Lê Thị Bích Liên
Đại học sư phạm Huế
1. Khái nim
Laser Ti: sapphire laser rắn sử dụng sapphire làm i trường hoạt
chất. Laser Ti: sapphire phát ánh sáng u đ và ánh sáng trong ng hng
ngoại gần với bước sóng trong khong 650- 1100nm. Laser Ti: sapphire
được sử dụng rộng rãi nó có thđiều hưởng bước sóng trên mt vùng
rộng đ phát xung laser cực ngắn (femto giây) bằng phương pháp khóa
mode. Laser Ti: sapphire là vật liệu hàng đầu trong công nghệ khóa mode để
tạo xung cực ngắn. Laser Ti: sapphire được chế tạo lần đầu tiên vào năm
1982.
2. Cấu tạo của Sapphire
Sapphire ng dòng h với Ruby.
Sapphire một biến thể của corindon
- Al2O3.
Sapphire có u xanh do lẫn ít titan oxit. T
trọng của Sapphire: 3,95 - 4,03 , thường là 3,99.
Sapphire độ cứng ơng đi là 9 (theo thang
Mohs), ch đứng sau kim cương. Độ
cứng của sapphire cũng biến đổi theo
các hướng khác nhau như Ruby.
Sapphire chiết suất vào khong:
1,766 - 1,774. Sapphire lam hấp thụ các
bước sóng: 470.1nm, 460nm, 455nm,
450nm, 379nm.
ng thức hóa học của sapphire
Al2O3 dạng α-alumina với một phần nhỏ các ion Ti3+ thay thế vị tcủa
Đá Sapphire
Cấu trúc tinh thể Al2O3
Lê Thị Bích Liên
Đại học sư phạm Huế
Al3+ trong mạng tinh thể. Mỗi ion Ti3+ liên kết với 6 ion O2- nằm các đỉnh
của hình tám mt.
3. Cấu tạo của Laser Ti: Sapphire
3.1. Môi trường hoạt chất
Sapphire hợp chất của Al2O3 Ti3+ nên môi trường hoạt chất của
laser Ti: sapphire cũng những tính chất riêng của hợp chất này. Al2O3 có
tính dẫn nhiệt tốt nên th giảm nhiệt độ nhanh ngay cả với laser
ng suất cao ờng độ lớn. Ion Ti3+ có độ rộng phổ hấp thụ lớn nên phát
ra laser độ rộng phổ lớn, đó là một sở để điều khiển laser Ti: Sapphire
phát xung cc ngắn (cỡ femto giây).
Tinh thTi: sapphire được chế tạo bằng cách
nung ng chảy Ti2O3 với Al2O3. Nng độ ion Ti3+
trong mạng chiếm khoảng 0,1-0,5% khi lượng. Ion
Ti3+ chiếm chỗ của ion Al3+, nó trung tâm của hình
bát diện và liên kết cộng a trị với 6 ion âm O2-
xung quanh. Trong mạng tinh thể tưởng thể
xem hình bát diện này đối xứng. Nng độ ion Ti3+ trong mạng tinh thể
khoảng 3,3.1019 ion/cm3. Trạng thái điện tcơ bản của ion Ti3+ được tách
thành hai mc điện tử dao động, hai
mức này liên kết mạnh với các mode
dao động của mạng gây nên smở rộng
đồng nhất mạnh. Thông thường người
ta chế tạo thanh hoạt cht đường
kính c 35- 45mm, chiều dài khoảng
80- 180mm. Nhôm ôxit đóng vai trò
chất nền, ion Ti3+ tâm hoạt chất phát
ra laser.
Hình bát diện của
Ti:Al2O3
Hình nh thanh Ti:Al2O3 trong
thực tế
Lê Thị Bích Liên
Đại học sư phạm Huế
3.2. Buồng cộng hưởng
Bung cộng hưởng của laser Ti: sapphire cũng giống với buồng cộng
hưởng của Laser Ruby là bung cng hưởng quang học, thường được chế
tạo ở hai dạng:
- Dạng 1 buồng cộng ởng quang học hở (Fabri perot
- Dạng 2 buồng cộng ởng kín.
