intTypePromotion=1
ADSENSE

Giảm nhỏ kích thước cell EBG bằng cấu trúc phức hợp EBG-DGS đa băng, ứng dụng cho truyền thông di động 5G

Chia sẻ: Wang Ziyi | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:5

11
lượt xem
0
download
 
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Trong bài báo này, một cấu trúc dải chắn điện từ phức hợp mới được đề xuất. Kết hợp giữa cấu trúc dải chắn điện từ EBG (Electromagnetic Band Gap) hình răng lược và cấu trúc mặt phẳng đất khuyết DGS (Defected Ground Structure) hình phức hợp, cấu trúc đề xuất đã giảm được 52% kích thước so với EBG hình nấm truyền thống. Phân tích trên đồ thị tán sắc, cấu trúc này cho hai dải chắn tại hai băng tần 2.75 GHz-3.84 GHz và 4.3 GHz7.3 GHz, có thể ứng dụng cho việc cải thiện các đặc tính của anten trên băng tần 3.5 GHz và 5 GHz của truyền thông vô tuyến thế hệ thứ 5 (5G) băng tần dưới 6GHz. Mời các bạn cùng tham khảo!

Chủ đề:
Lưu

Nội dung Text: Giảm nhỏ kích thước cell EBG bằng cấu trúc phức hợp EBG-DGS đa băng, ứng dụng cho truyền thông di động 5G

  1. Giảm nhỏ kích thước cell EBG bằng cấu trúc phức hợp EBG-DGS đa băng, ứng dụng cho truyền thông di động 5G 1 Nguyễn Văn Tân, 1Dương Thị Thanh Tú và 2 Hoàng Thị Phương Thảo Khoa Viễn Thông I, Học Viện Công Nghệ Bưu Chính Viễn Thông 1 2 Khoa Điện tử Viễn thông, Trường Đại học Điện lực Email: nguyennhattanbl@gmail.com, tudtt@ptit.edu.vn, thaohp@epu.edu.vn Tóm tắt — Trong bài báo này, một cấu trúc dải chắn điện từ phức có đặc tính phản xạ các sóng phẳng thông thường với hệ số phản hợp mới được đề xuất. Kết hợp giữa cấu trúc dải chắn điện từ EBG xạ của г = + 1 trong dải tần số nhất định. Trong trường hợp này (Electromagnetic Band Gap) hình răng lược và cấu trúc mặt bề mặt hoạt động như một bức tường đối xứng từ tính và do đó phẳng đất khuyết DGS (Defected Ground Structure) hình phức thường được gọi là một dây dẫn mag-netic nhân tạo (AMC) [1], hợp, cấu trúc đề xuất đã giảm được 52% kích thước so với EBG [2]. Có rất nhiều ứng dụng sử dụng cấu trúc tuần hoàn này trong hình nấm truyền thống. Phân tích trên đồ thị tán sắc, cấu trúc này cho hai dải chắn tại hai băng tần 2.75 GHz-3.84 GHz và 4.3 GHz- lĩnh vực thiết kế anten [3] - [9]. Việc sử dụng cụ thể cho cấu 7.3 GHz, có thể ứng dụng cho việc cải thiện các đặc tính của anten trúc này bao gồm mặt phẳng đất được cải tiến cho từng anten trên băng tần 3.5 GHz và 5 GHz của truyền thông vô tuyến thế hệ riêng lẻ [10], cho giảm ảnh hưởng tương hỗ trong anten MIMO thứ 5 (5G) băng tần dưới 6GHz. Kết quả đề xuất được chứng minh patch hoặc mảng [7], [11] - [14]. Ngoài ra, các cấu trúc EBG đã đồng thời thông qua hai phương pháp: sử dụng đồ thị tán sắc và được áp dụng cho các ống dẫn sóng đồng phẳng (CPW) để giảm pha phản xạ của cấu trúc EBG trên phần mềm mô phỏng siêu cao sóng rò rỉ [15], [16] hay anten trạm gốc [17]. Các ứng dụng khác tần CST. bao gồm giảm thiểu tiếng ồn trong mạch tốc độ cao [18] - [20] và cải thiện sự cô lập tín hiệu trong các hệ thống tín hiệu hỗn