BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC XÂY DỰNG HÀ NỘI
Lê Thanh Hải
PHÂN TÍCH PHI TUYẾN ỨNG XỬ TĨNH VÀ
ỔN ĐỊNH CỦA TẤM BẰNG VẬT LIỆU FGM RỖNG
Chuyên ngành: Cơ kỹ thuật
Mã số: 9520101
TÓM TẮT LUẬN ÁN TIẾN SĨ
Hà Nội - Năm 2022
Công trình được hoàn thành tại Trưng Đi hc Xây dng Hà Nội
Người hướng dẫn khoa học 1: GS. TS Trần Minh - Trường Đại học
Xây dng Hà Nội
Người hướng dẫn khoa học 2: GS. TS Xuân Huỳnh - Trường Đại học
Xây dng Hà Nội
Phn bin 1: GS. TSKH Nguyễn Đông Anh
Phn bin 2: GS. TS Nguyn Tiến Chương
Phn bin 3: GS. TS Trn Ích Thnh
Luận án sẽ được bảo vệ trước Hội đồng chấm luận án tiến sĩ cấp Trường
họp tại Trường Đại học Xây dng Hà Nội.
vào hồi ...... giờ ......', ngày ..... tháng ..... năm 2022
Có thể tìm hiểu luận án tại:
- Thư viện Quốc gia và thư viện Trường Đại học Xây dng Hà Nội.
1
MỞ ĐẦU
1. Tính cấp thiết của đề tài
Vt liu FGM rng (functionally graded porous materials FGPMs) mt trong nhng biến th ca vt
liu FGM. Trong cu trúc loi vt liu này cha các l rng với kích thước mật độ biến thiên theo
mt quy lut nhất định, như vậy các cơ tính vật liu có th được coi là biến đổi trơn theo tọa độ không gian
kết cu. loi vt liu nh vi kh năng hấp th năng lượng tốt, cũng như hệ s truyn nhit thp, nên
chúng thường được s dụng để chế to nhng cu kin chu ti trọng động, cách âm, cách nhiệt,… Nghiên
cu ng x học ca kết cu tm bng vt liu FGM rng phc v công tác hướng dn thiết kế, thi công
và bảo trì đã và đang là vấn đề có tính cp thiết, có ý nghĩa khoa học ln thc tin.
Phânch phi tuyến ng x ca kết cu tuy phc tạp, đòi hỏi những phương pháp tiếp cn với độ phc tp v
mt toán học cao, tuy nhiên đây vẫn là hướng nghiên cứu thu t được s quan tâm ca gii chuyên môn do
phản ánh sát hơn sm vic thc tế ca kết cấu. Trên cơ s đó luận án la chn đềi: “Phân tích phi tuyến
ng x tĩnh n đnh ca tm bng vt liu FGM rng”.
2. Mục tiêu nghiên cứu của luận án
Tn sở thuyết biến dng ct bc nht và thuyết tm c đin y dng các h thc quan h và các
phương tnh chủ đạo ca tm bng vt liu FGM rng vi h to độ quy chiếu đặt trên mt trung hoà. Tấm đặt
tn nn đàn hồi Pasternak với các điu kin biên khác nhau, k đến độ không hn ho hình học ban đầu và
tnh phn biến dng phi tuyến hình hc von Kárman.
Thiết lp li gii gii tích cho bài toán phân tích phi tuyến ng x un ca tm vt liu FGM rng theo hai
cách tiếp cn: theo ng sut và theo chuyn v.
Thiết lp li gii gii tích cho bài toán phân tích phi tuyến ổn định sau ổn định ca tm vt liu FGM
rng theo tiếp cn ng sut.
Viết chương trình tính trên nền Matlab để kho sát ảnh hưởng ca tham s vt liệu, kích thước hình hc, h
s nền đàn hồi, điều kin biên và ti trọng đến độ võng, đường cong ti-mô men un, lc ti hạn và đường
cong sau ổn định ca tm bng vt liu FGM rng.
3. Đối tượng và phm vi nghiên cứu của luận án
Đối tượng nghiên cu ca lun án là tm ch nht có chiều dày không đi, đt trên nn đàn hi vi các điu kin
biên khác nhau. Vt liu FGM rng, c th là bt kim loi (open-cell metal foam) vi các l rng biến đổi trơn
theo chiu dày tm theo ba quy lut: pn b đều, kng đều đi xứng và kng đều bt đối xng đưc kho sát.
c hng s vt liệu n vậy cũng biến đổi trơn theo ba quy luật trên, tuy nhiên để đơn giản, h s Poisson đưc
xem là không thay đi theo chiu dày tm.
Phm vi nghiên cu ca lun án là: phân tích phi tuyến ng x un và n định ca tm FGM rỗng: xác định
độ võng, thành phn ni lc; ti trng ti hạn và đường cong sau ổn định ca tm vt liu FGM rng.
4. Phương pháp nghiên cứu
Phương pháp nghiên cứu trong lun án là nghiên cu lý thuyết thc nghim số. Trên cơ sở ca lý thuyết
biến dng ct bc nht và lý thuyết tm c điển, các h thc quan h phi tuyến và các phương trình chủ đạo
ca tm vt liu FGM rng trên nền đàn hồi đã được thiết lập có xét đến v trí thc ca mt trung hoà.
Chương trình tính trên nền Matlab đã được xây dng nhm kho sát ảnh hưởng ca các tham s thiết kế
đến ng x phi tuyến un, ổn định sau ổn đnh ca tm bng vt liu FGM rng với các điều kin biên
SSSS, CCCC, SCSC.
5. Những đóng góp mới của Luận án
Luận án đã xây dng h thức cơ bn và các phương trình chủ đạo, để phân tích phi tuyến ng x tĩnh và ổn
