Ụ Ụ PH  L C

ộ ế ứ

ọ ế ượ ờ ố . Vi c bi n đ i năng l

ạ ấ ượ ứ d ng này sang d ng khác nh ự

ạ ẽ ờ ể

→ → ỉ ạ ế ư

→ ỉ ỉ ề ề

ỗ ủ ụ ứ ữ → ề

ồ ệ Ờ L I NÓI Đ U ệ ử ấ ờ ạ  công su t đóng m t vai trò h t s c quan   Trong th i đ i ngày nay đi n t ờ  ạ ừ ạ ệ ổ ng t tr ng trong đ i s ng ể ủ   ụ ệ ặ ộ t nh  có s  phát tri n c a các m ch công su t đ c  ng d ng r ng rãi. Đ c bi ể  ự ấ ẫ van bán d n công su t mà lĩnh v c này ngày càng phát tri n m nh m .Ta có th ổ ộ ố ạ   phân   lo i   thành   m t   s   d ng   bi n   đ i   sau:   AC DC   (Ch nh   l u)   ;   DC AC ệ ề ư )  AC AC (Đi u ch nh đi n áp xoay chi u); DC DC (Đi u ch nh ị   (Ngh ch l u ộ ề ệ đi n áp m t chi u). M i nhóm trên đ u có nh ng  ng d ng riêng c a nó trong   ự ụ ể ừ t ng lĩnh v c c  th ự ủ ạ ầ Quá trình th c hi n đ  án này d

ể ẫ ượ ộ

ả ạ ệ

ụ ể ấ ề ề ạ

ượ ứ ồ ụ ấ ả

ự ố ạ ấ ề ờ

ở ộ ữ ứ ể ể

ướ ự ướ i s  h ng d n c a th y T  Hùng   ườ ổ ề ế ng m t chi u ra năng C ng chúng em đi sâu tìm hi u m ng bi n đ i năng l   ề ộ ệ ượ   l ng xoay chi u mà c  th  là m ch kích đi n áp 12V m t chi u lên đi n áp ụ ờ   ề c  ng d ng nhi u trong đ i 220V xoay chi u công su t 300W. M ch này đ ạ ả   ượ ố s ng sinh ho t. M ch có nhiêm v  cung c p ngu n năng l i khi x y ng cho t ạ   ề ự   hi nệ   không   nhi u   nên   còn   nhi u   h n ệ ra   s   c   m t   đi n.Do   th i   gian   th c ụ   ơ ẽ ế ụ ế ch .Chúng em s  ti p t c tìm hi u và phát tri n m  r ng h n n a các  ng d ng ủ c a m ch sau này.

ả ơ ệ ờ ồ án  v a qua em xin chân thành c m  n s

ạ ự Trong th i gian th c hi n đ   ỉ ả ậ ề ườ ệ ẫ ượ ủ ế ữ ụ ể

ầ ứ ệ ư

ượ ữ

ạ c thêm nhi u nh ng ki n th c và kinh nghi m quý báu đ  ph c v ọ ậ ề ế ư ứ ể ờ

ề ừ ầ ồ ể ồ ự ể ậ ấ ỏ

ệ ơ ự  ừ ướ ng d n và ch  b o t n tình c a th y T  Hùng C ng. Th y đã giúp chúng   h ụ  em có đ ươ ệ   ng lai. Sau đây chúng em xin cho vi c h c t p cũng nh  cho công vi c trong t ừ   ứ ế ờ ể trình bày v   nh ng ki n th c chúng em đã tìm hi u đ c trong th i gian v a ế ạ   qua. Vì ki n th c còn h n ch  và th i gian tìm hi u cũng ch a nhi u nên đ  án ủ c a em không th  tránh kh i sai sót. V y em r t mong s  góp ý t    th y đ  đ  án ượ đ c hoàn thi n h n.

ả ơ Em xin chân thành c m  n!

1

NGƯƠ  1

CH Ơ Ở Ế C  S  LÝ THUY T

ệ ẫ ấ 1.1. Các linh ki n bán d n công su t

ệ ề 1.1.1. Mosfet  ● Gi ớ i thi u v  Mosfet

ệ ứ ừơ Hình 1.1: Transistor hi u  ng tr ng Mosfet

t t t c a "

ượ ử ụ ấ ộ c s  d ng r t ph

ươ Mosfet, vi ế trong ti ng Anh ẫ d n", là m t thu t ng  ch  các ế bi n trong các ế ắ ủ Metal­Oxide Semiconductor Field­Effect Transistor"  ườ   ng Oxit Kim lo i ­ Bán , có nghĩa là "transistor hi u  ng tr ậ ổ  ườ  đ  transistor hi u  ng tr ng ạ m ch sạ ng t ữ ỉ ố và các m ch t ệ ứ ệ ứ ự.

ự ự ể ế Transistor MOSFET đ ớ c xây d ng d a trên l p chuy n ti p Oxit Kim

ụ ẫ ạ ẫ ượ ạ lo i và bán d n (ví d  Oxit B c và bán d n Silic) [1]

MOSFET có hai lo i:ạ

ạ ộ ệ ỉ ồ +  N­MOSFET: ch  ho t đ ng khi ngu n đi n Gate là zero, các electron bên

ẫ ưở ị ả ế ệ ế ở

ạ ộ trong v n ti n hành ho t đ ng cho đ n khi b   nh h ế ẽ ị ệ ồ ồ ng b i ngu n đi n Input. + P­MOSFET: các electron s  b  cut­off cho đ n khi gia tăng ngu n đi n th ế

ỏ vào ng  Gate  ● C u t o và kí hi u ệ ấ ạ

ệ ấ ạ Hình 1.2: C u t o và kí hi u

ự ự ự ổ   G: Gate g i là c c c ng ọ ồ   S: Source g i là c c ngu n ọ D: Drain g i là c c máng

2

ự ớ ấ ượ ề

Trong đó : G là c c đi u khi n đ ệ ự ớ ộ

ự ự ạ ể c cách lý hoàn toàn v i c u trúc bán ệ ư ỏ i b i l p đi n môi c c m ng nh ng có đ  cách đi n c c l n dioxit­ ự   ố   (S) và c c máng (D). C c máng là c c ự ự i là c c g c

ạ ạ ở ớ ẫ d n còn l ự silic (Sio2). Hai c c còn l đón các h t mang đi n.

ệ ệ ở ữ ự ớ ự

ở ữ ự ụ ệ

ấ ớ ệ ở

ệ ứ ệ ả

ữ ự ớ ự Mosfet có đi n tr  gi a c c G v i c c S và gi a c c G v i c c D là vô   ệ   ộ ự ớ ệ cùng l n, còn đi n tr  gi a c c D và c c S ph  thu c vào đi n áp chênh l ch ệ ự ữ ự    Khi đi n áp UGS = 0 thì đi n tr  RDS r t l n, khi gi a c c G và c c S ( UGS ) ừ ườ ở ệ ệ đi n áp UGS > 0 => do hi u  ng t   ng làm cho đi n tr  RDS gi m, đi n áp  tr ỏ ệ ớ UGS càng l n thì đi n tr  RDS càng nh .  ● Nguyên lý ho t đ ng ạ ộ ẫ Xét lo i kênh d n n.

ồ ự ệ ạ ể ­ Đ  JFET làm vi c ta phân c c cho nó b i ệ ở 2 ngu n đi n áp: UDS > 0 và UGS

< 0.

ộ ệ

ồ ụ ạ ạ ự ồ   ng m nh do ngu n đi n c c máng ệ ử ừ

ệ ệ ự

ệ ườ ự ­ Gi a c c D và c c S có m t đi n tr ố ẩ ớ ự i c c máng D, hình thành nên dòng đi n c c máng ID ề ể ế ị

­ Đi n áp đi u khi n UGS < 0 luôn làm cho ti p giáp p­n b  phân c c ng ệ ế ầ

ữ ự ấ UDS cung c p, ngu n này có tác d ng đ y các h t đi n tích đa s  (đi n t ) t ồ ự c c ngu n S t ệ ề ộ ả ệ ầ ả ở ượ   ự c, ẫ   t di n d n ượ   c

ố ớ ụ ề ể ề ể

ầ do đó b  r ng vùng nghèo tăng d n khi UGS < 0 tăng d n. Khi đó ti ố ẫ ệ đi n gi m d n, đi n tr  R kênh d n tăng lên làm dòng ID gi m xu ng và ng i.ạ l ệ   ệ ư ậ Nh  v y: đi n áp đi u khi n UGS có tác d ng đi u khi n đ i v i dòng đi n ự c c máng ID.

ệ ệ ẫ ấ ng h p: UDS > 0, UGS = 0 trong kênh d n xu t hi n dòng đi n ID có ­ Tr

ườ ị ụ ợ ộ giá tr  ph  thu c vào UDS.

ầ ề ộ

ắ ề ế ạ ở ộ ệ ế ạ ư ẽ ệ ớ ơ

(cid:0) i D l n h n đi n th  t ả ầ ừ ế ệ ẫ ầ ớ ự ­ UDS > 0, UGS < 0 tăng d n, b  r ng vùng nghèo m  r ng v  phía c c D vì   ứ   i S do đó m c   t di n kênh d n gi m d n làm cho c tăng d n t i D S t ti

ớ v i cách m c nh  hình v  thì đi n th  t ượ ự ộ đ  phân c c ng ầ ả dòng ID gi m d n.

ề ệ ạ ộ

ồ ấ * Thí nghi m v  nguyên lý ho t đ ng c a Mosfet ề ủ

ủ C p ngu n m t chi u UD qua m t bóng đèn D vào hai c c D và S c a  ượ ự ậ ấ ự c) ta th y bóng đèn không sáng nghĩa

ệ   ượ ấ c c p đi n. ệ ự ắ ấ ồ

ẫ ộ ộ Mosfet Q (Phân c c thu n cho Mosfet ng ệ là không có dòng đi n đi qua c c DS khi chân G không đ Khi công t c K đóng, ngu n UG c p vào hai c c GS làm đi n áp UGS > 0V =>  đèn Q1 d n => bóng đèn D sáng.

3

ồ ấ ự ắ ắ

Khi công t c K ng t, Ngu n c p vào hai c c GS = 0V nên. Q1 khóa ==>Bóng  đèn t t.ắ

ệ ặ T  th c nghi m trên ta th y r ng : đi n áp đ t vào chân G không t o ra

ỉ ạ ệ ừ ự ư ườ ng mà đi n áp này ch  t o ra t ạ ừ ườ  tr ng

ấ ằ ệ dòng GS nh  trong Transistor thông th ố . ả ở ệ => làm cho đi n tr  RDS gi m xu ng ả ố ể ệ * Các thông s  th  hi n kh  năng đóng c t c a Mosfet

ờ ễ ở Th i   gian   tr

ắ ủ ị ụ   khi   đóng/m   khóa   ph   thu c   giá   tr   các   t ướ ạ ườ ng đ ụ i d ng tr  s  t c cho d

ố ệ ư ệ

ộ     kí   sinh ị ố ụ  ượ ư i đi u ki n nh t đinh nh  là đi n áp Ugs và Uds. Ta   ụ ượ Cgs.Cgd,Cds. Tuy nhiên các thông s  này th ấ Ciss, Crss,Coss. Nh ng d ể có th  tính đ ướ ị c giá tr  các t ề  đó.

ể ị ● Xác đ nh chân, ki m tra­Mosfet

ư ả ở ở ị ị   ng thì chân c a Mosfet có quy đ nh chung không nh  Transitor. ượ    bên ph i còn chân ủ c quy đ nh: bên trái, chân S chân G

ườ Thông th ủ Chân c a Mosfet đ ở ữ  gi a. D  ể * Ki m tra Mosfet

ể ượ ấ ạ ồ ạ ể ằ ồ Mosfet có th  đ ơ   c ki m tra b ng đ ng h  v n năng . Do có c u t o h i

ể ớ ố ớ

khác so v i Transitor nên cách ki m tra Mosfet cũng không gi ng v i Transitor. ­ Mosfet còn t tố .

