Chuyện đề tốt nghiệp: So sánh DDR, DDR2, DDR3 nêu lên những đặc điểm thiết kế của các bộ nhớ DDR, DDR2, DDR3. Bộ nhớ DDR có tốc độ truyền dữ liệu cao gấp đôi so với những bộ nhớ có cùng tốc độ và xung nhịp nhưng không có tính năng này, được gọi là bộ nhớ SDRAM, hiện đã không còn sử dụng cho PC. Để tìm hiểu rõ hơn về các bộ nhớ này, mời các bạn tham khảo tài liệu dưới đây.
TR TR NG CAO Đ NG NGH ĐÀ N NG NG CAO Đ NG NGH ĐÀ N NG ƯỜ ƯỜ Ẵ Ẵ Ẳ Ẳ Ề Ề
Ệ Ệ
Ự Ậ Ự Ậ
KHOA CÔNG NGH THÔNG TIN KHOA CÔNG NGH THÔNG TIN BÁO CÁO TH C T P BÁO CÁO TH C T P
Huỳnh Th Hoàng Chi GVHDGVHD : : Huỳnh Th Hoàng Chi ị ị SVTHSVTH : Nguy n Phi Th y : Nguy n Phi Th y ủ ễ ễ ủ : 08T6D L pớL pớ : 08T6D
: tháng 5 năm 2010 Đà N ngẵ : tháng 5 năm 2010 Đà N ngẵ
Để tạo điều kiện cho chúng em hiểu biết Để tạo điều kiện cho chúng em hiểu biết thêm về những kiến thức đã học ở trường so với thêm về những kiến thức đã học ở trường so với thực tế . Vừa qua , trường đã cho phép chúng thực tế . Vừa qua , trường đã cho phép chúng em được đi thực tập tại các công ty , doanh em được đi thực tập tại các công ty , doanh nghiệp … nghiệp …
Trước khi bắt đầu, cần biết rằng DDR, DDR2 và Trước khi bắt đầu, cần biết rằng DDR, DDR2 và DDR3 đều dựa trên thiết kế SDRAM ( Bộ nhớ truy cập DDR3 đều dựa trên thiết kế SDRAM ( Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ ) . tức là sử dụng tín hiệu ngẫu nhiên động đồng bộ ) . tức là sử dụng tín hiệu xung nhịp để đồng bộ hóa mọi thứ. DDR là viết tắt của xung nhịp để đồng bộ hóa mọi thứ. DDR là viết tắt của Tốc độ dữ liệu gấp đôi Double Data Rate , tức truyền Tốc độ dữ liệu gấp đôi Double Data Rate , tức truyền được hai khối dữ liệu trong một xung nhịp, . Như vậy được hai khối dữ liệu trong một xung nhịp, . Như vậy bộ nhớ DDR có tốc độ truyền dữ liệu cao gấp đôi so bộ nhớ DDR có tốc độ truyền dữ liệu cao gấp đôi so với những bộ nhớ có cùng tốc độ xung nhịp nhưng với những bộ nhớ có cùng tốc độ xung nhịp nhưng không có tính năng này ( được gọi là bộ nhớ SDRAM, không có tính năng này ( được gọi là bộ nhớ SDRAM, hiện không còn sử dụng cho PC nữa). hiện không còn sử dụng cho PC nữa).