Từ khóa: EBG, DGS, 5G hợp RF [20]. I. GIỚI THIỆU Các thuộc tính của EBG thường chỉ tồn tại trong một băng tần cụ thể. Tuy nhiên, gần đây xu hướng chính trong các thiết Công nghệ truyền thông không dây thế hệ thứ 5 (5G) gần đây kế anten là phát triển các thiết bị anten có khả năng hoạt động ở thu hút được rất nhiều sự quan tâm, nghiên cứu của các nhà nhiều băng tần và kích thước anten cũng phải được giảm nhỏ để khoa học trong và ngoài nước. Băng tần cho truyền thông 5G có thể tích hợp với các thiết bị nhỏ gọn trong thực tế. Do vậy, để bao gồm hai loại: băng tần cho dưới 10GHz và băng tần có thể kết hợp với các anten một cách hiệu quả, đặc biệt là cho milimet. Theo WRC-15, một số băng tần cho truyền thông 5G các ứng dụng anten MIMO trong các thiết bị đầu cuối di động tiêu biểu cho dải tần dưới 10GHz bao gồm: 2700-3100KHz, 5G, kích thước của các cấu trúc EBG cần phải được giảm nhỏ 3300-3400KHz, 3400-3800KHz, 4400-5000KHz, 5100- nhưng vẫn đảm bảo các chức năng như ban đầu. Do tần số cộng 5925KHz, 5850-6425KHz. Công nghệ 5G được hứa hẹn là hưởng của cấu trúc EBG phụ thuộc vào hai tham số là giá trị công nghệ mang tới một tốc độ truyền tải vượt trội so với công điện cảm L và giá trị điện dung C nên về cơ bản, để giảm nhỏ nghệ 4G trước đó. Để làm được điều này, rất nhiều đặc tính kích thước của cấu trúc EBG ta cần giảm tần số cộng hưởng fc, công nghệ, kỹ thuật được đề xuất trong 5G. Trong đó, không do đó có hai xu hướng là tăng giá trị điện cảm L, hoặc tăng giá thể không kể đến kỹ thuật đa anten thu đa anten phát MIMO ở trị điện dung C. cả trạm gốc lẫn trong thiết bị đầu cuối. Đã có nhiều công trình nghiên cứu về các giải pháp giảm nhỏ Cấu trúc dải chắn băng tần điện từ EBG (Electromagnetic kích thước cấu trúc EBG dựa vào nguyên lý trên, như việc tăng Band Gap) là những cấu trúc nhân tạo tuần hoàn (hoặc đôi khi L và C trên phạm vi bề mặt tấm kim loại phía trên của cấu trúc không tuần hoàn) cản trở hoặc hỗ trợ sự lan truyền của sóng EBG. Cụ thể, cấu trúc EBG dạng xoắn ốc được tạo ra [21] giảm điện từ trong một dải tần số xác định đối với mọi góc tới và mọi 20% kích thước, cấu trúc EBG khe cắm hình vòng hoa [22] giảm trạng thái phân cực của sóng. Các cấu trúc EBG thường được 22.54% kích thước, cấu trúc EBG hình vành khăn [23] giảm thực hiện bằng cách sắp xếp tuần hoàn các vật liệu điện môi và 15% kích thước, cấu trúc UCEBG [24] giảm 26% kích thước, dây dẫn kim loại theo các cấu hình học khác nhau. Kế thừa bước cấu trúc EBG Fractal [25] giảm 13% kích thước, cấu trúc EBG tiếp theo của cấu trúc EBG là cấu trúc mặt phẳng đất khuyết nấm chứa khe [26] giảm 10% kich thước. Cũng có những đề xuất DGS (Defected Ground Structure) ở mặt phẳng đế kim loại của tăng L và C trên phạm vi mặt phẳng đế kim loại của cấu trúc vật liệu. Đặc điểm chính của bề mặt EBG là sự tồn tại của một EBG như cấu trúc EBG có mặt đế xoắn ốc đã được đề xuất [27] hoặc nhiều dải chắn, nhờ đó việc truyền sóng bề mặt bị triệt tiêu giảm 41% kích thước. Nội dung bài báo này đề xuất một cấu trúc một cách hiệu quả. Ngoài ra, nhiều cấu trúc trong số này cũng EBG tăng L và C trên cả hai phạm vi là tấm kim loại phía trên 239