ở ữ ữ ớ Là khi đo tr kháng gi a G v i S và gi a G v i D có đi n tr

ệ ệ ề ả ớ ở ằ  b ng vô ở ượ c thoát đi n thì tr  kháng

ữ ả

cùng ( kim không lên c  hai chi u đo) và khi G đã đ gi a D và S ph i là vô cùng. ị ể ướ ẩ B c 1 : Chu n b  đ  thang x1KW

ệ ể ạ ặ ộ ỏ

ướ B c 2 : N p cho G m t đi n tích ( đ  que đen vào G que đ  vào S ho c  D )

ướ ữ ệ ạ

ẽ ỏ ộ B c 3 : Sau khi n p cho G m t đi n tích ta đo gi a D và S ( que đen vào    D que đ  vào S ) => kim s  lên.

ướ ướ ư ướ ặ ệ ạ ể B c 4 : Ch p G vào D ho c G vào S đ  thoát đi n chân G. B c 5 : Sau khi đã thoát đi n chân G đo l ệ i DS nh  b c 3 kim không

lên.

ế ố t.

ả ư ậ => K t qu  nh  v y là Mosfet t ậ ế ­ Mosfet ch t hay ch p ể ồ ướ ồ

. ế ữ ặ

ữ ữ ả ậ B c 1 : Đ  đ ng h  thang x 1KW ậ . Đo gi a G và S ho c gi a G và D n u kim lên = 0 W là ch p ề Đo gi a D và S mà c  hai chi u đo kim lên = 0 W là ch p D S .

4

ể ạ ­  Đo ki m tra Mosfet trong m ch

ỉ ầ ể ạ

ể ề ườ ề Khi ki m tra Mosfet trong m ch , ta ch  c n đ  thang x1W và đo gi a D và ng,

ị ậ

ế ế ả Ứ ề ủ ữ ả S. N u 1 chi u kim lên đ o chi u đo kim không lên => là Mosfet bình th N u c  hai chi u kim lên = 0 W là Mosfet b  ch p DS  ● ng dung c a Mosfet trong th c t

ồ ự ế. ủ Mosfet trong ngu n xung c a Monitor

ồ Hình 1.3: Mosfet trong ngu n xung

ộ ặ

ủ ộ i ta th ừ ộ

ượ ủ ể ạ ờ

ồ ạ ư ế ẫ

ụ ể ạ

ẽ ề ụ ế ộ ắ ắ ạ ừ ườ  tr

ơ ấ ệ ộ ườ ườ ng dùng   Trong b  ngu n xung c a Monitor ho c máy vi tính, ng ạ   ạ ệ ặ  IC có d ng c p linh ki n là IC t o dao đ ng và đèn Mosfet, dao đ ng t o ra t ệ   xung vuông đ i th i đi m xung có đi n áp > c đ a đ n chân G c a Mosfet, t ư ậ ộ 0V => đèn Mosfet d n, khi xung dao đ ng = 0V Mosfet ng t => nh  v y dao   ệ   ộ đ ng t o ra s  đi u khi n cho Mosfet liên t c đóng ng t t o thành dòng đi n ế ả   ạ bi n thiên liên t c ch y qua cu n s  c p => sinh ra t ng bi n thiên c m ứ ấ ứ ng lên các cu n th  c p => cho ta đi n áp ra.

5

1.1.2. Triac

ủ  TRIode   for   Alternating   Current)   là   ph n   tầ

t   c a ẫ ấ

ế ắ TRIAC (vi t   t ớ ồ ự ữ ữ ề ề

ể ẫ ớ ươ ng   đ

ượ ể ề ấ ủ ể ể ử bán  d nẫ  g m năm l p bán d n, t o nên c u trúc p­n­p­n nh   ả ư ởthyristor theo c  hai ạ   ả   chi u gi a các c c T1 và T2, do đó có th  d n dòng theo c  hai chi u gi a T1 và T2.   TRIAC   có   th   coi   t   ng   v i   hai   thyristor   đ u   song   song   song ng ươ ỉ ầ ấ c.đ  đi u khi n Triac ta ch  c n c p xung cho chân G c a Triac.

● C u t o ấ ạ

ớ ư ệ ự  năm l p, làm vi c nh  2 Thyristor

ệ Triac là m t linh ki n bán d n có ba c c ề ẫ ể ẫ ượ ề ệ ắ ộ m c song song ng c chi u, có th  d n đi n theo hai chi u.

ấ ạ

ố ổ ợ ệ Hình 1.4: C u t o Triac ả ế Triac có b n t ể ở  h p đi n th  có th  m  cho dòng ch y qua:

6

ặ ● Đ c tuy n ế

ố ứ ố ỗ   Đ c tuy n Volt – Ampe g m hai ph n  đ i x ng nhau qua g c O, m i

ặ ầ ươ ồ ậ ủ ế ph n t ng t ế ầ ự ặ  đ c tuy n thu n c a Thyristor.

ặ Đ c tính Volt­Ampere c a TRIAC bao g m hai đo n đ c tính

ủ ệ ụ ặ ố ồ ỗ ạ ề ứ ấ ạ

ầ   ở  góc ph n ư ặ  th  nh t và th  ba (h  tr c Descartes), m i đo n đ u gi ng nh  đ c tính   ậ ủ ộ ư ứ t thu n c a m t thyristor.

ể ả

ề ể ể ề ẫ TRIAC có th  đi u khi n cho m  d n dòng b ng c  xung d ự ằ ỏ ự ề

ể ề ạ ộ c TRIAC s

ươ ể ể ở ượ ể ươ ề

ủ ệ

ở ẫ   ng (dòng đi vào c c đi u khi n) l n xung âm (dòng đi ra kh i c c đi u khi n).Tuy nhiên   ơ ẽ  xung dòng đi u khi n âm có đ  nh y kém h n, nghĩa là đ  m  đ ớ ậ   ớ ơ ầ ng.Vì v y c n m t dòng đi u khi n âm l n h n so v i dòng đi u khi n d ử ụ   ố ứ trong th c t  đ  đ m b o tính đ i x ng c a dòng đi n qua TRIAC thì s  d ng dòng đi n d ộ ề ự ế ể ả ệ ươ ng là t ể ả ố ơ ả t h n c .

ế ủ ặ Hình 1.5: Đ c tuy n c a TRIAC

7

Ứ ụ ● ng d ng

ả ạ ể ề ệ i dùng triac

ế ớ ị ố ệ ượ ệ ở

ỏ ượ

ệ ế không đ ở ớ i s  có tr  s  đi n tr  l n làm đi n th  trên t

ệ ẫ c kích d n đi n cho dòng đi n qua t

ệ ế ả ố ượ   ể c Triac k t h p v i quang tr  Cds đ  tác đ ng theo ánh sáng. Khi Cds đ ấ ụ ế ạ   c trên t  C th p và ả i. Khi Cds   c kích nên không có dòng qua t ủ ể  ứ ế ụ  C tăng đ n m c đ  đ ả ở ả ệ  đây có i. T i    ự  ờ ố i thì đèn t i đi hay chi u sáng b o v , khi tr i t

Hình 1.6: M ch đi u khi n dòng đi n qua t ế ợ ở ẽ chi u sáng s  có tr  s  đi n tr  nh  làm đi n th  n p đ ệ ẫ diac không d n đi n, triac ị ố ệ ố ẽ ị b  che t ệ ượ ẫ triac d n đi n và triac  đ ế ạ ể th  là các lo i đèn chi u sáng l ộ đ ng sáng.

ữ Chú ý khi s  d ng: ụ  Nh ng d ng c  đi n ở i thu n tr  làm vi c t

ị ử ụ ờ ầ ư ụ ồ

ụ ệ  t ả ề ụ ộ ơ ẽ ị ể ơ

ệ ố  v i các ớ   t ụ ệ ả   ụ i ứ   ng đáng k , ví d  đ ng c  s  b  phát nóng h n m c ượ ườ ơ giá tr  trung bình nh  tác d ng san làm đ ng đ u. Nh ng các d ng c  đi n t ệ đi n kháng s  b   nh h bình th ưở ẽ ị ả ố ng, tiêu t n năng l ng cao h n.

ế ọ ấ ư ể ề ẹ ẻ ề K t lu n: ti n …

ậ  Triac có  u đi m trong m i v n đ  nh  g n nh , r ể ư ọ ử ụ ượ ạ ế Dùng Triac làm bi n d ng sin là nh c đi m chính trong s  d ng.

1.1.3. Thyristor   ● C u t o ấ ạ

ố ớ ẽ ẫ ồ ượ ố Thyristor g m b n l p bán d n P­N ghép xen k  và đ c n i ra ba chân:

ng

ự ổ ự ể ự ươ A : Anode : c c d K : Cathode : c c âmự G : Gate : c c khi n (c c c ng)

8

ạ ồ ể

ộ ư  t ạ ộ ng hai BJT g m m t BJT lo i NPN  ẽ ng đ ư Thyristor có th  xem nh ạ và m t BJT lo i PNP ghép l ươ ươ i nh  hình v  sau:

ấ ạ ristor Hình 1.7: C u t o Thy

● Nguyên lý ho tạ  đ ngộ

ở * M  thyristor

ậ ể ở ằ c phân c c thu n, Uak>0, thyristor có th  m  b ng hai cách. Th

ấ ạ ế ị ệ

ệ ệ ươ ế ng trong m ch

ộ ạ ị

ự ế không đ

ế ơ c đi n áp đ n giá tr

ủ ụ i tác d ng c a các xung đi n áp t

ứ  ậ    anode­cathode cho đ n khi đ t đ n giá tr  đi n áp thu n ộ   ạ  anode­cathode s  gi m đ t ẽ ả ở ươ  t ươ ẽ   ng pháp này ụ ố ở   c áp d ng do nguyên nhân m  không mong mu n và không ị Uth,max. H n n a nh  v y x y ra ư ậ ượ ả ữ ệ   ự ở ờ   ộ ạ ệ  m  ra d i m t th i ướ ị ả ườ ể ợ ẫ ự ượ Khi đ ể nh t, có th  tăng đi n áp ấ Uth,max.Đi n tr ớ l n nh t, ng đ ng t và dòng qua thyristor s  hoàn toàn do m ch ngoài xác đ nh. Ph ượ trong th c t ph i lúc nào cũng tăng đ tr ng h p thyristor t đi m ng u nhiên, không đ nh tr ướ c.

ứ ượ ươ ư Ph ng pháp th  hai, đ

ị ệ ụ ề c áp d ng trong th c t ự

ể ệ  kháng th p kháng cao sang tr

ẽ ệ ể ứ ủ ỏ ơ anode­cathode nh . Khi đó n u dòng qua

ẽ ế ụ ở Idt) thyristor s  ti p t c

ế ự ồ ạ ủ ể ầ ớ ạ  trong tr ng thái m i c a xung dòng đi u khi n, nghĩa là có th

ề ộ ộ ấ ị ể ằ ở ự ế ộ   , là đ a m t xung dòng ề   ể ấ ị  cathode. Xung dòng đi n đi u đi n có giá tr  nh t đ nh vào các c c đi u khi n và ấ ở  ở ừ ở ạ khi n s  chuy n tr ng thái c a thyristor t  tr ộ   ế  anode­cathode l n h n m t m c đi n áp ở  ọ ấ ị ị giá tr  nh t đ nh g i là dòng duy trì ( ể  ẫ d n dòng mà không c n đ n s  t n t ề   đi u khi n m  các thyristor b ng các xung dòng có đ  r ng xung nh t đ nh, do đó

9

ấ ủ ấ ủ ể ể ạ ỏ

ớ ệ ế ắ ề ự   công su t c a m ch đi u khi n có th  là r t nh , so v i công su t c a m ch l c ố ầ ử mà thyristor là m t ph n t ấ  đóng c t, kh ng ch  dòng đi n.