Hình 1: Tín hiệu xung nhịp và mode DDR
Hình 1: Tín hiệu xung nhịp và mode DDR Z Z
Cần nhớ rằng các tốc độ xung nhịp này là tốc Cần nhớ rằng các tốc độ xung nhịp này là tốc độ tối đa mà bộ nhớ chính thức có được; chứ độ tối đa mà bộ nhớ chính thức có được; chứ không thể tự động chạy ở những tốc độ như không thể tự động chạy ở những tốc độ như vậy. Ví dụ, nếu bạn dùng bộ nhớ DDR21066 vậy. Ví dụ, nếu bạn dùng bộ nhớ DDR21066 lên một máy tính chỉ có thể truy cập hệ thống ở lên một máy tính chỉ có thể truy cập hệ thống ở tốc độ 400 MHz (800 MHz DDR), thì những bộ tốc độ 400 MHz (800 MHz DDR), thì những bộ nhớ này chỉ có thể truy cập tại 400 MHz (800 nhớ này chỉ có thể truy cập tại 400 MHz (800 MHz DDR) chứ không phải 533 MHz (1,066 MHz DDR) chứ không phải 533 MHz (1,066 MHz DDR). Đó là do tín hiệu xung nhịp được MHz DDR). Đó là do tín hiệu xung nhịp được mạch điều khiển bộ nhớ cung cấp, mà mạch mạch điều khiển bộ nhớ cung cấp, mà mạch điều khiển bộ nhớ lại nằm ngoài bộ nhớ (trong điều khiển bộ nhớ lại nằm ngoài bộ nhớ (trong Chip NorthBridge ở bo mạch chủ hoặc tích hợp Chip NorthBridge ở bo mạch chủ hoặc tích hợp bên trong CPU, tùy vào từng hệ thống bên trong CPU, tùy vào từng hệ thống
Những thanh nhớ ( Module ) bảng mạch điện tử nhỏ gắn Những thanh nhớ ( Module ) bảng mạch điện tử nhỏ gắn những Chip nhớ sử dụng một cái tên khác: PCxzzzz, những Chip nhớ sử dụng một cái tên khác: PCxzzzz, trong đó x là thế hệ công nghệ, còn zzzz là tốc độ truyền trong đó x là thế hệ công nghệ, còn zzzz là tốc độ truyền tải tối đa trên lý thuyết (còn gọi là băng thông tối đa). Con tải tối đa trên lý thuyết (còn gọi là băng thông tối đa). Con số này cho biết bao nhiêu Byte dữ liệu có thể được truyền số này cho biết bao nhiêu Byte dữ liệu có thể được truyền từ mạch điều khiển bộ nhớ sang Module bộ nhớ trong mỗi từ mạch điều khiển bộ nhớ sang Module bộ nhớ trong mỗi xung nhịp đồng hồ . xung nhịp đồng hồ .
Thật ra rất dễ giải thích bằng cách nhân xung nhịp DDR Thật ra rất dễ giải thích bằng cách nhân xung nhịp DDR tính bằng MHz với 8, ta sẽ có tốc độ truyền tải tối đa trên tính bằng MHz với 8, ta sẽ có tốc độ truyền tải tối đa trên lý thuyết tính bằng MB/giây. Ví dụ, bộ nhớ DDR2800 có lý thuyết tính bằng MB/giây. Ví dụ, bộ nhớ DDR2800 có tốc độ truyền tải tối đa trên lý thuyết là 6,400 MB/giây (800 tốc độ truyền tải tối đa trên lý thuyết là 6,400 MB/giây (800 x 8) và Module bộ nhớ mang tên PC26400. Trong một số x 8) và Module bộ nhớ mang tên PC26400. Trong một số trường hợp, con số này được làm tròn. Ví dụ như bô nhớ trường hợp, con số này được làm tròn. Ví dụ như bô nhớ DDR31333 có tốc độ truyền tải tối đa trên lý thuyết là DDR31333 có tốc độ truyền tải tối đa trên lý thuyết là 10,666 MB/giây nhưng module bộ nhớ của nó lại có tên 10,666 MB/giây nhưng module bộ nhớ của nó lại có tên PC310666 hoặc PC310600 tùy nhà sản xuất. PC310666 hoặc PC310600 tùy nhà sản xuất.
Cần phải hiểu rằng những con số này chỉ là số Cần phải hiểu rằng những con số này chỉ là số tối đa trên lý thuyết, và trên thực tế chúng tối đa trên lý thuyết, và trên thực tế chúng không bao giờ đạt đến, bởi bài toán đang tính không bao giờ đạt đến, bởi bài toán đang tính có giả thiết rằng bộ nhớ sẽ gửi dữ liệu đến có giả thiết rằng bộ nhớ sẽ gửi dữ liệu đến mạch điều khiển bộ nhớ theo từng xung nhịp mạch điều khiển bộ nhớ theo từng xung nhịp một, mà điều này thì không xảy ra. Mạch điều một, mà điều này thì không xảy ra. Mạch điều khiển bộ nhớ và bộ nhớ cần trao đổi lệnh (ví dụ khiển bộ nhớ và bộ nhớ cần trao đổi lệnh (ví dụ như lệnh hướng dẫn bộ nhớ gửi dữ liệu được như lệnh hướng dẫn bộ nhớ gửi dữ liệu được chứa tại một vị trí nhất định) và trong suốt thời chứa tại một vị trí nhất định) và trong suốt thời gian này bộ nhớ sẽ không gửi dữ liệu. gian này bộ nhớ sẽ không gửi dữ liệu.
