intTypePromotion=1
zunia.vn Tuyển sinh 2024 dành cho Gen-Z zunia.vn zunia.vn
ADSENSE
 » 
 » 

Phân tích ảnh hưởng của công nghệ Half-cell đến công suất pin quang điện trong điều kiện bóng đổ

Chia sẻ: _ _ | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:10

Thêm vào BST
Báo xấu
5
lượt xem 2
download
 
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Bài viết trình bày ảnh hưởng của của công nghệ pin quang điện Half-cell đến công suất của pin quang điện thương mại trong điều kiện bóng đổ dựa trên phần mềm MATLAB/Simulink. Một mô hình toán học pin quang điện với công nghệ Full-cell và Half-cell được xây dựng để phân tích sự ảnh hưởng của hai công nghệ khi bị bóng đổ.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Phân tích ảnh hưởng của công nghệ Half-cell đến công suất pin quang điện trong điều kiện bóng đổ

  1. Tạp chí Khoa học công nghệ Giao thông vận tải Tập 11 - Số 4 Phân tích ảnh hưởng của công nghệ Half-cell đến công suất pin quang điện trong điều kiện bóng đổ Analysis the effects of half-cell photovoltaic technology under partial shading Lê Phương Trường1,*, Nguyễn Cao Cường2 1 Trường Đại học Lạc Hồng 2 Trường Cao đẳng Bình Phước *Email liên hệ: lephuongtruong@lhu.edu.vn Tóm tắt: Bài báo trình bày ảnh hưởng của của công nghệ pin quang điện Half-cell đến công suất của pin quang điện thương mại trong điều kiện bóng đổ dựa trên phần mềm MATLAB/Simulink. Một mô hình toán học pin quang điện với công nghệ Full-cell và Half-cell được xây dựng để phân tích sự ảnh hưởng của hai công nghệ khi bị bóng đổ. Kết quả thực nghiệm cho thấy mô hình mô phỏng và thực nghiệm có độ sai lệch giữa cường độ dòng điện và công suất là 1.0 % và 1.5%. Từ quan điểm thực tế kết quả nghiên cứu có những ưu điểm: (1) mô phỏng độ suy giảm công suất của hệ thống pin quang điện khi bị bóng đổ với hai loại công nghệ pin quang điện; (2) độ chính xác đáng tin cậy; (3) tự phát triển. Từ khóa: MATLAB Simulink; Half-cell; mô đun quang điện; tổn thất sản lượng; bóng đổ. Abstract: This paper presents the effect of the Half-cell photovoltaic technology on the power of commercial photovoltaic cells under shading based on the MATLAB/Simulink environment. A mathematical model of photovoltaic cells with Full-cell and Half-cell technology have been built on to analyze the effect of shading. Experimental results show that the simulated and experimental models have gap between current and power is 1.0% and 1.5%. From the practical viewpoint, the research results have the following advantages: (1) simulating the power decrease of the photovoltaic system when it is shaded with two technologies Full-cell and Half-cell; (2) reliable accuracy;(3) self-development. Keywords: MATLAB Simulink; PV model; Half-cell; Full-cell; shading. 