intTypePromotion=1
ADSENSE

Nghiên cứu các điều kiện tối ưu để xác định lượng vết In3+ bằng phương pháp vôn ampe hoà tan hấp phụ, sử dụng điện cực màng thủy ngân trên nền nano cacbon

Chia sẻ: ViTomato2711 ViTomato2711 | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:8

21
lượt xem
0
download
 
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Các điều kiện tối ưu để xác định In3+ bằng phương pháp vôn-ampe hòa tan hấp phụ làm giàu bằng quá trình tạo phức với resorcin, sử dụng điện cực màng thủy ngân trên điện cực nền cacbon nano paste được nghiên cứu.

Chủ đề:
Lưu

Nội dung Text: Nghiên cứu các điều kiện tối ưu để xác định lượng vết In3+ bằng phương pháp vôn ampe hoà tan hấp phụ, sử dụng điện cực màng thủy ngân trên nền nano cacbon

TAÏP CHÍ ÑAÏI HOÏC SAØI GOØN Soá 10 - Thaùng 6/2012<br /> <br /> <br /> NGHIÊN CỨU CÁC ĐIỀU KIỆN TỐI ƯU ĐỂ<br /> XÁC ĐỊNH LƯỢNG VẾT In 3+ BẰNG PHƯƠNG PHÁP VÔN AMPE<br /> HOÀ TAN HẤP PHỤ, SỬ DỤNG ĐIỆN CỰC MÀNG THỦY NGÂN<br /> TRÊN NỀN NANO CACBON<br /> <br /> CAO VĂN HOÀNG (*)<br /> TRỊNH XUÂN GIẢN (**)<br /> TRỊNH ANH ĐỨC (***)<br /> <br /> TÓM TẮT<br /> Các điều kiện tối ưu để xác định In3+ bằng phương pháp vôn-ampe hoà tan hấp phụ<br /> làm giàu bằng quá trình tạo phức với resorcin, sử dụng điện cực màng thuỷ ngân trên điện<br /> cực nền cacbon nano paste được nghiên cứu. Điện cực paste được chế tạo bằng cách trộn<br /> giữa dầu tricrezyl photphat và bột cacbon nano theo tỉ lệ khối lượng 4/6, màng thuỷ ngân<br /> được tạo đồng thời cùng kim loại phân tích với nồng độ Hg2+ 5ppm ở thế điện phân -1,2V<br /> trong thời gian 120s, nền đệm axetat (pH = 4,34), thời gian cân bằng 15s, tốc độ quay cực<br /> 2000 vòng/phút, nồng độ resorcin là 8,5x10 -4M và pH = 4,34. Các điều kiên tối ưu cho<br /> phương pháp Vôn- Ampe hoà tan sóng vuông là: Ustep = 6mV; f = 30Hz; ∆ E = 30mV.<br /> Phương pháp đã cho độ lệch chuẩn rất tốt (RSD = 0,75% ) với nồng độ In 3+ là 1ppb.<br /> Từ khoá: điều kiện tối ưu, phương pháp, điện cực, màng thuỷ ngân<br /> <br /> ABSTRACT<br /> The optimal conditions for determining In3+ by the cathodic stripping voltammetry<br /> preceded by deposition of complex with resorcin using mercury film nano carbon paste<br /> electrode have been investigated. The paste electrode was made by mixing tricrezyl<br /> phosphate oil and nano carbon powder with a 4:6 (w/w) ratio, mercury film plated in situ<br /> with the concentration of 5ppm HgII at deposition potential -1.2V for 120s in acetate buffer<br /> (pH = 4.34), equilibration time of 15s, solution striring by rotating the electrode at  =<br /> 2000rpm, resorcin concentration of 8.5x10-4M and pH of 4.34. The optimal conditions for<br /> square-wave stripping voltammetry were: Ustep = 6mV, ∆ E = 30mV, f = 30Hz. The method<br /> expressed as relative standard deviation was very good (RSD = 0.75%) at the<br /> concentration of 1ppb In3+.