Trên đây là lý thuyết cơ bản về bộ nhớ DDR, Trên đây là lý thuyết cơ bản về bộ nhớ DDR, hãy đến với những thông tin cụ thể hơn. hãy đến với những thông tin cụ thể hơn.
Một trong những khác biệt chính giữa DDR, Một trong những khác biệt chính giữa DDR, DDR2 và DDR3 là tốc độ truyền dữ liệu lớn DDR2 và DDR3 là tốc độ truyền dữ liệu lớn nhất của từng thế hệ. Dưới đây là danh sách tốc nhất của từng thế hệ. Dưới đây là danh sách tốc độ chung nhất cho từng thế hệ. Một số nhà sản độ chung nhất cho từng thế hệ. Một số nhà sản xuất đã tạo ra được những loại chip lớn hơn cả xuất đã tạo ra được những loại chip lớn hơn cả tốc độ trong bảng–ví dụ như các bộ nhớ đặc tốc độ trong bảng–ví dụ như các bộ nhớ đặc biệt hướng tới giới overclock. Những xung nhịp biệt hướng tới giới overclock. Những xung nhịp có đuôi 33 hoặc 66MHz thực ra đã được làm có đuôi 33 hoặc 66MHz thực ra đã được làm tròn (từ 33.3333 và 66.6666). tròn (từ 33.3333 và 66.6666).
Bộ nhớ DDR3 hoạt động ở điện áp thấp hơn so Bộ nhớ DDR3 hoạt động ở điện áp thấp hơn so với DDR2, DDR2 lại dùng điện áp thấp hơn với DDR2, DDR2 lại dùng điện áp thấp hơn DDR. Như vậy bộ nhớ DDR3 sẽ tiêu thụ ít điện DDR. Như vậy bộ nhớ DDR3 sẽ tiêu thụ ít điện hơn DDR2, và DDR2 tiêu thụ ít hơn DDR. hơn DDR2, và DDR2 tiêu thụ ít hơn DDR.
Thường thì bộ nhớ DDR sử dụng điện 2.5 V, Thường thì bộ nhớ DDR sử dụng điện 2.5 V, DDR2 dùng điện 1.8 V và DDR3 là 1.5 V (mặc DDR2 dùng điện 1.8 V và DDR3 là 1.5 V (mặc dù các module cần đến 1.6 V hoặc 1.65 V rất dù các module cần đến 1.6 V hoặc 1.65 V rất phổ biến và những chip chỉ yêu cầu 1.35 V phổ biến và những chip chỉ yêu cầu 1.35 V trong tương lai cũng không phải là hiếm). trong tương lai cũng không phải là hiếm).
Một số module bộ nhớ • Một số module bộ nhớ có thể yêu cầu điện áp có thể yêu cầu điện áp cao hơn trong bảng, nhất cao hơn trong bảng, nhất là khi bộ nhớ hỗ trợ hoạt là khi bộ nhớ hỗ trợ hoạt động ở tốc độ xung nhịp động ở tốc độ xung nhịp cao hơn tốc độ chính cao hơn tốc độ chính thức (ví dụ như bộ nhớ thức (ví dụ như bộ nhớ để overclock). để overclock).
Thời gian trễ là khoảng thời gian mà mạch điều Thời gian trễ là khoảng thời gian mà mạch điều khiển bộ nhớ phải đợi từ lúc yêu cầu lấy dữ liệu khiển bộ nhớ phải đợi từ lúc yêu cầu lấy dữ liệu cho đến lúc dữ liệu thực sự được gửi tới đầu ra . cho đến lúc dữ liệu thực sự được gửi tới đầu ra . Nó còn được gọi là CAS Latency hoặc đơn giản Nó còn được gọi là CAS Latency hoặc đơn giản là CL. Con số này được viết theo đơn vị chu kỳ là CL. Con số này được viết theo đơn vị chu kỳ xung nhịp. Ví dụ một bộ nhớ có CL3 tức là xung nhịp. Ví dụ một bộ nhớ có CL3 tức là mạch điều khiển bộ nhớ phải đợi 3 chu kỳ xung mạch điều khiển bộ nhớ phải đợi 3 chu kỳ xung nhịp từ lúc truy vấn cho đến khi dữ liệu được nhịp từ lúc truy vấn cho đến khi dữ liệu được gửi. Với một bộ nhớ CL5, mạch điều khiển bộ gửi. Với một bộ nhớ CL5, mạch điều khiển bộ nhớ phải đợi 5 chu kỳ xung nhịp . Vì thế cần sử nhớ phải đợi 5 chu kỳ xung nhịp . Vì thế cần sử dụng những Module có CL thấp nhất có thể. dụng những Module có CL thấp nhất có thể.
