Đồ án điện tử ứng dụng

Chia sẻ: Nguyễn Thị Giỏi | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:31

0
552
lượt xem
296
download

Đồ án điện tử ứng dụng

Mô tả tài liệu
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Ổn áp xung còn gọi là ổn áp đóng ngắt, là ổn áp dựa trên nguyên lý hồi tiếp (nguyên lý bù), trong đó phần tử điều chỉnh làm việc ở chế độ xung. Ổn áp xung có những ưu điểm vượt trội so với ổn áp tuyến tính như sau:

Chủ đề:
Lưu

Nội dung Text: Đồ án điện tử ứng dụng

  1. Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 1 PHẦN A : PHẦN LÝ THUYẾT 1. Tổng quan về ổn áp xung: 1.1 Khái niệm: Ổn áp xung còn gọi là ổn áp đóng ngắt, là ổn áp dựa trên nguyên lý hồi tiếp (nguyên lý bù), trong đó phần tử điều chỉnh làm việc ở chế độ xung. Ổn áp xung có những ưu điểm vượt trội so với ổn áp tuyến tính như sau: Ưu điểm: - Có tổn hao ít nên hiệu suất cao (thường trên 80%) - Độ ổn định cao do phần tử điều khiển làm việc ở chế độ xung - Thể tích và trọng lượng bộ nguồn nhỏ Nhược điểm chính của ổn áp xung: - Phân tích, thiết kế phức tạp - Bức xạ sóng, can nhiễu trong dải tần số rộng do đó cần có bộ lọc xung ở ngõ vào nguồn và bộ nguồn phải được bọc kim. 1.2 Sơ đồ khối và nguyên lý hoạt động của ổn áp xung: 1.2.1. Sơ đồ khối: Nguồn DC Phần tử Lọc Tải chưa ổn định điều chỉnh So Lấy mẫu Nguồn xung Điều chế sánh Điều chỉnh điện áp 1.2.2. Nguyên lý hoạt động: Nguồn DC chưa ổn định được đưa đến phần tử điều chỉnh làm việc như một khóa điện tử. Khi khóa dẫn thì nguồn nối đến ngõ ra. Khi khóa tắt thì cắt nguồn DC ra khỏi mạch. Như vậy tín hiệu ở ngõ ra của khóa là một dãy xung, do vậy muốn có tín hiệu DC ra tải phải dùng bộ lọc LC. Tuỳ thuộc vào tần số và độ rộng của xung ở ngõ ra của khóa mà trị số điện áp 1 chiều trên tải có thể lớn hay nhỏ. Để ổn định điện áp DC trên tải, người ta thường so sánh nó với mức điện áp chuẩn. Sự sai lệch sẽ được biến đổi thành tín hiệu xung để điều khiển khóa điện tử. Có 3 phương pháp thực hiện tín hiệu điều khiển: Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
  2. Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 2 - Điều chế độ rộng xung: giữ tần số tín hiệu xung không đổi nhưng thay đổi độ rộng xung làm thay đổi điện áp ra. - Điều chế tần số xung: giữ độ rộng xung không thay đổi nhưng thay đổi chu kỳ tín hiệu xung làm thay đổi điện áp ra. - Điều chế xung: vừa thay đổi độ rông xung, vừa thay đổi độ rộng xung. 1.3 Phân loại ổn áp xung: có 4 loại ổn áp xung - Ổn áp Buck: là loại ổn áp có điện áp trung bình ngõ ra nhỏ hơn ngõ vào. - Ổn áp Boost: là loại ổn áp có điện áp trung bình ngõ ra lớn hơn ngõ vào. - Ổn áp Buck_Boost: là loại ổn áp có điện áp ngõ ra lớn hơn hoặc nhỏ hơn điện áp ngõ vào. - Ổn áp Cuk: là ổn áp có điện áp ngõ ra có thể lớn hơn hoặc nhỏ hơn điện áp ngõ vào nhưng cực tính ngược với