1. Giới thiệu các các yếu tố ảnh hưởng tới công suất của các tấm pin như bóng đổ của các tòa nhà cao tầng, bóng Ngày nay, với sự tiến bộ vượt bậc của các nghành công nghiệp chế tạo pin năng lượng mặt trời, các mây. Hiện nay, trên thế giới đã có nhiều nghiên cứu về ảnh hưởng của bóng đổ lên công suất của tấm pin nhà sản suất pin mặt trời đã nghiên cứu và sản xuất ra công nghệ pin Half-cell nhằm khắc phục mặt trời như bảng 1. Bảng 1. Các phương pháp phân tích ảnh hưởng của bóng đổ đến công suât của pin quang điện. Tài liệu tham khảo Phương pháp Kết quả G. Trzmiel và cộng sự [2] Thay đổi vị trí tế bào quang điện Hiệu suất giảm tới 80% Qian và cộng sự [3] Phân tích Hotspot modul Half-cell Tăng 50% so với Full-cell J.C. Teo và cộng sự [4] Sử dụng diode rẽ nhánh Không gây ra tổn thất điện Wang và cộng sự [5] Phân tích sơ đồ pin quang điện, nối tiếp- total-cross-tie, bridge-linked có 22
  2. Lê Phương Trường, Nguyễn Cao Cường Tài liệu tham khảo Phương pháp Kết quả song song ,total-cross-tie, bridge-linked hiệu suất cao Lu và cộng sự [6] Thay đổi hướng theo trục X và Y Hiệu suất của Half-cell tốt hơn Full-cell Bana và cộng sự [7] Cấu hình series-parallel, total-cross-tied, Lực chọn cấu hình total-cross- bridge-linked và honey comb của pin tied quang điện hơn 250 𝐶𝐶 Qian và cộng sự [8] Phân tích Hotspot Nhiệt độ của Half-cell thấp R Ajmal và cộng sự [9] Cấu hình simple series, total-cross-tie và Total-cross-tie tạo ra năng honey comb của PV lượng cao Peng và cộng sự [10] Thực nghiệm Sản lượng giảm 18%-35% Steim và cộng sự [11] Diode bypass hữu cơ Diode bypass hữu cơ mất 30% điện năng Nghiên cứu này Ảnh hưởng của công nghệ Half-cell lên Giảm công suất tương ứng công suất pin quang điên 10.45%; 21.01%; 30.21%; 40.88% Nghiên cứu này ảnh hưởng của công nghệ Half-cell phải. Nghiên cứu này phân tích ảnh hưởng của công lên công suất pin quang điện giảm công suất tương nghệ pin quang điện Half-cell đến công suất pin ứng 10.45%; 21.01%; 30.21%; 40.88%. quang điện thương mại dựa trên môi trường Theo đó các thống kê ở bảng 1 cho ta thấy các MATLAB/Simulink. tác giả đã tập trung nghiên cứu các phương pháp 2. Mô hình toán học pin quang điện khác nhau để làm tăng hiệu suất của tấm pin khi bị 2.1. Công nghệ half-cell ảnh hưởng của bóng đổ. Qua đó, các tác giả đưa ra các phân tích của mình về ưu điểm và nhược điểm Công nghệ Half-cell có sự khác biệt so với công của từng phương án để đưa ra các kết luận thích hợp nghệ Full-cell đó là số lượng tế bào quang điện cho từng dự án. Kết quả cho thấy sử dụng công nghệ trên một mô đun tăng gấp đôi và được kết nối như Half-cell là một trong những giải pháp tối ưu nhất hình 1. Đối với các tấm pin Half-cell các tế bào cho các dự án gặp những điều kiện bất lợi về bóng quang điện được chia làm 06 dãy. Do đó, nếu một đổ. Half-cell sẽ giúp cho công suất của tấm pin đạt hoặc một dãy tế bào