Hình 2: Latency.
Bộ nhớ DDR3 có nhiều chu kì xung nhịp trễ lớn Bộ nhớ DDR3 có nhiều chu kì xung nhịp trễ lớn hơn bộ nhớ DDR2, và DDR2 lại có nhiều chu kì hơn bộ nhớ DDR2, và DDR2 lại có nhiều chu kì xung nhịp trễ cao hơn DDR. Bộ nhớ DDR2 và xung nhịp trễ cao hơn DDR. Bộ nhớ DDR2 và DDR3 còn có thêm một chỉ số nữa gọi là AL DDR3 còn có thêm một chỉ số nữa gọi là AL (Thời gian trễ bổ sung – Additional Latency ) (Thời gian trễ bổ sung – Additional Latency ) hoặc đơn giản là A. Với bộ nhớ DDR2 và hoặc đơn giản là A. Với bộ nhớ DDR2 và DDR3, tổng thời gian trễ sẽ là CL+AL. gần như DDR3, tổng thời gian trễ sẽ là CL+AL. gần như toàn bộ các bộ nhớ DDR2 và DDR3 đều có AL toàn bộ các bộ nhớ DDR2 và DDR3 đều có AL 0, tức là không có thêm thời gian trễ bổ sung 0, tức là không có thêm thời gian trễ bổ sung nào cả. Dưới đây là bảng tổng hợp giá trị CL nào cả. Dưới đây là bảng tổng hợp giá trị CL phổ biến nhất. phổ biến nhất.
Như vậy bộ nhớ DDR3 • Như vậy bộ nhớ DDR3 cần hoãn nhiều chu kỳ cần hoãn nhiều chu kỳ xung nhịp hơn so với xung nhịp hơn so với DDR2 mới có thể DDR2 mới có thể chuyển được dữ liệu, chuyển được dữ liệu, nhưng điều này không nhưng điều này không hẳn đồng nghĩa với hẳn đồng nghĩa với thời gian đợi lâu hơn thời gian đợi lâu hơn (nó chỉ đúng khi so (nó chỉ đúng khi so sánh các bộ nhớ cùng sánh các bộ nhớ cùng tốc độ xung nhịp). tốc độ xung nhịp).
Ví dụ, một bộ nhớ DDR2800 CL5 sẽ hoãn ít thời gian Ví dụ, một bộ nhớ DDR2800 CL5 sẽ hoãn ít thời gian hơn (nhanh hơn) khi chuyển dữ liệu so với bộ nhớ hơn (nhanh hơn) khi chuyển dữ liệu so với bộ nhớ DDR3800 CL7. Tuy nhiên, do cả hai đều là bộ nhớ DDR3800 CL7. Tuy nhiên, do cả hai đều là bộ nhớ “800 MHz” nên đều có cùng tốc độ truyền tải lớn nhất “800 MHz” nên đều có cùng tốc độ truyền tải lớn nhất trên lý thuyết (6,400 MB/s). Ngoài ra cũng cần nhớ trên lý thuyết (6,400 MB/s). Ngoài ra cũng cần nhớ rằng bộ nhớ DDR3 sẽ tiêu thụ ít điện năng hơn so với rằng bộ nhớ DDR3 sẽ tiêu thụ ít điện năng hơn so với bộ nhớ DDR2. bộ nhớ DDR2.
Khi so sánh các module có tốc độ xung nhịp khác Khi so sánh các module có tốc độ xung nhịp khác nhau, bạn cần phải tính toán một chút. nên nhớ chúng nhau, bạn cần phải tính toán một chút. nên nhớ chúng ta đang nói đến “chu kỳ xung nhịp.” Khi xung nhịp cao ta đang nói đến “chu kỳ xung nhịp.” Khi xung nhịp cao hơn, chu kỳ từng xung nhịp cũng ngắn hơn. hơn, chu kỳ từng xung nhịp cũng ngắn hơn.
