Pn junctions

Xem 1-11 trên 11 kết quả Pn junctions
  • Đặc tính quan trọng nhất của các chuyển tiếp p-n là sự chỉnh lưu dòng điện, nghĩa là chúng cho phép dòng dễ dàng chạy theo chỉ 1 chiều. Hình sau cho thấy đặc tuyến dòng-áp của 1 chuyển tiếp p-n Si tiêu biểu. • Khi ta đưa "phân cực thuận" vào chuyển tiếp (điện áp dương vào phía P), dòng điện tăng nhanh theo điện áp tăng. Tuy nhiên khi đưa vào "phân cực ngược", không có dòng điện chạy qua.

    pdf44p levanhau_01031993 29-09-2013 86 23   Download

  • Physically, diodes are formed by the interface between two regions of oppositely doped semiconductor (i.e., pn junction) and are thus, structurally, the simplest semiconductor devices used in electronics. 1. Ideal Diode An ideal diode is a two-terminal device defined by the following non-linear (currentvoltage) iv-characteristic: i "electronic check valve" "arrowhead" i "brick wall" Anode + v - Cathode Reverse Bias "RB" Forward Bias "FB" Circuit Symbol 0 Forward Biased Regime (v0): Zero voltage drop occurs across a forward-biased ideal diode (i.e.

    pdf18p vankent 13-07-2010 54 10   Download

  • The properties and performance of analog biCMOS integrated circuits are dependent on the devices used to construct them. This chapter is a review of the operation of silicon devices. It begins with a discussion of conductivity and resistance. Simple physical models for bipolar transistors, MOS transistors, and junction and diffusion capacitance are developed.

    pdf199p tailieuvip13 19-07-2012 29 6   Download

  • In this chapter, a brief description of the basic concepts governing the flow of current in a pn junction are discussed. Both intrinsic and extrinsic semiconductors are discussed.

    pdf43p nguyen3 12-11-2009 56 11   Download

  • In this chapter, a brief description of the basic concepts governing the flow of current in a pn junction are discussed. Both intrinsic and extrinsic semiconductors are discussed. The characteristics of depletion and diffusion capacitance are explored through the use of example problems solved with MATLAB. The effect of doping concentration on the breakdown voltage of pn junctions is examined. 10.1 10.1.1 Energy bands INTRINSIC SEMICONDUCTORS According to the planetary model of an isolated atom, the nucleus that contains protons and neutrons constitutes most of the mass of the atom.

    pdf43p balanghuyen 13-01-2010 58 11   Download

  • In this chapter, MATLAB will be used to solve problems involving metaloxide semiconductor field effect and bipolar junction transistors. The general topics to be discussed in this chapter are dc model of BJT and MOSFET, biasing of discrete and integrated circuits, and frequency response of amplifiers. 12.1 BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS Bipolar junction transistor (BJT) consists of two pn junctions connected backto-back. The operation of the BJT depends on the flow of both majority and minority carriers. There are two types of BJT: npn and pnp transistors.

    pdf52p balanghuyen 13-01-2010 62 10   Download

  • CHAPTER TEN SEMICONDUCTOR PHYSICS In this chapter, a brief description of the basic concepts governing the flow of current in a pn junction are discussed. Both intrinsic and extrinsic semiconductors are discussed. The characteristics of depletion and diffusion capacitance are explored through the use of example problems solved with MATLAB. The effect of doping concentration on the breakdown voltage of pn junctions is examined. 10.1 10.1.

    pdf43p longmontran 15-01-2010 47 10   Download

  • CHAPTER TWELVE TRANSISTOR CIRCUITS In this chapter, MATLAB will be used to solve problems involving metaloxide semiconductor field effect and bipolar junction transistors. The general topics to be discussed in this chapter are dc model of BJT and MOSFET, biasing of discrete and integrated circuits, and frequency response of amplifiers. 12.1 BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS Bipolar junction transistor (BJT) consists of two pn junctions connected backto-back. The operation of the BJT depends on the flow of both majority and minority carriers. There are two types of BJT: npn and pnp transistors.

    pdf52p longmontran 15-01-2010 44 10   Download

  • Transitor hay còn gọi là bóng dẫn gồm ba lớp bán dẫn ghép với nhau hình thành hai mối tiếp giáp PN , nếu ghép theo thứ tự PNP ta được Transistor thuận , nếu ghép theo thứ tự NPN ta được Transistor ngược. về phương diện cấu tạo Transistor tương đương với hai Diode đấu ngược chiều nhau. Cấu trúc này được gọi là Bipolar Junction Transitor (BJT) vì dòng điện chạy trong cấu trúc này bao gồm cả hai loại điện tích âm và dương (Bipolar nghĩa là hai cực tính)...

    doc5p trancannam007 24-12-2009 325 147   Download

  • 3.4 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG CỔNG TIẾP GIÁP – JFET. Transistor hiệu ứng trường cổng tiếp giáp, gọi tắt là JFET [Junction Field-Effect Transistor] là một kiểu khác của transistor hiệu ứng trường có thể được tạo thành mà không cần phải có lớp ô xít cách ly với cực cổng bằng cách sử dụng các tiếp giáp pn. Phần sau của tên gọi cũng như đối với MOSFET cho biết nguyên tắc làm việc của dụng cụ là được điều khiển bằng điện trường.

    pdf17p biodoc 07-09-2011 107 59   Download

  • CHƯƠNG 3. TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG Transistor hiệu ứng trường gọi tắt là FETs [Fiel-Effect Transistors] bao gồm hai loại chính đó là: Transistor hiệu ứng trường có cấu trúc cổng bằng bán dẫn-oxide-kim loai, gọi tắt là MOSFET [Metal-Oxide-Semiconductor FET], và transistor hiệu ứng trường có cấu trúc cổng bằng tiếp giáp pn, thường gọi là JFET [Junction FET].

    pdf15p biodoc 07-09-2011 70 26   Download

CHỦ ĐỀ BẠN MUỐN TÌM

Đồng bộ tài khoản