quang điện bị che bóng thì được hiệu suất tốt nhất và làm tăng tuổi thọ của tấm chỉ làm giảm 1/6 công suất của mô đun quang pin. Các nhà nghiên cứu [2]-[11] đã tập trung điện (hình 2). nghiên cứu ảnh hưởng của bóng đổ tới công suất của tấm pin mặt trời. Từ đó đưa ra các giải pháp khác nhau nhằm cải thiện sự tác động của bóng đổ lên công suất tấm pin. Như vậy, mục đích cuối cùng của các nghiên cứu là cải thiện hệ thống đạt công suất tối ưu nhất khi hoạt động. Mỗi nghiên cứu đều chỉ nêu ra một vấn đề mà hệ thống điện mặt trời hiện nay đang gặp Hình 1. Cấu trúc của pin quang điện Half-cell. 23
  3. Phân tích ảnh hưởng của công nghệ Half-cell đến công suất pin quang điện trong điều kiện bóng đổ 2.2. Mô hình toán học pin quang điện Một tế bào quang điện thông thường tạo ra công suất khoảng 2W (Pmax ≤ 2W) và điện áp khoảng 0.5V. Trên thực tế các mô đun năng lượng mặt trời thương mại có công suất từ 2W đến 500W. Xây dựng mô đun năng lượng mặt trời tạo ra công suất như trên cần ghép song song các tế bào quang điện trên một mô đun PV và nhiều mô đun Hình 2. Pin quang điện công nghệ Half-cell PV nối tiếp lại với nhau, từ đó tạo ra dòng điện khi bị bóng đổ. và điện áp theo đáp ứng nhu cầu thực tế. Sơ đồ mạch tương đương mô đun năng lượng mặt trời được thể hiện tại hình 3. Mô hình thực tế Mô hình đơn giản Mô hình lý tưởng + I NPIPH V － Hình 3. Mô hình tổng quát pin quang điện. Từ mô hình tổng quát như hình 3 [11] phương Và dòng bão hòa ngược: trình toán học của pin quang điện được viết như I sc , STC + K I ∆T I0 = (5) sau: exp (Voc , STC + KV ∆T ) / aVT  − 1   Điện áp đầu ra của tế bào PV; 𝐼𝐼 𝑃𝑃ℎ : Dòng quang qV I= I ph − I 0 (exp( d ) − 1) (1) Trong đó: I: Dòng đầu ra của tế bào PV; V: điện; 𝐼𝐼0 , 𝐼𝐼01 , 𝐼𝐼02 : Dòng bão hòa ngược của akT Mô hình diode đơn bao gồm điện trở nối tiếp diode; 𝑉𝑉𝑑𝑑 : Điện áp diode; 𝐼𝐼 𝑑𝑑 : Dòng diode; 𝐼𝐼0 : R và shunt điện trở Rp, trong đó dòng điện đầu ra Dòng bão hòa ngược của diode; 𝑎𝑎, 𝑎𝑎1 , 𝑎𝑎2 : Hệ số có thể được viết: lý tưởng diode; 𝑘𝑘: Hằng số Boltzmann; T: nhiệt V + IRs V + IRs độ tiếp giáp p-n; q: Điện tích; 𝐾𝐾𝑖𝑖 : Hệ số dòng I = I ph + I 0 (exp( ) − 1) − (2) aVT Rp điện/nhiệt độ ngắn mạch; 𝐾𝐾 𝑉𝑉 : Hệ số điện áp / nhiệt độ mạch hở; G: Thực tế chiếu xạ; 𝐺𝐺 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆 : Với: Chiếu xạ danh nghĩa (1000 𝑊𝑊/𝑚𝑚2 ); 𝛥𝛥𝑇𝑇: Sự khác N s KT VT = (3) q 𝐼𝐼 𝑃𝑃ℎ.𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆 : Quang điện danh nghĩa (250 𝐶𝐶 và 1000 Các dòng quang được đưa ra bởi: biệt giữa nhiệt độ thực tế và nhiệt độ danh nghĩa; 𝑊𝑊/𝑚𝑚2 ); 𝑁𝑁𝑠𝑠 : Số lượng tế bào được kết nối theo G I= ( I Ph.STC + K I .∆T ). chuỗi; 𝑁𝑁𝑠𝑠𝑠𝑠 : Số lượng các mô đun kết nối trong Ph (4) GSTC 24
