR 2 = E = 12V = 5V R1 + R 2 70kΩ + 50kΩ b)Với vôn kế có độ nhạy 20kΩ/V. Rv=5V.20kΩ/V=100kΩ Rv//R2=100kΩ//50kΩ=33,3kΩ 33,3kΩ Rv // R2 =E = 12V = 3,87V R1 + Rv // R2 70kΩ + 33,3kΩ VR2= Trang 5
  6. ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP c)Với vôn kế có độ nhạy 200kΩ/V Rv=5V.200kΩ/V=1kΩ Rv//R2=1MΩ//50kΩ= 47,62kΩ 47,62kΩ V R 2 = 12V =4,86V 70kΩ + 47,62kΩ 4,86V 1.7 Một cơ cấu đo từ điện có Ifs= 100µA và điện tr73 cơ cấu đo Rm =1kΩ được sử dụng làm vônkế AC có V tầm đo = 100V. Mạch chỉnh lưu có dạng cầu sử dụng diode silicon như hình vẽ, diode có VF(đỉnh) =0,7V a) tính điện trở nối tiếp Rs b) Tính độ lệch của vônkế khi điện áp đưa vào vônkế là 75V và 50V (trị hiệu dụng-RMS). c) Tính độ nhạy của vôn kế. Tín hiệu đo là tín hiệu xoay chiều dạng sin. Hình B.1.7 Giải: a) Tính Rs: Đây là mạch chỉnh lưu toàn kì nên ta có quan hệ: IP(trị đỉnh)= Itb/0,637 Vm (trị đỉnh)= 2V Cơ cấu đo có: Trang 6
  7. ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP 100 µA I Fs = I tb = 100µA ⇒ I p = = 157 µA 0,637 tacó : 1,414Vtd − 2V F 1,414Vtd − 2V F = ⇒ Rs = − Rm Rs + Rm Ip (1,414.100V ) − (2.0,7V ) = − 1kΩ = 890,7 kΩ 157 µA b) KhiV = 75V 1,414V − 2VF (1,414 × 75V ) − (2 × 0,7V ) I tb = 0,637 I m = 0,637 = 0,637 Rs + R m 890,7 kΩ + 1kΩ I tb = 75µA KhiV = 50V (1,414 × 50V ) − (2 × 0,7V ) = 50 µA I tb = 0,673 890,7 kΩ + 1kΩ c) I m = 157 µA ⇒ I ( RMS ) = 0,707 IP = 0,707 × 157 µA = 111µA 100V R= = 900,9kΩ. 111µA 900,9kΩ = 9,009kΩ / V Độ nhạy= 100V 1.8 Một cơ cấu đo từ điện có Ifs = 50µA; Rm = 1700Ω kết hợp với mạch chỉnh lưu bán kì như hình sau. Diod silicon D1 có giá trị dòng điện thuận If (đỉnh) tối thiểu là 100 µA. Khi điện áp đo bằng 20% Vtầm đo , diode có VF = 0,7V, vôn kế có Vtầm đo = 50V. a) Tính Rs và RSH b) Tính độ nhạy của Vônkế trong hai trường hợp: có D2 và không có D2 Hình B.1.8 Giải: a)Tính Rs và RSH Trang 7
  8. ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP Ở đây sử dụng chỉnh lưu bán kì nên ta có: Ip=Itb/(0,5.0,673): trị đỉnh trong trường hợp chỉnh lưu bán kì Cơ cấu đo có Ifs = Itb = 50 µA=> Im= 50 µA/(0,5.0,673) = 157 µA(trị đỉnh) Khi V= 20% Vtd, IF(đỉnh) có giá trị 100 µA. Vậy khi V= Vtd, IF(đỉnh) có giá trị: 100% × 100µA = 500 µA IF = 20% I F = I m + I SH ⇒ I SH = I F − I M = 500 µA − 157 µA = 343µA V p = I m Rm = 157 µA × 1700Ω = 266,9mV Vm 266,9mV