điện áp ngõ vào. 1.4 Ổn áp xung kiểu Buck: Ổn áp Buck là loại điện áp trung bình ngõ ra nhỏ hơn điện áp ngõ vào, hoạt động theo phương pháp điều chế độ rộng xung. 1.4.1. Sơ đồ mạch: 3 Q 1 L VS 2 VO D C Lấy mẫu Điều chế độ rộng xung K So sánh Nguồn xung Tạo điện áp chuẩn 1.4.2. Nguyên lý hoạt động: Q làm việc như một khóa điện tử, đóng hoặc mở với tần số không đổi. Xung điều khiển có tần số f do khối tạo xung nhịp tạo ra. Phần điều khiển thực hiện việc so sánh điện áp ra với điện áp chuẩn, kết quả sự sai lệch đựơc khuếch đại lên. Mạch điều chế xung căn cứ vào sự sai lệch điện áp để điều chế độ rộng xung, tạo xung vuông có độ rộng thay đổi để đưa đến transistor điều khiển thời gian điều khiển của nó. Trong khoảng thời gian không tồn tại xung điều khiển, dòng ra được bảo đảm nhờ tụ C và cuộn cảm L. Gọi tx là thời gian mở của transistor chuyển mạch. Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
  3. Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 3 Điện áp trung bình trên tải: t 1 x t v0 = ∫ v s dt = x Vs T 0 T V0 t x ⇒ = Vs T Vì: 0 ≤ t x ≤ T ⇒ 0 ≤ V0 ≤ V s Vậy điện áp ra luôn nhỏ hơn điện áp vào. 1.4.3. Phương pháp tính toán ổn áp Buck: * Sơ đồ mạch: 2 Q 3 L VS iL iO I O 1 iC I C D C Taûi Ñieàu khieån Hoạt động của mạch chia làm 2 mode: Mode 1: Ứng với thời gian BJT Q dẫn bão hòa ( VCEsat ≈ 0 ) + L - iS = iL iO VO iC IC VS C Taûi Bắt đầu khi Q dẫn ở tại thời điểm bằng t = 0, nếu bỏ qua V CEsat thì VD = Vs ⇒ D tắt. di Dòng ngõ vào chạy qua L, tụ C và tải. Điện áp qua L: e L = L L dt Trong thời gian t1 thì dòng cuộn dây tăng tuyến tính từ I1 → I 2 : I −I ΔI ΔI VL = Vs − V0 = L 2 1 = L ⇒ t1 = L (1.1) t1 t1 Vs − V0 Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
  4. Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 4 Mode 2: Trong khoảng thời gian t2. + L - iO VO iC IC D C Taûi Bắt đầu khi Q tắt tại t = t1. Dòng qua L giảm đột ngột → xuất hiện suất điện động tự cảm có chiều như hình vẽ để chống lại sự giảm. Lúc này, D dẫn và L đóng vai trò là nguồn xả năng lượng từ trường qua L, C, D và tải. Dòng qua L giảm từ I1 → I 2 cho đến khi Q dẫn trở lại trong chu kì kế tiếp. Điện áp ngang qua L: I −I ΔI ΔI VL = V0 = L 2 1 = L ⇒ t2 = L (1.2) t2 t2 V0 Từ (1) và (2) ta có: ΔI ΔI L.ΔI .Vs T = t1 + t 2 = L +L = (1.3) Vs − V0 V0 V0 (Vs − V0 ) T V Mà: Vo = Vs 0 = kVs ⇒ 0 = k T Vs V V0Vs (1 − 0 ) T V (V − V0 ) 1 Vs Từ (3) suy ra: ΔI = . 0 s = L Vs fL Vs (1 − k )kVs ΔI = (1.4) fL ΔI : độ gợn dòng đỉnh - đỉnh của cuộn L ΔI càng bé thì dòng ra càng bằng phẳng Theo định luật Kirchoff’s: i L = iC + i0 ⇒ Δi L = ΔiC + Δi0 ; Δi0 : dòng gợn sóng trên tải, rất nhỏ. ΔI ⇒ Δi L ≈ ΔiC = (1.5) 2 Dòng trung bình trên tụ: T 1 ΔI2 ΔI IC = T ∫ dt = (1.6) 0 2 4 1 Điện áp trên tụ: vC (t ) = ∫ iC (t )dt + vC (t = 0) C Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