  4. chuỗi; 𝑁𝑁𝑝𝑝𝑝𝑝 : Số lượng các mô đun kết nối song Lê Phương Trường, Nguyễn Cao Cường song; VOC : Mạch điện áp mở; 𝐼𝐼𝑠𝑠 𝑠𝑠 : Dòng điện mô hình Half-cell cần phải chia số lượng tế bào quang điện mắc song song và nối tiếp phù hợp như cấu trúc của pin quang điện Half-cell như ngắn mạch. hình 1. Trong nghiên cứu này, số lượng tế bào 3. Xây dựng mô hình bóng đổ pin Half-cell và quang điện của 01 mô đun quang điện là 144 tế Full-cell trên môi trường MATLAB/Simulink bào quang điện được mắc thành 06 dãy song song mỗi dãy 12 tế bào quang điện. Do đó mô hình mô 3.1. Xây dựng mô hình tính toán hệ thống trên phỏng hệ thống pin quang điện Half-cell cài đặt môi trường MATLAB/Simulink số lượng tế bào quang điện mắc song song là 06 Mô hình mô phỏng pin quang điện Full-cell được dãy mỗi dãy 12 tế bào như bảng 2. Mô hình mô xây dựng dựa trên một đi ốt theo các công thức phỏng mô đun quang điện Half-cell được trình toán học từ 1 đến 5 được trình bày ở phần 2. Tuy bày như hình 4 và hình 5. nhiên, để chuyển đổi từ mô hình Full-cell sang Bảng 2. Thông số kỹ thuật của pin Canadian CS3W-440MS. Thông số kỹ thuật Kí hiệu Tham số Công suất cực đại Pmax 440W Điện áp định mức Vmp 40.7V Dòng định mức Imp 10.82A Điện áp hở mạch Voc 48.7V Dòng ngắn mạch Isc 11.48A Số lượng cell ncell 12×6 (144 cell) Hiệu suất - 18.40% Nhiệt độ hoạt động P/K -40 oC ÷ +85 oC Điện áp Out1 In1 Công suất cell 1-72 Ramp1 Out2 Dòng điện cell 1-72 0.6 In2 Out3 Bức xạ mặt trời Add1 Tổng công suất Half cell Out4 25 In3 Add2 Tổng dòng điện Half cell Nhiệt độ Out5 Công suất Full cell 0.8 In4 Out6 Bức xạ mặt trời2 Dòng điện Full cell Mô hình tính toán hệ thống Hình 4. Mô hình Half-cell trong môi trường MATLAB/Simulink. 25
  5. Phân tích ảnh hưởng của công nghệ Half-cell đến công suất pin quang điện trong điều kiện bóng đổ 1 1 Voltage Input Power 2 Power Output Insolation Input Iph f(u) 3 I Photocurrent f(u) 2 Cell 273.15 Is Temperature Current Current Output Input Output Constant f(u) Tref+273.15 f(u) Saturation Current Irs Reference Reverse Temperature Saturation Current Display1 Hình 5. Chương trình con của mô hình pin quang điện. 3.2. Kết quả mô phỏng 8. Khi bị bóng đổ chiếu vào một phần của pin Trong nghiên cứu này, mô phỏng tấm pin quang quang điện. Đối với pin công nghệ Half-cell chỉ điện sử dụng hai công nghệ Full-cell và Half-cell chịu ảnh hưởng bức xạ thấp một nửa tấm pin, nửa tấm còn lại vẫn hoạt động với điều kiện bình để so sánh sự khác biệt về dòng điện và công suất khi bị bóng đổ. Giả sử bức xạ mặt trời suy giảm thường do đó khi bị bóng đổ từ 1kW/m2 xuống 0.8kW/m2, 1kW/m2 xuống 0.6kW/m2, 1kW/m2 từ 1kW/m2 xuống 0.8kW/m2, 1kW/m2 xuống xuống 0.4kW/m2, 1kW/m2 xuống 0.2kW/m2 thì 0.6kW/m2, 1kW/m2 xuống 0.4kW/m2, 1kW/m2 dòng điện giảm lần lượt là 10.23%, 20.55%, xuống 0.2kW/m2. Nhiệt độ mô phỏng 25oC. Kết 29.48%, 39.90%. quả mô phỏng được trình bày từ hình 6 đến hình 13 12.5 Không bị ảnh hưởng do bóng đổ 12 12 