ườ ể ở ạ ộ ợ ự * Tr ng h p c c G đ  h  hay V

G = OV

Khi c c G và V

ẫ ự ở ự G  = OV có nghĩa là transistor T1 không có phân c c  ẫ ẫ B1 = 0, IC1 = 0 và T2 cũng ng ng d n. Nh

1 ng ng d n I

ượ ệ ệ ẫ ư ư ng h p này Thyristor không d n đi n đ c c B   ư  ư   c, dòng đi n qua Thyristor là

≈ VCC. ự nên T1ng ng d n. Khi T ợ ườ ậ v y tr IA = 0 và VAK

ứ ủ ớ ồ

ế Tuy nhiên, khi tăng đi n áp ngu n V ế ệ ậ ả

ể ạ

ệ ứ ệ ả

ọ ư ộ ệ ệ ủ ặ ắ ố ệ ệ AK tăng  CC lên m c đ  l n là đi n áp V ư ố ệ AK gi m xu ng nh  diode theo đ n đi n th  ng p V   BO (Beak over) thì đi n áp V ệ   và dòng đi n Iệ Atăng nhanh. Lúc này Thyristor chuy n sang tr ng thái d n đi n, ẫ ớ   AK gi m   nhanh   g i   là   dòng   đi n   duy   trì dòng   đi n   ng   v i   lúc   đi n   áp   V IH (Holding). Sau đó đ c tính c a Thyristor gi ng nh  m t diode n n đi n.

ườ

ợ ẫ Tr ạ ượ c phân c c c c B

ệ ạ ẫ i cung c p ng

ẽ ự ng h p đóng khóa K: V ệ sang tr ng thai d n đi n. Lúc này transistor T đi n Iệ G chính là IB1  làm T1 d n đi n, cho ra I ẫ ấ ệ C2 l ệ I2 d n đi n, cho ra dòng đi n I ạ  duy trì tr ng thái d n đó mà Thyristor s  t ượ ạ c l i cho T ầ ẫ   mà không c n có dòng I ể   ễ G = VDC – IGRG, lúc này Thyristor d  chuy n ự ở ự 1 đ 1 nên dòng  C1 chính là dòng đi n Iệ B2 nên lúc đó  1 và IC2 = IB1. Nhờ  G liên t c.ụ

IC1 = IB2    ; IC2 = IB1

ệ Theo nguyên lý này dòng đi n qua hai transistor s  đ

ạ ở ạ ẽ ượ ệ ế ả tr ng thái bão hòa. Khi đó đi n áp V ạ ớ   c khu ch đ i l n ỏ  ấ AK gi m r t nh

ầ d n và hai transistor ch y  ≈ ( ệ  0,7V) và dòng đi n qua Thyristor là:

ự ự ệ ấ ấ ớ

Th c nghi m cho th y khi dòng đi n cung c p cho c c G càng l n thì áp ệ ệ ỏ ứ ễ ẫ ậ ng p càng nh  t c Thyristor càng d  d n đi n.

ườ ự ợ ượ * Tr ng h p phân c c ng c Thyristor.

ượ ố

ự ị ườ ự

c Thyristor là n i A vào c c âm, K vào c c d ợ ỉ ư ng h p này gi ng nh  diode b  phân c  ng ỏ ượ ệ ự Phân c c ng ố ngu n Vồ CC. Tr ỉ ấ ệ ẫ không d n đi n mà ch  có dòng r  r t nh  đi qua. Khi tăng đi n áp ng ươ ự ượ c.Thyristor s c lên đ ủ   ng c a ẽ  ủ

10

ủ ề ượ

ượ ủ ể ườ ẽ ị ủ c đ  đ  đánh th ng Thyristor là V ng tr  s  V ệ BR. Thông th ệ   c. Đi n áp ị ố BR và VBO  b ngằ

ượ ấ ớ l n thì Thyristor s  b  đánh th ng và dòng đi n qua theo chi u ng ng nhau và ng c d u.

ặ ● Đ c tuy n ế

ế ủ Thyristor ặ Hình 1.8: Đ c tuy n c a

IG = 0

IG2 > IG1 > IG

ặ ứ ầ ồ

ộ ồ ị ủ ủ ợ

ứ ầ ư ứ ấ   ầ Đ c tính Volt­Ampere c a m t thyristor g m hai ph n. Ph n th  nh t ớ ườ ệ ng h p đi n áp    th  I c a đ  th  Descartes,  ng v i tr ượ   ặ ọ c,  th  III, g i là đ c tính ng

ợ ầ ư ứ ằ n m trong góc ph n t ằ ứ ầ Vak > 0, ph n th  hai n m trong góc ph n t ớ ườ ươ ứ ng h p Vak<0 t ng  ng v i tr

ự ể ề ệ * Không có dòng đi n vào c c đi u khi n

ể ủ ệ

ằ ớ ả ự ẽ ả ề ở ườ ể ề ở ạ ự   Khi dòng đi n vào c c đi u khi n c a thyristor b ng 0, hay khi h  m ch c c ự   ợ ệ ứ ng h p phân c c dòng đi n  ng v i c  hai tr đi u khi n, thyristor s  c n tr

11

ệ ạ ẫ ấ

ề ế ớ

ư ậ ự ượ ự ế ố ị

ạ ỉ

ẽ ộ ị ệ ẽ ộ

ư ở ệ ể ạ ố

ớ ấ ớ ể ả ủ ữ  anode vàcathode. Khi   đi n  áp  Uak  < 0  theo c u  t o bán  d n c a ủ   ệ đi n  áp  gi a ậ   ượ ế ự thyristor hai ti p giáp J1, J3 đ u phân c c ng c, l p ti p giáp J2 phân c c thu n, tố m c   n i   ti p  b   phân  c c   ng ố ắ ư   nh   v y  thyristor   s   gi ng   nh   hai c.   Qua  đi ọ ỏ ệ ấ thyristor s  ch  có m t dòng đi n r t nh  ch y qua, g i là dòng rò. Khi Uak tăng   ủ ị ệ ượ ấ ẽ ả ạ ế   ng thyristor b  đánh th ng, đ t đ n m t giá tr  đi n áp l n nh t s  x y ra hi n t ượ ủ ặ ố c c a đi dòng đi n có th  tăng lên r t l n. Gi ng nh      đo n đ c tính ng t quá ị ỏ ượ ượ c, nghĩa là thyristor đã b  h ng. c đ trình đánh th ng là không th  đ o ng

ọ ệ ệ ầ ươ ệ  Đi n   tr ở t

ạ ị ấ ớ Khi tăng đi n áp ấ ộ ẫ ng   đ ự ế

ị ệ c. Cho đ n khi Uak tăng đ t đ n giá tr  đi n áp thu n l n nh t s

ươ ế ượ ở ươ ệ ng đi n tr  t ng đ

ả i

ị ớ ạ ộ ơ ế

ư ườ ậ ủ ặ ố ố ỉ  ậ  anode­cathode theo chi u thu n, Uak > 0, lúc đ u cũng ch ươ   ỏ có   m t   dòng   đi n   r t   nh   ch y   qua,   g i   là   dòng   rò. ng ậ   m chạ  anode­cathode v n có giá tr  r t l n. Khi đó ti p giáp J1, J3 phân c c thu n, ấ ẽ  ậ ớ ạ ế ự J2 phân c c ng ộ ệ ượ ả ạ  anode­cathode đ t ng t gi m, dòng ộ x y ra hi n t   ở ả ở ạ   ệ ở ể ạ ệ  m ch i h n b i đi n tr  t đi n có th  ch y qua thyristor và giá tr  s  ch  b  gi ự ọ   ể ố i thi u, g i ngoài. N u khi đó dòng qua thyristor có giá tr  l n h n m t m c dòng t ậ   ặ ườ là dòng duy trì, Idt, thì khi đó thyristor s  d n dòng trên đ ng đ c tính thu n, gi ng nh  đ ng m ch ỉ ị ẽ ị ớ ẽ ẫ t. ng đ c tính thu n c a đi

ể ề ệ ự * Có dòng đi n vào c c đi u khi n (iG > 0)

ế ữ ự ề N u có dòng đi u khi n đ a vào gi a c c đi u khi n và

ể ể ư ườ ể ẽ ả ề ệ ể ặ ớ

ơ ể ớ ậ ế ề ậ ạ

ng đ c tính thu n s  x y ra s m h n, tr ấ ệ ẽ ả ỏ ơ ệ ể ể ặ ớ cathode thì quá trình  ướ   c khi chuy n đi m làm vi c trên đ ơ ị ớ   đi n áp thu n đ t giá tr  l n nh t. Nói chung n u dòng đi u khi n l n h n thì đi m chuy n đ c tính làm vi c s  x y ra v i Uak nh  h n.

ố ỹ ● Các thông s  k  thu t ậ

ị ố ớ ự ệ ậ ấ

ị ư ự

ị ố ệ ệ ể ả ẫ ệ ạ .   Đây   là   tr   s   l n   nh t   dòng   đi n   qua   mà Dòng   đi n   thu n   c c   đ i ụ ị ể Thyristor có th  ch u đ ng liên t c, quá tr  s  này Thyristor b  h . Khi Thyristor ứ ậ AKkho ng 0,7V nên dòng đi n thu n qua có th  tính theo công th c đã d n đi n V

ệ ể ặ ệ Đi n áp ng c c c đ i

ế ị

ấ ị ố ả ủ ế ệ ư và K mà Thyristor ch a b  đánh th ng, n u v phá h y. Đi n áp ng ượ ự ạ . Đây là đi n áp ng ượ ủ ượ ự ạ ủ c c c đ i c a Thyristor th ữ ượ ớ c l n nh t có th  đ t gi a A   ẽ ị  t qua tr  s  này Thyristor s  b ườ ng kho ng 100V đ n 1000V.

12

ể ự ệ

ấ ể .IGmin.  Đ  Thyristor có th  d n đi n trong tr ả ể ẫ ự ủ ệ

ấ ủ ể ề ệ

ể ấ ủ ộ

ẫ ế ừ ườ ế ả ớ ng I ỏ ỏ Gmin ph i càng l n. Thông th

Gmin t

ụ ườ   ệ Dòng đi n kích c c ti u ng ệ ợ   AK th p thì ph i có dòng đi n kích cho c c G c a Thyristor. Dòng h p đi n áp V ị ố   IGmin là tr  s  dòng kích nh  nh t đ  đ  đi u khi n Thyristor d n đi n và dòng ị ố ớ   IGmin có tr  s  l n hay nh  tùy thu c công su t c a Thyristor, n u Thyristor có ớ ấ    1mA đ n vài công su t càng l n thì I ch c mA.

ờ ờ ộ ộ ủ ế ầ

ở Th i gian m  Thyristor ể ư ẫ ờ ể ừ ạ .Là th i gian c n thi ạ  tr ng thái ng ng sang tr ng thái d n, th i gian m t hay đ  r ng c a xung kích ở

ả ể đ  Thyristor có th  chuy n t kho ng vài micrô giây.

ệ ẫ Th i gian t

ắ . Theo nguyên lý Thyristor s  t t ố ở ạ ẽ ự ẫ ể ờ c kích. Mu n Thyristor đang

ể ạ ể ắ ượ t đ

G = 0 và cho đi n áp V

ạ ạ  duy trì tr ng thái d n đi n sau   ư    tr ng thái d n chuy n sang tr ng thái ng ng ờ   c thì th i gian ẽ ẫ   i ngay thì Thyristor s  d n

ệ ế ắ ủ ệ

AK = 0. đ  Thyristor có th  t AK tăng lên cao l ụ

ả ượ khi đ ả thì ph i cho I ả ủ cho VAK = OV ph i đ  dài, n u không V ờ i. Th i gian t đi n tr  l t c a Thyristor kho ng vài ch c micrô giây

ở ạ ố ộ

ộ ượ ẫ

ệ ầ ử ẫ ư ớ

T c đ  tăng đi n áp cho phép dU/dt (V/μs). ể  bán d n có đi u khi n, có nghĩa là dù đ ề ầ ớ ể ệ ả ự ế ậ ơ ớ

ậ ạ ư ự   ề Thiristor là m t ph n t c phân c c ệ   thu n (Uak>0) nh ng v n ph i có tín hi u đi u khi n thì nó m i cho phép dòng ch y qua. Khi thyristor phân c c thu n, ph n l n đi n áp r i trên l p ti p giáp J2   ẽ nh  hình v .

