Đề thi & đáp án lý thuyết Điện tử công nghiệp năm 2012 (Mã đề LT23)

CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập - Tự do - Hạnh phúc ĐỀ THI TỐT NGHIỆP CAO ĐẲNG NGHỀ KHOÁ 3 ( 2009 - 2012 ) NGHỀ: ĐIỆN TỬ CÔNG NGHIỆP MÔN THI: LÝ THUYẾT CHUYÊN MÔN NGHỀ Mã đề thi: ĐTCN - LT 23 Hình thức thi: Viết Thời gian: 180 Phút ( Không kể thời gian giao đề thi ) ĐỀ BÀI<br /> <br /> Câu 1: ( 2 điểm ) Hãy thiết kế bộ mã hoá thực hiện mã hoá 8 tín hiệu x0, x1,…, x7 theo mã nhị phân sử dùng các cổng logic cơ bản?<br /> <br /> Câu 2: ( 2 điểm ) Vẽ và trình bày nguyên lý hoạt động của mạch Inverter dòng 1 pha? Câu 3: ( 3 điểm ) Trình bày tổ chức bộ nhớ của 128 byte RAM trong 89C51. Khi muốn sử dụng dãy thanh ghi 2 ( bank 2 ) thì cần phải cấu hình cho thanh ghi PSW giá trị bao nhiêu. Câu 4: ( 3 điểm ): ( Phần tự chọn, các trường tự ra đề )<br /> ………, ngày ………. tháng ……. năm ………<br /> <br /> Duyệt<br /> <br /> Hội đồng thi tốt nghiệp<br /> <br /> Tiểu ban ra đề thi<br /> <br /> CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập - Tự do - Hạnh phúc ĐÁP ÁN ĐỀ THI TỐT NGHIỆP CAO ĐẲNG NGHỀ KHOÁ 3 ( 2009 - 2012 ) NGHỀ: ĐIỆN TỬ CÔNG NGHIỆP MÔN THI: LÝ THUYẾT CHUYÊN MÔN NGHỀ Mã đề thi: ĐA ĐTCN –LT 23<br /> <br /> Câu Nội dung I. Phần bắt buộc 1 Hãy thiết kế bộ mã hoá thực hiện mã hoá 8 tín hiệu x0, x1,…, x7 theo mã nhị phân sử dụng các cổng logic cơ bản? Bảng chân lý biểu diễn việc dùng mã nhị phân 3 bit biểu thị 8 tín hiệu đầu vào: x0 x1 x2 x3 x4 x5 x6 x7 C B A 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1<br /> <br /> Điểm 0,5<br /> <br /> Từ bảng chân lý, ta có biểu thức hàm số đầu ra: A = x1 + x3 + x5 + x7 = x1  x 3  x 5  x 7  x1 . x 3 . x 5 . x 7 B = x2 + x3 + x6 + x7 = x 2  x 3  x 6  x 7  x 2 . x 3 . x 6 . x 7 C = x4 + x5 + x6 + x7 = x 4  x 5  x 6  x 7  x 4 . x 5 . x 6 . x 7<br /> <br /> 0,5<br /> <br /> Vẽ sơ đồ logic, chọn dùng cổng NAND:<br /> C B A<br /> <br /> 1<br /> <br /> x7<br /> <br /> x6<br /> <br /> x5<br /> <br /> x4<br /> <br /> x3<br /> <br /> x2<br /> <br /> x1<br /> <br /> 2<br /> <br /> Cuộn dây L nối tiếp với nguồn 1 chiều có tác dụng giới hạn dòng điện khi mở điện. Tụ C dùng để nạp và xả điện làm cho SCR ngưng dẫn gọi là tụ chuyển mạch.