  5. Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 5 Điện áp gợn sóng đỉnh-đỉnh của tụ: T T 1 2 1 2 ΔI ΔI ΔV0 = ΔVC = vC (t ) − vC (0) = ∫ C 0 iC (t )dt = ∫ 4 dt = 8 fC C 0 (1.7) Thay ΔI từ (4) vào (7), ta được: (1 − k )kVs ΔVC = (1.8) 8 f 2 LC Từ (4) và (8) ta có thể chọn L, C nếu biết độ gợn dòng đỉnh - đỉnh của cuộn và độ gợn áp đỉnh - đỉnh của tụ bằng công thức sau: (1 − k )kVs L= (1.9) fΔI (1 − k )kVs C= (1.10) 8 f 2 LΔV0 Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
  6. Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 6 * Dạng sóng: Vo Vs t iL t1 t2 I2 I1 t is I2 I1 t iC I2 − I0 t I1 − I 0 vC = v 0 v0 t i0 I0 t Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
  7. Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 7 2 Các thành phần của mạch: 2.1 Vi mạch định thời IC 555: IC 555 gồm 2 mạch khuếch đại thuật toán SS1, SS2 thực hiện chức năng so sánh, một RS Flip Flop, 1 BJT Q1 và 3 điện trở R có giá trị 5K, 1 cổng NOT. Sơ đồ vi mạch định thời IC555: 8 4 R 5K RE 6 + S 5 - R 5K RSFF Q 3 + R 2 - R 5K 7 Q1 1 Chân 1: chân mass. Chân 2: chân kích khởi ( trigger ). Chân 3: chân ngõ ra. Chân 4: chân Reset: “0” cấm, “1” cho phép mạch làm việc. Chân 5: chân điều khiển bằng điện thế. Nếu không dùng thì nối qua tụ 0.01μF tới mass. Chân 6: chân ngưỡng (chân thềm). Chân 7: chân ngõ ra phụ. Chân 8: nguồn Vcc, bộ Opamp SS2 có mức ngưỡng điện thế là 2/3Vcc, bộ SS1 có điện thế ngưỡng là 1/3Vcc. Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
  8. Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 8 Bảng trạng thái: S R Q 0 0 Qo 0 1 0 1 0 1 1 1 x 2.2 Mạch dao động đa hài không trạng thái bền dùng IC555: a. Sơ đồ mạch và dạng sóng: Vcc vC 2 V 3 CC R1 8 4 U3 1 V VCC R 7 DIS 3 CC D R2 IC 555 Q 3 Vout t1 t2 t3 t 6 THR Vout 2 GND TR CV C 1 5 Vlog ic1 0.01uF t b. Nguyên lý hoạt động: Đây là mạch dao động đa hài có 2 trạng thái nhưng cả 2 trạng thái đều không bền. Nhờ có sự thay đổi điện áp trên tụ C mà mạch luôn tự động chuyển đổi trạng thái và luôn tạo độ dài xung ra. * 0 ≤ t < t1: giả sử mạch ở trạng thái không bền ban đầu. Ngõ ra V0 = 1 ⇒ Q RSFF = 0 , BJT Q1 tắt: không có dòng đổ qua BJT Q1 ⇒ tụ C được nạp điện từ nguồn Vcc qua điện trở R1 qua Diode D với chiều như hình vẽ để hướng đến giá trị VCC . Tụ càng nạp thì điện 2 áp trên tụ càng tăng ( vC tăng ) cho đến khi áp trên tụ vC = v( 6) = v( 2) ≥ VCC . Lúc đó: 3 − + SS1 : v > v → R = 0 SS 2 : v + > v − → S = 1 ⇒ Q = 1 ⇒ v0 = 0 Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