Ví dụ với bộ nhớ DDR2800, mỗi chu kỳ xung nhịp kéo Ví dụ với bộ nhớ DDR2800, mỗi chu kỳ xung nhịp kéo dài 2.5 nano giây, chu kỳ = 1/tần số ( nhớ rằng bạn dài 2.5 nano giây, chu kỳ = 1/tần số ( nhớ rằng bạn cần sử dụng xung nhịp thực chứ không phải xung nhịp cần sử dụng xung nhịp thực chứ không phải xung nhịp DDR trong công thức này; để đơn giản hơn chúng tôi DDR trong công thức này; để đơn giản hơn chúng tôi đã tổng hợp một bảng tham khảo dưới đây). Vì thế một đã tổng hợp một bảng tham khảo dưới đây). Vì thế một bộ nhớ DDR2800 có CL 5 thì thời gian chờ ban đầu bộ nhớ DDR2800 có CL 5 thì thời gian chờ ban đầu này sẽ tương đương 12.5 ns (2.5 ns x 5). Tiếp đến hãy này sẽ tương đương 12.5 ns (2.5 ns x 5). Tiếp đến hãy giả sử một bộ nhớ DDR31333 với CL 7. Với bộ nhớ giả sử một bộ nhớ DDR31333 với CL 7. Với bộ nhớ này mỗi chu kỳ xung nhịp sẽ kéo dài 1.5 ns , vì thế này mỗi chu kỳ xung nhịp sẽ kéo dài 1.5 ns , vì thế tổng thời gian trễ sẽ là 10.5 ns (1.5 ns x 7). Vì vậy mặc tổng thời gian trễ sẽ là 10.5 ns (1.5 ns x 7). Vì vậy mặc dù thời gian trễ của bộ nhớ DDR3 có vẻ cao hơn (7 so dù thời gian trễ của bộ nhớ DDR3 có vẻ cao hơn (7 so với 5), thời gian chờ thực tế lại thấp hơn. Vì thế đừng với 5), thời gian chờ thực tế lại thấp hơn. Vì thế đừng nghĩ rằng DDR3 có thời gian trễ tệ hơn DDR2 bởi nó nghĩ rằng DDR3 có thời gian trễ tệ hơn DDR2 bởi nó còn tùy thuộc vào tốc độ xung nhịp. còn tùy thuộc vào tốc độ xung nhịp.
Thường thì nhà sản xuất Thường thì nhà sản xuất sẽ công bố Timings bộ sẽ công bố Timings bộ nhớ theo dạng một dãy nhớ theo dạng một dãy số được phân chia bởi số được phân chia bởi dấu gạch ngang (như 5 dấu gạch ngang (như 5 555, 7101010…). 555, 7101010…). Thời gian trễ CAS Thời gian trễ CAS thường là số đầu tiên thường là số đầu tiên trong chuỗi. Hình 3 và 4 trong chuỗi. Hình 3 và 4 dưới đây là một ví dụ. dưới đây là một ví dụ.
Hình 3: DDR21066 có CL 5.
Hình 4: DDR31066 có CL7.
4. Prefetch – Lấy trước dữ liệu 4. Prefetch – Lấy trước dữ liệu
Bộ nhớ động chứa dữ liệu bên trong một mảng gồm Bộ nhớ động chứa dữ liệu bên trong một mảng gồm nhiều tụ điện nhỏ. Bộ nhớ DDR truyền được 2 bit dữ nhiều tụ điện nhỏ. Bộ nhớ DDR truyền được 2 bit dữ liệu với mỗi chu kỳ từ mảng bộ nhớ tới bộ đệm I/O bên liệu với mỗi chu kỳ từ mảng bộ nhớ tới bộ đệm I/O bên trong bộ nhớ . Quy trình này gọi là Prefetch 2bit. trong bộ nhớ . Quy trình này gọi là Prefetch 2bit. Trong DDR2, đường dữ liệu bên trong này được tăng Trong DDR2, đường dữ liệu bên trong này được tăng lên tới 4bit và trong DDR3 là 8bit. Đây chính là bí lên tới 4bit và trong DDR3 là 8bit. Đây chính là bí quyết giúp DDR3 hoạt động được ở tốc độ xung nhịp quyết giúp DDR3 hoạt động được ở tốc độ xung nhịp cao hơn DDR2, và DDR2 cao hơn DDR. cao hơn DDR2, và DDR2 cao hơn DDR.