<br /> <br /> Tải<br /> w2 L<br /> 0,5<br /> <br /> i1<br /> <br /> w1<br /> <br /> w’1 i’<br /> <br /> 1<br /> <br /> C<br /> UDC SCR1<br /> <br /> iC<br /> SCR2<br /> <br /> Xung điều khiển<br /> <br /> • Giả sử SCR1 được kích dẫn trước nên SCR2 ngưng dẫn. Lúc này có dòng điện đi từ nguồn dương qua cuộn dây L, qua cuộn sơ cấp w1 và qua SCR1 trở về nguồn âm. Lúc này cuộn sơ cấp w1 sẽ cảm ứng điện thế nên điện thế nạp vào tụ C có giá trị bằng 2UDC với cực dương bên phải và cực âm bên trái như hình vẽ. • Nếu có xung kích SCR2 thì SCR2 dẫn, áp rơi trên SCR nhỏ có thể bỏ qua do đó cực dương của tụ C xem như nối mass nên cực âm của tụ có giá trị bằng –2UDC làm SCR1 bị phân cực ngược ngưng dẫn. Lúc này dòng điện đi từ nguồn dương qua cuộn dây L qua cuộn sơ<br /> <br /> 0,5<br /> <br /> 0,5<br /> <br /> cấp w1 qua SCR2 trở về nguồn âm và tụ C xả điện qua SCR2 xuống mass làm cho cực âm của tụ tăng dần từ –2UDC hướng về 0V rồi cuộn sơ cấp w1 sẽ cảm ứng điện thế theo nguyên lý của biến thế tự ngẫu nên điện thế nạp vào tụ C có giá trị bằng 2UDC với cực dương bên trái và cực âm bên phải • Ở hai trường hợp dòng điện qua 2 cuộn sơ cấp chạy ngược chiều nhau nên khi cảm ứng qua cuộn thứ cấp sẽ cho ra dòng điện xoay chiều. Dòng điện xoay chiều ra ở thứ cấp có điện thế tuỳ thuộc tỉ lệ số vòng dây quấn giữa cuộn sơ và cuộn thứ, còn tần số tuỳ thuộc vào tần số của mạch tạo dao động xung kích. 3 Trình bày tổ chức bộ nhớ của 128 byte RAM trong 89C51. Vùng RAM đa mục đích : Bytes RAM đa dụng từ 30H đến 7FH. Bất kỳ vị trí nào trong RAM đa dụng cũng có thể truy xuất dùng chế độ địa chỉ trực tiếp hoặc gián tiếp. Vùng RAM định địa chỉ bit: 8051 có chứa 210 vị trí bit có thể địa chỉ hoá trong đó 128 bit ở địa chỉ 20H đến 2FH còn lại nằm trong thanh ghi chức năng đặc biệt. Có 128 vị trí có thể địa chỉ hoá dùng chung từ byte có địa chỉ 20FH đến 2FH (8 bits x 16 bytes = 128 bits). Các địa chỉ được truy xuất có thể là byte hoặc bit tuỳ thuộc vào lệnh sử dụng. Các dãy thanh ghi: 32 vị trí thấp nhất của bộ nhớ nội chứa các dãy thanh ghi. Tập lệnh của 8051 cung cấp 8 thanh ghi, từ R0 đến R7. Trạng thái mặc định (sau khi hệ thống khởi động) các thanh ghi này ở địa chỉ 00H-07H. Bằng cách thay đổi các bit chọn dãy thanh ghi trong từ trạng thái chương trình ta sẽ thay đổi mức tích cực cho dãy thanh ghi. Khi muốn sử dụng dãy thanh ghi 2 (bank 2) thì cần phải cấu hình cho thanh ghi PSW giá trị bao nhiêu. 0,5 0,5 0,5 0,5<br /> <br /> 0,5<br /> <br /> X<br /> <br /> X<br /> <br /> X<br /> <br /> 1<br /> <br /> 0<br /> <br /> X<br /> <br /> X<br /> <br /> X<br /> <br /> 1<br /> <br /> Cộng ( I ) II. Phần tự chọn, do trường ra đề 3<br /> <br /> Cộng ( II ) Tổng cộng ( I + II ) …………..,Ngày………..tháng…………năm…….<br /> Duyệt Hội đồng thi tốt nghiệp Tiểu ban ra đề thi<br /> <br />