<br /> Keywords: optimal condition, electrode, mercury film<br /> <br /> 1. MỞ ĐẦU (*) (**) (***) loại nặng đang là vấn đề rất bức xúc [1].<br /> Hiện nay, vấn nạn ô nhiễm môi trường Do vậy, việc đánh giá, xử lí mức độ ô<br /> đã và đang ảnh hưởng nghiêm trọng đến sức nhiễm kim loại nặng là rấ t quan trọng.<br /> khỏe con người, trong đó ô nhiễm do kim Trong các kim loại nặng, Indi (In) là kim<br /> loại ảnh hưởng lớn đến môi trường sinh<br /> (*)<br /> ThS, Trường Đại học Quy Nhơn thái, có khả năng tích luỹ cao nên trở thành<br /> (**)<br /> GS.TSKH, Viện Hoá học, Viện KH & CN Việt Nam chất độc ảnh hưởng lớn đến sức khỏe con<br /> (***)<br /> TS, Viện Hoá học, Viện KH & CN Việt Nam<br /> NGHIÊN CỨU CÁC ĐIỀU KIỆN TỐI ƯU ĐỂ XÁC ĐỊNH LƯỢNG VẾT In 3+ …<br /> <br /> <br /> người, như: làm rối loạn trí óc, co giật, thành phần, hàm lượng các chất<br /> động kinh, hôn mê hay làm viêm thậ n, thấp [2,4,5,6,9]… Ở Việt Nam, hiện nay chưa<br /> khớp [1]… Chính vì vậy, việc xác định In có công trình nghiên cứu nào về lĩnh vực<br /> trong các mẫu môi trường như: nước, đất, điện hoá chế tạo và ứng dụng điện cực<br /> không khí, mẫu thực phẩm… là việc rất màng trên nền cacbon nano để phân tích<br /> cần thiết. hàm lượng các kim loại tr ong các đối<br /> Trong tự nhiên indi thường tồn tại tượng môi trường.<br /> dạng vết (cỡ < 10 -6M) và siêu vết (cỡ < 10 - Xuất phát từ những vấn đề trên, trong<br /> 9<br /> M) nên để định lượng nó cần phát triể n và bài báo này chúng tôi thông báo kết quả<br /> hoàn thiện các phương pháp phân tích có nghiên cứu các điều kiện tối ưu để xác định<br /> độ nhạy, độ chọn lọc cao và giới hạn phát vết indi bằng phương pháp von -ampe hoà<br /> hiện thấp như: UV -Vis, AAS, ICP-AES... tan hấp phụ dùng điện cực màng thuỷ ngân<br /> là các phương pháp được dùng phổ biến để trên nền cacbon nano (MFE/NC).<br /> xác định lượng vết indi. Tuy nhiên, trước khi 2. THỰC NGHIỆM<br /> tiến hành định lượng, các phương pháp này 2.1. Thiết bị, dụng cụ và hoá chất<br /> thường phải qua các giai đoạn chiết, tách 2.1.1. Thiết bị và dụng cụ<br /> hoặc làm giàu, nên có thể gây nhiễm bẩn, Máy điện hoá 797 VA Computrace<br /> mất nhiều thời gian và làm phức tạp quy (Metrohm, Thụy Sỹ): gồm máy đo, bình<br /> trình phân tích. Mặt khác, chi phí thiết bị và điện phân và các điện cực gồm: điện cực<br /> chi phí phân tích khá cao nên hạn chế khả làm việc MFE/NC (d = 3,0 ± 0,1mm), điện<br /> năng ứng dụng. Để khắc phục những hạn chế cực so sánh Ag/AgCl/ KCl 3M và điện cực<br /> trên, hiện nay người ta thường dùng các phương phụ trợ Pt; Máy rung siêu âm, lò nung,<br /> pháp phân tích điện hoá hiện đại mà điển máy điều chế N2 siêu sạch (99,999%), cân<br /> hình là phương pháp von-ampe hoà tan (SV phân tích điện Precisa ( ± 0,1 mg), thước<br /> – Stripping Voltammetry) [7,8]. Yếu tố kẹp mm.