Xung nhịp mà chúng ta đang nói đến là tốc độ xung Xung nhịp mà chúng ta đang nói đến là tốc độ xung nhịp ở “thế giới bên ngoài,” có nghĩa là trên giao diện nhịp ở “thế giới bên ngoài,” có nghĩa là trên giao diện I/O từ bộ nhớ, nơi mà bộ nhớ và mạch điều khiển bộ I/O từ bộ nhớ, nơi mà bộ nhớ và mạch điều khiển bộ nhớ liên lạc với nhau. Tuy nhiên bên trong thì bộ nhớ nhớ liên lạc với nhau. Tuy nhiên bên trong thì bộ nhớ làm việc hơi khác một chút. làm việc hơi khác một chút.
Với DDR3 cũng vậy: đường dữ liệu được tăng gấp đôi Với DDR3 cũng vậy: đường dữ liệu được tăng gấp đôi lên 4 bit, vì thế lên 4 bit, vì thế nó có thể chạy ở tốc độ xung nhịp bằng một nửa so với nó có thể chạy ở tốc độ xung nhịp bằng một nửa so với DDR2, hoặc chỉ bằng ¼ tốc độ xung nhịp của DDR, DDR2, hoặc chỉ bằng ¼ tốc độ xung nhịp của DDR, và cũng đạt tốc độ như vậy (50 MHz x 8 = 400 MHz). và cũng đạt tốc độ như vậy (50 MHz x 8 = 400 MHz).
Việc nhân đôi đường dữ liệu bên trong sau từng thế hệ Việc nhân đôi đường dữ liệu bên trong sau từng thế hệ đồng nghĩa với việc mỗi thế hệ bộ nhớ mới có thể có đồng nghĩa với việc mỗi thế hệ bộ nhớ mới có thể có chip với tốc độ xung nhịp tối đa gấp đôi so với thế hệ chip với tốc độ xung nhịp tối đa gấp đôi so với thế hệ trước đo. Ví dụ 3 bộ nhớ DDR400, DDR2800 và trước đo. Ví dụ 3 bộ nhớ DDR400, DDR2800 và DDR31600 đều có cùng tốc độ xung nhịp bên trong DDR31600 đều có cùng tốc độ xung nhịp bên trong bằng nhau (200 MHz). bằng nhau (200 MHz).
Để hiểu rõ hơn điều này hãy so sánh một chip Để hiểu rõ hơn điều này hãy so sánh một chip bộ nhớ DDR400, chip bộ nhớ DDR2400 và bộ nhớ DDR400, chip bộ nhớ DDR2400 và Chip bộ nhớ DDR3400 . 3 chip này bên ngoài Chip bộ nhớ DDR3400 . 3 chip này bên ngoài hoạt động ở tốc độ 200 MHz, truyền 2 bit dữ hoạt động ở tốc độ 200 MHz, truyền 2 bit dữ liệu mỗi chu ky, đạt tốc độ ngoài như thể đang liệu mỗi chu ky, đạt tốc độ ngoài như thể đang hoạt động ở 400 MHz. Tuy nhiên bên trong, hoạt động ở 400 MHz. Tuy nhiên bên trong, chip DDR truyền được 2 bit từ mảng bộ nhớ đến chip DDR truyền được 2 bit từ mảng bộ nhớ đến bộ nhớ đệm I/O, vì thế để khớp với tốc độ giao bộ nhớ đệm I/O, vì thế để khớp với tốc độ giao diện I/O, đường dữ liệu này phải hoạt động ở diện I/O, đường dữ liệu này phải hoạt động ở 200 MHz (200 MHz x 2 = 400 MHz). Do trong 200 MHz (200 MHz x 2 = 400 MHz). Do trong DDR2 đường dữ liệu này được tăng từ 2 lên 4 DDR2 đường dữ liệu này được tăng từ 2 lên 4 bit nên nó có thể chạy ở tốc độ bằng một nửa bit nên nó có thể chạy ở tốc độ bằng một nửa tốc độ xung nhịp nhằm đạt tốc độ y hệt (100 tốc độ xung nhịp nhằm đạt tốc độ y hệt (100 MHz x 4 = 400 MHz). MHz x 4 = 400 MHz).