ị ớ ế ự ủ ạ ở L p ti p giáp J2 b  phân c c ng

ệ ở

ả ệ ệ ộ ệ ạ  di n có đi n dung Cj2. Khi có đi n áp bi n thiên v i t c đ

ư ộ ụ ệ ệ ủ ụ ớ ố ề ế ư ể ị

ể ể ở ự ệ ề ể

ượ   c nên đ  dày c a nó m  ra, t o ra vùng không gian nghèo đi n tích, c n tr  dòng đi n ch y qua. Vùng không gian này có   ộ  ể th  coi nh  m t t ể   ớ  có th  có giá tr  đáng k , đóng vai trò nh  dòng đi u khi n. l n, dòng đi n c a t ề   ư ả ế K t qu  là thyristor có th  m  ra khi ch a có tín hi u đi u khi n vào c c đi u ể khi n G.

ố ố ấ ệ ố T c đ  tăng đi n áp là m t thông s  phân bi

ộ ầ ố ấ ộ ầ ố ầ ế ả

ể ớ ớ   ệ t thyristor t n s  th p v i Ở  thyristor t n s  th p, dU/dt vào kho ng 50 đ n 200 V/μs còn thyristor t n s  cao.    ế ầ ố ớ v i các thyristor t n s  cao dU/dt có th  lên t i 500 đ n 2000 V/μs.

ả (tham kh o...)

ố ộ

ở ệ ể

ắ ầ ồ ể ề ạ

ẽ ấ

ể ẫ ớ ệ ở ệ

ể i m t đ  dòng đi n  ế ớ ỏ

ẫ ề ế ố ẫ ẫ ế ệ ẫ dI/dt (A/μs). ­ T c đ  tăng dòng cho phép ọ ả ẫ ủ   ể ế Khi thyristor b t đ u m  không ph i m i đi m trên ti t di n tinh th  bán d n c a ệ ẽ ề ầ   ắ ầ ở ộ nó đ u d n dòng đ ng đ u. Dòng đi n s  ch y qua b t đ u   m t vài đi m, g n ể ỏ ầ ớ ự ộ ế   v i c c đi u khi n nh t, sau đó s  lan t a d n sang các đi m khác trên toàn b  ti t ậ ộ ớ ộ ệ  các di n. N u t c đ  tăng dòng đi n quá l n có th  d n t   ệ ụ ộ ầ ể ụ ộ   ẫ ự đi m d n ban đ u quá l n, s  phát nhi t c c b  quá nhanh d n đ n h ng c c b , ể ộ ế ỏ ừ t di n tinh th  bán d n.  đó d n đ n h ng toàn b  ti t

13

ở ộ ố ả ầ ố ấ T c đ  tăng dòng cho phép

ộ ế

ả ố

ạ ượ ị ệ ẫ

ổ ế ả ơ ệ ễ ằ

ồ ả ấ ủ

ộ ế ố ả ộ

ế ỏ ệ ừ ể ạ ầ ệ ả ậ ớ ộ

ể ạ ẫ ị các thyristor t n s  th p vào kho ng 50÷100A/μs, ổ   ả ớ ầ ố v i các thyristor t n s  cao dI/dt vào kho ng 500÷2000A/μs. Trong các b  bi n đ i ề   ộ ướ ả ả ệ ph i luôn có các bi n pháp đ m b o t c đ  tăng dòng d i giá tr  cho phép. Đi u ỏ ớ ầ ử ố ế ờ ắ c nh  m c n i ti p các ph n t này đ t đ    bán d n v i các đi n kháng nh , lõi ế  ferit r tấ   ế ơ ơ ặ không khí ho c đ n gi n h n là các xuy n ferit l ng lên nhau. Các xuy n ế   ấ ạ ổ ố ổ ả ph  bi n vì c u t o đ n gi n, d  thay đ i đi n c m b ng cách thay đ i s  xuy n ẫ ồ l ng lên thanh d n. Xuy n ferit còn có tính ch t c a cu n c m bão hòa, khi dòng   ẫ ẽ ớ   qua thanh d n còn nh  đi n kháng s  l n đ  h n ch  t c đ  tăng dòng. Khi dòng ư ằ ị ả , đi n c m gi m g n nh  b ng không. Vì v y cu n kháng đã l n ferit b  bão hòa t   ứ ế ộ ụ ki u này không gây s t áp trong ch  đ  dòng đ nh m c ch y qua dây d n.

Ứ ụ ủ ● ng d ng c a Thyristor .

ệ ớ Thyristor ch  y u đ ườ ữ ứ ể ầ ề ủ ế ng đ

ế ị ủ ế ộ

ể ắ ầ ổ ự ư ế ạ ượ ử ụ ở ụ c s  d ng   nh ng  ng d ng yêu c u đi n áp và dòng   ể ề c s  d ng đ  đi u khi n dòng xoay chi u AC (Alternating     t b  có th  đóng m t cách ậ   i lân c n ệ t nh  là quá trình Zero Cross­quá trình đóng c t đ u ra t

ượ ử ụ đi n l n, và th ự current), vì s  thay đ i c c tính c a dòng đi n khi n thi ượ ự ộ c bi  đ ng(đ t ệ ủ ể đi m 0 c a đi n áp hình sin).

ư

ị 1.2. Ngh ch l u ệ ạ ơ ồ ư ị 1. 2.1. Khái ni m và phân lo i s  đ  ngh ch l u.

ệ ề ệ ộ ổ ị ệ   ế Khái ni m: Ngh ch l u là quá trình bi n đ i đi n áp m t chi u thành đi n

ề ộ ư ặ áp xoay chi u m t pha ho c ba pha....

ơ ồ ố * S  đ  kh i:

ơ ồ ố Hình 1.9. S  đ  kh i

ồ ố ­Kh i ngu n.

14

ồ ắ bình  c ệ  đây là ngu n đi n m t chi u l y t

ờ ử ụ ộ ượ ữ ủ ắ ề ấ ừ ư ng l u tr  c a  c

c 60h..

ố ộ ư Nhi m v  c a kh i t o ra song dao đ ng đ a vào kh i công su t v i t n

ụ ủ ệ ố ạ ở đây th

ỏ ố ạ ầ

ộ ấ ố

ạ ệ ầ ườ ấ ở ệ ấ

ố ấ

ạ ư ế

ấ ẽ ử ụ ừ ạ ạ ệ ệ ố

ế ấ ầ ố

ế ị

ượ ử ụ ị

ế ộ ơ ấ ơ ấ ượ ề ủ ớ ấ i công su t phát c a  ủ ộ ỷ ố  s  vòng dây c a cu n  ư ạ c tính nh

ộ ơ ấ ị ượ ệ ế ớ ế ặ c.U là hi u đi n th  đ t vào cu n s  c p.

ụ ộ ư

ạ ượ ị ạ ủ ẽ ạ ộ ế i đa c a m ch s  là:P=12.40=480 w ch y đ c m t ti vi,2 qu t và 3

ệ ượ ử ụ ở ồ c s  d ng         Ngu n đi n đ ủ ế ộ ụ quy.Th i gian s  d ng ph  thu c ch  y u vào dung l ấ quy.Công th c tính công su t phát:P=U.I. ấ ụ ắ        Ví d : c quy 12v/100Ah thì công su t phát là:P=12.100=1200w. ẽ ượ ạ ế     N u ch y bóng đèn compact 20w s  đ ố ạ ầ ố ­ Kh i t o t n s  50hz. ấ ớ ầ ệ    ặ ố ệ ng là 2 d ng chính là hình sin ho c  s  đi n công nghi p.Sóng  ự ế ườ  chúng ta ng thì kh i công su t tr  kháng đ u vào r t nh  nên th c t vuông.Th   ố ầ ả   ộ ụ ổ c n m t kh i khuyêch đ i đ m nhi m v   n đinh kh i phát xung dao đ ng gi m ầ ở tr  kháng đ u vào cho t ng công su t. ­Kh i công su t. ậ ượ ừ ố  kh i phát công su t s  khuyech đ i đ a đ n  c t  T  d ng song nh n đ     ườ ề ng thì kh i này s  d ng các linh ki n công  bi n áp t o đi n áp xoay chi u.Th ư ư ớ ị su t nh  thyristor,transitor ch u dòng l n nh  D718,2N3055…yêu c u cho kh i  ệ ả ạ ộ ệ ố ố ầ t làm mát. này ho t đ ng  t t c n có h  th ng t n nhi ư ế ị ầ  ­Bi n áp ngh ch l u.Đây là thành ph n chính quy t đ nh t ạ ế ư c s  d ng là bi n áp ngh ch l u có t m ch.Bi n áp đ ấ ủ ứ ấ ớ th  c p l n h n r t nhi u cu n s  c p..Công su t c a m ch đ sau:Pmax=U.I. ệ ệ V i I là dòng đi n bi n áp ch u đ Ví d :M t bi n áp ngh ch l u 12v­220v dòng 40A. ấ ố Công su t t bóng típ 40w.

ư ụ ư ạ ộ ị ị * Phân lo iạ : Ngh ch l u chia làm 2 lo i chính: Ngh ch l u ph  thu c và

ư ộ ậ ị ngh ch l u đ c l p .

ầ ố ư ị ị

Trong đó ngh ch l u ph  thu c là ngh ch l u có đi n áp, t n s , góc pha ầ ụ ướ ộ ệ ư ủ ệ ắ ụ ộ ứ ự i đi n mà đ u ra c a nó m c song song vào. pha ph  thu c vào l và th  t

ị ư ộ ậ ư ị Ngh ch l u   đ c l p l

ị ồ ộ ậ ị ồ ộ ồ

ụ ộ i và ch  ph

ạ ả ữ ậ ạ

ườ ữ ậ ể ể ư ụ ạ ộ

ạ ượ i  đ c chia  ra ngh ch l u  đ c l p ngu n  áp và   ư ệ ộ ậ   ngu n dòng. Trong đó ngh ch l u đ c l p ngu n áp thì luôn đ nh ra m t đi n áp ỉ ụ  ứ ự ộ ầ ố có biên đ , t n s , góc pha và th  t  pha không ph  thu c vào lo i t ề ệ ề ộ   thu c vào tín hi u đi u khi n, đi n áp th ng có d ng hình ch nh t còn dòng ả ệ   i có th  là hình ch  nh t, hình răng c a, hình sin, d ng hàm đi n ph thu c vào t mũ

ị ồ ị

ụ ộ ỉ

ườ ệ ể ạ ộ ệ    Còn ngh ch l u đ c l p ngu n dòng thì luôn đ nh ra m t dòng đi n có biên ộ   ạ ả ụ i và ch  ph  thu c  pha không ph thu c vào lo i t ữ ậ   ng có d ng hình ch nh t còn đi n áp

ệ ữ ậ ư ụ ể ạ ư ộ ậ ộ ầ ố ứ ự đ , t n s , góc pha và th  t ề ề vào tín hi u đi u khi n, dòng đi n th ả ộ ph  thu c vào t i có th  là hình ch  nh t, hình răng c a, hình sin, d ng hàm mũ

15

ư ộ ậ ơ ồ ộ ị 1.2.2. Các s  đ  ngh ch l u đ c l p m t pha

ế ị ế ổ ộ ệ ● Thi t b  bi n đ i dòng đi n m t pha

ơ ồ ộ ể Hình 1.10: S  đ  m t pha có đi m trung tính

ế

ồ ộ ủ ơ ồ ồ ự ươ ơ ấ ộ ơ ấ ủ

ố ế ừ ả ộ ớ

ớ ủ

ủ ể ặ

ố ạ ả ạ ả ữ ể    S  đ g m m t máy bi n áp có đi m gi a phía s  c p, hai Tiristor anôt ử ố   ng c a ngu n nuôi E thông qua hai n a cu n dây s c p c a máy n i vào c c d Ở ầ ế  đ u vào c a onduleur dòng ta bi n áp, do đó còn có tên là onduleur song song.    ệ ể ữ ệ ấ ể ạ   đ u n i ti p v i m t đi n c m l n LK v a đ  gi cho dòng đi n vào đ  h n ể   ụ ệ ụ ệ ở ộ ệ ế ỉ  đi n chuy n ch  đ nh cao c a dòng đi n Ickhi kh i đ ng. T  đi n C g i là t ữ ậ   ạ m ch.Đ c đi m c a onduleur dòng là có dòng đi n t i d ng “Sinus ch nh t” ệ còn d ng đi n áp trên t ọ ệ ả ạ ế ị i quy t đ nh. i thì do thông s  m ch t

ơ ấ ố ổ 2n1 là t ng s  vòng dây s  c p.