Không bị ảnh hưởng do bóng đổ 11 Bị ảnh hưởng của bóng đổ Pin quang điện Half cell 11 10 10 Bị ảnh hưởng của bóng đổ Pin quang điện Full cell Bị ảnh hưởng của bóng đổ Pin quang điện Half cell 9 9 8 8 7 Bị ảnh hưởng của bóng đổ Pin quang điện Full cell Dòng Điện (A) 7 Dòng Điện (A) 6 Dòng điện cell 73-144 (Half cell) 6 Dòng điện cell 73-144 (Half cell) 5 Dòng điện cell 1-72 (Half cell) 5 Dòng điện cell 1-72 (Half cell) 4 4 3 3 2 2 1 1 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 Điện Áp (V) Điện Áp (V) (a) Bức xạ giảm từ 1kWh/m2 xuống 0.8kWh/m2. (b) Bức xạ giảm từ 1kWh/m2 xuống 0.6kWh/m2. 26
  6. Lê Phương Trường, Nguyễn Cao Cường (c) (c) Bức xạ giảm từ 1kWh/m2 xuống 0.4kWh/m2. Hình 6. So sánh độ suy giảm công suất của hai công nghệ pin quang điện Full-cell và Half-cell. 16 400 10 400 15 Dòng điện 9 14 360 350 13 8 320 12 300 7 11 280 Dòng điện Công Suất (W) 10 250 6 Công Suất (W) 240 9 Dòng Điện (A) Dòng Điện (A) 8 200 5 200 7 4 160 6 150 5 3 120 4 100 2 3 80 2 50 1 1 40 0 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 Điện Áp (V) Điện Áp (V) (a) Bức xạ giảm từ 1kWh/m2 xuống 0.8kWh/m2. (b) Bức xạ giảm từ 1kWh/m2 xuống 0.6kWh/m2. 10 400 9 360 Dòng điện 8 320 7 280 6 240 S ất (W) Dòng Điện (A) 5 200 4 180 Cô 3 120 2 80 1 40 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 Điện Áp (V) (c) Bức xạ giảm từ 1kWh/m2 xuống 0.4kWh/m2. Hình 7. Đường đặc tính UIP của công nghệ Half-cell khi bị suy giảm. 27
  7. Phân tích ảnh hưởng của công nghệ Half-cell đến công suất pin quang điện trong điều kiện bóng đổ 10 400 10 400 Dòng điện 9 9 360 360 8 320 8 320 7 7 Dòng điện 280 280 Công Suất (W) S ất (W) 6 6 240 240 Dòng Điện (A) Dòng Điện (A) 5 200 5 200 4 160 4 160 Cô 3 120 3 120 2 2 80 80 1 1 40 0 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 Điện Áp (V) Điện Áp (V) (a) Bức xạ giảm từ 1kWh/m2 xuống 0.8kWh/m2. (b) Bức xạ giảm từ 1kWh/m2 xuống 0.6kWh/m2. 5 200 Dòng điện 4 160 Công Suất (W) 3 120 Dòng Điện (A) 2 80 1 40 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 Điện Áp (V) (c) Bức xạ giảm từ 1kWh/m2 xuống 0.4kWh/m2. Hình 8. Đường đặc tính UIP của công nghệ Full-cell khi bị suy giảm. 4. Kết quả thực nghiệm và phân tích kết quả quạt. Các thiết bị đo bao gồm VOM đo dòng và áp của mô đun quang điện, một nhiệt kế để đo 4.1. Thiết đặt thực nghiệm nhiệt độ hoạt đông của mô đun quang điện, một Hệ thống thực nghiệm bao gồm 01 mô đun quang thiết bị đo bức xạ cầm tay PCESPM 1. Cài đặt điện Half-cell CS3W-440MS. Bộ điều khiển sạc thiết bị thực nghiệm được trình bày như hình 9. MPPT 24V, Inverter 1500W và một ắc quy 50A, Hình 9. Thiết đặt thực nghiệm. 28