định ca tm bng vt liu FGM rng không hoàn ho đặt trên nền đàn hồi, k đến v trí thc ca mt
trung hoà, thành phn phi tuyến hình hc von Kárman, da trên thuyết biến dng ct bc nht
thuyết tm c điển.
Thiết lp li gii giải tích theo phương pháp ng suất phương pháp chuyển v để kho sát ng x phi
tuyến un tm FGM rng. S dụng phương pháp Bubnov-Galerkin để thu được h phương trình đại s phi
tuyến xác định độ võng thành phn ni lc ca tm hoàn ho vi các mc ti trọng điều kin biên
khác nhau.
S dng hàm ng sut Airy, kết hp với phương pháp Bubnov-Galerkin, đã thiết lập được biu thc hin
ca ti ti hn và quan h ti - độ võng ca tm bng vt liu FGM rng hoàn ho và không hoàn ho chu
nén trong mt trung hòa.
Các kết qu kho sát cho thy ảnh hưởng rt ca các tham s vt liu (quy lut phân b, h s l rng),
nền đàn hồi, điều kiện biên, kích thước hình học đến ng x tĩnh và ổn đnh ca tm FGM rng. B s liu
thu được cùng các nhn xét mang tính k thut ngun tham kho hu ích cho công tác thiết kế, thi công
và bo trì các kết cu s dng vt liu FGM rng trong thc tế.
2
6. Bố cục của luận án
Lun án gm: M đầu, bốn chương chính, kết lun, danh mc các công trình khoa hc ca tác gi, tài liu
tham kho và ph lc.
CHƯƠNG 1. TỔNG QUAN VN ĐỀ NGHIÊN CỨU
Chương này giới thiệum tắt về vật liệu FGM rỗng, phương pháp chế to và tính chấthọc của vật liệu, kết
cu bằng vật liệu FGM rỗng và ứng dụng. Tổng quan tình hình nghn cứu trong và ngoài nước về kết cấu bằng vật liệu
FGM FGM rỗng. Qua nghiên cứu tổng quan, c nghiên cứu phân tích về kết cấu dầm tấm bng vật liệu FGM
rỗng (metal foam) hay bằng vật liệu FGM chứa vi bọt rỗng (FGM with porosity) ta ththấy rằng còn có ít c
công trình nghiên cứu về ứng xử phi tuyến uốn, ổn định sau ổn định của kết cấu tấm sử dụng vật liệu FGM rỗng.
Đặc biệt ca có phân ch, so nh đánh giá một cách đầy đủ v haich tiếp cận ứng suất và chuyển vđể giải quyết
i tn uốn, ổn định và sau ổn định ca tấm FGM rỗng kđến nh phi tuyến hình học.
Với tiềm năng sử dụng loại vật liệu này hiện tại và trong tương lai, tác giả luận án đề xuất hướng nghiên
cứu của mình với định hướng về phân tích phi tuyến ứng xử uốn của kết cấu tấm FGM rỗng bằng phương pháp
giải tích với hai cách tiếp cận: theo chuyển vị và theo ứng suất (sử dụng hàm ứng suất Airy). Phân tích ổn định và
sau ổn định tấm FGM rỗng theo tiếp cận ứng suất. Với việc chọn hệ quy chiếu gắn với mặt trung hoà, các phương
trình cơ bản và hệ phương trình cân bằng chủ đạo xây dng theo hai mô hình tấm: lý thuyết biến dạng cắt bậc nhất
và lý thuyết tấm cổ điển nhận được sẽ đơn giản hơn so với cách tính trên mặt trung bình hình học.
CHƯƠNG 2. CƠ SỞ LÝ THUYẾT TÍNH TOÁN TẤM VẬT LIỆU FGM RỖNG CÓ KỂ ĐẾN YẾU TỐ
PHI TUYẾN HÌNH HỌC
2.1. Mở đầu
Phân tích phi tuyến ứng xử của các cấu kiện công trình là bài toán phức tạp nhưng rất có ý nghĩa thc tiễn
do phản ánh gần hơn s làm việc thc tế của kết cấu công trình. Với các loại vật liệu mới nói chung vật liệu
FGM rỗng nói riêng thì hướng nghiên cứu này có tính thời s và tính cấp thiết. Trong chương này, tác giả sẽ trình
bày trường chuyển vị, biến dạng và nội lc theo lý thuyết biến dạng cắt bậc nhấtlý thuyết tấm cổ điển cho tấm
chữ nhật bằng vật liệu FGM rỗng có xét đến vị trí thc của mặt trung hòa. Các hệ thức cơ bản và phương trình ch
đạo được thiết lập trên cơ sở xét đến độ võng lớn (kể đến thành phần biến dạng phi tuyến von Kárman) với hệ tọa
độ quy chiếu gắn với mặt trung hòa.
2.2. Mô hình tấm bằng vật liệu FGM rỗng
Để thiết lập các hệ thức phương tnh chủ đạo của tấm FGM rỗng,c tọa độ chiềuy trong hệ ta độ quy
chiếu đi qua mặt trungnh và mt trung hòa là ztb zth được thể hiện tn hình (xem nh 2.1).
Hình 2.1. Vị trí mặt trung bình và mặt trung hòa của tấm vật liệu FGM rỗng
Khoảng cách giữa mặt trung hòa và mặt trung bình được xác định theo [11,53]:
/2
/2
/2
/2
()
()
h
tb tb tb
h
h
tb tb
h
z E z dz
C
E z dz
(2.1)
Khi đó các đặc trưng cơ học của vật liệu FGM rỗng trong hệ tọa độ gắn với mặt trung hòa được thể hiện
theo công thức (2.2) - (2.4):
Dạng 1: Phân bố đều:
1 1 0
10
)
( ) ) ,
(1
, ( 1
th th
th
z
ze
E G z E G e