ứ ấ ố n2 là s vòng dây th c p.

ứ ấ i,v là dòng và áp phía th c p.

ả thi ở t cho xung m  T1 đi m A đ

ạ ộ ủ ượ ế

ể ệ ứ ệ ạ

ượ  đi n C đ ở ờ ế ặ ở n u cho xung m  T2, Tiristor này m  và đ t đi n th ng

ạ ụ ệ ế ạ ị đi n C s  b  n p ng i, t

ứ ấ ở

ố ớ   c T1 n i v i ẫ   ự  ng u ả ự   ằ c n p đi n áp b ng 2E, b n c c ế  ệ ở ượ ạ   ẽ ị ạ i, c l ậ   c dòng ở ể ữ ậ ầ ố ủ ộ ị ế ủ ơ ồ  Ho t đ ng c a s  đ :Gi ờ ồ ự ấ c c âm c a ngu n E. b y gi V 0 –VA= u1= E, do hi u  ng bi n  áp t ư ậ ụ ệ nênVB =Vo = u1= E.nh  v y t ươ ả d  bên ph i. Bây gi ể đi m B vào m ch catôt T 1 khi n T 1 b  khoá l ượ ẵ s n sàng đ  khoá T2 khi ta cho xung m  T1 Phía th  c p ta nh n đ ụ “Sinus ch nh t” mà t n s  c a nó ph  thu c vào nh p phát xung m T1,T2

16

ơ ồ ầ Hình 1.11: S  đ  c u m t pha ừ ể ệ ề ệ ư ượ Các tín hi u đi u khi n đ

ị ộ ả ể ề ư

ầ ệ

ị ồ ấ ẳ ệ ồ ư

ộ ạ ệ ụ ụ ớ ự ắ ầ C b t đ u n p đi n v i c c (+)

ở ả

ỏ ớ   c đ a vào t ng đôi Tiristor T1, T2 l ch pha v i ầ ệ ệ   tín hi u đi u khi n đ a vào đôi T3 ,T4 m t góc 180o Đi n c m đ u vào ngh ch ể ư ớ ượ   l u l n (Ld= ∞), do đó dòng đi n đ u vào id đ c san ph ng (bi u đ  xung), ị ư ạ ồ ngu n c p cho ngh ch l u là ngu n dòng và d ng dòng đi n ngh ch l u (i) có   ệ ở ặ ư ạ   d ng xung vuông. Khi đ a xung vào m  c p van T1,T2 , dòng đi n i = id= Id. ở  ế ờ ồ Đ ng th i dòng qua t  C tăng lên đ t bi n , t bên trái và c c (­)  ạ Khi t ầ ằ ộ ử ả

ở ạ ặ ố    gi m v  không. Do i = ic = it=Id = h ng s ,   i tăng lên. Sau m t n a chu   i ta đ a xung vào m c p van T3,T4. C p T3,T4 m  t o ra quá

ụ ả i nh  và sau đó dòng qua t ở ặ ề ự

ự  bên ph i. ầ ụ  C n p đ y, dòng qua t ả nên lúc đ u dòng qua t ườ ư ỳ k  (t = t1) ng ệ ủ ụ trình phóng đi n c a t ượ   Dòng phóng ng ể ẽ ượ ạ ẽ ụ ờ

i.Quá trình chuy n m ch g n nh  t c th i. Sau đó t C s  đ ề ư ứ ả c l

ở ứ ừ ự ề ạ ượ ạ ớ ự ổ ấ ế ạ i và quá trình đ ự ườ ư ướ i nh  tr

ượ ệ ả ầ

ờ ụ ồ ể ủ ề ờ

ể ề ờ ω β

ư C t c c (+) v c c (­) . ớ ị  c chi u v i dòng qua T1 và T2 s  làm cho T1 và T2 b ệ   ầ ạ c n p đi n khoá l ị ở ở    bên ph i và c c (­)  bên trái. Dòng ngh ch i v i c c (+)  theo chi u ng ư ờ ư ể   i ta đ a xung vào m T1,T2 l u i =id=­Id (đã đ i d u). Đ n th i đi m t = t2 ng ư ậ ẽ ị ượ ặ ạ   c. Nh  v y ch c năng c l p l thì T3,T4 s  b  khoá l ể ờ ạ ụ ạ ể ơ ả ủ ụ    C là làm nhi m v  chuy n m ch cho các Tiristor. T i th i đi m t1 c  b n c a t ượ ủ ụ ặ ệ ạ ở ẽ ị ở   c c a t  C đ t vào. i b i đi n áp ng khi m T3 và T4 thì T1 và T2 s  b  khoá l ế ể   Kho ng th i gian duy trì di n áp ng t đ  duy trì qúa trình c ( t1 ­t’1 ) là c n thi   khoá và ph c h i tính đi u khi n c a van và t’1­ t01= tk ≥ toff là th i gian khoá ụ ồ ủ c a Tiristor hay chính là th i gian ph c h i tính đi u khi n. kt .    = là góc khoá ị ủ c a ngh ch l u.

ị ư ệ

ế ● Ngh ch l u đi n áp 1 pha ề ơ ồ S  đ  không đi u ch

17

ệ Hình 1.12: S  Đ  m ch đi n

ắ ệ ụ ể

ỉ ề ơ ồ ạ ặ   Trong đó : ­T1,T2,T3,T4: Là các thyristor có nhi m v  đ  đóng c t ho c ả i.

ổ ụ ả ủ ộ

ượ ề ồ ng v  ngu n nuôi.

ả ẫ

ạ ượ ng cho t ồ ượ ề ả ẫ ấ ng v  ngu n nuôi (các diôt d n dòng).

ế ệ ệ ặ

ề ệ đi u ch nh thay đ i đi n áp xoay chi u ra t ơ ệ ề i c a đ ng c  đi n xoay chi u.   ­R, L: là ph  t ả ả ẫ i tr  năng l ­D1,D2,D3,D4: Là các diôt d n dòng khi t ư ề ­is: Là dòng ngu n xoay chi u d ng răng c a.  ồ Khi is > 0 thì ngu n cung c p năng l i (các thyristor d n dòng) i năng l Khi is < 0 thì t ụ ọ  C: T  l c.  ứ ấ   ơ ấ MBA: máy bi n áp 1 pha có đi n áp s  c p đ t lên các van và đi n áp th  c p ặ đ t lên t i.  * Nguyên lý làm vi cệ  :

ả ừ Gi i đi t

ả ề ạ ạ i, dòng t

ả ề ư ả ử  s  T2 và T4 đang cho dòng ch y qua (Dòng t ị ở ộ

ẫ ả ế

ị →  B A). Khi t=0 cho   ộ   ể ả i i=­Im không th  đ o chi u m t xung m  T1 và T3, T2 và T4 b  khóa l ế ạ   ộ cách   đ t   ng t.   Nó   ch y   ti p   theo   chi u   cũ   nh ng   theo   m ch → → → →ả ừ   ầ D1 E D3 t i D1 và suy gi m d n, D1 và D3 d n dòng khi n T1 và T3 v a ở ị k p m  đã b  khóa l

ị ạ i, T1 và T3 s  m  l

ự ề   i n u còn xung đi u ề ừ

ạ i. Khi t=t1, i=0, D1 và D3 b  khóa l ể → ộ ở ạ ừ khi n   tác   đ ng   A B.Giai đo n t ẽ ở ạ ế ả i   i>0   và   tăng   ch y   theo   chi u   t ng.

ả   các   c c   G1,   G3   dòng   t ạ  t=0 cho đ n t1 là giai đo n hoàn năng l ạ ế Khi t=T/2 cho xung m  T2 và T4, T1 và T3 b  khóa l

ế ở ị ạ i. Khi t=t3, i=0, T2 và T4 s  m

ế ề ả i, i<0 ch y theo chi u B A. Dòng t

ượ ả i, dòng ch y qua D2 và   ẽ ở  ị ữ   ả i i bi n thiên theo quy lu t hàm mũ gi a ể ườ ậ ng là xung chùm.

ề ạ ị ạ ứ ư ủ ị

ụ  c a m ch ngh ch l u ộ ụ ư ậ ộ ộ ị

ư ệ ở ừ ị D4 khi n cho T2 và T4 v a k p m  đã b  khóa l → ạ l hai giá tr  Im và –Im. Các xung đi u khi n Thyristor th 1.2.3. Ph m vi  ng d ng      ­B  ngh ch l u là b  ph n ch  y u c a các b  bi n t n,đ ự rãi trong các lĩnh v c nh  cung c p đi n,các h  đi u khi n ề ả ề xoay chi u, truy n t ủ ế ủ ấ i đi n năng HVDC ( high ộ ế ầ ượ ử  d ng r ng  c s ệ ề ơ ệ   ể   t c đ  đ ng c  đi n ố ộ ộ  voltage direct curent).

18

ồ ổ ề ệ b  bi n đ i cho các ngu n

ượ ộ ế ầ i đi n cao áp m t chi u,luy n kim,các ớ ệ ề  cho nhu c u gia đình, h  th ng

ệ ướ ộ ổ ữ ề ả ồ ng m i, làm ngu n đi n xoay chi u ơ ộ ệ ồ ở nh ng n i không có đi n l

ạ ễ ệ ố ư i nh  trên oto  ả ấ ể ự ế ị qu t, ti vi, trong lĩnh v c bù nhi u công su t ph n t b

ế ử ụ ế máytính,TV,

ỉ ử ụ ề ệ ắ ạ

ạ ộ ạ ạ    hài. N u dùng cho qu t ẫ ơ  lâu dài d n đ n cháy t ụ ả ộ ế ơ ế các ph  t ụ ở  kh i  ầ i đ ng c , bi n áp c n

ộ ư ượ

ờ ệ  nay.UPS là  ạ ộ

ự ố ả ệ ả ả ệ ấ ạ t b  đi n khi x y ra s  c , đ m b o an toàn ổ ế c ph  bi n hi n ằ  duy trì ho t đ ng  ệ ữ ệ  d  li u và an toàn h

­Truy n t năng l ế chi u sáng,b  chuy n đ i ngu n  ụ ụ ph c v  cho các thi kháng. ạ       ­N u s  d ng inverter sóng vuông thì ch  s  d ng h n ch  cho ế VCD, đèn th p sáng vì dòng đi n nó t o ra có nhi u sóng ế ệ đi n, sóng hài t o ra ti ng kêu và nóng đ ng c , ể ộ đ ng và các cu n dây. Đ  dùng cho qu t và dùng Inverter sóng sin. Ứ ụ        ­ ng d ng trong các b  l u đi n UPS đang đ ệ ự ồ 1 ngu n đi n d  phòng , cung c p t m th i đi n năng nh m ế ị ệ ủ c a các thi th ng.ố

19

ƯƠ NG 2

CH Ế Ạ Ư Ế Ị THI T K  M CH NGH CH L U

ầ ạ ị 2.1. Phân tích yêu c u thi ư ế ế m ch ngh ch l u t k

ư ầ ư ầ ố ộ ị ế ế ư Ta đ a ra thông s  và yêu c u b  ngh ch l u c n thi t k  nh  sau

ồ ấ Ngu n c p là  Acquy 12VDC.

ấ Công su t 300W.

ệ ầ Đi n áp đ u ra 220VAC/50Hz.

ớ ộ ậ ạ ị

ử ụ V i ngu n c p là Acquy nên ta s  d ng m ch ngh ch l u đ c l p.Nh ộ ậ ấ ọ ự ư ồ ồ ự ư ồ ị

ư  ộ   ậ v y ta có ba s  ch n l a : Ngh ch l u đ c l p ngu n áp, ngu n dòng và c ng ưở h ng.