<br /> quan trọng quyết định độ nhạy của phương - Micropipet các loại: 0,5 ÷ 10µL; 10 ÷<br /> pháp SV là điện cực làm việc (WE - 100µL; 100 ÷ 1000µL…<br /> working electrode). Hiện nay, đa số các 2.1.2. Hoá chất<br /> nghiên cứu về phương pháp SV trên thế - Tricrezyl photphat (Mĩ), Cacbon nano<br /> giới cũng như ở nước ta đều sử dụng điện (Nhật), resorcin (Merck) CH 3COONa<br /> cực giọt thuỷ ngân treo (HMDE - Hanging (Merck); CH3COOH (Merck); các dung<br /> Mercury Drop Electrode) hoặc điện cực dịch resorcin, Hg2+, In3+, Pb2+, Cd2+, Cu2+,<br /> giọt thuỷ ngân tĩnh (SMDE - State Mercury Zn2+,… được pha hằng ngày từ dung dịch<br /> Drop Electrode) là những loại điện cực khó chuẩn sử dụng cho AAS có nồng độ<br /> sử dụng và khó bảo quản. Do vậy, gần đây 1000ppm, HCl đậm đặc và H 2SO4 đậm đặc<br /> đã có nhiều nghiên cứu sử dụng điện cực loại PA (Trung Quốc).<br /> màng thuỷ ngân, màng bismut, màng vàng - Nước cất dùng để pha chế hoá chất và<br /> hoặc điện cực biến tính… trên các nền tráng rửa dụng cụ là nước cất hai lần đã<br /> khác nhau. được lọc qua thiết bị lọc nước siêu sạch<br /> Từ năm 1990 đến nay các nhà phân (Ф = 0,2µm).<br /> tích trên thế giới đã nghiên cứu và chế tạo Nước cất, các hoá chất, mẫu phân tích<br /> ra các loại điện cực khác nhau để xác định đều được bảo quản trong chai nhựa PE<br /> CAO VĂN HOÀNG – TRỊNH XUÂN GIẢN – TRỊNH ANH ĐỨC<br /> <br /> <br /> hoặc chai thuỷ tinh sạch. vòng/phút;<br /> 2.3. Chuẩn bị điện cực làm việc (WE) - Thời gian nghỉ: 10 s; Quét thế: -0,4 ÷<br /> 2.3.1. Chuẩn bị điện cực nền cacbon -0,9 mV;<br /> nano - Biên độ xung: 15 mV; Tần số Hz:15;<br /> Cân 0,5 g cacbon nano, sau đó đem - Bước nhảy thế: 0,006 V.<br /> nung ở 500oC để đuổi oxy hấp thụ trên Sau đó tiến hành khảo sát các thông số<br /> cacbon nano xốp. Sau khi loại bỏ oxy bằng phương pháp đơn biến và đa biến<br /> hấp thụ, bột cacbon nano được trộn đều theo mô hình hoá thực nghiệm.<br /> với dầu tricrezyl photphat trên cối mã 3. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN<br /> 3.1. Đặc tính von -ampe hoà tan hấp<br /> não theo tỉ lệ thích hợp giữa cacbon<br /> phụ của In3+ trên điện cực màng thuỷ<br /> nano và tricrezyl photphat [10]. Hỗn hợp<br /> ngân trên nền cacbon nano (MFE/NC)<br /> nhão được đem đi rung siêu âm để đánh Theo [1] chúng tôi chọn nền đệm<br /> tơi bề mặt của cacbon nano ta được bột axetat (pH = 4÷5) để xác định In 3+ theo<br /> nhão đồng nhất. Sau đó nhồi bột nhão này phương pháp von-ampe hoà tan hấp phụ<br /> vào ống teflon dài 52 mm, đường kính catôt xung vi phân (DP-AdSV)<br /> trong (3 ± 0,1 mm), phần trên có chố t kim<br /> loại có thể kết nối với máy điện hoá như<br /> một điện cực làm việc.