Bipolar transistors

Xem 1-20 trên 45 kết quả Bipolar transistors
  • Chapter 5: Bipolar Junction Transistor's Goals is Explore the physical structure of bipolar transistor, Study terminal characteristics of BJT, Explore differences between npn and pnp transistors, Develop the Transport Model for bipolar devices.

    ppt43p cocacola_17 10-12-2015 14 1   Download

  • Tham khảo tài liệu 'chapter 4: the bipolar transistor', kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả

    pdf19p xinpha 06-10-2011 49 12   Download

  • The properties and performance of analog biCMOS integrated circuits are dependent on the devices used to construct them. This chapter is a review of the operation of silicon devices. It begins with a discussion of conductivity and resistance. Simple physical models for bipolar transistors, MOS transistors, and junction and diffusion capacitance are developed.

    pdf199p tailieuvip13 19-07-2012 30 6   Download

  • Lecture "Radio Communication Circuits: Chapter 3 & 4" presents the following contents: Low Noise Amplifier (LNA), Noise in Bipolar Transistors, Frequency Conversion Circuits (Mixers). Invite you to consult.

    pdf73p doinhugiobay_12 15-01-2016 5 2   Download

  • Giới thiệu: 1948: Transistor đầu tiên (Bell Lab); Các loại transistor (TST): BJT, FET; BJT: bipolar junction transistor : Transistor hai lớp tiếp giáp

    pdf0p doanhuan87 17-05-2010 437 174   Download

  • Khảo sát bộ nghịch lưu nguồn với đầu ra trung tâm có sơ đồ mạch được vẽ như hình 9.2.1. các giá trị trong mạch cho như sau. VS=100V, L2=0, C2=0,R2=2, công tắc SW1 và SW2 (IGBT). (Insullategate Bipolar Transistor không dùng diode. SPWM (điều chỉnh độ rộng xung với tần số sóng mang 800Hz, f=50Hz. Điện áp cổng 12V. Thực hiện chương trình mô phỏng PSPICE dùng IC 555 để vẽ đường điện áp cổng và điện áp tải trong một chu kỳ và vẽ phổ tần số điện áp tải....

    pdf8p chicominhem21 14-09-2010 194 72   Download

  • Tạo một dự án tên là Transistor và đặt tên một thư mục mới có cùng tên. Khi dự án này mới được tạo ra, hãy chắc chắn rằng bạn bao gồm các thư viện bipolar.slb. Hình 50 cho thấy mạch bóng bán dẫn bằng cách sử dụng một phần 2N3904 và áp dụng một hình sin thoáng qua đầu vào. VSIN nguồn điện áp là một tín hiệu thoáng qua là một hình sin chứ không phải hơn so với một xung sóng vuông. Chúng ta hãy nhìn vào các thông số cho nguồn này.

    doc9p dohongpro 27-09-2011 190 41   Download

  • Transistor là một linh kiện rất quan trọng trong điện tử, bao gồm cả các mạch điện tử rời rạc và các mạch tích hợp. Sự quan trọng của thiết bị này xuất phát từ khả năng của nó trong việc tạo ra các bộ khuếch đại. Một mạch được xem là mạch khuếch đại khi nó có khả năng sử dụng các thay đổi nhỏ của dòng hoặc áp ở ngõ vào để tạo ra các thay đổi lớn hơn ở ngõ ra.

    pdf31p luongmylm 21-12-2013 122 26   Download

  • The field effect transistor was actually conceived before the more familiar bipolar transistor. Due to limited technology and later the rapid rise of the bipolar device it was not pursued until the early 1960Õs as a viable semiconductor alternative. At this time further investigation of the field effect transistor and advances in semiconductor process technology lead to the types in use today.

    pdf11p vankent 13-07-2010 56 10   Download

  • Since the mid-20th Century the electronics industry has enjoyed phenomenal growth and is now the largest industry in the world. The foundation of the electronics industry is the semiconductor device. To meet the tremendous demand of this industry, the semiconductor-device field has also grown rapidly. Coincident with this growth, the semiconductor-device literature has expanded and diversified.

    pdf763p crazy_kid 23-09-2010 171 85   Download

  • Equivalent circuit device models are critical for the accurate design and modelling of RF components including transistors, diodes, resistors, capacitors and inductors. This chapter will begin with the bipolar transistor starting with the basic T and then the π model at low frequencies and then show how this can be extended for use at high frequencies. These models should be as simple as possible to enable a clear understanding of the operation of the circuit and allow easy analysis. They should then be extendible to include the parasitic components to enable accurate optimisation....