Laser Ti: sapphire được sử dụng dưới dạng xung laser cực ngắn là ch
yếu nên bung cộng hưởng cũng được thay đổi. Để tạo ra xung cực ngắn thì
hai phương pháp: điều biến độ phẩm chất và khóa mode. chế độ khóa
mode đòi hỏi buồng cộng hưởng phải đdài, để không tăng kích thước laser
thì người ta chế tạo buồng cộng ởng gấp. Hot động của buồng cộng
hưởng gấp ngoài mục đích tăng quãng đường đi của photon còn m chùm
photon đơn sắc, công suất cao. Do đó trong buồng cộng hưởng ngoài
gương phản xtoàn phần, gương phản xmột phần ra người ta còn đưa
thêm ng kính khe chắn sáng vào. rất nhiều hình bung cng
hưởng gấp sau đây là một số mô hình bung cộng hưởng gấp:
- Loi 1: buồng cộng ởng 4 gương (M1, M2, M3, M4). Các gương phản
xtoàn phần là M1, M2, M4. Gương M3 phản xmt phần. Khi photon pt
Loại 1: Bung cộng hưởng có 4 gương
Lê Thị Bích Liên
Đại học sư phạm Huế
ra thì bphản xạ nhiều lần trong buồng cộng hưởng này và bkhuếch đại lên,
khi đạt giá trị ngưỡng thì laser phát ra M3. Trong buồng cộng hưởng còn
b trí thêm hai lăng nh P1 P2 đtán sắc ánh sáng, sau lăng kính P2 ta đặt
mt khe sáng S đlọc ra bước ng cần thiết. Ngoài ra trong bung cộng
hưởng còn đặt ng kính F để tập trung bức x bơm. Với hệ thống buồng
cng hưởng này ta thu được xung laser có tính đơn sắc cao, công suất lớn và
tập trung tại một điểm.
- Loi 2: buồng cng
hưởng 6 gương
(M1, M2, M3, M4, M5,
M6). Trong đó M1,
M2, M3, M4, M5
gương phản xạ toàn
phần. M6 ơng
phản x toàn phần.
Ngoài ra trong bung
cng hưởng còn btrí thêm hai lăng kính P1, P2 khe sáng S đtạo ra
ánh sáng đơn sắc. Photon phát ra ln lượt phản xạ trên các gương như hình
v trên.
- Loại 3: Quang
Đ án của
FemtoStart50.
Gm 9 ơng
M1, M2, M3, M4,
M5, M6, M7, M8,
M9. Loại này
thphát ra xung tương ng với 20 fs, 50 fs, và 100 fs. Gương M1, M2, M3,
Quang đề án của FemtoStart50
Loại 2: có 6 gương phẳng (M3, M5 phản xạ cao),
2 lăng kính P
1
P
2
, và khe S
Lê Thị Bích Liên
Đại học sư phạm Huế
M4, M5 M7 gương phản x tòa phần lớn hơn 99,5%. M6 gương
phản xạ một phần. Gương M8, M9 đtập trung bức x bơm tới ống kính F.
ng kính F có tiêu c
100 mm. Bung cộng
hưởng thêm hai lăng
kính P1, P2 khe sáng S
đ tán x ánh sáng và lọc
bước ng (nếu khe S đặt
gần M4. Nếu khe S đặt gần
M6 tác dụng n định hoạt động cho xung laser. Mirror M7 được sử dụng
trong quá trình liên kết với lăng kính và M2.
rất nhiều hình buồng cộng ởng gấp với nhiều gương, lăng
kính hơn.
3.3. Ngun bơm
Đbơm cho laser Ti: sapphire phi dùng ngun sáng bước ng
trong khoảng 514-532nm. Thông thường người ta sử dụng laser argon
(514,5 nm) đ bơm cho laser Ti: Sapphire phát liên tục. Và laser Nd: YAG,
Nd: YLF, Nd: YVO (527- 532 nm) tần số đôi đ bơm cho laser Ti:
Sapphire phát xung. nhiệt độ thấp cũng thể dùng đèn quang học (như
đèn chớp) đbơm nhưng đèn phải mạnh, sử dụng đèn này thì tiết kiệm được
chi phí. Đèn Argon phát liên tục là ngun bơm p hợp, công suất cao
(lớn hơn 1W), độ rộng phổ có thể điều chỉnh ngoài khoảng 700- 1000nm.
4. Nguyên lý hoạt động của Laser Ti: sapphire
Cấu hình electron lớp ngoài cùng của Titan là 3d24s2, có 2 electron
phân lớp 3d, 2 electron phân lớp 4s. Theo lý thuyết nhóm thì Titin kim
loi chuyển tiếp. Spin của nhận gtr½, t đó ta suy ra được độ bội của
2. Trong ssắp xếp các ion trong mạng tinh thể thì có s pn ly của
Sơ đồ thực tế của quang đề án của
FemtoStart50