<br /> 2.3.2. Tạo màng thuỷ ngân trên bề mặt<br /> điện cực nền cacbon nano (MFE/CN)<br /> Màng thuỷ ngân có thể được tạo ra<br /> theo kiểu in situ hoặc kiểu ex situ. Tạo<br /> màng kiểu ex situ bằng cách điện phân dd<br /> Hg2+ có nồng độ thích hợp ở thế và thời<br /> gian xác định và cho điện cực MFE/NC<br /> quay với tốc độ không đổi. Sau đó tia rửa<br /> WE cẩn thận bằng nước cất rồi nhúng WE<br /> vào dung dịch nghiên cứu. Kiểu in situ<br /> bằng cách điện phân đồng thời dd Hg 2+ với<br /> dung dịch nghiê n cứu.<br /> 2.4. Tiến trình khảo sát các điều kiện<br /> tối ưu để phân tích indi (III)<br /> Theo [1,4] và sau khi khảo sát sơ bộ,<br /> chúng tôi cố định các điều kiện ban đầu<br /> cho các thí nghiệm tiếp theo nhau như sau:<br /> - Đuổi oxi hoà tan 300 s;<br /> - Thế làm sạch điện cực (E clean) 0,4; Hình 1: Các đường von -ampe hoà tan<br /> - Thời gian làm sạch điện cực (t clean) 30 s; vòng trong các trường hợp (1), (2), (3)<br /> - Thế điện phân làm giàu -1,2 V;<br /> - Thời gian điện phân làm giàu 120; Điều kiện thí nghiệm (ĐKTN): [In3+] =<br /> - Tốc độ quay điện cực: 2000 15 ppb; [Hg2+] = 5 ppm; Edp = -1200 mV;<br /> NGHIÊN CỨU CÁC ĐIỀU KIỆN TỐI ƯU ĐỂ XÁC ĐỊNH LƯỢNG VẾT In 3+ …<br /> <br /> <br /> [resorcin] = 8,75.10-4 M; tdp = 60 s; ω = cacbon và tricrezyl photphat (TCP)<br /> 2000 vòng/phút; Đuổi oxi hoà tan bằng N 2 Để khảo sát sự ảnh hưởng của tỉ lệ<br /> trong 300s; Erange = -0,4mV  -0,9 mV; tốc khối lượng nano cacbon (m C) và dầu TCP<br /> độ quét thế v = 90m V/s; mode cyclic (mTCP) đến I P của In. Chúng tôi tiến hành<br /> Voltammetry (CV). pha trộn các tỉ lệ khối lượng khác nhau và<br /> (1) Dung dịch nghiên cứu chỉ chứa thu được kết quả như ở bảng 1.<br /> nền đệm axetat, dung dịch Hg2+, không Bảng 1: Khảo sát ảnh hưởng của I p<br /> chứa dung dịch In 3+ và resorcin, (2) Dung theo tỉ lệ m C: mTCP<br /> dịch nghiên cứu chỉ chứa đệm axetat, mC:<br /> 3/7 4/6 5/5 6/4 7/3<br /> resorcin và Hg2+, không chứa In3+, (3) mTCP<br /> Dung dịch nghiên cứu chứa đồng thời đệm Hiện Quá Hơi Hơi<br /> axetat, resorcin, In3+ và Hg2+, thu được kết Ướt Khô<br /> tượng ướt uớt khô<br /> quả ở hình 1a.