Manufacturing technology of the composite materials: nanocrystalline material – polymer type
Thêm vào BST
Báo xấulượt xem 4
download
Download
Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ
The process, as described in step (c) is repeated for a shorter time to expose the bottom silicon surface for further dry etching, as shown in Fig. 9(g). In order to expose sidewalls for the wet etch release, the structure is deepened using a similar multi-step dry etch process as described in step (d), except that low energy, high pressure isotropic dry etching is used instead of high energy, high pressure to preserve the less robust silicon dioxide that had taken the place of Cr as the etch mask. This deepening of the structure determines the gap between the...
Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!
CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD
Chịu trách nhiệm nội dung:
Nguyễn Công Hà - Giám đốc Công ty TNHH TÀI LIỆU TRỰC TUYẾN VI NA
LIÊN HỆ
Địa chỉ: P402, 54A Nơ Trang Long, Phường 14, Q.Bình Thạnh, TP.HCM
Hotline: 093 303 0098
Email: support@tailieu.vn
Giấy phép Mạng Xã Hội số: 670/GP-BTTTT cấp ngày 30/11/2015 Copyright © 2022-2032 TaiLieu.VN. All rights reserved.
