Transistors based

Xem 1-18 trên 18 kết quả Transistors based
  • Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Organic electrochemical transistors based on a dielectrophoretically aligned nanowire array

    pdf5p dauphong13 09-02-2012 17 4   Download

  • Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Single-photon Transistors Based on the Interaction of an Emitter and Surface Plasmons

    pdf4p sting09 21-02-2012 26 2   Download

  • In a field-effect transistor (FET), the width of a conducting channel in a semiconductor and, therefore, its current-carrying capability, is varied by the application of an electric field (thus, the name field-effect transistor). As such, a FET is a “voltage-controlled” device. The most widely used FETs are Metal-Oxide-Semiconductor FETs (or MOSFET). MOSFET can be manufactured as enhancement-type or depletion-type MOSFETs. Another type of FET is the Junction Field-Effect Transistors (JFET) which is not based on metal-oxide fabrication technique.

    pdf14p vankent 13-07-2010 57 19   Download

  • Harazim et al. Nanoscale Research Letters 2011, 6:215 http://www.nanoscalereslett.com/content/6/1/215 NANO EXPRESS Open Access Integrated sensitive on-chip ion field effect transistors based on wrinkled InGaAs nanomembranes Stefan M Harazim*†, Ping Feng, Samuel Sanchez, Christoph Deneke, Yongfeng Mei, Oliver G Schmidt Abstract Self-organized wrinkling of pre-strained nanomembranes into nanochannels is used to fabricate a fully integrated nanofluidic device for the development of ion field effect transistors (IFETs).

    pdf8p dauphong13 09-02-2012 31 7   Download

  • Xác định hệ số khuyếch đại vòng hở AC của bộ khuyếch đại emitter-chung Hãy xác định điểm-Q và hệ số khuyếch đại vòng hở AC của mạch khuyếch đại ở hình 3.4, mạch khuyếch đại sử dụng transistor npn 2N5088 khi nguồn điện áp base, VBB = 6 V; VCC = 12 V; RB = 100 k; RC = 0,5 k; RE = 100 = 0,6 V; fe = 350 .

    pdf24p nhi_93 30-03-2013 64 6   Download

  • The proposed book contains a lot of recent research devoted to numerical simulations of physical and engineering systems. It can be treated as a bridge linking various numerical approaches of two closely inter-related branches of science, i.e. physics and engineering. Since the numerical simulations play a key role in both theoretical and application-oriented research, professional reference books are highly required by pure research scientists, applied mathematicians, engineers as well post- graduate students....

    pdf0p orchid_1 17-09-2012 34 4   Download

  • Since 1978, Intel's processors have evolved from the 8086 and the 8088 to the 80286, 80386, and 80486, to the Pentium family of processors. All are part of the 80x86 line. Intel's Pentium family of processors includes the Pentium, Pentium Pro, Pentium with MMX, Pentium II, Pentium III, Celeron, and Xeon processors. The earliest Intel processors included only a few thousand transistors. Today's Pentium processors include 9.5 million transistors or more.

    ppt17p trada85 18-01-2013 20 3   Download

  • This building technique was adopted in the predigital era by architects such as Le Corbusier. The roof of the chapel at Ronchamp, for example­ likened to an airplane wing by the architect-is designed and built as a series of structural concrete ribs, tied together laterally by crossbeams. A paper model of the roof clearly shows the intentions for the internal construction.

    pdf6p quynho77 13-11-2012 17 0   Download

  • Several techniques for fabrication of through-wafer vias in silicon have been compared in terms of achievable via diameter, shape and geometry and their influence on mechanical strength of silicon dies/wafers. Assessed techniques are: powder blasting, laser melt cutting, laser ablation, and deep reactive ion etching. The resolution of each method and influence on geometry was evaluated by fabrication through-wafer holes and slots in 240µm-thick silicon wafers. The mechanical strength is measured using ring-on-ring (RoR) and four-point bending methods.

    pdf17p quynho77 13-11-2012 16 0   Download

  • Mô tả và chức năng Thyristor gồm 3 lớp PN và mắc vào mạch ngoài gồm 3 cổng: điện cực anode A, cathode C và cổng điều khiển G. Về mặt lý thuyết tồn tại cấu trúc thyristor: PNPN và NPNP, trong thực tế người ta chỉ phát triển và sử dụng loại PNPN. Sơ đồ thay thế thyristor bằng mạch transistor được vẽ ở hình H1.16. Giả sử anode của thyristor chịu tác dụng của điện áp dương so với cathode (uAK 0). Khi đưa vào mạch G, K của cathode (tương ứng với mạch base- emitor của...

    pdf8p thanhmaikmt 24-05-2010 619 147   Download

  • BJT (Bipolar Junction Transistors) Cho 3 lớp bán dẫn tiếp xúc công nghệ liên tiếp nhau. Các cực E: Emitter, B: Base, C: Collector. Điện áp giữa các cực dùng để điều khiển dòng điện. Đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh của BJT. Đường tải tĩnh được vẽ trên đặc tuyến tĩnh của BJT.Điểm làm việc tĩnh nằm trên đường tải tĩnh ứng với khi không có tín hiệu vào (xác định chế độ phân cực cho BJT). Điểm làm việc tĩnh nằm càng gần trung tâm KL càng ổn định...