<br /> Không<br /> Các đường Von-Ampe vòng cho thấy: Ip (In)<br /> đo 345 405 525 350<br /> Trong trường hợp (1): trên đường Von - nA<br /> được<br /> Ampe vòng không xuất hiện dòng đỉnh hoà<br /> tan của In. Điều này chứng tỏ trong khoảng RSD - 59,13 14,46 5,52 42,41<br /> thế nghiên cứu, nền đệm axetat không gây ĐKTN:[Ax] = 0,1M; [Hg2+] = 5ppm;<br /> ra hiệu ứng điện hoá trên điện cực làm việc [In3+] = 3ppb; Edp = -1200mV; [resorcin] =<br /> và do vậy, sẽ không ảnh hưởng đến tín hiệu 8,75.10-4M; tdp=120s; ω = 2000 vòng/phút;<br /> hoà tan của In, Trong trường hợp (2): trên Eclean = 0,4V; tclean = 30s; Đuổi oxi hoà tan<br /> đường von-ampe vòng cũng không xuất 300s; Erange = -0,4mV  -0,9mV; Tốc độ<br /> hiện - đỉnh hoà tan của In (xem hình 1a), quét thế v = 35,5mV/s.<br /> điều này chứng minh rằng thuốc thử 3.2.2. Ảnh hưởng của nồng độ Hg II<br /> resocin trên màng thuỷ ngân không có tín Để đánh giá khả năng ảnh hưởng của<br /> hiệu về điện hoá. Trong trường hợp (3) trên 2+<br /> [Hg ] đến Ip của In, chúng tôi tiến hành thí<br /> đường von-ampe hoà tan xuất hiện đỉnh nghiệm với các nồng độ Hg 2+ khác nhau.<br /> hoà tan rõ rệt của In (xem hình 1a) ứng với Qua hình 4 cho thấy khi tăng nồng độ<br /> thế đỉnh Ep(In) = -660mV. Để nghiên cứu Hg2+, Ip của In tăng nhanh, nhưng khi<br /> độ ổn định của điện cực và độ lặp lại của [Hg2+]>5ppm thì Ip của In tăng không đáng<br /> phương pháp, chúng tôi tiến hành ghi kể. Giá trị [Hg2+] = 5ppm (Ip (In)=566 và<br /> đường vôn ampe vòng lặp lại 4 lần với các RSD=5,5-) là thích hợp cho các thí nghiệm<br /> nồng độ khác nhau (hình 1b). Từ kết quả tiếp theo.<br /> hình 1b cho thấy phép đo lặp lại khá tốt với<br /> RSD = 0,75 và rất tuyến tính cho những<br /> nồng độ khác nhau, vì vậy chúng tôi lựa<br /> chọn màng thuỷ ngân và chất tạo phức là<br /> resorcin cho phép xác định In.<br /> 3.2. Khảo sát các yếu tố ảnh hưởng<br /> đến tín hiệu hoà tan I p của In<br /> Hình 2. Ảnh hưởng của nồng độ thuỷ<br /> 3.2.1. Ảnh hưởng tỉ lệ khối lượng nano<br /> ngân đến Ip của In<br /> CAO VĂN HOÀNG – TRỊNH XUÂN GIẢN – TRỊNH ANH ĐỨC<br /> <br /> <br /> ĐKTN: n=5; Như bảng 1. Resorcinol là phức mang điện tích âm.<br /> 3.2.3. Ảnh hưởng của oxi hoà tan (DO) Chúng tôi chọn thế Ehp = -0.4V làm thế hấp<br /> Tiến hành ghi đường von-ampe hoà tan phụ cho phức In với Resorcinol. Vì thế,<br /> trong hai trường hợp đuổi và không đuổi dịch chuyển về phía dương hơn thì đồng<br /> DO ở các nồng độ indi khác nhau được kết làm ảnh hưởng đến pic của In và gần với<br /> quả về độ nhạy lần lượt là (nA/1ppb): thế hoà tan của Hg.<br /> 350nA/ppb và 125nA/pb, giới hạn phát 3.2.5. Phương pháp mô hình hoá- tối<br /> hiện (ppb) lần lượt là: 0,1ppb và 0,4ppb, hệ ưu hoá thực nghiệm<br /> số tương quan R lần lượt là 0,998 và 0,959. Thiết kế thực nghiệm là một phương<br /> Như vậy trong trường hợp đuổi oxy cho kết pháp thống kê nhằm tìm ra các điều kiện<br /> quả tốt hơn khi không đuổi oxy. Điều này tối ưu và mô hình hoá mặt mục tiêu. Thiết<br /> có thể giải thích là do oxy có mặt trong kế thực nghiệm thống kê đánh giá một cách<br /> dung dịch phân tích có E 1/2 gần với E 1/2 của chính xác các yếu tố ảnh hưởng đến hàm<br /> In nên làm ảnh hưởng đến đường hoà tan mục tiêu c ần nghiên cứu.