  8. Lê Phương Trường, Nguyễn Cao Cường 4.2. Kết quả thực nghiệm ngõ ra của mô đun pin quang điện CS3W-400MS trong 01 giờ tương ứng từ -0.003 (A) đến 0.25 Thực nghiệm được tiến hành trong 01 giờ trong (A) và từ -0.003 (W) đến 0.25 (W). So sánh kết khoảng thời gian từ 14g00 đến 15g00 ngày 21 quả mô phỏng và kết quả thực nghiệm ta thấy độ tháng 10 năm 2020. Kết quả thực nghiệm được sai lệch giữa dòng điện, công suất mô phỏng và trình bày từ hình 10 đến hình 15. Từ kết quả thực thực nghiệm lần lượt là 1.1% và 1.5%. nghiệm cho thấy sai lệch dòng điện, công suất 0.85 50 Bức xạ mặt trời Nhiệt độ thực nghiệm 0.8 Bức xạ mặt trời (Wm2) 48 Nhiệt độ (0C) 0.7 46 0.6 44 0.5 0.45 42 14.00 14.05 14.15 14.25 14.35 14.45 14.55 15.00 14.00 14.05 14.15 14.25 14.35 14.45 14.55 15.00 Thời gian (Giờ:Phút) Thời gian (Giờ:Phút) Hình 10. Đặc tuyến bức xạ mặt trời trong. Hình 11. Đặc tuyến nhiệt độ tấm pin hoạt động. 5 39 Dòng thực nghiệm Điện áp thực nghiệm Dòng mô phỏng 4.5 38 Dòng điện (A) 4 37 Điện áp (V) 36 3.5 35 3 34 2.5 14.00 14.05 14.15 14.25 14.35 14.45 14.55 15.00 14.00 14.05 14.15 14.25 14.35 14.45 14.55 15.00 Thời gian (Giờ:Phút) Thời gian (Giờ:Phút) Hình 13. Đặc tuyến dòng thực nghiệm Hình 12. Đặc tuyến điện áp ngõ ra trong 01 giờ. và mô phỏng ngõ ra trong 01 giờ. 0.25 200 Sai số dòng điện Công suất thực nghiệm Công suất mô phỏng 0.2 180 0.15 Dòng điện (A) Công suất (W) 160 0.1 140 0.05 120 0 -0.05 100 14.00 14.05 14.15 14.25 14.35 14.45 14.55 15.00 14.00 14.05 14.15 14.25 14.35 14.45 14.55 15.00 Thời gian (Giờ:Phút) Thời gian (Giờ:Phút) Hình 14. Đặc tuyến sai lệch dòng điện mô phỏng Hình 15. Đặc tuyến công suất thực nghiệm và thực nghiệm. và mô phỏng ngõ ra. 29
  9. Phân tích ảnh hưởng của công nghệ Half-cell đến công suất pin quang điện trong điều kiện bóng đổ 0.25 Sai lệch công suất 0.2 0.15 Công suất (W) 0.1 0.05 0 -0.05 14.00 14.05 14.15 14.25 14.35 14.45 14.55 15.00 Thời gian (Giờ:Phút) Hình 16. Đặc tuyến sai lệch công suất thực nghiệm và mô phỏng. 5. Kết luận [4] J. C. Teo, R. H. Tan, V. H. Mok,, V. K. Ramachandaramurthy, C. Tan; “Impact of Nghiên cứu này xây dựng một mô hình mô phỏng bypass diode forward voltage on maximum so sánh sự khác biệt giữa hai công nghệ pin Half- power of a photovoltaic system under partial cell và Full-cell khi bị bóng đổ dựa trên phần shading conditions”. Energy. 2020; vol 191. mềm MATLAB/SIMULINK. DOI: 10.1016/j.energy.2019.116491. Từ đó phân tích sự ảnh hưởng của công nghệ [5] Y.-J. Wang, P. -C. Hsu; “An investigation on Half-cell đến công suất ngõ ra của pin quang partial shading of PV modules with different điên. Từ kết quả mô phỏng cho thấy công nghệ connection configurations of PV cells”. Energy. Half-cell khi bị bóng đổ ở 0.8kWh/m2; 2011; 36(5):3069–3078. DOI:10.1016/j.energy. 