Kỹ thuật điện tử ( GV Nguyễn Văn Hân ) - Phần 7

Chia sẻ: Nguyen Nhi | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:34

Thêm vào BST

Báo xấu

185
lượt xem 53
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

KỸ THUẬT XUNG - SỐ 3.1.1. Các tham số chủ yếu a. Biên độ xung Um là giá trị lớn Um nhất. b. Độ rộng sườn trước và sườn 0,9Um sau: khi xung biến thiên trong khoảng 0,1 đến 0,9 Um. c. Độ rộng xung: khi xung biến 0,1Um thiên trên mức 0,1Um. d. Độ sụt đỉnh xung: khi xung tđ ttr biến thiên trên mức 0,9 Um. tx e. Chu kỳ xung là khoảng thời gian lặp lại giá trị tương ứng. g. Thời gian nghỉ là khoảng h. Hệ số lấp đầy trống giữa hai xung liên tiếp. ...

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Kỹ thuật điện tử ( GV Nguyễn Văn Hân ) - Phần 7

Chương 3 KỸ THUẬT XUNG - SỐ 3.1 Khái niệm chung 3.1.1. Các tham số chủ yếu U a. Biên độ xung Um là giá trị lớn Um nhất. b. Độ rộng sườn trước và sườn 0,9Um sau: khi xung biến thiên trong khoảng 0,1 đến 0,9 Um. c. Độ rộng xung: khi xung biến t 0,1Um thiên trên mức 0,1Um. d. Độ sụt đỉnh xung: khi xung tđ ttr ts biến thiên trên mức 0,9 Um. tx e. Chu kỳ xung là khoảng thời gian lặp lại giá trị tương ứng. tx g. Thời gian nghỉ là khoảng h. Hệ số lấp đầy  T trống giữa hai xung liên tiếp. 1
3.1.2. Chế độ khóa của tranzito a. Yêu cầu cơ bản b. Độ dự trữ chống nhiễu • Chế độ khóa có điểm làm Ở mức cao: SH=U ra khóa- UH việc nằm ngoài đoạn NM trên Ở mức thấp: SL=U ra mở- UL đường tải tĩnh đã nêu ở U ra Cấm bão hòa chương khuếch đại. • Dùng T làm khóa có tốc độ UH chuyển mạch cao, không có Thông bão hòa tia lửa điện. UL • Khi dùng T làm khóa thì có U vào hai trạng thái khác biệt: • Độ dự trữ chống nhiễu càng lớn Ura thế cao khi Uv thế thấp càng tốt. Ura thế thấp khi Uv thế cao • Muốn nâng cao độ dự trữ chống nhiễu? Mức thế cao kí hiệu là UH • Tăng độ dốc đặc tuyến dùng IC thuật toán. Mức thế thâp kí hiệu là UL 2
3.2. Các mạch không đồng bộ hai trạng thái ổn định • Các mạch điện có hai trạng thái ổn định bền ở đầu ra theo thời gian là phần tử cơ bản cấu trúc nên một ô nhớ thông tin nhị phân. Mạch điện loại này còn có tên gọi là §Çu vµo §Çu ra Trigơ.  Rn Sn Qn+1 n+1 3.2.1. Trigơ đối xứng (RS)  0 0 Qn n a. Sơ đồ 0 1 1 0 1 0 0 1 b. Hoạt động: Xem EWB 1 1 x x c. Bảng trạng thái 3
3.2.2. Trigơ Smit a. Sơ đồ b. Hoạt động Uvào tăng từ một trị số rất âm... Uvào giảm từ một trị số rất dương... Ura Ura max c. Đặc tuyến truyền đạt Nếu U vào là tín hiệu hình sin thì lối ra có dạng xung vuông. (Thí nghiệm trên Work Bench) Uvao Nếu dung IC thuật toán, đường 0 đặc tuyến có tính đối xứng qua 0. Uđóng Ungắt Ura min 4
5
3.3. Mạch không đồng bộ một trạng thái ổn định Đặc điểm: Mạch có một trạng thái ổn định bền. Trạng thái thứ hai chỉ ổn định trong một khoảng thời gian nhất định phụ thuộc vào tham số của mạch. 3.3.1. Đa hài đợi a. Sơ đồ b. Hoạt động • Thời gian phát xung Tx=RCln2 c. Giản đồ thời gian • Chu kỳ xung do Uvào quyết định Xem: Da hai doi dung t.ewb 6