  9. Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 9 Mạch chấm dứt thời gian tồn tại trạng thái không bền ban đầu và chuyển sang trạng thái không bền thứ 2. * t1 ≤ t < t 2 : Tại thời điểm t = t1: mạch tồn tại ở trạng thái không bền thứ 2. Q =1, v0 = 0. Vì Q = 1 nên BJT Q1 dẫn → tụ C xả điện tích qua R2 → chân số 7 → BJT Q1 → mass. Tụ càng xả thì điện áp trên tụ càng giảm → điện áp tại chân số 2 và chân số 6 cùng giảm xuống. Khi 1 2 điện áp trên tụ C giảm đến giá trị VCC ≤ vC ≤ VCC thì ta có: 3 3 − + SS1 : v > v ⇒ R = 0 SS 2 : v − > v + ⇒ S = 0 ⇒ Q vẫn giữ nguyên trạng thái cũ trước đó (Q = 1) ⇒ do đó tụ C tiếp tục xả cho đến 1 khi vC ≤ VCC (điện thế ngưỡng của bộ SS1), mà vC = v(6) = v( 2) nên suy ra: 3 SS1 : v − < v + ⇒ R = 1 ⇒ Q = 0 ⇒ v0 = 1 − + SS 2 : v > v ⇒ S = 0 Mạch chấm dứt thời gian tồn tại ở trạng thái không bền thứ 2 và bắt đầu chuyển sang trạng thái không bền ban đầu. Vì Q = 0 ⇒ BJT Q1 tắt ⇒ không có dòng đổ qua BJT Q1 1 → tụ C được nạp điện bổ sung (vì nó vẫn còn giữ Vcc do điện thế ở chân số 2 chặn trên) 3 và quá trình cứ tiếp diễn như vậy để liên tục tạo độ dài xung ra. c.Tính độ dài xung ra: Gọi: T1 là thời gian ứng với ngõ ra vo = 1 T2 là thời gian ứng với ngõ ra vo = 0 T là chu kì dao động của mạch : T = T1 + T2 * Tính T1 : Phương trình nạp của tụ C: ⎛ − t ⎞ vC (t ) = [vC (∞) − vC (0)]⎜1 − e τ1 ⎟ + vC (0) ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ 1 với vC (0) = VCC , vC (∞) = VCC 3 2 V ⎛1 − e τ1 ⎞ + 1 V − t ⇒ vC (t ) = ⎜ ⎟ ⎟ 3 CC ⎜ 3 CC ⎝ ⎠ 2 Khi t = T1 : vC (T1 ) = VCC 3 Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
  10. Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 10 ⎛ −1 ⎞ T ⇒ 2 VCC = 2 VCC ⎜1 − e τ1 ⎟ + 1 VCC 3 3 ⎜ ⎟ 3 ⎝ ⎠ −T11 −1 1 T τ1 ⇒ 1− e = ⇒ e τ1 = ⇒ T1 = τ1 ln 2 = CR1 ln 2 2 2 Vậy thời gian nạp của tụ là T1 = 0,7CR1 (2.1) * Tính T2 : Phương trình xả của tụ C: − t vC (t ) = [vC (0) − vC (∞)] e τ2 + vC (∞) 2 với vC (0) = VCC , vC (∞) = 0 3 − t ⇒ vC (t ) = 2 VCC e T2 3 Khi t = T2 thì vC (T2 ) = 1 VCC 3 T 1 2 − 2 ⇒ VCC = VCC e τ2 ⇒ T2 = 0,7CR2 3 3 Vậy thời gian xả của tụ C là T2 = 0,7CR2 (2.2) T = T1 + T2 = 0,7C ( R1 + R2 ) Vậy chu kỳ dao động là T = 0,7C ( R1 + R2 ) (2.3) 2.3 Mạch dao động đa hài 1 trạng thái bền dùng IC555: a.Sơ đồ mạch và dạng sóng: vi Vcc VCC 1 V t1 t 3 CC 8 4 U3 R vC VCC R 7 DIS 6 THR 3 2 Q Vout V 3 CC 2 GND Vi TR CV v0 t C 1 5 0.01uF Vlog ic1 T0 t Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
  11. Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 11 b. Nguyên lý hoạt động: * 0 ≤ t < t1 : Mạch ở trạng thái bền v0 = 0 Q RSFF = 1 ⇒ S = R = 1 . Transistor dẫn bão hoà. vi = VCC Vì tụ C mắc song song với transistor nên vC = v( 7 ) = vCES = 0,2V ≈ 0V → tụ C không được nạp điện. Mạch luôn tồn tại trạng thái bền. * t1 ≤ t < t1 + T0 : Mạch ở trạng thái không bền. 1 t = t1 : Mạch được kích khởi bằng tín hiệu kích khởi vi ≤ VCC đưa vào chân số 2 của 3 − + IC555. Ở bộ so sánh 1 có v < v ⇒ R = 1 ⇒ Q = 0 ⇒ v0 = 1 . Mạch chấm dứt thời gian tồn tại trạng thái bền và chuyển sang trạng thái không bền. Lúc này vì Q = 0 nên transistor T tắt ⇒ tụ C được nạp