intTypePromotion=1
ADSENSE

Nghiên cứu anten thấu kính điện môi dạng elip và điều kiện Abbe’s sine băng tần milimét về khả năng quét búp sóng góc rộng

Chia sẻ: _ _ | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:5

7
lượt xem
0
download
 
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Trong bài viết này, nhóm tác giả thực hiện tính toán, mô hình hóa và mô phỏng cấu trúc anten thấu kính (ATTK) có hệ số khúc xạ dương dạng elip và thấu kính với điều kiện Abbe’s sine từ đó so sánh và đánh giá khả năng quét búp sóng góc rộng giữa hai cấu trúc anten thấu kính. Kết quả cho thấy sự hiệu quả của anten thấu kính với điều kiện Abbe’s sine khi góc quét búp sóng rộng lên tới 900 mà vẫn duy trì được tính định hướng cao, biên độ cánh sóng bên thấp hơn so với ATTK dạng elip.

Chủ đề:
Lưu

Nội dung Text: Nghiên cứu anten thấu kính điện môi dạng elip và điều kiện Abbe’s sine băng tần milimét về khả năng quét búp sóng góc rộng

  1. Hội nghị Quốc gia lần thứ 24 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2021) Nghiên Cứu Anten Thấu Kính Điện Môi Dạng Elip và Điều Kiện Abbe’s Sine Băng Tần Milimét về Khả Năng Quét Búp Sóng Góc Rộng Phan Văn Hưng1, Nguyễn Đình Thái2, Nguyễn Kiếm Minh Trung1, Đặng Tiến Dũng3, Hoàng Đình Thuyên1, Nguyễn Quốc Định1 1 Khoa Vô tuyến điện tử, Trường Đại học Kỹ thuật Lê Quý Đôn 2 Trường Cao đẳng Kỹ thuật Thông Tin 3 Trường Đại học Thông Tin Liên Lạc (Tác giả liên hệ: Nguyễn Quốc Định) Tóm tắt - Trong thông tin di động 5G, hệ thống anten cho GHz), anten thấu kính được xem là một lựa chọn tiềm trạm gốc phải có tính định hướng cao, khả năng tạo được năng [6]–[11]. Bởi vì có cấu trúc đặc biệt, anten thấu đa búp sóng và quét búp sóng góc rộng. Anten thấu kính kính không chịu sự ảnh hưởng bởi sự che chắn của đang được lựa chọn là một trong những anten có hiệu nguồn phát xạ, do đó khi thiết lập các nguồn phát xạ quả cao khi sử dụng cho trạm gốc. Trong bài báo này, nhóm tác giả thực hiện tính toán, mô hình hóa và mô lệch trục cho phép anten tạo được nhiều búp sóng hơn phỏng cấu trúc anten thấu kính (ATTK) có hệ số khúc xạ và cải thiện được góc quét búp sóng rộng hơn. Cấu dương dạng elip và thấu kính với điều kiện Abbe’s sine trúc thấu kính và quỹ đạo nguồn phát xạ là yếu tố quan từ đó so sánh và đánh giá khả năng quét búp sóng góc trọng và quyết định đến góc quét búp sóng. Trong các rộng giữa hai cấu trúc anten thấu kính. Kết quả cho thấy nghiên cứu của Y. Yamada và các cộng sự đã thực sự hiệu quả của anten thấu kính với điều kiện Abbe’s hiện tính toán xây dựng cấu trúc thấu kính dựa trên sine khi góc quét búp sóng rộng lên tới 900 mà vẫn duy định luật bảo toàn năng lượng và điều kiện Abbe’s trì được tính định hướng cao, biên độ cánh sóng bên thấp sine, và cũng bằng phương pháp ray tracing nhóm tác hơn so với ATTK dạng elip. giả đã tính toán các điểm hội tụ từ đó thiết lập vị trí Từ khóa - anten thấu kính, anten góc quét rộng, điều cấp nguồn cho thấu kính để tạo ra anten