RSH = = = 778Ω 343µA I SH 1,414Vtd − Vm − V F IF = RS 1,414Vtd − Vm − V F 1,414 × 50V − 266,9mV − 0,7V Rs = = = 139,5kΩ 500 µA IF b)Tính độ nhạy: • Có D2 trong bán kì dương, dòng qua D1 có giá trị đỉnh: IF=500 µA Trong bán kì âm, dòng qua vônkế có giá trị đỉnh: 1,414Vtd 1,414.50V = 500 µA I= = 139,5kΩ Rs I hiêudung = 0,707.500 µA = 353,5µA( RMR)c 50V ( RMR) Rtông = = 141,4kΩ 353,5µA( RMR) 141,4kΩ Đônhay = = 2,8kΩ / V 50V • Không có D2: Trong bán kì dương:IF(đỉnh) = 500 µA. Trong bán kì âm: I = 0 Trong chu kì của tín hiệu: Ihiệu dụng =0,5I F(đỉnh) Với I là dòng điện mạch chính chạy qua Rs trong bán kì dương. Trang 8
  9. ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP T2 2 I F ( đinh ) 1 ∫ ( I F sin ωt ) 2 dt = I hiêudung = 2 2T 4 0 I = 0,5.500 µA = 250 µA 50V R= = 200kΩ 250 µA 200kΩ Đô _ nhay := = 4kΩ / V 50V 1.9 Một ampe kế sử dụng cơ cấu đo từ điện có cầu chỉnh lưu và biến dòng như hình vẽ. Biết rằng cơ cấu đo có Ifs = 1mA và Rm = 1700Ω. Biết dòng có Nthứ = 500; Nsơ = 4. Diode cóVF(đỉnh) = 0,7V; Rs=20kΩ. Ampe kế lệch tối đa khi dòng sơ cấp Ip = 250mA. Tính giá trị RL. Hình B.1.9 Giải: Chỉnh lưu toàn kì nên ta có: Itb 1mA Im(trị đỉnh) = = = 1,57 mA 0,637 0,673 Điện áp Em ở hai đầu cuộn thứ biến dòng(trị đỉnh): Em = (Rm+Rs) + 2VF = 1,57mA(20kΩ + 1700Ω) + 1,4V= 35,5V  Es(trị hiệu dụng) = (0,707.35,5V) = 25,1V Dòng làm lệch tối đa cơ cấu đo có trị hiệu dụng I: I = 11,1Itb = 11,1.1mA=11,1mA Ta có: Trang 9
  10. ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP N so 4 I thu = I so = 250mA = 2mA N thu 500 I thu = I q + I L ⇒ I L = 2mA − 11,1mA = 0,89mA; (với Iq=Iqua cơ cấu đo) Es 25,1V RL = = = 28,2kΩ E L 0,89mA CHƯƠNG II: ĐO ĐIỆN TRỞ 2.1 Cho Eb = 1,5; R1= 15kΩ; Rm =1kΩ; R2 = 1kΩ; Imax = 50µA. Xác định trị số đọc của Rx khi Ib = Imax; Im = ½ Imax; Im =3/4 Imax . Giải: Tại Im =Imax = 50µA; Vm = Imax × Rm = 50µA × 1kΩ = 50mA. Vm 50mV = 50 µA . Như vậy dòng điện: Ib = 100µA. Do đó: I m = = 1kΩ R2 Eb Vậy R x + R1 # Nếu R x + R1 >> R2 // Rm >> 500Ω . Ib 1,5V = 15kΩ. Rx +15kΩ = 15kΩ; Rx = 0Ω. # 100 µA Khi Im =1/2 Imax = 25µA; Vm = 25mV ⇒ I2 = 25µA. 1,5V Suy ra Ib = 50µA. Vậy Rx + R1 # ; Rx # 15kΩ. 50 µA Tương tự như cách tính trên. Im = 3/4 Imax = 37,5µA. Ib = Im + I2 = 37,5µA + 37,5µA = 75µA. 1,5V Rx + R 1 = = 20kΩ, Rx = 5kΩ. 75µA 2.2 Một ohm-kế loại nối tiếp có mạch đo (Hinh dưới đây). Nguồn Eb = 1,5V, cơ cấu đo có Ifs = 100µA. Điện trở R1 + Rm = 15kΩ. a)Tính dòng điện chạy qua cơ cấu đo khi Rx = 0. b)Tính trị giá Rx để cho kim chỉ thi có độ lệch bằng 1/2 FSD, 1/4 FSD, 3/4 FSD (FSD: độ lệch tối đa thang đo.) Trang 10