  2. và mặt phẳng đế kim loại, cho hiệu quả giảm nhỏ kích thước lên 2.2 Cấu trúc EBG đề xuất đến 52%. Kết quả đề xuất được chứng minh thông qua việc so a) Tiến trình thiết kế sánh tần số cộng hưởng của cấu trúc được đề xuất với cấu trúc Cấu trúc EBG đề xuất được thiết kế gồm: hai phiến kim loại, EBG nấm thông thường khi có cùng kích thước bằng phương lớp điện môi nền và bán kính cột nối kim loại. Lớp điện môi pháp sử dụng đồ thị tán xạ và pha phản xạ của cấu trúc EBG. được chọn là FR4 có chiều dày 1.6 mm, hệ số điện môi 4.4 và Bố cục bài báo bao gồm bốn phần: đầu tiên là giới thiệu tổng hệ số suy hao là 0.02. Cấu trúc EBG đề xuất được thiết kế qua quan về cấu trúc EBG và những phương pháp giảm nhỏ cấu trúc hai bước như chỉ ra trong hình 1. Đầu tiên, cấu trúc EBG hình EBG và nhược điểm của các mẫu trước đó; phần hai đề xuất mẫu nấm truyền thống có kích thước 8mm x 8mm cho băng tần hoạt EBG răng lược và EBG răng lược kết hợp sử dụng phức hợp động ở tấn số 3.5 GHz được khắc thành cấu trúc EBG hình răng DGS ở mặt phẳng đế kim loại; phần ba là kết quả mô phỏng trên lược được. Tiếp sau đó, cấu trúc EBG hình răng lược được phát phần mền siêu cao tần CST và cuối cùng là kết luận được đưa triển tiếp thành cấu trúc kết hợp EBG hình răng lược với cấu trúc ra trong phần bốn. DGS phức hợp. II. KIẾN TRÚC PHỨC HỢP EBG-DGS 2.1 Nguyên lý Thiết kế anten đã trải qua những tiến bộ to lớn trong vài thập kỷ qua và chúng vẫn đang trải qua những sự phát triển vĩ đại. Nhiều công nghệ mới đã nổi lên trong lĩnh vực thiết kế anten hiện đại và một bước đột phá khá thú vị là khám phá phát triển các cấu trúc EBG. Các ứng dụng của cấu trúc EBG trong thiết kế anten đã trở thành một chủ đề hấp dẫn cho các nhà khoa học anten và các kỹ sư vô tuyến. Những tiến bộ trong điện từ tính toán, như một động lực quan trọng, đã góp phần đáng kể cho sự phát triển nhanh chóng của thiết kế ăng-ten mới. Nó đã giúp mở rộng rất nhiều khả năng của các nhà nghiên cứu anten trong việc cải thiện và tối ưu hóa các thiết kế của họ cho hiệu quả. Các kỹ thuật số khác nhau, chẳng hạn như phương pháp mô-men MoM (the method of moment), phương pháp phần tử hữu hạn FEM (finite element method) hay phân tích miền thời gian như phương pháp sai phân hữu hạn miền thời gian- FDTD (the finite difference time domain) đã được phát triển tốt qua nhiều năm. Bài báo này sử dụng phương pháp sai phân hữu hạn miền thời gian- FDTD (the finite difference time domain) để tìm ra đồ thị tán xạ của cấu trúc EBG. Đối với một cấu trúc nhất định, tần số trung tâm được cho bởi công thức (1) [28]: 𝑓𝑐 = 1/2𝜋√𝐿𝐶 (1) trong đó L và C là điện cảm và điện dung tương ứng. Băng thông của cấu trúc cũng là một tham số quan trọng và được xác định bởi (2) [28]: 1 L BW = √ (2)  C Hình 1: Tiến trình thiết kết cấu trúc EBG đề xuất b) Cấu trúc EBG hình răng lược được đề xuất