thấu kính đa kiện Abbe’s sine. búp sóng và anten có góc quét búp sóng rộng [8]–[12]. Tuy nhiên, việc so sánh, đánh giá sự hiệu quả về khả năng quét búp sóng góc rộng của hai loại cấu trúc I. GIỚI THIỆU anten thấu kính dạng elip và anten thấu kính với điều Vào những năm 1880, Hertz và Oliver Lodge đã kiện Abbe’s sine chưa được làm rõ. Chính vì vậy, nghiên cứu việc sử dụng thấu kính điện môi như một trong bài báo này, nhóm tác giả thực hiện mô hình hóa phần của anten trong môi trường sóng điện từ. Năm hai cấu trúc anten thấu kính và sử dụng phần mềm tính 1888, anten thấu kính điện môi đầu tiên được thí toán trường điện từ ANSYS HFSS để thực hiện mô nghiệm và hoạt động ở bước sóng 1 mét [1]. Tuy phỏng cấu trúc từ đó đưa ra được những đánh giá về nhiên, phải đến Chiến tranh Thế giới thứ hai, anten sự hiệu quả của từng cấu trúc về khả năng quét búp thấu kính mới được nghiên cứu và phát triển nhiều sóng góc rộng dựa trên các đặc tính bức xạ của anten hơn. Thấu kính điện môi được sử dụng để biến đổi thấu kính. dạng bức xạ của nguồn phát xạ thành một số dạng bức xạ có độ tăng ích cao hơn, có khả năng tạo nhiều búp Bài báo được cấu trúc thành 4 phần. Phần 2 trình sóng cố định hoặc quét các búp sóng góc rộng. Trong bày mô hình cấu trúc anten thấu kính có góc quét búp hai thập kỷ qua, với những tiến bộ vượt bậc của công sóng rộng. Kết quả mô phỏng và các nhận xét đánh giá nghệ chế tạo thấu kính cho dải sóng milimét, các nhà được trình bày trong phần 3. Phần 4 là kết luận. nghiên cứu đã có sự quan tâm ngày càng nhiều đến II. MÔ HÌNH CẤU TRÚC ANTEN anten thấu kính. Với công nghệ mới, kích thước của anten thấu kính điện môi được chế tạo nhỏ gọn hơn, 2.1. Cấu trúc anten thấu kính dạng elip đáp ứng được các yêu cầu và ứng dụng thực tế. Anten thấu kính dạng elip được cấu trúc bởi hai Trong thông tin di động 5G, hệ thống anten cho thành phần chính là nguồn phát xạ và thấu kính dạng trạm gốc phải có khả năng tạo được đa búp sóng và elip, được thể hiện như trong Hình 1. Thấu kính có cấu quét búp sóng góc rộng để có thể đáp ứng được nhiều trúc tròn xoay quanh trục Oz, mặt trong S1 là mặt cầu kết nối không dây cùng một lúc tại các địa điểm khác có bán kính r1, mặt ngoài S2 với dạng elip. Thấu kính nhau [2]–[5]. Ở băng tần N257 (26.50 GHz-29.50 elip có tiêu cự FT = r1 + T . ISBN 978-604-80-5958-3 1
  2. Hội nghị Quốc gia lần thứ 24 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2021) Mặt mở Thấu kính Mặt mở Thấu kính x x l1 s1 Nguồn phát xạ Nguồn phát xạ r1 z0 z z D r2 D F Hình 1. Mô hình cấu trúc ATTK dạng elip. Hình 2. Mô hình cấu trúc ATTK với điều kiện Abbe’s sine. Trong đó, T là độ dày của thấu kính tại tâm (trên Cấu trúc mặt ngoài của thấu kính được xác định trục Oz). Cấu trúc mặt ngoài của thấu kính được tính dựa vào công thức: toán trong hệ tọa độ cực dựa trên các điều kiện về độ dz n sin   dài điện và độ dài vật lý của đường đi tia sóng để thỏa = (6) dx 1 − n cos   mãn định luật khúc xạ Snell, các