điện từ nguồn Vcc qua R. Tụ càng nạp thì áp trên tụ càng tăng mà vC = v( 6) nên khi vC > 2 VCC thì ở bộ so sánh 2 có v − ≤ v + ⇒ S = 1 , lúc này R 3 = 0 vì thời gian tồn tại xung kích khá nhỏ ⇒ Q = 1 ⇒ v0 = 0 . Mạch chấm dứt thời gian tồn tại trạng thái không bền và bắt đầu chuyển sang trạng thái phục hồi. * t ≥ t1 + T0 : giai đoạn phục hồi Do Q = 1, v0 = 0 ⇒ T dẫn ⇒ tụ xả qua T cho đến khi vC ≈ 0 . Sau khi kết thúc giai đoạn phục hồi mạch trở về trạng thái bền ban đầu. c.Tính độ dài xung ra: T0 là thời gian cần thiết để tụ C tăng từ 0 → 2 VCC 3 Phương trình nạp của tụ : ⎛ − t ⎞ vC (0) = 0 vC (t ) = [vC (∞) − vC (0)]⎜ ⎜1 − e τ1 ⎟ + vC (0) mà ⎟ ⎝ ⎠ vC (∞) = VCC ⎛ − t ⎞ ⇒ vC (t ) = VCC ⎜1 − e τ1 ⎟ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ Khi t = T0 ⇒ vC (T0 ) = 2 VCC 3 T − 0 τ1 ⇒ 2 VCC = VCC (1 − e ) 3 ⇒ T0 = RC ln 3 (2.a) * Tính thời gian phục hồi: Phương trình xả của tụ: Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
  12. Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 12 − t vC (t ) = [vC (0) − vC (∞)]e τ2 + v C (∞ ) với vC (0) = 2 VCC , vC (∞) = 0 3 khi t = T ph ⇒ vC (T ph ) = Vlog ic 0 ≈ 0 T − ph τ2 ⇒ 2 VCC e = Vlog ic 0 3 T − ph τ2 Vlog ic 0 ⇒e =3 2 V CC VCC ⇒ T ph = RC ln 2 3V log ic 0 2.4 Mạch so sánh và khuếch đại: RF R1 N v1 v0 v2 R2 RP Phương trình dòng điện tại nút N: v1 − U N v0 − U N + =0 R1 RF ⎛ 1 1 ⎞ v1 v0 UN ⎜ + ⎜R ⎟= + ⎝ 1 R F ⎟ R1 R F ⎠ v ⎛ 1 1 ⎞ v1 ⇒ 0 =UN ⎜ + ⎜R R ⎟− R ⎟ RF ⎝ 1 F ⎠ 1 ⎛ R ⎞ R ⇒ v0 = U N ⎜1 + F ⎟ − F v1 ⎜ ⎝ R1 ⎟ R1 ⎠ v2 v2 Mà U N = U P = RP = RF ( chọn RF = RP , R1 = R2 ) R2 + R P R1 + R F R ⇒ v0 = (v 2 − v1 ) F = k (v 2 − v1 ) R1 2.5 Mạch vi phân: Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
  13. Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 13 vi VCC t v0 t1 t2 t3 r d c VCC vi v0 t Mạch xén dung để tạo điện áp kích cho IC555 Monostable. * 0 ≤ t < t1 : vi = VCC , tụ không được nạp Điện áp ra: v0 = vi = VCC * t1 ≤ t < t 2 : vi =0, tụ được nạp từ nguồn VCC qua R hướng đến giá trị VCC , áp ra tăng từ 0 → gần VCC * t 2 ≤ t < t 3 : vi = VCC , tụ C xả điện qua D và R cho đến khi vC = 0V và điện áp ra v0 ≈ vi ≈ VCC 2.6 Mạch bảo vệ: a.Bảo vệ ngắn mạch: k Khi bị ngắn mạch ở tải dòng qua R g tăng ⇒ V Rg > V gSCR ⇒ SCR dẫn có dòng qua Relay làm d relay Cho Relay ngắn mạch phía sau r Khóa K làm tiếp điểm thường đóng. Khi SCR scr dẫn, Relay làm hở mạch, muốn mạch làm c việc trở lại thì phải ấn nút K để SCR mất nguồn cung cấp suy ra SCR tắt suy ra Relay mất tác động. Do khóa K thường đóng nên khi vừa nhả khóa K thì mạch tiếp tục làm việc. k RC : chống lại sự tăng du dt C : vài chục nF đến 1μF d relay R : vài chục Ω đến 100Ω b. Mạch bảo vệ dưới áp và quá áp: Khi điện áp vào nằm trong phạm cho phép thì Q1 , Q2 tắt. Relay không có dòng điện, tiếp điểm Relay đóng. Mạch hoạt động bình thường. Nếu áp vào tăng làm cho DZa Qa DZa đến ngưỡng dẫn → Qa dẫn Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