ị ồ ở c c p t ngu n dòng, đây ta s ử

ệ ượ ấ ừ ư ộ ậ M ch ngh ch l u đ c l p dòng đi n đ  h p.ợ ưở ạ ồ ấ ạ ư ạ ộ ị ệ ụ d ng ngu n c p là acquy nên không phù M ch ngh ch l u đ c l p c ng h

ầ ể ử ụ ậ ở ớ ầ ố ớ ừ ấ   ộ ậ ng có d ng đi n áp ra g n sin nh t, ợ    300Hz tr  lên do v y không phù h p đ  s  d ng cho

ộ ậ ị ư ự ạ ồ ọ   Nh  v y ta s  d ng m ch ngh chl u đ c l p ngu n áp, có hai l a ch n:

ầ ư ậ ư ộ ậ ộ ị

ồ ị ộ ấ

tuy nhiên v i t n s  l n t ế ế t k . m ch mà ta c n thi ử ụ ồ Ngh ch l u đ c l p ngu n áp m t pha. ư ộ ậ ồ ị ơ ể ử ụ ị ớ

ớ ử ụ ư

ư ậ ầ ư ế ầ ả

ị ơ ấ ể ề

Ngh ch l u đ c l p ngu n áp ba pha sau đó l y m t pha đ  s  d ng.  ư ộ ạ ư ộ ậ Gh ch l u đ c l p ngu n áp ba pha có d ng hình sin h n so v i ngh ch l u đ c  ư ụ ộ ồ ậ l p ngu n áp m t pha, tuy nhiên v i m c đích s  d ng nh  ban đ u ta đ a ra  ở ộ t ph i dùng nh  v y, b i b  ngh ch l u áp ba pha  thì hoàn toàn không c n thi ứ ạ ề cho chi phí cao h n và tính toán đi u khi n cũng ph c t p h n r t nhi u, trong  ạ khi đó ta ch  c n s  d ng m t pha cho nhu c u sinh ho t hàng ngày. ồ ầ ư ộ ậ ớ ộ ị

Do v y ta s  ch n m ch ngh ch l u đ c l p ngu n áp m t pha v i các  ố ơ ỉ ầ ử ụ ẽ ọ ậ ầ

ề ẽ ồ ộ ế ư ầ ổ ộ ạ thông s  và yêu c u đã đ  ra. B  bi n đ i DC/AC s  g m  hai thành ph n chính nh  sau

ạ ề ớ ầ ố ụ ệ ộ

ể ở ấ ẫ

ẫ ẽ ệ ụ ẩ ư ệ ạ ộ ị M ch đi u khi n : Có nhi m v  phát xung vuông dao đ ng v i t n s  50  Hz c p xung m  cho transitor, transitor d n s  làm cho mosfet d n. M ch l c b  ngh ch l u m t pha :có nhi m v  đ y kéo đi n áp 12V DC

ự ộ ầ ố lên 220VAC t n s  50Hz.

20

21

2.2. Ph

ươ ể ế ệ ề ệ ổ ươ pháp ng  Có 2 ph ng pháp đ  bi n đ i đi n áp 1 chi u 12V lên đi n áp xoay

chi uề

220V

ề ệ ứ ượ ươ ấ Đi n áp 1 chi u 12V đ Ph

ệ ng pháp th  nh t:   ề

ươ ượ ị ư ị   c ngh ch l u thành ề ượ ư   c đ a qua máy ổ ế ươ ng pháp bi n đ i gián   su t  ấ trong quá  ổ s  ự hao t n công   ệ áp qua 1 s  ố khâu n aữ   ng pháp này thì đi n

ẳ ệ đi n áp 12V xoay chi u sau đó đi n áp 12V xoay chi u này đ ể ư ế ệ bi n áp đ  đ a lên  đi n áp 220V­500W.Đây là ph ể ươ ế ng pháp này là có   ti p.Nh c đi m c a ph ớ ư trình ngh ch l u.Tuy nhiên v i ph ơ ở ầ  ra. ạ có th  cho d ng sin h n    đ u ứ ng pháp th  hai:

ượ Đi n ệ áp 1 chi u 12V đ ề ề ề ệ áp 220V xoay chi u.Đi n

Ph ể ư ằ ụ

ươ ng pháp này là không có  ế ự ế

ả ầ ạ ủ ệ ạ

ủ ổ ự ữ ớ ưở

ế ổ   ứ ng pháp hai t c là bi n đ i

ế   ư ươ c đ a th ng vào bi n ệ áp 1 chi u này cho qua máy bi n ế   áp đ  đ a lên đi n  ấ ớ ầ ố ủ ướ ệ   ờ ở i đi n áp b ng cách đóng m  liên t c nh  các van công su t v i t n s  c a l ề   ấ s  ự t n hao công su t nhi u 50Hz. u Ư đi mể   c a ph ươ   ấ ạ ơ do có s  bi n đ i tr c ti p và c u t o m ch khá đ n gi n.Tuy nhiên ph ng ể   c đi m c a nó.Đi n áp đ u ra có d ng xung pháp này cũng có nh ng nh không sin  nh ả i c m. h Ở ế ượ ế ả ả ng l n đ n t ự ệ ươ đây em th c hi n quá trình này b ng ph ự ằ ươ ọ ươ ng pháp này: ng án l a ch n cho ph tr cự  ti p. Có 2 ph

ươ ổ ấ ơ 2.2.1.Ph ng án 1, dùng Transistor công su t, các c ng logic và trig

ấ ấ

ệ ớ ố ệ ắ

ở ử ụ ạ ộ   Dùng Transistor công su t : Dùng hai Transistor công su t T và T dao đ ng ở   đa hài phát ra tín hi u đóng. Hai Transistor T và T m c cùng v i b n đi n tr , ấ trong đó có s  d ng tr  công su t thành m ch t o ra xung vuông.

ư ể ổ ổ ổ

ể ả ặ NOR, c ng đ o…có th  dùng IC 4011 ho c IC SN7400.

ể ơ

ạ ủ ạ ạ ượ ộ ạ Dùng các c ng logic : Có th  dùng các c ng logic nh  các c ng NAND, ổ ặ    Dùng các con trig  và vi m ch : Có th  dùng vi m ch 555 ho c IC 4047B, ế   c qua m t IC khuy ch

ữ SG3525 là nh ng IC phát xung ch  đ o và xung này đ ậ ạ đ i thu t toán.

22

ư ị Hình 2.1: S  đ  m ch ngh ch l u dung 4047

ề ồ Ph ng án này tuy chuy n đ c ngu n m t chi u 12V lên 220V xoay

ơ ồ ạ ể ộ ổ ề ể ượ ộ ị c đi m đ   n đ nh không cao .

ượ ề  khi nể

ể ự ể ề ở ủ ạ

ạ ự ươ ư chi u nh ng có nh ● M ch đi u ạ ụ ủ ệ Nhi m v  c a m ch này là t o ra xung đ  đi u khi n s  đóng m  c a  ở ạ transistor m ch l c.

ể ử ụ ề ạ Hình 2.2 : M ch đi u khi n s  d ng CD4047 và LM324

23

Linh ki n sệ ử d ngụ

ở Ω ụ ế ệ ở Bi n tr  1k ; T  4.7 µF; IC4047; IC LM324; Đi n tr  4.7k

ủ ầ ạ ầ Các Connector đ u vào và đ u ra c a m ch

● M chạ  l cự

ụ ự ệ ệ ế ệ ạ ở M ch này th c hi n nhi m v  đóng m  cho dòng đi n qua máy bi n

ề ạ áp t o dòng xoay chi u.

ạ ự ử ụ Hình 2.3 : M ch l c s  d ng BJT 2N3055

ệ ử ụ Linh ki n s  d ng

ấ ầ

ạ ầ 2 transistor công su t t m trung  H1061 6 transistor công su t 2N3055 ủ ầ Các Connector đ u vào và đ u ra c a m ch

ươ ử ụ 2.2.2. Ph ng án 2 , s  d ng IC SG3525 và MOSFET IRF3205

24

ồ ẽ ế ế ạ Trong bài đ  án này chúng ta s  thi

ề ư ư ấ ử ụ

ầ ộ ế ớ ổ ươ ự ồ ộ ộ ỉ

ả ừ ả ỳ

ẫ ồ ủ ể ạ ư ạ

ư ạ ớ i chân 6 va7 t o ra v i f=50hz, qua m ch l

ị   ng án t k  m c ngh ch l u theo ph ế   ệ ơ t h n, l y ngu n tr c ti p này. Ta s  d ng ic SG3525,v i nhi u tính năng  u vi ủ   ễ ề 12V mà không c n b  bi n đ i ngu n nuôi cho ic. D  đi u ch nh đ  r ng c a xung ra, kho ng deal time v a đ  đ  t o ra chu k  xung âm mà không x y ra   ấ   ệ ượ ng trùng d n. SG 3525 đ a ra xung trên 2 chân 11và 14 là d ng xung l y hi n t ủ   ạ ơ ủ ừ  emit  c a 2 transistor, bên trong SG3525. Khi có xung t o ra do dao đ ng c a t ạ ạ ậ ạ ạ m ch RC t   t tr ng thái đ a 2 xung ộ ơ ệ  l ch nhau 180 đ . trên emit ừ ệ ự ư ở Đi n áp ra t

ụ ở

ộ ơ ấ ế ệ ế  độ trên cu n s  c p máy bi n áp.

ư ữ ẽ ạ ị ư ử ụ ạ chân 11­14 đ a vào c c G và kích m  cho mosfet IRF3205, ớ ớ ầ ố v i hai xung đ a ra liên t c kích m  và đóng v i t n s  f=50hz. Do máy bi n áp ể đi m gi a s  t o ra 2 sđđ l ch pha nhau 180 2.3. M ch ngh ch l u s  d ng IC SG3525 và MOSFET IRF3205

ơ ồ ơ ồ 2.3.1. S  đ  nguyên lí ● S  đ  nguyên lí:

ử ụ  IC SG3525 và MOSFET IRF3205 s  d ng ạ ơ ồ Hình 2.4: S  đ  nguyên lý   ● Các linh ki n s  d ng trong m ch ệ ử ụ

cách đóng gói

ở Đi n trệ

,R ,R 7 8 ST Lo iạ 1 2 3 4 ,R ,R Giá trị 470 Ω 100 kΩ 10 kΩ 100 ­ 1WΩ ả Miêu t RES 40 RES40 RES 40 RES 40 Kí hi uệ R 1 R 2 R 3 R 4 5 6

25

ụ ệ T  đi n

,C

ở 5 ,RV 2

100 Ω 4.7 kΩ 104 ( 1 uF) 10 uF 10uF 103 ( 0.1 uF) 50KΩ 4007 SG3525 IRF 3205 RES 40 RES 40 T  g mụ ố ELEC­RAD30 ọ T  hoá l c T  g mụ ố ở ỉ ế Bi n tr  ch nh tinh DO­41 TO­220AB TO­220

5 6 7 8 9 10 11 Bi n trế 12 Diode 13 IC PWM 14 MOSFET ố ầ 15 Đ u n i R 9 R 10 C 1 C 2 C 3 C 4 RV 1 D 1 U 1 ,Q Q 2 1 J1,2,3,4

ớ ế ệ t các linh ki n

ề SG3525 ệ  2.3.2. Gi i thi u chi ti ●  IC đi u ch  PWM Motorola ế

ể ạ ươ ư ể

ư IC này là IC dùng đ  t o xung vuông d ươ nh  TIMER 555,556 hay CD4047 là IC này có

ự ng t ế ộ ệ ầ

ồ ế ề ầ ả

ơ ỉ ớ   ủ ng, u đi m c a IC này so v i kh  ả năng chuy nể   IC t ể  sang ch  đ  Soft­ Start khi đi n áp vào không đ t yêu c u hay shutdown đ ệ ả b o v  IC.Ngoài ra IC  này có h i ti p ph n h i và bù sai l ch v  đ u vào   ầ ể ề đ  đi u ch nh sao cho đ u ra chính xác h n so ạ ồ v i ớ các h  ICọ ệ  khác.

ở ầ ệ IC cho ra 2 xung vuông đ u ra A và B l ch nhau.