  11. ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP Hình B.2.2 Giải: Eb 1,5V = 100 µA (FSD). a. I m = = R x + R1 + Rm 0 + 15kΩ Độ lệch bằng 1/2 FSD: b. 100 µA = 50 µA (vì cơ cấu đo tuyến tính.) Im = 2 ( ) E E 1,5V R x + R1 + Rm = b ⇒ R x = b − R1 + Rm = − 15kΩ = 15kΩ 50 µA Im Im Độ lệch bằng 1/4 FSD: 100µA 1,5V = 25µA ; R x = − 15kΩ = 45kΩ Im = 25µA 4 Độ lệch bằng 3/4 FSD: 1,5V Im = 0,75 × 100µA = 75µA; R x = − 15kΩ = 5kΩ. 75µA 2.3 Một ohm-kế có mạch đo như hình sau. Biết Eb =1,5V, R1 = 15kΩ; Rm = 50Ω; R2 = 50Ω; cơ cấu đo có Ifs = 50µÂ. Tính trị giá Rx khi kim chỉ thị có độ lệch tối đa: (FSD); 1/2 FSD và 3/4 FSD. Trang 11
  12. ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP Hình B.2.3 Giải: Khi kim lệch tối đa (FSD): Im = 50µA; Vm = Im.Rm = 50µA×50Ω = 2,5mV. Vm 2,5Vm = 50 µA I2 = = 50Ω R2 Dòng điện mạch chính: Ib = I2 + Im = 50µA + 50µA = 100µA. E 1,5V R x + R1 = b = = 15kΩ I b 100 µA Rx = ( Rx + R1) – R1 = 15kΩ - 15kΩ = 0 Kim lệch 1/2 FSD: 1,25mV = 25µA Im = 25µA; Vm = 25µA × 50Ω = 1,25mV; I 2 = 50Ω Ib = 25µA + 25µA = 50µA. 1,5V Rx + R1 = = 30kΩ ; Rx = 30kΩ - 15kΩ = 15kΩ. 50 µA Kim lệch 3/4 FSD: Im = 0,75 × 50µA = 37,5µA; Vm = 37,5µA×50Ω = 1,875mV. 1,875mV = 37,5µA ; Ib = 37,5µA + 37,5µA = 75µA. I 2= 50Ω 1,5V R x + R1 = = 20kΩ ⇒ R x = 20kΩ − 15kΩ = 5kΩ . 75µA Trang 12
  13. ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP 2.4 Một ohm-kế co mạch đo nhiu hình bai 3. có nguồn Eb giam xuống chỉ còn 1,3V. Tính trị giá mới của R2 ?.?lại các giá trị Rx tương ứng với độ lệch của kim: 1/2 FSD, 3/4 FSD. Giải: Eb 1,3V = 86,67 µA Rx = 0; I b ≈ = R x + R1 0 + 15kΩ Im = 50µA (FSD); I2 = Ib – Im = 86,67µA – 50µA = 36,67µA. Vm 2,5mV Vm = ImRm = 50µA × 50Ω = 2,5mV; R2 = = 68,18Ω I 2 36,67 µA Khi kim lệch 1/2 FSD: Im = 25µA; Vm = 25µA × 50Ω = 12,5mV Vm 1,25mV = 18,33µA I2 = = 68,1Ω R2 Ib=Im + I2 = 25µA + 18,3µA =43,33µA V 1,3V R2 + R1 = m = 30kΩ ⇒ R x = 30kΩ − 15kΩ = 15kΩ I b 43,33µA Khi kim lệch 3/4 FSD: Im = 0,75 × 50µA = 37,5µA; Vm = 37,5µA × 50Ω = 1,875mV. 1,875mV = 27,5µA; Ib =37,5µA + 27,5µA = 65µA. I2 = 68,18Ω V 1,3V R x + R1 = m = 20kΩ ⇒ R x = 20kΩ − 15kΩ = 5kΩ I b 65µA 2.5 Tính dòng điện chạy qua cơ cấu đo và độ lệch của kim chỉ thị của ohm-kế có mạch dô như hình vẽ khi ta sử dung tầm đo R×1 trong hai trường hợp: a)Rx = 0 b) Rx = 24Ω Trang 13