    pdf62p doroxon 16-08-2010 179 67   Download

  • .Circuit Design .The Newnes Know It All Series PIC Microcontrollers: Know It All Lucio Di Jasio, Tim Wilmshurst, Dogan Ibrahim, John Morton, Martin Bates, Jack Smith, D.W. Smith, and Chuck Hellebuyck ISBN: 978-0-7506-8615-0 Embedded Software: Know It All Jean Labrosse, Jack Ganssle, Tammy Noergaard, Robert Oshana, Colin Walls, Keith Curtis, Jason Andrews, David J. Katz, Rick Gentile, Kamal Hyder, and Bob Perrin ISBN: 978-0-7506-8583-2 Embedded Hardware: Know It All Jack Ganssle, Tammy Noergaard, Fred Eady, Lewin Edwards, David J.

    pdf1249p nguyenthai_thinh 21-03-2013 197 42   Download

  • Power Electronic Devices 1 Power Electronics Kaushik Rajashekara, Sohail Anwar, Vrej Barkhordarian, Alex Q. Huang Overview • Diodes • Schottky Diodes • Thyristors • Power Bipolar Junction Transistors • MOSFETs • General Power Semiconductor Switch Requirements • Gate Turn-Off Thyristors • Insulated Gate Bipolar Transistors • Gate-Commutated Thyristors and Other Hard-Driven GTOs • Comparison Testing of Switches © 2002 by CRC Press LLC .1 Power Electronics Kaushik Rajashekara Delphi Automotive Systems 1.

    pdf101p daohuongthon 22-01-2010 103 36   Download

  • Cách phân cực tác động nghịch này ít được sử dụng , ngoại trừ trong IC số do cấu trúc đối xứng nên các cực thu C và cực phát E có thể thay thế vị trí cho nhau. Chú ý: 1.Trong phần khảo sát transistor hoạt động khuếch đại ta xét đến kiểu tác động (BE phân cực thuận, CB phân cực nghịch) 2.Phần hoạt động giao hoán sẽ xét đến sau.

    pdf30p 124357689 11-06-2012 101 26   Download

  • With technology advancements in semiconductor devices such as insulated gate bipolar transistors (IGBTs) and gate commutated thyristors (GCTs), modern highpower medium voltage (MV) drives are increasingly used in petrochemical, mining, steel and metals, transportation and other industries to conserve electric energy, increase productivity and improve product quality. Although research and development of the medium voltage (2.3 KV to 13.8 KV) drive in the 1-MW to 100-MW range are continuously growing, books dedicated to this technology seem unavailable.

    pdf333p ctq_109 28-02-2013 64 22   Download

  • Rajashekara, K., Bhat, A.K.S., Bose, B.K. “Power Electronics” The Electrical Engineering Handbook Ed. Richard C. Dorf Boca Raton: CRC Press LLC, 2000 .30 Power Electronics 30.1 Power Semiconductor Devices Thyristor and Triac • Gate Turn-Off Thyristor (GTO) • ReverseConducting Thyristor (RCT) and Asymmetrical Silicon- Controlled Rectifier (ASCR) • Power Transistor • Power MOSFET • Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) • MOS Controlled Thyristor (MCT) Kaushik Rajashekara Delphi Energy & Engine Management Systems 30.2 30.3 30.

    pdf44p longmontran 14-01-2010 94 18   Download

  • TRANSISTOR AMPLIFIER DESIGN Ampli®ers are among the basic building blocks of an electronic system. While vacuum tube devices are still used in high-power microwave circuits, transistorsÐ silicon bipolar junction devices, GaAs MESFET, heterojunction bipolar transistors (HBT), and high-electron mobility transistors (HEMT)Ðare common in many RF and microwave designs. This chapter begins with the stability considerations for a two-port network and the formulation of relevant conditions in terms of its scattering parameters....

    pdf64p vaseline 30-08-2010 52 16   Download

  • Thí dụ : Với Vcc=18V; Rc = 3k  , dòng IBQ = 40uA Tính được Q ( IC = 4mA , ( VCE = 6V , ( VBE = 0,7V cho trước Vai trò của đường thẳng tải tĩnh • Phân giải mạch Transistor. • Xác định điểm tĩnh điều hành Q. • Cho biết trạng thái hoạt động cũa transistor ( tác động, bão hoà, ngưng). • Mạch khuếch đại có tuyến tính hay không. • Thiết kế mạch khuếch theo ý định ( chọn trước điểm tĩnh Q , tính các trị số linh kiện) Chú ý: • Độ lợi dòng...

    pdf6p zues08 06-07-2011 41 13   Download

  • In this chapter, MATLAB will be used to solve problems involving metaloxide semiconductor field effect and bipolar junction transistors. The general topics to be discussed in this chapter are dc model of BJT and MOSFET, biasing of discrete and...

    pdf52p nguyen3 12-11-2009 46 9   Download

  • A review of silicon properties is important to understanding silicon components, in particular modern components such as strained-silicon MOSFETs and heterojunction bipolar transistors. Several books cover this subject in detail. The objective of this chapter is to highlight those features that are most important to silicon device operation and characteristics.

    pdf614p nguyenthai_thinh 16-03-2013 46 6   Download

CHỦ ĐỀ BẠN MUỐN TÌM

Đồng bộ tài khoản