Trong đó là trở kháng không gian trống, L và C là điện cảm Cấu trúc EBG răng lược được thể hiện trên hình 2. Các thành và điện dung tương ứng. phần điện dung và điện cảm bổ sung sẽ được tao ra từ việc biến Từ những phân tích trên ta có thể thấy các cấu trúc EBG đã đổi mặt trên tấm kim loại ban đầu. Những hình chữ nhật được đề xuất trước đây chỉ sử dụng phương pháp tăng L và C trên chẻ trên tấm kim loại sẽ tạo ra các giá trị điện dung C bổ sung, phạm vi bề mặt tấm kim loại phía trên hoặc phạm vi của mặt còn phần kim loại còn lại sẽ tạo ra các giá trị điện cảm L bổ sung phẳng đế kim loại. Vì vậy, nếu ta kết hợp đồng thời việc tăng giá được thể hiện trên hình 3 (a). trị tổng cộng của điện dung C và điện cảm L trên cả hai phạm vì là tấm kim loại phía trên và mặt phẳng đế thì tần số cộng hưởng của dải chắn sẽ giảm nhỏ hơn. Điều này đồng nghĩa với kích thước của cấu trúc EBG sẽ nhỏ gọn hơn khi so với cấu trúc EBG khác có cùng tần số cộng hưởng. 240
  3. Cấu trúc EBG Tham số thiết kế (mm) L W r Hình nấm 8.5 8 0.4 L W r 8.5 8 0.4 a b c EBG hình răng lược 0.75 1 0.75 d e g 0.5 0.5 0.5 L W r (a) (b) 8.5 8 0.4 Hình 2: (a) mặt trên của EBG răng lược đề xuất, (b) mặt đế của EBG a b c răng lược đề xuất 0.75 1 0.75 EBG hình răng lược kết d e g (c) Cấu trúc EBG hình răng lược kết hợp với cấu trúc DGS hợp với cấu trúc DGS phức phức hợp. 0.5 0.5 0.5 hợp i k n Trong cấu trúc này, các thành phần điện dung bổ sung và 1 0.75 0.25 điện cảm bổ sung được tạo ra từ việc biến đổi mặt trên tấm kim m t x loại và mặt đế kim loại ban đầu. Ngoài việc tạo ra C và L bổ sung ở mặt trên của tấm kim loại giống EBG hình răng lược. Cấu 1.5 1.25 0.5 trúc này còn tạo ra giá trị C và L bổ sung ở mặt phắng đế kim loại của cấu trúc EBG được thể hiện trên hình 3. pháp mô phỏng này có thể xác định dải chắn tần số chỉ trên một phần tử EBG đơn. Điều kiện biên của cấu trúc được đặt ở chế độ tuần hoàn. Hai mode sóng riêng biệt TM và TE sẽ được khảo sát. Kết quả mô phỏng đồ thị tán xạ của các cấu trúc EBG được trình bày ở hình 4. Quan sát ở hình 4, một dải chắn tần số xuất hiện giữa mode sóng TM và mode TE trong kết quả mô phỏng đồ thị tán xạ của ba cấu trúc EBG. Đối với cấu trúc EBG hình nấm ở hình 4a, dải chắn bắt đầu tại tần số 3.93 GHz và kết thúc tại tần số 8.01 GHz. Trong khi đó, cấu trúc EBG hình răng lược ở hình 4b có dải chắn ở tần số thấp hơn từ 3.25 GHz đến 3.83 GHz. Cấu trúc EBG hình răng lược kết hợp với cấu trúc DGS phức hợp ở hình 4c cho ta thấy cấu trúc tạo EBG hai băng nên có hai dải chắn là :dải chắn thứ nhất bắt đầu tại tần số là 2.78 GHz và kết thúc tại tần số 3.84 GHz. Dải chắn thứ hai bắt đầu (a) (b) tại tần số 4.3 GHz và kết thúc tại tần số 7.3 GHz. Hình 3: a) mặt trên của EBG răng lược kết hợp với cấu trúc DGS phức Từ kết quả từ đồ thị tán xạ được thể hiện trên hình 4 và hợp đề xuất, b) mặt đế của EBG răng lược kết hợp với cấu trúc DGS pha phản xạ được thể hiện trên hình 5 của các cấu trúc EBG thấy phức hợp đề xuất. rằng tần số cộng hưởng của cấu