26

ạ ộ ơ ồ * S  đ  chân và nguyên lý ho t đ ng c a ủ IC SG 3525

ơ ồ Hình 2.5: S  đ  chân SG3525

•8.0 V to 35 V Operation  •5.1 V ±1.0% Trimmed Reference  •100 Hz to 400 kHz Oscillator Range  •Separate Oscillator Sync Pin  •Adjustable Deadtime Control  •Input Undervoltage Lockout  •Latching PWM to Prevent Multiple Pulses  •Pulse–by–Pulse Shutdown  •Dual Source/Sink Outputs: ±400 mA Peak

27

ơ ồ ố ứ Hình 2.6: S  đ  kh i và ch c năng.

ứ Ch c năng các chân :

ả ầ

ộ ơ ồ ớ ị

ộ ắ ặ ớ ộ

ộ ủ ộ ạ

ớ ộ ụ ệ ắ ầ ố ế ị ộ ủ    đi n quy t đ nh t n s  dao đ ng c a ầ + Pin 1­Inv.input : Đ u vào đ o  + Pin 2­Noninv.Input : Đ u vào không đ o. + Pin 3­Sync : Chân đ ng b  hóa,cho phép đ ng b  xung v i các đ n v khác ho c v i b  dao đ ng g n ngoài. + Pin 4­OSC Output : Đ u ra xung c a b  t o dao đ ng g n trong. + Pin 5­CT :Chân này g n v i m t t

ộ ẫ ế

ồ ộ ầ ắ ế ị ộ b  dao đ ng d n đ n quy t đ nh xung ra,CT =0.001uF­0.2uF ớ ầ ố ủ ộ ạ ế ị ệ ộ

ở ể + Pin 6­RT : G n v i m t đi n tr  đ  quy t đ nh t n s  c a b  t o dao Ω ế ị Ω

ố ớ ụ ả ụ ượ ệ và 1 đi n tr ,chân này đ c n i v i t ở

ữ ẽ ờ ắ g n v i CT s  quy t đ nh th i gian cách gi a các xung .

ụ ơ giúp kh i đ ng êm h n và ch ế

ượ ố ớ ớ c kích ho t khi so sánh v i đi n áp tham chi u Vref. ộ đ  soft­start đ

ở ộ ế ề ồ ế ả ầ

ệ ế ề ầ ỉ

ươ

ắ ộ đ ng qu t đ nh xung ra,RT=2.0 k  ­ 150 k + Pin 7­ Discharge : Chân x  t ớ ế ị + Pin 8­Soft­Start : Chân này n i v i 1 t ệ ạ ượ c h i ti p v  chân đ u đ o góp + Pin 9­Compensation : Chân bù này đ ề ẽ ph n đi u ch nh xung ra s  bù n u có sai l ch v  xung . ầ + Pin 10­ Output A : Đ u ra A, xung vuông đ ng. ố ấ + Pin 12­ Grond : N i đ t

28

ủ ệ ắ +  Pin   13­Vc   :Đi n   áp   collector   c a   trasistor   m c   Dralington   trong   SG

ệ ừ ế  4.5 đ n 35v.

ấ 3525.Đi n áp c p vào Pin này t ầ ươ ư ệ ớ + Pin 14­ Output B : Đ u ra B,xung vuông d ng nh ng l ch so v i xung

ở ra chân A

ả ệ ừ ạ ộ

ệ ệ ế 8V ­ 35V ấ ị ấ

ườ ớ

ể ệ ẽ ớ

ệ ế ộ ế

ạ c) khi đi n

ệ áp đ ượ ừ ề ượ  D v  S.IRF3205 đ cượ   ế ạ   c ch  t o

ự ừ ề ả ấ + Pin 15­Vcc: Đi n áp vào.D i đi n áp ho t đ ng t ấ + Pin 16­Vref : Đi n áp tham chi u có giá tr  th p nh t là 5.0v cao nh t là   ố ư ấ   i   u   là 5.2v   thông   th ng   là   5.1   V   dòng   l n   nh t   vào   pin   này   là   50mA   t ể   20mA.Đi n áp này s  dùng đ  so sánh v i đi n áp vào chân Soft­Start đ  tham chi u ch  đ  Sorft­Start và Sutdown . *  MOSFET IRF3205 là MOSFET lo i N(MOSFET ng ủ ể ở ư đ a vào c c G đ  đ  m  MOSFET thì dòng t ể ả có diode t S  v  D đ  tr  công su t ph n kháng v ề ngu n.ồ

ố ơ ả ọ * Các thông s  c  b n quan tr ng c a ủ  MOSFET

ữ ự ủ ự ế ệ V : Đi n áp đánh th ng ti p giáp gi a c c máng D(Drain) và c c

ồ DSS ngu n S(Source).

ụ ố ự ở ệ i đa qua c c máng 110A ( đi n áp 10V ) : Dòng liên t c t I D

i đa qua c c máng 390A.

: Dòng xung t

I DM

29

ẽ * Hình v  minh ho :ạ

ơ ồ ế Hình 2.7 : S  đ  thay th

ố Hình 2.8: B  trí chân

Pin 1: Gate Pin 2: Drain Pin 3: Source Pin 4 : Drain

ệ ố ạ ộ 2.3.3. Nguyên lý ho t đ ng toàn h  th ng:

ừ ắ Ắ c quy. c quy trong

ạ ệ ố

ử ụ ầ ẽ ệ ồ

ộ ệ ố ồ ớ m ch s  d ng v i thông s  là đi n áp đ u ra 12v . ượ ấ ộ c c p ngu n SG3525 s  hoat đ ng t o xung 50Hz và l ch pha ệ ủ ạ ­ Toàn b  h  th ng m ch s  d ng ngu n 12v t ử ụ  ­ Khi đ ộ ạ ở ụ ụ ộ nhau 180 đ , xung c a SG3525 ph  thu c vào đi n tr  và 1 t .

Trang: 30

ở ắ ế ượ ầ ố c t n s  phát ra ta m c 1 bi n tr  50k chân 6

ỉ ể ề  ­ Đ  có th  đi u ch nh đ ả ầ ố ủ

ỉ ỉ ề ế ở ừ ộ ộ    chân 1 đi u ch nh đ  r ng

ề ự ể ể ễ ể đ  có th  d  dàng gi ề ấ ủ c a xung c p vào c c G c a IRF góc đi u khi n t

ủ ở ệ  ­ Tín hi u xung ra

ệ Ω i t n s  c a nó . ằ ầ ệ  ­ Đi u ch nh đi n áp đ u ra b ng bi n tr  t  0 ÷  2π ể ừ ệ  2 chân 11 và 14 luôn l ch pha nhau 180 đ . Qua tr ấ ộ ự ượ ự ả

ế ộ ơ ấ ủ ế ệ

ữ ạ ượ ệ ể ệ chân 11 và 14 l ch nhau 180

0 nên bi n áp đi m gi a t o ra 2 đi n áp ng ế

ứ ấ ủ ệ

ừ ể ề ạ ạ

ụ ứ ủ ể ề ệ ạ

ở  ủ   100   tín   hi u   xung   lúc   này   kho ng   5v   đ c   c p   tr c   ti p   vào   c c   G   c a ẫ ẽ ấ   IRF3205 khi IRF d n s  c p đi n áp 12v cho cu n s  c p c a bi n áp. Do xung ế ở   c pha nhau trong 1chu kì. T  thông móc vòng và cho đi n áp ra th  c p c a bi n áp. ự 2.3.4. M ch đi u khi n và m ch l c  ● Nhi m v  và ch c năng c a m ch đi u khi n. ụ ệ  Nhi m v . ề ươ ủ ử ỉ ộ ộ c đ  r ng xung trong n a chu kì d ặ   ệ ng c a đi n áp đ t ­ Đi u ch nh đ

ữ ạ lên colector và emitor c a van . i .

ượ ể ở ủ ề ả ộ ng đ  m  và khoá van ượ ủ ­ Khoá van trong n a chu kì còn l ể  ­ Xung đi u khi n ph i có đ  biên đ  và năng l

ắ ắ

ượ ầ ố ỉ c t n s  và đi u ch nh đ  r ng xung.

ậ ổ ậ ị ắ ầ ộ ộ ế t, v n hành tin c y,  n đ nh . Yêu ch c ch n . ạ  ­ T o ra đ ễ  ­ D  dàng l p ráp, thay th  khi c n thi

ề ể

ề ạ ạ ể ộ

ấ ượ ộ ế ủ ế ậ ầ ổ ậ   ệ ố ọ   ­ M ch đi u khi n là khâu quan tr ng trong h  th ng, nó là b  ph n ộ   ng và đ  tin c y c a b  bi n đ i nên c n có

ế ị ữ ề ế ầ c u chung v  m ch đi u khi n là : ề ủ ế quy t đ nh ch  y u đ n ch t l nh ng yêu c u sau :

ủ ệ ể ề

ấ ỏ ị ị

ả ả ấ ấ ổ ầ ị ớ   ệ + V  đ  l n c a dòng đi n và đi n áp đi u khi n: Các giá tr  l n ả   t quá giá tr  cho phép. Giá tr  nh  nh t cũng ph i đ m b o   c r ng đ  cung c p cho các van m  và khoá an toàn. T n th t công

ề ị

ở ỏ ơ  c c đi u khi n nh  h n giá tr  cho phép . ữ ể

ề ộ ớ ượ ấ nh t không v ượ ằ ủ đ ở ự ấ su t trung bình  ề ầ ả ặ ả ớ

ằ + Yêu c u v  tính ch t c a xung đi u khi n : Gi a các xung m ế ấ ề ờ ề ế ủ ể ấ ủ ờ ụ

ể ệ ể ả ậ ọ

ề ệ ộ ở  ơ   ủ c a các c p van ph i có th i gian ch t, th i gian ch t này ph i l n h n ầ   ặ ho c b ng th i gian khôi ph c tính ch t đi u khi n c a van . + Yêu c u ề ộ   v  đ  tin c y c a m ch đi u khi n : Ph i làm vi c tin c y trong m i môi ườ t đ  thay đ i , có t tr ng nh  tr ờ  tru ng..

ạ ợ ng h p nhi ề ắ ờ ậ ủ ư ườ ầ ừ ử ụ ễ ễ ậ ổ ế   + Yêu c u v  l p ráp và v n hành: S  d ng d  dàng , d  thay th  ,

ắ l p ráp . .  ệ ụ ủ ạ

● Nhi m v  và ch c năng c a m ch l c ự ứ ụ ệ Nhi m v   ấ ầ ơ ấ ủ ữ ể ế

ộ ề ự ể ắ ­ C p mass cho 2 đ u cu n dây s  c p c a máy bi n áp đi m gi a. ­ Đóng c t theo xung đi u khi n vào c c G.

Yêu c uầ

Trang: 31

ạ ự

ắ ớ ẫ ư ị ầ ố ­ M ch l c ch u t n s  đóng c t l n ệ ­ Mosfet x  h t đi n khi ng ng d n.

ả ế ● S  đ  m ch l c ự ơ ồ ạ

ơ ồ ạ ự Hình 2.9a. S  đ  m ch l c

ơ ồ ự ậ * Thu t toán PWM,d a trên s  đ

ơ ồ Hình 2.9b. S  đ  theo van

m(t): Là sóng sin chu n.ẩ

Trang: 32

ở VGE: Xung đóng m  theo van

ươ ề ế

ế ệ ề ả ạ

ng pháp đi u ch   PWM1   i tùy ng pháp đi u ch  PWM1 cho phép t o ra d ng dòng đi n trên t ả   ể ơ 10.a) đ  đ n gi n

2.3.5.  Ph ươ Ph ể ả ạ ẽ ượ ơ ồ ằ ề ế ý, k  c  d ng hình sin. Nguyên lý đi u ch  c a s  đ  (hình 2. hóa s  đ c thay b ng s  đ  thay th  (hình 2. ạ ế ủ ơ ồ 10.b).

ư ộ ị Hình 2.10. Ngh ch l u áp m t pha (a) và s  đ  thay th  (b).