    ppt79p cuong09n2 17-02-2011 283 105   Download

  • Bài 2. SƠ ĐỒ KHUẾCH ĐẠI TRANZITOR 1. MỤC ĐÍCH Khảo sát đặc trưng của transistor NPN và PNP trong chế độ làm việc một chiều. Khảo sát đặc tính công tác của transistor trong các chế độ khuyếch đại mắc kiểu Emitter chung, Collector chung và Base chung. 2. CƠ SỞ LÝ THUYẾT Để thực hành tốt được bài thí nghiệm yêu cầu sinh viên cần nắm rõ một số điểm sau: Cấu tạo nguyên lý làm việc của transistor lưỡng cực NPN và PNP. Cách tính hệ số khuyếch đại của trasistor.

    pdf15p suatuoi_vinamilk 12-07-2011 271 82   Download

  • Phototransistors. - Là transistor có dòng base gây bởi bức xạ tới và do đó dòng C-E cũng phụ thuộc bức xạ tới. Chuyển tiếp C-B hoạt động như photodiode và chuyển các photon thành các hạt tảI, tạo ra dòng base gây bởI photon, Ip. Dòng này gây ra dòng collector: IC = HFE x Ip - Đôi khi tiếp xúc điện được lấy ra từ miền base, khi đó có thêm thành IB pgần dòng : IC = HFE (IB + Ip) - Phototransistor có thể được dùng như một bộ khuếch đại tuyến tính, nhưng thường dùng...

    pdf5p minhanh0246 25-09-2010 110 38   Download

  • Transistor Q3 được cấp nguồn VEE = +4,5V, điện áp tiếp giáp B-E của Q3 là 0,7Vù. Nếu mạch thiết kế để sao cho IC3 = 1mA, thì sụt áp trên R5 sẽ là: VR5 = IC3R5 = 1mA.12KΩ = 12 V; Và VC3 = –VCC + VR5 = –12V + 12V = 0V. VB2 ≡ VC3 = 0V. Như vậy thế cực đáy của Q1 và Q2 đều bằng 0V khi điện áp vào Vi = 0. Với cách mắc Q3 như vậy làm cho điện áp base Q2 luôn luôn cân bằng với điện áp base của Q1....

    pdf16p zues06 24-06-2011 63 24   Download

  • Transistor 1. Cấu tạo của Transistor. ( Bóng bán dẫn ) Transistor gồm ba lớp bán dẫn ghép với nhau hình thành hai mối tiếp giáp P-N , nếu ghép theo thứ tự PNP ta được Transistor thuận , nếu ghép theo thứ tự NPN ta được Transistor ngược. về phương diện cấu tạo Transistor tương đương với hai Diode đấu ngược chiều nhau . Cấu tạo Transistor Ba lớp bán dẫn được nối ra thành ba cực , lớp giữa gọi là cực gốc ký hiệu là B ( Base ), lớp bán dẫn B rất mỏng và có nồng...

    pdf14p hoa_layon 20-08-2011 42 15   Download

  • The advances in ultra-large-scale integration (ULSI) technology mainly have been based on downscaling of the minimum feature size of complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) transistors. The limit of scaling is approaching and there are unsolved problems such as the number of electrons in the device’s active region. If this number is reduced to less than 10 electrons (or holes), quantum fluctuation errors will occur and the gate insulator thickness will become too small to block quantum mechanical tunneling, which may result in unacceptably large leakage currents....

    pdf0p chuyenphimbuon 21-07-2012 32 8   Download

  • Active region = miền tích cực Base (B) = (miền/cực) nền Bipolar transistor = transistor lưỡng cực Breakdwon region = miền đánh thủng Collector C ll t (C) = ( iề / (miền/cực) th (h góp) ) thu (hay ó ) Collector diode = diode tạo bởi JC Common base (CB) = nền chung Common collector (CC) = thu chung Common emitter (CE) = phát chung Từ Vựng (2) • • • • • • Current gain = độ lợi dòng Curve tracer = máy vẽ đặc tuyến Cutoff region = miền tắt Emitter (E) = (miền/cực) phát Emitter diode = diode...

    pdf29p vankent 13-07-2010 43 5   Download

  • • Amplifying transistor circuit = mạch transistor khuếch đại (KĐ) • Base bias = phân cực [bằng dòng] nền [hằng] • Base-emitter voltage = điện áp nền-phát • Base voltage = điện áp (ở cực) nền • Circuit value = giá trị mạch • Collector voltage = điện áp (ở cực) thu • Correction factor = hệ số hiệu chỉnh • Cutoff point = điểm cắt Từ Vựng (2) • • • • • • • Emitter bias = phân cực [bằng dòng] phát [hằng] Emitter voltage = điện áp (ở cực) phát Fixed base current = dòng nền cố ...

    pdf20p vankent 13-07-2010 43 5   Download

CHỦ ĐỀ BẠN MUỐN TÌM

Đồng bộ tài khoản