trúc EBG hình răng lược đã giảm so với cấu trúc EBG hình nấm truyền thống từ 5.83 GHz xuống Chi tiết tham số kích thước của hai cấu trúc EBG được trình còn 3.39 GHz khi có cùng kích thước, điều này tương đương bày ở bảng 1. giảm được 41.85% về kích thước cấu trúc EBG. Cấu Trúc EBG hình răng lược kết hợp với cấu trúc DGS phức hợp là sự cải tiến III. KẾT QUẢ MÔ PHỎNG của cấu trúc EBG hình răng lược, khi ta đồng thời tăng L và C trên cả hai phạm vi là mặt trên tấm kim loại và mặt phẳng đế kim Trong phần này, EBG hình răng lược, EBG hình răng loại của cấu trúc EBG. Từ đồ thị tán xạ và pha phản xạ ta thấy lược kết hợp cấu trúc DGS phức hợp với được khảo sát bằng cấu trúc EBG hình răng lược kết hợp với cấu trúc DGS phức hợp phần mềm mô phỏng CST. đã tạo ra hai băng có tần số cộng hưởng là 2.81 GHz và 6.38 Cấu trúc EBG đề xuất và EBG nấm truyền thống được khảo GHz. Nếu xét trong dải chắn thứ nhất thì cấu trúc EBG hình răng sát ở cùng tham số về kích thước phần tử đơn vị, phiến kim loại, lược kế hợp với cấu trúc DGS phức hợp có tần số cộng hưởng lớp điện môi nền và bán kính cột nối kim loại. Đặc tính dải chắn giàm từ 5.83 GHz xuống còn 2.8 GHz so với EBG nấm thông được xác định dựa vào đồ thị tán xạ của cấu trúc EBG. Phương thường, tương đương giảm được 52% về kích thước cấu trúc Bảng 1. Tham số kích thước của các cấu trúc EBG EBG. 241
  4. (a) (a) (b) (b) (c) Hình 5. Pha phản xạ xạ. a) EBG nấm, b) EBG răng lược, và c) EBG răng lược kết hợp với cấu trúc DGS phức hợp Chi tiết kết quả mô phỏng dải chắn và pha phản xạ của các cấu trúc được tổng hợp trong bảng 2. (c) Hình 4. Đồ thị tán xạ. a) EBG nấm, b)EBG răng lược, và c) EBG răng lược kết hợp với cấu trúc DGS phức hợp 242
  5. Bảng 2. Kết quả mô phỏng dải chắn và pha phản xạ [9] R. F. J. Broas, D. F. Sievenpiper, and E. Yablonovitch, “A high- impedance ground plane applied to a cellphone handset ge-ometry,” IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol. 49, pp. 1262–1265, 2001. Dải chắn (GHz) [10] J. R. Sohn, H. Tae, J. Lee, and J. Lee, “Comparative analysis of four Types Độ giảm of high-impedance surfaces for low profile antenna applications,” in AP-S IEEE Cấu trúc Tần số cộng kích thước Int. Symp. (Digest) Antennas Propag. Society, 2005, vol. 1A,pp.758–761. EBG Dải tần số (%) [11] W. Zhang, J. Mao, and X. Sun, “Patch antenna array embedded on a high- hưởng impedance ground plane,” J. Electromagn. Waves Applicat., vol.19,pp.2007– 2014,2005. Hình nấm 3.93 – 8.01 5.83 - [12] F. Yang and Y. Rahmat-Samii, “Microstrip antennas integrated with electromagnetic band-gap (EBG) structures: A low mutual coupling design for EBG răng array applications,” IEEE Trans. Antennas Propag., vol. 51, pp. 2936–2946, 3.25 – 3.83 3.39 41.85% lược 2003. [13] R. Gonzalo, P. De Maagt, and M. Sorolla, “Enhanced patch-antenna EBG răng Dải thứ performance by suppressing surface waves using photonic-bandgap substrates, lược kết hợp nhất: 2.81 52% ”IEEE Trans. Microw. TheoryTech., vol.47, pp.2131–2138, 