<br /> của In, hơn thế nữa sự có mặt của oxy hoà Trong bài báo này chúng tôi tìm điều<br /> tan có thể oxy hoá chất tạo phức resocin kiện tối ưu cho 4 yếu tố ảnh hưởng đến<br /> làm giảm độ nhạy của phép phân tích. cường độ dòng là: thế điện phân, tốc độ<br /> 3.2.4. Ảnh hưởng của thế hấp phụ quét, nồng độ resorcinol và pH. Các thông<br /> Việc khảo sát được thực hiện với dung số thực nghiệm khác được cố định: thời<br /> dịch 2ppb. Các điều kiện khác: pH = 4,34; gian điện phân 120s, thế hấp phụ -0,4V, thời<br /> thế điện phân -1,2V, thời gian điện phân gian hấp phụ 10s, tốc độ khuấy 2000rpm,<br /> 120s, thời gian hấp ph ụ 10s, tốc độ quét nồng độ In3+ 2ppb, khoảng quét thế (-0,4 ÷ -<br /> 35,5mV/s, Cresorcinol = 8,5.10-4M. 0,9V). Để loại bỏ ảnh hưởng gây ra sự<br /> Vì thế, hấp phụ là thế lúc bắt đầu quét, nhiễm bẩn hệ thống làm cho mô hình tìm<br /> do đó thay đổi thế hấp phụ bằng cách mở được thiếu chính xác, chúng tôi chọn Ip-<br /> rộng khoảng quét thế về phía dương. Iplank làm hàm mục tiêu để ngh iên cứu.<br /> Ta thấy rằng cường độ dòng khử tăng Số thí nghiệm cần làm là 31.2 = 62 thí<br /> khi thế hấp phụ dịch về phía dương. Điều nghiệm ở bảng 2<br /> này chứng tỏ rằng phức của In 3+ với<br /> <br /> Bảng 2: Số thí nghiệm cần được tiến hành theo mô hình<br /> Số<br /> Số yếu tố 2n-q Ngốc N* N0 N D<br /> TN<br /> 4 24 16 8 7 31 31x2 2,000<br /> <br /> Các thí nghiệm phải được tiến hành một cách ngẫu nhiên theo các gi á trị mã hoá. Để<br /> tránh sai số hệ thống, mỗi thí nghiệm được lặp lại 2 lần, như vậy tổng số thí nghiệm được<br /> tiến hành là 31x 2 = 62.<br /> NGHIÊN CỨU CÁC ĐIỀU KIỆN TỐI ƯU ĐỂ XÁC ĐỊNH LƯỢNG VẾT In 3+ …<br /> <br /> <br /> Bảng 3: Các mức giá trị và khoảng biến thiên của các yếu tố<br /> Các mức Khoảng<br /> Điểm Mức Mức Mức Điểm biến<br /> Yếu tố X i<br /> sao thấp gốc cao sao thiên<br /> (-2) (-1) (0) (+1) (+2) <br /> A: Thế điện phân (V) -1,3 -1,2 -1,1 -1,0 -0,9 0,1<br /> B: Tốc độ quét(mV/s) 20 25 30 35 40 5<br /> C: CResorcinol( × 10-4 Mol/l) 0,5 4,5 8,5 12,5 16,5 4<br /> D: pH 3,4 3,9 4,4 4,9 5,4 0,5<br /> <br /> Phương trình mã hoá thu được nh ư sau:<br /> Y=-7568,45 – 423,20x + 123,31y +64,72z + 140,62 t – 32,93x2 + 14,4xy – 1,43y2 –<br /> 4,21yt – 4,23z2 -155,25t2.