tia sóng từ nguồn phát tới mặt mở với quang lộ bằng nhau. dz n sin   dx = (7) Theo đó, chiều dài điện của các tia sóng được cho d 1 − n cos   d bởi công thức [13]. Công thức điều kiện về tổng độ dài của các tia bức xạ từ nguồn tới mặt mở của anten thấu kính được cho r1 + nl1 + s1 = r1 + nT (1) bởi công thức: Và điều kiện độ dài vật lý của các tia được cho bởi  z − r cos   công thức (2). Lt = r + n   + z0 − z (8)  cos    (r1 + l1 )cos + s1 = r1 + T (2) Để thỏa mãn điều kiện Abbe’s sine, các tia sóng từ Đặt r2 = r1 + l1 , từ công thức (1) và (2) ta có, nguồn phát xạ và các tia sóng đi ra từ mặt mở của thấu phương trình mặt cong elip cho mặt ngoài S2 của thấu kính kéo dài có giao điểm nằm trên một cung tròn có kính là: bán kính fc, như trong Hình 2. Cung tròn trong mặt phẳng xOz được xác định bởi công thức: (r1 + T )(n − 1) FT (n − 1) r2 = = (3) x = fc sin( − d ) (9) n − cos  n − cos  Trong đó, n là hệ số khúc xạ của chất điện môi. Độ Khi d rất nhỏ thì công thức (9) trở thành dày của thấu kính tại tâm được cho bởi công thức (4) x = fc sin( ) (10) và D là đường kính của thấu kính. Và 2r1 − 4r − D 2 2 dx T= 1 (4) = f c cos  (11) 2(n − 1) d Thấu kính elip là loại thấu kính khúc xạ một mặt, Bằng việc giải quyết đồng thời 3 phương trình vi tất cả các điểm trên bề mặt trong của thấu kính đều ở phân (5), (7) và (11), ta có thể xác định được cấu trúc cùng một khoảng cách với nguồn phát xạ và được bức của bề mặt trong và mặt ngoài của thấu kính. xạ với cùng biên độ. Hiện tượng khúc xạ chỉ xảy ra ở Các tia sóng từ nguồn phát xạ đi xuyên qua thấu mặt ngoài elip của thấu kính. kính thỏa mãn định luật khúc xạ Snell, các tia sóng đi ra từ mặt mở của thấu kính là chùm tia chuẩn trực – 2.2. Cấu trúc anten thấu kính với điều kiện Abbe’s sine các tia sóng song song và đồng pha với nhau. Các tia sóng khi đến hoặc đi ra từ mặt ngoài thấu 2.3. Nguồn phát xạ kính phải thỏa mãn điều kiện khúc xạ. Cấu trúc của thấu kính với điều kiện Abbe’ sine được xác định dựa Sử dụng anten loa nón làm nguồn phát xạ góc rộng trên phương pháp ray tracing và ba phương trình vi cho anten thấu kính. Anten nguồn phát xạ được thiết phân [13]-[16]. Tại mặt cong phía trong của thấu kính kế hoạt động ở băng tần N257, 26.50 GHz -29.50 GHz S1, cấu trúc mặt cong được được cho bởi công thức: cho thông tin di động 5G. Anten loa nón có độ tăng dr rn sin( −  ) ích cực đại đạt 17.84 dBi và có khả năng tập trung = (5) được hơn 90% năng lượng bức xạ vào thấu kính khi d n cos( −  ) − 1 tâm pha của anten loa đặt tại tiêu điểm của thấu kính. ISBN 978-604-80-5958-3 2