1999. với cấu trúc 2.78 – 3.84 [14] F. Yang and Y. Rahmat-Samii, “Microstrip antennas integrated with electromagnetic band-gap (EBG) structures: A low mutual coupling design for DGS phức Dải thứ hai: array applications,” IEEE Trans. Antennas Propag., vol. 51, pp. 2936–2946, - hợp 4.3 – 7.3 6.38 2003. [15] F. Yang, K. Ma, Y. Qian, and T. Itoh, “A novel TEM waveguide using uniplanar compact photonic-bandgap (UC-PBG) structure,” IEEE Trans. IV. KẾT LUẬN Microw. Theory Tech., vol. 47, pp. 2092–2098, 1999. [16] F. Yang, K. Ma, Y. Qian, and T. Itoh, “A uniplanar compact pho- tonic- Trong bài báo này, giải pháp giảm kích thước của cấu trúc bandgap (UC-PBG) structure and its applications for microwave circuit,” IEEE EBG hình nấm thông thường đã được đề xuất và thực hiện. Giải Trans. Microw. Theory Tech., vol. 47, pp. 1509–1514, 1999. pháp này thực hiện việc giảm kích thước thông qua việc xác định [17] G. K. Palikaras, A. P. Feresidis, and J. C. Vardaxoglou, “Cylindrical pha phản xạ của cấu trúc EBG. Lần lượt được thực hiện qua hai electromagnetic bandgap structures for directive base station an- tennas,” IEEE Antennas Wireless Propag. Lett., vol. 3, pp. 87–89,2004. bước, các phần tử điện dung và điện cảm được tạo ra trên cả hai [18] T. Kamgaing and O. M. Ramahi, “Design and modeling of high- phạm vi là mặt trên tấm kim loại và mặt phẳng đế kim loại nhằm impedance electromagnetic surfaces for switching noise suppres-sion in power mục đích tăng tổng giá trị tổng điện dung và tổng điện cảm của planes,” IEEE Trans. Electromagn. Compat., vol. 47,pp.479–489,2005. [19] T. Kamgaing and O. M. Ramahi, “A novel power plane with inte-grated cấu trúc EBG. Kết quả, cấu trúc EBG hình răng lược kết hợp với simultaneous switching noise mitigation capability using high impedance cấu trúc DGS phức hợp đã giảm được 52% kích thước so với surface,” IEEE Microw. Wireless Compon. Lett., vol. 13, pp. 21–23, 2003. cấu trúc EBG hình nấm thông thường, cho hai dải băng tần đáp [20] R. AbhariandG. V. Eleftheriades, “Metallo-dielectric electromagnetic ứng được băng thông của truyền thông thông di động 5G băng bandgap structures for suppression and isolation of the parallel-plate noise in high-speed circuits,” IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol.51, pp. 1629– tần dưới 10GHz. 1639, 2003. [21] Q.-R. Zheng, Y.-Q. Fu, and N.-C. Yuan, "A Novel Compact Spiral TÀI LIỆU THAM KHẢO Electromagnetic Band-Gap (EBG) Structure," IEEE Transactions on Antennas and Propagation, vol.56, pp. 1656-1660, 2008. [22] Xiaoyan Zhang, Zhaopeng Teng, Zhiqing Liu, and Bincheng Li, “A Dual [1] D.F.Sievenpiper,“High-ImpedanceElectromagneticSurfaces,”Ph.D. Band Patch Antenna with a Pinwheel-Shaped Slots EBG Substrate”, dissertation, Univ. California, Los Angeles, 1999. International Journal of Antennas and Propagation [2] J. McVay, N. Engheta, and A. Hoorfar, “High impedance metamate- rial Research Article (8 pages), Article ID 815751, Volume 2015. surfaces using