  14. Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 14 → Q1 dẫn → Relay tác động ngắt mạch. Nếu áp vào giảm xuống, làm cho DZb xuống mức ngưỡng dẫn → Qb tắt DZb Qb → Q2 dẫn → Relay tác động ngắt Q2 mạch. 2.7 Mạch cấp nguồn: vS Khi áp vào tăng thì: VbeQ = const ⇒ V0 = const V0 = V DZ + Vγ + VbeQ ≈ V DZ q d Tụ C để ổn định điện áp và chống nhiễu c + DZ 2.8 Tính công suất tiêu tán của Transistor chuyển mạch: I C max VCes t TR Tsat TF T0 Trong quá trình chuyển mạch, do có tính trễ nên BJT không dẫn ngay mà phải trải qua 1 thời gian tạo sườn lên và khi tắt phải trải qua thời gian tao sườn xuống. Đối với transistor làm việc ở chế độ xung, công suất tiêu tán chủ yếu ở giai đoạn chuyển đổi trạng thái, còn trong giai đoạn dẫn bão hòa công suất tiêu tán rất nhỏ. Ta có : P = Pr + Psat + Pf * 0 ≤ t ≤ Tr t I C (t ) = I C max Tr Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
  15. Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 15 Vces − Vs T −t Vce (t ) = t + Vs ≈ r Vs Tr Tr *Trong giai đoạn bão hoà: Psat = Vces I c max + Ves I bs *Trong giai đoạn T f : Tf − t I c (t ) = I c max Tf Vs − Vces V Vce (t ) = t + Vces ≈ s t Tf Tf Công suất trong thời gian T0 là: Tr Tf 1 T 1 P= ∫ I c (t )Vce (t )dt + sat (Vces I c max + Vbes I bs ) + ∫ I c (t )Vce (t )dt T0 0 T0 T0 0 1 Tr 1 Tr t (Tr − t ) Ta có : * T0 ∫ I c (t )Vce (t )dt = T0 ∫ I c maxVs Tr2 dt 0 0 Tr ⎛ 2 ⎞ I V = c max s ⎜ t − t ⎟dt ∫⎜T T 2 ⎟ T0 0⎝ r r ⎠ T I V ⎡ t2 t3 ⎤ r = c max s ⎢ − 2⎥ T0 ⎢ 2Tr 3Tr ⎥ 0 ⎣ ⎦ I V ⎛T T ⎞ = c max s ⎜ r − r ⎟ T0 ⎝ 2 3⎠ I VT = c max s r (*) 6T0 1 Tf 1 Tf ( t Tf − t ) * T0 ∫ I c (t )Vce (t )dt = T0 ∫ I c maxVs T f2 dt 0 0 I c maxVs T f = (**) 6T0 Thay (*) và (**) vào P: I VT I c maxVs T f V I + Vbes I bs P = c max s r + + Tsat ces c max 6T0 6T0 T0 Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
  16. Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 16 = I c maxVs 6T0 ( )T Tr + T f + sat (Vces I c max + Vbes I bs ) T0 (2.5) 2.9 Tính cuộn dây L: 4π.10 −7 N 2 S Hệ số tự cảm L được tính theo công thức: L = μ (2.6) l Trong đó N: số vòng dây S: tiết diện ống dây μ: độ từ thẩm chất liệu làm lõi l: chiều dài ống dây L: hệ số từ cảm ( H: Henry ) L.l ⇒ số vòng dây N = (2.7) 4π.10 −7 Sμ Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
  17. Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 17 PHẦN B : PHẦN TÍNH TOÁN VÀ THIẾT KẾ Yêu cầu : * Điện áp vào: V DC = 25v ± 30% * Điện áp ra: V0 = 12v * Độ gợn dòng đỉnh_đỉnh: ΔI = 0,01A * Độ gợn áp đỉnh_đỉnh: ΔV = 0,01v * Dòng trung bình: I 0 = 10A * Tần số làm việc: f = 12 kHz * Dùng IC555 để điều chế độ rộng xung Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