  3. Hội nghị Quốc gia lần thứ 24 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2021) 0 φ = 00 theo hướng của trục Oz. Hình 4 thể hiện cấu trúc anten φ = 900 thấu kính điện môi góc quét búp sóng rộng với nguồn -5 bức xạ được thiết lập trên quỹ đạo R. Normalize Gain (dBi) -10 R = F cos2  (12) Vị trí đặt thấu kính -15 III. MÔ PHỎNG VÀ ĐÁNH GIÁ KẾT QUẢ 3.1. Tham số mô phỏng -20 Các tham số cấu trúc và mô phỏng anten thấu kính -25 được trình bày như trong Bảng 1. Trong đó, phần mềm -60 -40 -20 0 20 40 60 tính toán trường điện từ ANSYS HFSS được sử dụng Góc bức xạ (độ) để tính toán phân bố trường điện từ trên các mặt phẳng (a) Giản đồ bức xạ trong mặt phẳng xOz và yOz. và các đặc trưng bức xạ của anten thấu kính dựa trên Hệ số phản xạ cấu trúc đề xuất. Thấu kính sử dụng vật liệu điện môi -26 Teflon với độ từ thẩm r = 1 , độ điện thẩm  r = 2.1 , tương ứng với hệ số khúc xạ của thấu kính là n = 2.1 . -28 S11 (dB) Bảng 1. Các tham số cấu trúc anten. -30 Tham số Giá trị Đơn vị -32 f Tần số 28 GHz D Đường kính thấu kính 100 mm Khoảng cách từ tiêu điểm tới -34 F 100 mm đỉnh của thấu kính 27.0 27.5 28.0 28.5 29.0 29.5 30.0 n Hệ số khúc xạ 2.1 Tần số (GHz) (b) Tham số S11 T Độ dày thấu kính tại tâm 29.83 mm Hình 3. Tham số bức xạ của anten loa nón. 3.2. Kết quả mô phỏng và đánh giá Hình 3 thể hiện giản đồ bức xạ trong hai mặt phẳng a) Sự thay đổi đặc tính bức xạ của anten xOz, yOz và đồ thị biểu diễn hệ số phản xạ S11 của anten loa nón Sự thay đổi giá trị độ tăng ích cực đại (G) và biên độ cánh sóng bên (SLL) của hai cấu trúc anten thấu 2.4. Cấu trúc anten thấu kính góc quét búp sóng rộng kính khi nguồn phát xạ được đặt trên quỹ đạo R và dịch chuyển góc bức xạ từ 00-400 được thể hiện như trong x R = F cos 2  Thấu kính Hình 5. Theo đó, chúng ta có thể nhận thấy rằng, anten thấu kính đạt độ tăng ích cực đại cao nhất và biên độ cánh sóng bên thấp nhất khi nguồn phát xạ được thiết lập tại tiêu điểm của thấu kính. 30 -15 α F z 29 -18 Biên độ cánh sóng bên (dB) Độ tăng ích cực đại (dBi) Quỹ đạo 28 -21 nguồn phát xạ 27 -24 Gain Elip Hình 4. Cấu trúc anten thấu kính góc quét búp sóng rộng. Gain Abbe' sine 26 SLL Elip -27 Dựa trên phương pháp ray tracing được thực hiện SLL Abbe's sine trong các nghiên cứu [11], [17]-[20], đã xác định được 25 -30 các điểm hội tụ và quỹ đạo của điểm hội tụ khi thay đổi 0 10 20 30 40 góc quét của chùm tia tới. Do vậy trong nghiên cứu Góc α (độ) này, nhóm tác giả thực hiện thiết lập nguồn phát xạ trên Hình 5. Sự thay đổi giá trị độ tăng ích và biên độ cánh sóng quỹ đạo được cho bởi công thức (12) với góc α là góc bên theo góc bức xạ. tạo bởi tia bức xạ từ điểm hội tụ tới tâm của thấu kính Tại α = 00, anten thấu kính dạng elip có độ tăng ích và trục quang Oz. Góc α dịch chuyển trong khoảng từ cực đại đạt 28.32 dBi và biên độ cánh sóng bên là -23.3 00 tới 400 với bước nhảy là 100. Điểm hội tụ của thấu dB, trong khi đó các giá trị này của anten thấu kính với kính nằm tại tâm pha của anten loa nón. Anten bức xạ điều kiện Abbe’s sine lần lượt là 28.05 dBi và -25.4 dB. ISBN 978-604-80-5958-3 3