Hình 5: Prefetch dạng nbit Hình 5: Prefetch dạng nbit
5. Điểm đầu cuối trở 5. Điểm đầu cuối trở kháng : kháng :
Với bộ nhớ DDR, Với bộ nhớ DDR, điểm cuối trở kháng điểm cuối trở kháng có điện trở đặt trên có điện trở đặt trên bo mạch chủ, còn bo mạch chủ, còn trong DDR2 và DDR3 trong DDR2 và DDR3 thì điểm cuối này thì điểm cuối này nằm bên trong chip nằm bên trong chip bộ nhớ ngôn ngữ bộ nhớ ngôn ngữ kỹ thuật gọi là ODT kỹ thuật gọi là ODT ( OnDie Terminal ) . ( OnDie Terminal ) .
Việc này nhằm mục đích giúp tín hiệu trở nên “sạch hơn Việc này nhằm mục đích giúp tín hiệu trở nên “sạch hơn “ – ít bị nhiễu hơn do hạn chế tín hiệu phản xạ tại “ – ít bị nhiễu hơn do hạn chế tín hiệu phản xạ tại những diểm đầu cuối . Trong hình 6 bạn có thể thấy những diểm đầu cuối . Trong hình 6 bạn có thể thấy được tín hiệu chạm đến chip bộ nhớ. Bên tay trái là được tín hiệu chạm đến chip bộ nhớ. Bên tay trái là những tín hiệu trên một hệ thống sử dụng điểm cuối ở những tín hiệu trên một hệ thống sử dụng điểm cuối ở bo mạch chủ ( bộ nhớ DDR ), còn bên tay phải là tín bo mạch chủ ( bộ nhớ DDR ), còn bên tay phải là tín hiệu trên một hệ thống sử dụng ODT (bộ nhớ DDR2 hiệu trên một hệ thống sử dụng ODT (bộ nhớ DDR2 và DDR3). Và rõ ràng tín hiệu bên phải sẽ trong hơn và DDR3). Và rõ ràng tín hiệu bên phải sẽ trong hơn và ổn định hơn bên tay trái. Trong ô màu vàng bạn có và ổn định hơn bên tay trái. Trong ô màu vàng bạn có thể so sánh chênh lệch về khung thời gian – tức thời thể so sánh chênh lệch về khung thời gian – tức thời gian mà bộ nhớ cần đọc hay ghi một phần dữ liệu. Khi gian mà bộ nhớ cần đọc hay ghi một phần dữ liệu. Khi sử dụng ODT, khung thời gian này sẽ rộng hơn, cho sử dụng ODT, khung thời gian này sẽ rộng hơn, cho phép tăng xung nhịp bởi bộ nhớ có nhiều thời gian đọc phép tăng xung nhịp bởi bộ nhớ có nhiều thời gian đọc hoặc ghi dữ liệu hơn. hoặc ghi dữ liệu hơn.
Hình 6: So sánh giữa điểm kết trên bo mạch chủ và ODT. Hình 6: So sánh giữa điểm kết trên bo mạch chủ và ODT.
Hình 7: Khác biệt về điểm tiếp xúc giữa DDR và DDR2 Hình 7: Khác biệt về điểm tiếp xúc giữa DDR và DDR2
Hình 8: Khác biệt về tiếp xúc góc giữa DDR2 và DDR3.
Hình 9: DDR2 và DDR3 đóng gói kiểu BGA. Hình 9: DDR2 và DDR3 đóng gói kiểu BGA.
Tất cả các chip DDR2 Tất cả các chip DDR2 và DDR3 đều đóng và DDR3 đều đóng gói kiểu BGA, còn gói kiểu BGA, còn DDR thì đóng gói DDR thì đóng gói kiểu TSOP. Có một kiểu TSOP. Có một số chip DDR đóng số chip DDR đóng gói kiểu BGA (như gói kiểu BGA (như của Kingmax), nhưng của Kingmax), nhưng không phổ biến cho không phổ biến cho lắm. Trong hình 9 là lắm. Trong hình 9 là một chip TSOP trên một chip TSOP trên module DDR module DDR