;
2
0
00
1 1 2 2
11e
ee




(2.2)
Dạng 2: Phân bố không đều - đối xứng:
(2.3)
3
Dạng 3: Phân bố không đều bất đối xứng:
1 1 0 1
( ), ( ) , ; ( ) .
2 4 2 4
1 cos 1 cos
th th
th th th m
z C z C
E z G z E G z
hh
ee



(2.4)
trong đó:
;
22
th
hh
C z C
2.3. Lý thuyết biến dng cắt bậc nhất
2.3.1. Trường chuyển vị
Sử dụng hệ tọa độ quy chiếu đi qua mặt trung hòa, các thành phần chuyển vị
,,u v w
của điểm bất kỳ (x,
y, zth) trong không gian tấm được giả thiết [91]:
0 0 0
, , , , ; , , , , ; , , , .
th th x th th y th
u x y z u x y z x y v x y z v x y z x y w x y z w x y

(2.5)
2.3.2. Trường biến dạng
Theo lý thuyết biến dạng cắt bậc nhất, các thành phần biến dạng có kể đến thành phần phi tuyến hình học
von Kárman và xét đến độ không hoàn hảo hình học ban đầu
*
0,w
được thể hiện như dưới đây [51, 90, 91]:
2 * 2 *
, 0, 0, 0, 0, , , 0, 0, 0, 0, ,
,
**
, , 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, , ,
, , 0, , , 0,
11
; ;
22
0;
;
; .
th
th th
x x x x x x th x x y y y y y y th y y
zz
xy y x y x x y y x x y th x y y x
xz x z x x yz y z y y
u u w w w z v v w w w z
w
u v u v w w w w w w z
w u w w v w

(2.6)
trong đó
**
00
,w w x y
là độ kng hoàn hảo hình học ban đầu và được giả thiết nhn chiu dày của tấm.
2.3.3. Trường ứng suất
Với giả thiết vật liệu FGM rỗng đàn hồi tuyến tính, trường ứng suất trong tấm được xác định từ định
luật Hooke:
11 12
21 22
66
0
0;
00
xx
yy
xy xy
QQ
QQ
Q








55
44
0
0
th th
th th
xz xz
yz yz
Q
Q





(2.7)
2.3.4. Trường nội lực
Các thành phần nội lc trong tấm được xác định từ biểu thức định nghĩa:
0
11 12 0
12 11
0
66
0
0;
00
x
x
yy
xy xy
NAA
N A A
A
N









 
 
11 12
12 11
66
0
0 ;
00
xx
yy
xy xy
MCC
M C C
C
M





0
44
0
44
0
0
th th
th th
s
xz xz
s
yz yz
QA
QA





 



(2.8)
Từ (2.8) thể thấy rằng, việc sử dụng hệ trục quy chiếu đi qua mặt trung hòa cho vật liệu FGM rng, tương
tác màng - uốn đã bị loại bỏ; từ đó quan hệ giữa ứng lc và biến dạng, cũng n hệ phương tnhn bằng theo chuyển
vị trở nên đơn giản n, các hệ thức này tương t như đối với vt liệu đẳng hướng.
2.3.5. Mối liên hệ giữa nội lực và chuyển vị
Từ (2.6) và (2.8) ta thu được biểu thức các thành phần nội lc theo các thành phần chuyển vị:
2 * 2 *
11 0, 0, 0, 0, 12 0, 0, 0, 0,
2 * 2 *
12 0, 0, 0, 0, 11 0, 0, 0, 0,
**
66 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0, 0,
11
;
22
11
;
22
;
x x x x x y y y y
y x x x x y y y y
xy y x x y y x x y
N A u w w w A v w w w
N A u w w w A v w w w
N A u v w w w w w w
(2.9)