  4. Hội nghị Quốc gia lần thứ 24 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2021) Khi dịch chuyển nguồn phát xạ lệch trục và trên quỹ 10 dB, và gần đạt được giá trị theo lý thuyết của anten đạo R của thấu kính thì độ tăng ích cực đại giảm dần và mặt mở được cho bởi công thức [21]. biên độ cánh sóng bên tăng dần. Mức độ suy giảm độ D 2 tăng ích cực đại của anten thấu kính dạng elip xảy ra nhiều hơn so với anten thấu kính với điều kiện Abbe’s Gmax =   (13)    sine khi góc bức xạ α > 200. Cụ thể, anten thấu kính Dạng sóng cầu dạng elip suy giảm 2.91 dB ở góc 400 so với góc 00 Thấu kính trong khi giá trị này chỉ là 1.55 dB đối với anten thấu kính với điều kiện Abbe’s sine. Ngoài ra, biên độ cánh sóng bên của anten thấu kính dạng elip tăng lên rất nhanh từ -23.37 dB lên -15 dB, trong khi anten thấu kính với điều kiện Abbe’s sine vẫn Nhiễu xạ duy trì được mức thấp hơn -21.55 dB. Tuy nhiên, độ lệch góc bức xạ so với góc thiết lập nguồn phát (α) của anten thấu kính dạng elip ít hơn so với anten thấu kính Dạng sóng phẳng với điều kiện Abbe’s sine. Như vậy, đối với các ứng (a) Anten thấu kính dạng elip dụng có góc quét búp sóng α < 200, chúng ta có thể sử Dạng sóng cầu dụng cấu trúc anten thấu kính dạng elip và áp dụng cấu Thấu kính trúc anten thấu kính với điều kiện Abbe’s sine cho các ứng dụng yêu cầu góc quét búp sóng rộng hơn. Các kết quả mô phỏng và tham số bức xạ được trình bày chi tiết trong Bảng 2. b) Giản đồ bức xạ và phân bố trường của anten Nhiễu xạ 30 Abbe's sine Elip Dạng sóng phẳng 25 α = 00 (a) Anten thấu kính với điều kiện Abbe’s sine 20 α = 100 α = 200 Hình 7. Phân bố trường trên mặt phẳng xOz. α = 300 Gain (dBi) 15 α = 400 Phân bố trường trên mặt phẳng xOz của anten thấu Anten loa kính dạng elip và điều kiện Abbe’s sine trên quỹ đạo R 10 ở góc α = 300 được thể hiện như trong Hình 7. Sóng 5 bức xạ từ nguồn phát có dạng sóng cầu, sóng đi ra từ mặt ngoài của thấu kính chuyển thành dạng sóng phẳng 0 đồng pha. Với cấu trúc thấu kính elip lõm về hướng nguồn phát do đó sóng phản xạ ngược trở lại nhiều hơn -5 dẫn tới giao thoa sóng làm cho biên độ cánh sóng bên -80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 của anten thấu kính dạng elip cao hơn. Trong khi đó, Góc bức xạ_α (độ) cấu trúc thấu kính với điều kiện Abbe’s sine có dạng Hình 6. Giản đồ bức xạ của ATTK và anten loa. lồi nên các tia phản xạ có xu hướng đi về phía mép Giản đồ bức xạ của anten loa nón và hai loại anten ngoài thấu kính do đó sự giao thoa giữa sóng tới từ thấu kính được thể hiện như trong Hình 6. Từ giản đồ nguồn phát xạ và tia phản xạ từ bề mặt thấu kính ít hơn bức xạ ta có thể thấy hiệu quả của việc sử dụng thấu vì vậy biên độ cánh bên có xu hướng thấp hơn. Giải kính điện môi trong việc cải thiện khả năng bức xạ của pháp để giảm sóng phản trên bề mặt thấu kính và hiện anten. Anten loa nón đạt giá trị độ tăng ích cực đại tượng đa phản xạ xảy ra bên trong thấu kính điện môi bằng 17.84 dBi. Nhưng khi kết hợp anten loa nón với là sử dụng lớp phối hợp phản xạ một phần tư bước thấu kính điện môi thì độ tăng ích cực đại tăng lên hơn sóng được trình bày trong tài liệu [7]. Bảng 2. Tổng hợp các kết quả mô phỏng. Quỹ Anten thấu kính Elip Anten thấu kính Abbe’s sine Lý thuyết  đạo G [dBi] SLL [dB] B [0] L [0] G [dBi] SLL [dB] B [0] L [0] Gmax [dBi] 00 28.32 -23.37 6.86 0.0 28.05 -25.4 6.80 0.0 100 28.25 -19.10 7.00 8.8 27.94 -24.29 6.85 8.6 R 200 28.00 -17.23 7.51 17.3 27.93 -22.65 7.14 16.8 29.34 300 27.17 -16.72 8.18 25.2 27.72 -22.28 7.72 24.4 400 25.41 -15.00 9.34 32.3 26.5 -21.55 8.64 31.0 ISBN 978-604-80-5958-3 4