b. Hoạt động (phân tích chi tiết) • Khi cấp nguồn, tụ C nạp điện qua Rc và BE của T2 làm T2 thông. Ura ở +- thế thấp qua R1 và R2 phân cực cho T1 làm T1 cấm. • Hệ ở trạng thái ổn định đợi. 7
b. Hoạt động (phân tích chi tiết) • Khi có xung dương qua R2 làm T1 thông, tụ C phóng điện qua R và T1 làm T2 cấm. Ura ở thế cao. Dòng phóng giảm dần, đến lúc T2 thông trở lại. Lối ra có 1 xung. • Hệ về trạng thái ổn định đợi. 8
3.4. Mạch không đồng bộ hai trạng thái không ổn định (đa hài tự dao động) 3.4.1. Đa hài dùng tranzito a. Sơ đồ b. Hoạt động c. Giản đồ thời gian Xem: Da hai doi t bipola.ewb Chu kỳ xung ra: T=1+ 2 Trong đó 1  RC ln 2  0,7 R 1 C1 • So sánh với mạch dùng MOSFET  2  RC ln 2  0,7 R 2 C 2 9
Ub và Uc của T2 10
Ub và Uc của T1 11
So sánh với kết quả trong sách giáo khoa? Giải thích? 12
Tín hiệu ra luôn ngược pha nhau. 13
Đối chiếu cấu trúc mạch khi dùng tranzito trường • Xem dạng tín hiệu và xét quá trình quá độ. So sánh. 14
Dùng tranzito trường tạo được sườn trước của xung tốt hơn. Chú ý các điện trở phân cực. 15
Mạch dao động Blocking • Là một mạch tự dao động nhưng có hệ số hồi tiếp dương mạnh. • Do hồi tiếp mạnh nên thời gian phát xung tx rất ngắn so với thời gian hồi phục thph. • tx
3.7. Cơ sở đại số logic và các phần tử logic cơ bản Định luật kết hợp 3.7.1. Cơ sở đại số logic x+y+z = (x+y)+z = x+(y+z) a. Hệ tiên đề và định lý xyz = (xy)z = x(yz) 4 quy tắc của phép cộng Định luật phân bố x+0=x x+x=x x(y+z) = xy + xz x+=1 x+1=1 Định lí: x.y+x. =x x(+y)=xy Mô tả như hai công tắc mắc // 4 quy tắc của phép nhân x+xy=x (x+y)(x+z)=x+yz x.0=0 x.x=x x+y=x+y x(x+y)=x x.  =0 x.1=x Định lí Demorgan   Fx.y.z...  F x  y  z... Mô tả như hai công tắc mắc nối tiếp   2 quy tắc của phép phủ định Fx  y  z...  F x.y.z... x   x xx Ví dụ: x.y.z  x  y  z Định luật hoán vị x  y  z  x.y.z 17 x+y=y+x; xy=yx
3.7.2. Các phần tử logic cơ bản a. Phủ định logic-NO - Hàm: FNO =  - Kí hiệu quy ước -Bảng trạng thái x FNO 01 10 Sơ đồ thí nghiệm - Giản đồ điện áp theo thời gian. Chú ý: Kênh A là tín hiệu vào x. Kênh B là tín hiệu ra FNO. 18
b. Phần tử và-AND - Hàm: FAND = x1 x2 x3.... - Kí hiệu quy ước - Bảng trạng thái x1 x2 FAND 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 - Sơ đồ thí nghiệm - Giản đồ điện áp theo thời gian. Chú ý: Kênh A là tín hiệu vào x1. Kênh B là tín hiệu vào x2 Kênh C là tín hiệu ra FAND. 19
c. Phần tử hoặc-OR - Hàm: FOR = x1+ x2+ x3+.... - Kí hiệu quy ước - Bảng trạng thái x1 x2 FOR 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 - Sơ đồ thí nghiệm - Giản đồ điện áp theo thời gian. Chú ý: Kênh A là tín hiệu vào x1. Kênh B là tín hiệu vào x2 Kênh C là tín hiệu ra FOR. 20