  14. ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP Hình B.2.5 Giải: Mạch tương đương của ohm- kế khi ta sử dụng tầm đo R×1 trong hai truwowg\ngf hợp Rx = 0 và Rx = 24Ω như sau: 1,5V • Rx = 0; I b = 14Ω + [10Ω // ( 9,99kΩ + 2,875kΩ + 3,82kΩ ) ] 1,5V Ib = = 62,516mA 14Ω + (10Ω // 16,685kΩ ) Dòng Im chạy qua cơ cấu đo: 10Ω I m = 62,516mA 10Ω + 16,685kΩ Im = 37,5µA = Ifs: Khi kim lệch tối đa. • Rx = 24Ω: 1,5V Ib = = 31,254mA 24Ω + 14Ω(10Ω // (16,685kΩ ) ) 10Ω 18,72 µA : kim lệch 1/2 FSD. I m = 31,254mA 10Ω + 16,685kΩ 2.6 Tính dòng điện chạy qua cơ cấu đo và độ lệch của kim chỉ thị của ohm-kế có mạch như bài 5, khi sử dụng tầm đo R×100 va R×10k trong trường hợp Rx = 0. Trang 14
  15. ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP Hình B.2.6 Giải: • Mạch tương đương của Ohm-kế khi ta sử dụng tầm đo R×100 và R = 0. 1,5V Ib = 1470Ω + [1kΩ // ( 9kΩ + 2,875kΩ + 3,82kΩ ) ] 1,5V = 622,38µA = 236kΩ + (1kΩ // 15,695kΩ ) 1kΩ I m = 62238µA = 37,5µA = I fs : kim chỉ thị lệch tối đa. 1kΩ + 6,695kΩ • Mạch tương đương của ohm-kế khi ta sử dungj tầm đo R×10kΩ và Rx = 0. 15V Ib = 236kΩ + [10kΩ // ( 2,875kΩ + 3,82kΩ ) ] 15V = 62,5µA = 236kΩ + [10kΩ // 6,695kΩ] 10kΩ I m = 62,5µA = 37,5kΩ = I fs : Kim chỉ thị lệch tối đa. 10kΩ + 6,695kΩ Trang 15
  16. ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP 2.7 Ta đo điện trở bằng cách dùng phương pháp V và A được mắc rẻ dài. Ampe-kế chỉ 0,5A,vôn kế chỉ 500V.Ampe kế có Ra = 10Ω,10kΩ/V. Tính giá trị R. Hình B.2.7 Giải: E + EA = 500V; I = 0,5A E + E A 500V Rx + R = = = 1000Ω I 0,5 A R = 1000Ω - Ra = 1000Ω - 10Ω =990Ω. 2.8 Các ampe-kế, vôn kế và điện trở R ở bài 2.7 được mắc rẻ ngắn. Hãy tính độ chỉ của vôn kế và ampe-kế (nguồn cung cấp vẫn là 500V). Hình B.2.8 Giải: Nội trở của vôn kế : Rv = 1000V × 10kΩ/V =10MΩ Rv // R = 10MΩ // 990Ω = 989,9Ω Trang 16