<br /> Khảo sát mặt mục tiêu ta thu được:<br /> Surface Plot of Ip vs pH, toc do quet Surface Plot of Ip vs Nong do R, The dien phan Surface Plot of Ip vs pH, The dien phan<br /> Hold Values Hold Values Hold Values<br /> The dien phan 0 Toc do quet 0 Toc do quet 0<br /> Nong do R 0 pH 0 Nong do R 0<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> 400 400<br /> 300<br /> <br /> 200 200<br /> Ip Ip 200 Ip<br /> <br /> 0 100 0<br /> 2 2 2<br /> 0 pH 0 0 0<br /> -2 Nong do R pH<br /> 0 -2 -2 -2<br /> 2 0 -2 0 -2<br /> toc do quet 2 2<br /> T he dien phan T he dien phan<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Surface Plot of Ip vs toc do quet, The dien phan Surface Plot of Ip vs Nong do R, Toc do quet Surface Plot of Ip vs pH, Nong do R<br /> Hold Values Hold Values<br /> Hold Values<br /> The dien phan 0 The dien phan 0<br /> Nong do R 0<br /> pH 0 Toc do quet 0<br /> pH 0<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> 400<br /> <br /> 300 300<br /> 200<br /> 200 200 Ip<br /> Ip Ip<br /> 100<br /> 100 0<br /> 0 2 2<br /> 2 0<br /> 0 pH<br /> 0 Nong do R -2<br /> 0 -2<br /> toc do quet 0 -2<br /> -2 0 -2 2<br /> 0 -2 2 Nong do R<br /> 2 T oc do quet<br /> T he dien phan<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Hình 3: Mô hình mặt mục tiêu mô tả ảnh hưởng của hai nhân tố lên hà m mục tiêu khi cố<br /> định các nhân tố còn lại ở mức gốc (điểm 0)<br /> Bảng 4 : Bảng phân tích phương sai của hệ số hồi quy<br /> sau khi đã loại bỏ hệ số không có nghĩa<br /> Nguồn Tổng bình TB bình<br /> Bậc tự do F P<br /> phương sai phương phương<br /> Blocks 0,3963 1 0,3963 0,00 0,98<br /> Lack-of-fit 16941,51 38 445,8292 3,167 0,045<br /> Pure error 1689,2802 12 140,7733<br /> Tæng sai sè 417053 61<br /> CAO VĂN HOÀNG – TRỊNH XUÂN GIẢN – TRỊNH ANH ĐỨC<br /> <br /> <br /> Kết quả khảo sát ảnh hưởng của Cd,<br /> Pb đến tín hiệu hoà tan của In cho thấy<br /> Pb không cản trở phép xác định In khi<br /> nồng độ của Pb nhỏ hơn nồng độ của In<br /> 200 lần, còn Cd ảnh hưởng rất lớn đến tín<br /> hiệu hoà tan của In. Trong thực tế, đối<br /> với các mẫu môi trường thường nồng độ<br /> Pb không lớn hơn In quá 20 lần và như<br /> vậy không lo lắng về ảnh hưởng của Pb,<br /> đối với Cd khi nồng độ lớn hơn 50 lần thì<br /> gây ảnh hưởng đến I p của In. Để khắc<br /> phục ảnh hưởng của Cd đối với I p của In, Hình 4. Các đường vôn-ampe hoà tan<br /> chúng tôi cho thêm dung dịch KBr 0,1M hấp phụ catôt của In ghi được khi đo lặp<br /> vào dung dịch phân tích thì khắc phục lại 9 lần: pH = 4,34; thế điện phân -<br /> được khả năng ảnh hưởng của Cd đối với 1,2V, thời gian điện phân 120s, thời gian<br /> Ip của In. hấp phụ 10s, tốc độ quét 35,5mV/s,<br /> 3.2.7. Độ lặp lại của phương pháp Cresorcinol = 8,5.10-4M<br /> Độ lặp lại của Ip (In) trên điện cực 4. KẾT LUẬN<br /> MFE/NC được xác định thông qua độ Đã xác định được các điều kiện tối<br /> lệch chuẩn (RSD) của In. Cố định các ưu để xác định inđi bằng phương pháp<br /> điều kiện thí nghiệm đã được khảo sát ở von-ampe