  5. Hội nghị Quốc gia lần thứ 24 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2021) 2020-6th EAI International Conference on Industrial Networks IV. KẾT LUẬN and Intelligent System,Virtual Space, August 2020. [8] S. A. Hamid, N. H. A. Rahman, Y. Yamada, P. V. Hung and Bằng việc tính toán cấu trúc bề mặt và xây dựng N. Q. Dinh, “Multibeam Characteristics of a Negative mô hình thấu kính dạng elip và thấu kính với điều kiện Refractive Index Shaped Lens,” Sensors 2020, 20, 5703, Abbe’s sine bằng phần mềm Matlab và ANSYS HFSS, doi:10.3390/s20195703. nhóm tác giả đã thực hiện mô phỏng, so sánh và đánh [9] P. V. Hung, N. Q. Dinh, Y. Yamada, N. Michishita, M. T. giá khả năng tạo đa búp sóng và quét búp sóng góc Islam, "Parametric Analysis of Negative and Positive Refractive Index Lens Antenna by ANSYS HFSS," rộng của hai loại anten thấu kính. Kết quả cho thấy International Journal of Antennas and Propagation, 2020. anten thấu kính với điều kiện Abbe’s sine có khả năng [10] F. Ansarudin, T. Abd Rahman, Y. Yamada, N.H.A. Rahman, quét búp sóng góc rộng tốt hơn so với anten thấu kính K. Kamardin, "Multi beam dielectric lens antenna for 5G base dạng elip, anten cho phép quét búp sóng góc rộng lên station," Sensors 2020, vol. 20, no. 20. tới 450 . Độ suy giảm độ tăng ích cực đại và biên độ [11] P. V. Hung, N. Q. Dinh, Y. Yamada, "Negative refractive index-shaped lens antenna with straight line condition for wide cánh sóng bên của anten thấu kính với điều kiện angle beam scanning," Journal of Electromagnetic Waves and Abbe’s sine ở góc 300 và 400 thấp hơn so với anten Applications, 2021, doi: 10.1080/09205071.2021.1990801. thấu kính dạng elip. Kết quả của bài báo này là cơ sở [12] T. Maruyama, K. Yamamori and Y. Kuwahara, "Design of cho các nhà nghiên cứu, chế tạo sử dụng thấu kính có Multibeam Dielectric Lens Antennas by Multiobjective Optimization," IEEE Transactions on Antennas and cấu trúc phù hợp trong việc thiết kế anten tạo đa búp Propagation, vol. 57, no. 1, pp. 57-63, 2009. sóng, góc quét búp sóng rộng cho trạm gốc trong thông [13] Y.T. Lo, S.W. Lee, Antenna Handbook. 2nd ed. Van Nostrand tin di động 5G. Rainhold Company, New York (1988). [14] F. Ansarudin, T. A. Rahman, and Y. Yamada, "MATLAB TÀI LIỆU THAM KHẢO Program for Dielectric Lens Antenna Shaping," in 2018 2nd [1] O. J. Lodge, J. L. Howard, "On Electric Radiation and its International Conference on Telematics and Future Generation Concentration by Lenses," Proceedings of the Physical Society Networks (TAFGEN), Malaysia, Jul. 2018, pp. 81-86. of London, 10:143, 1888. [15] S. Samuel. Dielectric