  17. ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP 500V × ( Rv // R ) 5000V × 989,9Ω Độ chỉ của vôn kế : E = = = 495V • R a + ( Rv + R ) 10Ω + 989,9Ω E 495V Độ chỉ của ampe-kế: = I + I v = = = 0,5 A . • Rv // R 989,9Ω CHƯƠNG III: ĐO ĐIỆN DUNG, ĐIỆN CẢM VÀ HỔ CẢM 3.1.Cho cầu đo như hình vẽ , biết C1 =0.1μF và tỉ số R3/R4 có thể chỉnh được thay đổi trong khoảng : 100/1 và 1/100 . Hãy tính CX mà cầu có thể đo được. Hình B.3.1 Giải: Ta có: Cx = C1R3/R4 . Với : R3/R4 =100/1 =>CX = 0,1μF(100/1) =10μF Với : R3/R4 =1/100 => 0,1μF(1/100) =0,001μF Vậy cầu có tầm đo : từ 0,001μF ÷ 10μF 3.2. Cho cầu điện dung như hình sau, thành phần mẫu C1 =0,1µF ;R3 =10kΩ. Biết rằng cầu cân bằng khi nguồn cung cấp co f = 100Hz; R1 =125Ω và R4 = 14,7Ω . Hãy tình giá trị Rs , CS và hệ số tổn hao D của tụ? Trang 17
  18. ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP Hình B.3.2 Giải: Ta có : Cs =C1R3/R4; 0,1µF × 10kΩ CS = = 0.068μF ; 14,7 kΩ R1 × R 4 125Ω × 14,7kΩ RS = = =183.3Ω 10kΩ R3 D = ω CSRS = 2π . 100Hz × 0,068μF × 183,8Ω = 0,008 3.3. Cho cầu điện dung như hình sau, thành phần mẫu C1 =0,1µF ;R3 =10kΩ. Biết rằng cầu cân bằng khi nguồn cung cấp co f = 100Hz; R1 =125Ω và R4 = 14,7Ω . Hãy tình giá trị Rs , CS và hệ số tổn hao D của tụ? Trang 18
  19. ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP Hình B.3.3 Giải: Ta có : Cs =C1R3/R4; 0,1µF × 10kΩ CS = = 0.068μF ; 14,7 kΩ R1 × R 4 125Ω × 14,7kΩ RS = = =183.3Ω 10kΩ R3 D = ω CSRS = 2π . 100Hz × 0,068μF × 183,8Ω = 0,008 3.4.Cầu Maxwell đo điện cảm dùng thành phần mẫu C3 = 0,1μF, nguồn cung cấp có tần số f=100Hz. Cầu cân bằng khi R1 =1,26kΩ; R3= 470Ω và R4 =500Ω .Tính trị giá điện cảm LS, điện trở RS và hệ số phẩm chất Q của cuộn dây. Hình B.3.4 Giải: Ta có :LS =C3R1R4 =0,1μF × 1,26kΩ × 500Ω = 63mH R1 R4 1,26kΩ × 500Ω = = 1.,34kΩ RS = 470Ω R3 ωLS 2π × 100 Hz × 63mH = = 0,03 Q= 1,34kΩ RS Trang 19
  20. ĐO LƯỜNG ĐIỆN BÀI TẬP 3.5. Cầu có nguồn cung cấp f= 100Hz cân bằng khi C3 =0,1μF, R1 =1,26kΩ , R3 =75Ω và R4 =500Ω. Tính điện cảm LP ,điện trở RP và hệ số phẩm chất Q của cuộn dây? Hình B.3.5 Giải: = C 3 R1 R 4 = 0,1μF × 1,26kΩ × 500Ω = 63mH LP R1 R 4 1,26kΩ × 500Ω RP= = = 8,4kΩ 75Ω R3 8,4kΩ RP = = 212 Q= ωL P 2π × 100 Hz × 63mH 3.6. Hãy tính thành phần tương đương LS,RS của cuộn dây có :LP =63Mh ; RP = 8,4kΩ ( f =100Hz). Giải: 2 RP X P = ωLP 2 ;thê: RP = 8,4kΩ ; R P = 7,056 × 10 ; X P 2 7 ́ RS = 2 X P + RP =>XP =2 π × 100Hz × 63mH =39,6Ω X 2 =1,57 × 10 3 ; X P + R P =7,056 × 107 2 2 P 8,4kΩ × 1,57 × 10 3 = 0,187Ω ; RS = 7,056 × 10 7 Trang 20
Đồng bộ tài khoản