hoà tan hấp phụ sử dụng điện<br /> trên. Tiến hành thí nghiệm với [In 3+] = cực MFE/NC. Điện cực MFE/NC cho độ<br /> 3ppb để đánh giá độ lặp lại của I p (In) lặp lại rất tốt và độ nhạy khá cao (khoảng<br /> trong cùng một dung dịch nghiên cứu, 500nA/1ppb In) từ đó có thể cho rằng với<br /> thu được kết quả ở hìn h 4 điện cực này có thể xác định In với hàm<br /> Kết quả thu được cho thấy: trong lượng siêu vết. Để kết luận chính xác hơn<br /> cùng một thí nghiệm, phép xác định In cần nghiên cứu tiếp khoảng tuyến tính,<br /> bằng phương DP - AdSV dùng điện cực giới hạn phát hiện, giới hạn định lượng<br /> MFE/NC đạt độ lặp lại rất tốt với RSD = và kiểm soát phương pháp để từ đó xây<br /> 0,4 % khi n = 9. dựng một quy trình hoàn chỉnh.<br /> TÀI LIỆU THAM KHẢO<br /> <br /> 1. Lê Huy Bá (2006), Độc học môi trường , Nxb ĐHQG TP. Hồ Chí Minh.<br /> 2. Carvalho L.M., Nascimento P.C., Koschinsky A., Bau M., Stefanello R.F., Spengler<br /> C., Bohrer D., Jost C (2007), Simultaneous determination of cadmium, lead, indium,<br /> copper, and thallium in highly saline sample by anodic stripping voltammetry (ASV)<br /> using mercury-flim and bismuth-flim electrodes”, Electroanalysis 19 (16), pp.<br /> 1719-1726.<br /> 3. Stanislav Kotrlí, Miloslav Pravda, Jitka Šrámková (1996), Determination of indium in<br /> bismuth indium telluride materials by anodic stripping voltammetry, Volume 8, Issue<br /> 8-9, pages 773–777.<br /> 4. Zhang, Jialing; Shan, Yujuan; Ma, Jing; Xie, Li; Du, Xiaoyan (2009), Simultaneous<br /> Determination of Indium and Thallium Ions by Anodic Stripping Voltammetry Using<br /> Antimony Film Electrode, Volume 7, Number 4, pp. 605-608(4).<br /> 5. Ivan Svancara, Marie Hvizdalova, Kurt Kalcher, and Radomir Novotnl (2007), A<br /> Microscopic Study on Carbon Paste Electrodes, Electroanalysis, pp 61-65.<br /> 6. Ivan Hotovy, Marian Voj (2008)s, Bismuth film electrodes forheavy metals<br /> determination, Technical paper 14, pp. 491-498.<br /> 7. Wang J. (2000), Analytical electrochemistry, VCH Publishers Inc, USA.<br /> 8. Wang J., Deo R.P., Thongngamdee S., and Ogorevc B (2006), Effect of surface-active<br /> compounds on the stripping voltammetric response of bismuth film electrodes,<br /> Electroanalysis 13 (14), pp. 1153-1156,).<br /> 9. A.Benvidia; M. Mazloum Ardakania (2009), Subnanomolar Determination of Indium<br /> by Adsorptive Stripping Differential Pulse Voltammetry Using Factorial Design for<br /> Optimization, Analytical Letters, Volume 42, Issue 15 , pages 2430 – 2443.<br /> <br /> <br /> * Nhận bài ngày 2/6/2011. Sữa chữa xong 23/5/2012. Duyệt đăng 5/6/2012.<br />
ADSENSE

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

 

Đồng bộ tài khoản
2=>2