Hilbert-curve inclusions,” IEEE Microw. Wireless Compon. [23] Ibraeem S Mohamed and Mahmoud A Abdalla, “B8. Reduced size Lett., vol. 14, pp. 130–132, 2004. mushroom like EBG for antennas mutual coupling reduction”, 2015 32nd [3] D. Sievenpiper, L. Zhang, R. F. J. Broas, N. G. Alexopolous, and E. National Radio Science Conference (NRSC), pp. 57-64, 2015. Yablonovitch, “High-impedance electromagnetic surfaces with a for- bidden [24] Tanvi Dabas, Deepak Gangwar, Binod Kumar Kanaujia, A. K. Gautam, frequency band,” IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol. 47, pp. 2059–2074, “Mutual Coupling Reduction between Elements of UWB MIMO Antenna 1999. Using Small Size Uniplanar EBG exhibiting Multiple Stop Bands”, AEU - [4] S. Wang, A. P. Feresidis, J. C. Vardaxoglou, and G. Goussetis, “Artifi- International Journal of Electronics and Communications, Volume 93, cial magnetic conductors for low-profile resonant cavity antennas,” in AP-S Int. September 2018, Pages 32-38 Symp. (Digest) IEEE Antennas Propag. Society, 2004, vol. 2, pp. 1423–1426. [25] Mohammad Naderi, Ferdows B. Zarrabi, Fereshteh Sadat Jafari, Speideh [5] F. Yang and Y. Rahmat-Samii, “Reflection phase characterization of an Ebrahimi, “Fractal EBG Structure for shielding and reducing the mutual electromagnetic band-gap (EBG) surface,” in Proc. IEEE Int. Symp.Antennas coupling in microstrip patch antenna array “, AEU - International Journal of Propag., 2002, pp. 744–747. Electronics and Communications, Volume 93, September 2018, Pages 261-267. [6] L. Yang, M. Fan, F. Chen, J. She, and Z. Feng, “A novel compact [26] D. Helena Margaret, B. Manimegalai, “Modeling and optimization of electromagnetic-bandgap (EBG) structure and its applications for microwave EBG structure using response surface methodology for antenna applications”, circuits,” IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol. 53, pp. 183–190, 2005. AEU - International Journal of Electronics and Communications, Volume 89, [7] Y. Yao, X. Wang, and Z. Feng, “A novel dual-band compact May 2018, Pages 34-41. electromagnetic bandgap (EBG) structure and its application in multi-an- [27] H.-H. Xie, Y.-C. Jiao, K. Song, and B. Yang, "Miniature electromagnetic tennas,” in Proc. IEEE Int. Symp. Antennas and Propag. Society, 2006,pp. bandgap structure using spiral ground plane," Progress in Electromagnetics 1943–1946. Research Letters, vol. 17, pp. 163-170, 2010. [8] L. Inclan-Sanchez, E. Rajo-Iglesias, J. L. Vazquez-Roy, and V. Gon- [28] D. Sievenpiper, “Review of theory, fabrication, and application of high- zalez-Posadas, “Design of periodic metallo-dielectric structure for broadband impedance ground planes,” in Metamaterials, Physics and Engineering multilayer patch antenna,” Microw. Opt. Technol. Lett., vol.44,pp.418– Explorations, N. Engheta and R.W. Ziolkowski, Kds. IEEE Press, 2006,pp. 421,2005. 295-297. 243
ADSENSE

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

 

Đồng bộ tài khoản
2=>2