0.6kWh/m2; 0.4kWh/m2; 0.2kWh/m2 hiệu suất 2011.02.052. giảm lần lượt là 10.45%; 21.01%; 30.21%; [6] F. Lu, S. Guo, T. M. Walsh, A. G. Aberle; 40.88%. Trong khí đó công nghệ Full-cell giảm “Improved PV Module Performance under lần lượt là 20.91%; 40.56%; 60.88%; 81.42%. Partial Shading Conditions”. Energy Procedia. Bên cạnh đó, kết quả thực nghiệm cho thấy sai 2013; 33:248–255. DOI:10.1016/j.egypro.2013 lệch giữa kết quả mô phỏng và kết quả thực .05.065 nghiệm giữa dòng điện và công suất lần lượt là [7] S. Bana, , R. P. Saini; “Experimental investigation 1.1% và 1.5%. on power output of different photovoltaic array configurations under uniform and partial shading Tài liệu tham khảo scenarios”. Energy. 2017; 127:438–453. DOI:10.1016/j.energy.2017.03.139. [1] Thủ Tướng chỉnh phủ “Cơ chế khuyến khích phát triển điện mặt trời tại Việt Nam”; ban hành ngày [8] J. Qian, et al.; “Comparison of Half-cell and Full- 06 tháng 04 năm 2020; có hiệu lực ngày 22 tháng cell Module hotspot-induced temperature by 5 năm 2020. simulation”. IEEE Journal of Photovoltaics. 2018; 8(3):834-839. DOI: 10.1109/JPHOTOV. [2] G. Trzmiel, D. Głuchy, D. Kurz;“The impact of 2018.2817692. shading on the exploitation of photovoltaic installations”. Renewable Energy. 2020; [9] A. M. Ajmal, et al.; “Static and dynamic 153:480-498. DOI:10.1016/j.renene.2020.02.01 reconfiguration approaches for mitigation of 0. partial shading influence in photovoltaic arrays”. Sustainable Energy Technologies and [3] J. Qian, C. E. Clement, M. Ernst, Y. S. Khoo. Assessments. 2020; vol 40. DOI: 10.1016/j.seta. “Analysis of hotspots in half cell modules 2020.100738. undetected by current test standards”. IEEE Journal of Photovoltaics, 2019;9(3):842-848. [10] Peng, J., Lu, L., Yang, H., Ho, K. M., & Law, P. DOI: 10.1109/JPHOTOV.2019.2898209. (2013); “Experimentally diagnosing the shading 30
  10. Lê Phương Trường, Nguyễn Cao Cường impact on the power performance of a PV Energy Materials and Solar Cells. 2009; system in Hong Kong”. 2013 World Congress on 93(11):1963–1967. DOI:10.1016/j.solmat.2009. Sustainable Technologies (WCST); 9-12 07.013. December 2013; Lodon, UK. IEEE. 2013; Ngày nhận bài: 31/12/2021 pp.18-22. DOI: 10.1109/wcst.2013.6750397. Ngày chuyển phản biện: 04/01/2022 [11] R. Steim, et al.; “Flexible polymer photovoltaic Ngày hoàn thành sửa bài: 24/01/2022 modules with incorporated organic bypass Ngày chấp nhận đăng: 31/01/2022 diodes to address module shading effects”. Solar 31
ADSENSE

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

LV.15: Bộ Đồ Án Tốt Nghiệp Chuyên Ngành Cơ Khí
65 tài liệu
2431 lượt tải
THÔNG TIN
TRỢ GIÚP
HỖ TRỢ KHÁCH HÀNG
Theo dõi chúng tôi

Chịu trách nhiệm nội dung:

Nguyễn Công Hà - Giám đốc Công ty TNHH TÀI LIỆU TRỰC TUYẾN VI NA

LIÊN HỆ

Địa chỉ: P402, 54A Nơ Trang Long, Phường 14, Q.Bình Thạnh, TP.HCM

Hotline: 093 303 0098

Email: support@tailieu.vn

Giấy phép Mạng Xã Hội số: 670/GP-BTTTT cấp ngày 30/11/2015 Copyright © 2022-2032 TaiLieu.VN. All rights reserved.

 

Đồng bộ tài khoản
2=>2