  18. Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 18 TÁC DỤNG CỦA CÁC LINH KIỆN * Rsa ,VRa : phân áp, chọn điện áp ngưỡng. * D za : làm cho mạch chuyển đổi trạng thái nhanh. * Qa ,Q1 : bảo vệ quá áp. * K: công tắc Reset. * Qb ,Q2 : bảo vệ dưới áp. * R a , R 3 : điện trở tăng tốc độ chuyển đổi trạng thái. ' * Rsb , Rb , D zb , R2 , R3 , VRb : tương tự như mạch bảo vệ quá áp. * Relay : Đóng ngắt mạch điện . * R4 : điện trở hạn dòng cho SCR. * R g : lấy áp kích cho SCR khi ngắn mạch. * R5 ,C1 : mạch có tác dụng hạn chế kích dẫn cho SCR. * R6 , D2 , D z1 , Q3 : cấp nguồn cho các mạch hoạt động. * D2 : bù nhiệt cho D z1 . * R6 : định thiên dòng cho diode D z1 . * C8 : tụ lọc nguồn, tránh nhiễu, ổn định điện áp. * D1 : bảo vệ cho SCR. * R7 , R8 ,VR2 , C 2 : xác định thời hằng cho mạch Astable. * D3 : tách đường nạp và xả thành hai đường. * IC555(1): mạch dao động không trạng thái bền . * R9 , C 4 : mạch vi phân, tạo xung kích cho Monostable. * R10 ,VR3 , C5 , IC555(2): mạch điều chế độ rộng xung. * R11 , R12 : điện trở phân cực cho Q4 . * Q4 : transistor chuyển mạch , đóng hoặc mở sẻ làm cho Q5 , Q6 dẫn hay tắt. Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
  19. Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 19 * C 7 : làm cho Q4 chuyển đổi trạng thái nhanh hơn. * R13 : điện trở tải của Q4 . * R11 : ổn định, tăng tốc độ chuyển đổi. * Q5 : ghép Darlington bổ phụ với Q6 . * Q6 : transistor chuyển mạch. * D5 : đảm bảo cho Q6 dẫn bão hoà. * R15 : tăng tốc độ chuyển đổi. * L,C 6 : mạch lọc, tích luỹ năng lượng trong thời gian Q5 , Q6 dẫn để cung cấp năng lưọng cho mạch khi Q5 , Q6 tắt. * R16 , D6 , D z 2 : tạo điện áp chuẩn để đưa đến mạch so sánh. * R21 ,VR3 , R22 : lấy mẫu tín hiệu ra để đưa đến mạch so sánh. * VR3 : thay đổi điện áp chuẩn. * R17 , R18 , R19 , R20 , μA741(1) : mạch so sánh. * μA741(2) : OP_AMP đệm. * VR4 : hiệu chỉnh để thoả mãn độ gợn áp ra. Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
  20. Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 20 1. Tính chọn mạch Astable: Chọn IC555 là HA17555 có các thông số sau: • Nguồn cung cấp: Vcc = 15 v • Dòng tiêu thụ trung bình: Itb = 10 mA • Công suất tiêu tán: 600 mW Thời gian tồn tại xung chính là thời gian nạp xả tụ C2 Theo (2.1) thời gian nạp tụ C2 là: T1 = 0.7C 2 (VR1 + R7 ) Chọn T1 = T/2 ⇒ 0.7C 2 (VR1 + R7 ) = 1 2f ⇒ VR1 + R7 = 1 1,4 fC 2 Chọn C2 = 22nF Suy ra VR1 + R7 = 1 = 2,7kΩ 1,4.12.10 3.22.10 −9 Chọn R7 = 2kΩ → VR1 =0,7kΩ Chọn R7 = 2kΩ , VR1 =1kΩ. Theo (2.3) chu kỳ dao động của mạch là: T = 0,7C 2 ( R7 + R8 + VR1 ) = 1 f ⇒ R7 + R8 + VR1 = 1 = 1 =5,411kΩ 0,7 fC 2 0,7.12.10 3.22.10 −9 ⇒ R8 = 5,411- 2,7 = 2,711kΩ Chọn R8 là điện trở 2kΩ và 0,8kΩ Dòng nạp tối đa cho tụ C2 là: 2 V 10 = 3 CC I R7 = = 3,7 mA R7 + VR1 2,7 Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

Đồng bộ tài khoản