and Metal-Plate Lens. Microwave [2] W. Hong, H.Z. Jiang, C. Yu, J. Chao, P. Cheng, "Multibeam Antenna Theory and Design, 1st ed.; Mc-Graw Hill: New Antenna Technologies for 5G Wireless Communications," York, NY, USA, 1949; pp. 394-402. IEEE Trans. Antennas Propag., vol. 65, no. 12, pp. 6231-6249, [16] Y. Tajima and Y. Yamada, "Design of shaped dielectric lens Dec. 2017. antenna for wide angle beam steering," Electron. Commun. [3] C.X. Wang, F. Haider, X. Gao, X.H. You, Y. Yang, "Cellular Jpn. Part III Fundam. Electron. Sci., vol. 89, no. 2, pp. 1-12, architecture and key technologies for 5G wireless 2006. communication networks," IEEE Commun. Mag., vol. 52, no. [17] Y. Tajima, Y. Yamada, S. Sasaki, and A. Kezuka, "Calculation 2, pp. 122-130, 2014. of Wide Angle Radiation Patterns and Caustics of a Dielectric [4] C.C. Chang, R.H. Lee, and T. Y. Shih, "Design of a Beam Lens Antenna by a Ray Tracing Method," IEICE Trans. Switching/Steering Butler Matrix for Phased Array System," Electron., vol. E87-C, no. 9, pp. 1432-1440, Sep. 2004. IEEE Trans. Antennas Propag., vol. 58, no. 2, pp. 367-374, [18] N.H.A. Rahman, M.T. Islam, N. Misran, Y. Yamada, and N. Feb. 2010. Michishita, "Design of a satellite antenna for Malaysia beams [5] Y. Yamada, C.Z. Jing, N.H.A. Rahman, K. Kamardin, I.I. by ray tracing method," in 2012 International Symposium on Idrus, M. Rehan, T.A. Latef, T.A. Rahman, N.Q. Dinh, Antennas and Propagation (ISAP), Nagoya, Japan, Nov. 2012, "Unequally Element Spacing Array Antenna with Butler pp. 1385-1388. Matrix Feed for 5G Mobile Base Station," In 2nd International [19] P.V. Hung, N.Q. Dinh, D. T. Dung, Y. Yamada, " Caustics and Conference on Telematics and Future Generation Networks Beam Steering Calculations of Negative Refractive Index Lens (TAFGEN), Kuching, Malaysia, 24-26 July 2018, pp. 72-76. Antenna by the Ray Tracing Method," in proceeding of [6] P.V. Hung, N.Q. Dinh, T.V.D. Nguyen, Y. Yamada, N. International Conference on Advanced Technologies for Michishita, and M.T. Islam, "Electromagnetic Simulation Communications, NhaTrang Vietnam, Oct. 2020, pp. 136-139. Method of a Negative Refractive Index Lens Antenna," in [20] Y. Tajima and Y. Yamada, "Improvement of Beam Scanning proceeding of International Conference on Advanced Characteristics of a Dielectric Lens Antenna by Array Feeds," Technologies for Communications, Hanoi, Vietnam, Oct. IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, 2019, pp. 109-112. Communications and Computer Sciences, vol.7, pp. 1616- [7] P.V. Hung, N.Q. Dinh, H.T. Thuyen, N.T. Hung, L.M. Thuy, 1624, 2008. L.T. Trung, and Y. Yamada, "Estimations of Matching Layers [21] W.L. Stutzman and G.A. Thiele, Antenna Theory and Design. Effects on Lens Antenna Characteristics," EAI INISCOM 3rd ed., John Wiley & Sons, New Jersey, US, 2012. ISBN 978-604-80-5958-3 5
ADSENSE

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

 

Đồng bộ tài khoản
2=>2