ế ở ị ươ v  trí 1 t ứ   ng  ng ư  ch c năng nh  hai tranzito T ơ ồ 1 và T2. Khi S

ươ ớ ẫ v  trí 2 t

ữ ứ 2 khóa. ở ị i khi S   v  trí 1 sang 2 và ng

2   d n và T i v i t n s  cao và đ

1 khóa. Khóa S sẽ  ầ ố  ượ ọ c g i là t n s

Khóa S gi v i Tớ 1 d n và T ẫ ượ ạ ng  ng v i T c l Ng ể ừ ị ượ ạ ớ ầ ố ượ c chuy n t đ ạ fs (ho c t n s  mang) nh  trên hình 6.6.. ể chuy n m ch

ặ ầ ố ờ ờ ở ị N u coi Δ v  trí 2 t1 là th i gian khóa S

ế ị ủ t1 là th i gian khóa S  ệ thì giá tr  trung bình c a đi n áp trên t

ể ạ ứ c l ư ở ị  v  trí 1 và Δ ả i (Z) là:   N u t n s  chuy n m ch không đ i ( ổ fs = const) và thay đ i t ổ ỷ ệ ữ  l (5.9) t1   gi a Δ

ế ầ ố ậ và Δt1 theo quy lu t hình sin:

ị ể ạ ố ỳ ầ UTB  trong m t chu k  t n s  chuy n m ch ( (5.10) TS) sẽ

Thì giá tr  trung bình   ổ ộ ậ thay đ i theo quy lu t hình sin là (hình 6.7.)

ư ủ ầ ố ị ­ t n s  góc c a PWM (t n s  ra c a ngh ch l u)

ệ ố ề

ổ ị ừ 0 đ n ệ ử    có ế TS . Tuy nhiên do các khóa đi n t

ủ Ω ầ ố ế  ­ h  s  đi u ch ; ẽ = 1 thì Δt1 và Δt2 s  thay đ i giá tr  t quán tính nên <1.

Trang: 33

ể ạ ỳ Hình 2.11.Chu k  chuy n m ch.

ư ớ ộ ậ ổ

ủ Hình 2.12. Đi n áp c a ngh ch l u v i PWM ể ề ệ ể ề ệ ầ ố ủ    có th  đi u ch nh đ c l p đi n áp và t n s  c a ế ả   ổ i

ị ỉ ạ ạ i s  có d ng hình sin

ự ế Ω ệ ầ ố dòng đi n t ặ có đ c tính tr  c m thì dòng trên t ệ ử ề Trong th c t ư ậ Nh  v y thay đ i và  ệ ả ớ i v i đi u ki n t n s  chuy n m ch và ngu n  ả ẽ ở ả  các khóa đi n t ờ  đ u có th i gian khóa ồ E không đ i. N u t . toff nên

và Δt2min = toff

Và (5.11)

ệ ụ ị ệ ả ố ớ ơ ồ ộ Giá tr  đi n áp hi u d ng trên t ể i đ i v i s  đ  có đi m trung tính m t pha

(5.12)

ớ ơ ồ ầ ộ V i s  đ  c u m t pha:

Trang: 34

ứ ờ ườ ẽ ị UTB) này s  t Các giá tr  trung bình ( ợ i ( ẽ ươ ị ứ ị ứ ả UZ). T p h p các giá tr  t c th i này s  chính là đ ờ ủ   ng  ng v i các giá tr  t c th i c a   ng cong

ệ ệ ư ị ậ đi n áp trên t ủ đi n áp ra c a ngh ch l u:

ư ạ ị

ế ạ 2.4. Tính toán và ch  t o m ch ngh ch l u. 2.4.1. Tính toán máy bi n ápế ọ ề ặ ữ ế ặ  và m t kĩ

ế ọ ự ự ươ ậ thu t ph L a ch n máy bi n áp đi m gi a vì so sánh v  m t kinh t i  u ể ố ư ng án l a ch n này là t

ữ ể ế Hình 2.13. Máy bi n áp đi m gi a

ế ố Máy bi n áp có các thông s .

U11 = 12V U2 = 220V f = 50HZ P = 300W

ữ ệ ế

ể Do máy bi n áp đi m gi a nên đi n áp. U1 = 2.U11 = 2.12 = 24( V )

ấ ủ ế

Công su t c a máy bi n áp. .Uη 2.I2

P =  Trong đó.

ế ế

ế ế ấ ủ P: là công su t c a máy bi n áp ứ ấ ộ ủ U2: là đi n áp c a cu n th  c p máy bi n áp ệ ủ ứ ấ ộ I2: là dòng đi n c a cu n th  c p máy bi n áp  η ế ấ : là hi u su t máy bi n áp  ηọ ế  = 0,85( máy bi n áp lõi thép ) Ch n  ượ ta tính đ ứ ấ ủ c dòng đi n th  c p c a máy bi n áp

ệ I2 = 3000,85.220= 1.604 ( A )  ệ ể ơ ấ ượ ằ ữ Do máy bi n áp đi m gi a nên đi n áp s  c p đ c tính b ng

ế U1= 24( V ) I1= 220.1,60424= 14.705( A )

Trang: 35

́ ́ ̀ ́ ̣ Công suât may biên ap cân chon:

́ ́ ̣ ̣

ế ́ P1 = U1. I1= 24.14,705 = 352 (W)  ́ ́ ́ Vây ta chon may biên ap co công suât  ́ơ ế ế P = 352W v i I = 15A Thi t k  máy bi n áp

ế ệ ậ ằ ằ ệ ế t di n v t lý ( dài *

t di n có ích S c a lõi thép tính b ng cm2 :b ng thi ế  0.85 đ n 0.95

ấ ủ Thi ừ ộ r ng ) nhân v  h  Kg t Công su t máy bi n áp.

ẽ ậ ở V y đ  công su t t m 352W tr  lên thì lõi s  là

ề ộ ẽ ệ ệ ế  S=1,2P => P= S2/1,44  ể ấ ầ  S=1,2x352=22,5 (cm2);  ủ Chi u dài , chi u r ng c a lõi s  là 4.5 cm và 5 cm.

ộ ơ ấ ề Dòng cu n s  c p.

ơ ấ  I=P/US( U s  c p ).  ộ ơ ấ ạ Dòng ch y qua cu n s  c p là.

=29.3 (A).

ệ ế ơ ấ Thi

ườ t di n dây s  c p. ậ ộ Asc( 2.5 là m t đ  dòng đi n ). ơ ấ  Đ ng kính dây s  c p.

Asc= . dπ sc . =>dsc =4. Asc. π

V i công su t 352W.

ấ Asc== 0.085;  dsc= 0.27 cm ( ta ch n dây 2.5 mm, hay 2.5 li).

ệ ạ ượ ừ ố ọ ng I,U và N ta có: T  m i quan h  đ i l

ứ ấ ế Itc = =1.59 (A) t di n dây th  c p Thi

ệ Atc =

ườ ứ ấ

Đ ng kính dây th c c p :  .dπ tc . Atc =  => dtc =4 Atc.π  =>dtc = 0.7 (mm)

ộ ơ ấ ấ ố S  vòng c n qu n cho cu n s  c p

ầ  NSC=

ố ứ ấ

ở ế  38 đ n 45 ọ  đây ch n 45).

S  vòng bên th  c p  NTC= =  ấ ừ ở ộ ơ ấ ứ ấ ở ộ

ớ ố ố ể ế ấ ọ

ề ơ ấ ấ ộ ườ V i K ( l y t  cu n s  c p là 22 vòng S  vòng   cu n th  c p là 440 vòng S  vòng  ấ Đ  qu n máy bi n áp công su t 352W ta ch n ộ Chi u dài lõi 4,5cm r ng 5cm ộ ỗ S  c p qu n 2 cu n m i cu n 22 vòng dây đ ng kính 2.5cm

Trang: 36

ứ ấ ườ ấ Th  c p qu n 440 vòng đ ng kính 0.7cm

ớ ệ ủ ọ

ượ ụ

ượ ạ ấ c l

ệ ả ể ạ ắ ặ

ấ ư ỗ ợ ệ ạ ạ 2.4.2. M ch l c  ● Ch n van. ọ ế V i dòng làm vi c c a máy bi n áp I=15A, P = 352W, ta ch n mosfet công   ệ ủ   ệ ủ su t IRF3205, Id=110A. Dòng làm vi c c a IRF cao vì đó là dòng làm vi c c a ệ ự ề ạ ở ớ   IRF trong đi u ki n c c G đ c kích m  liên t c. Còn v i dòng gián đo n IRF ụ ị ớ ấ   i r t th p th p (IAS = 62A) so v i dòng liên t c. Trong IRF cũng có ch u đ ắ ớ ầ ố ự ế ể ả ệ ụ    khi làm vi c v i t n s  đóng c t cao  ký sinh đ  x  đi n nh ng trên th c t t ọ ả ph i m c thêm m ch h  tr  van.Nên khi ch n IRF ph i chú ý đ c đi m này.  ● Hình d ng và kí hi u

● Thông s  ố

Trang: 37

ư

ằ ằ ề ượ c xung ra là 50Hz nh  sau:   ,CT tính b ng F,f tính b ng Hz.

● Tính toán m ch đi u khi n. ạ ể Ta tính toán đ  có đ ằ Ω Rt và Rd tính b ng  ớ v i f = 50hz. ta ch n: ọ

Ct = 0.1 uF Rd= 100  Ω Rt = 284 ,428 kΩ

ệ ế ỏ Ω măc vào chân 1.

ể ề ế

ỏ ề ạ ầ ỉ Đ  đi u ch nh đi n áp dung 1 bi n tr  100k ỏ ả 2.5. K t qu  mô ph ng ● Mô ph ng m ch l c b ng ph n m m Matlab. ự ằ

ơ ồ ự ạ ỏ Hình 2.14. S  đ  mô ph ng m ch l c.

Trang: 38

ơ ồ ố nh 2.15: S  đ  kh i PWM.

ự ằ ế ề ầ ả ạ ỏ Hình 2.16. K t qu  mô ph ng m ch l c b ng ph n m m matlab.

Trang: 39

ổ Hình 2.18. Ph  sóng hài

Ậ Ế K T LU N

ồ ờ ộ ả ệ ử

ị ư ọ ệ Nghiên c u và mô ph ng ấ   Sau m t kho ng th i gian th c hi n đ  án môn h c Đi n T  Công Su t V DC­ ự ỏ  b  ngh ch l u đi n áp 1 pha 12

ệ ộ ả ộ ố ế .

ượ ủ ệ ị và hi uể

ủ ấ ư ngh ch l u đi n áp ệ  s n xu t công nghi p.

ạ ạ

ọ ế ế ế ế ỏ ể ủ ể ầ ằ ạ đ (cid:0) Bi (cid:0) Bi (cid:0) Bi

ứ ớ ề v i đ  tài“ ạ ượ c m t s  k t qu  sau 220V AC” em đã đ t đ ạ ạ ộ ể c nguyên lý ho t đ ng c a m ch  (cid:0) Hi u đ ự ế ả ượ ầ c t m quan tr ng c a nó trong th c t ự ế t k  và tính toán m ch l c.  t cánh thi ề ế t k  và tính toán m ch đi u khi n.  t cách thi ề   ạ ộ ế t cách mô ph ng và ki m tra ho t đ ng c a m ch b ng ph n m m matlab.

Trang: 40

Ả ầ ố ạ ả ,  Giáo trình đi n tệ ử

ầ ấ ả ụ ậ ệ ử  công su t Giáo trình đi n t ộ ấ , Nhà xu t b n giáo d c Vi ệ   t

ươ ả ệ ử ạ , Phân tích và gi i m ch đi n t công

ế ế ạ ệ ử ố t k  m ch đi n t công su t ấ ả   ấ , Nhà xu t b n

ướ ộ TÀI LI U THAM KH O ọ [1].  Võ Minh Chính, Tr n Tr ng Minh , Ph m Qu c H i công su t,ấ  Nhà xu t b n khoa h c k  thu t Hà N i, 2004 .                      ọ ỹ ấ ả ọ [2]. Tr n Tr ng Minh ,  Nam                     ả ố ạ [3].  Ph m Qu c H i, D ng Văn Nghi ậ ọ ỹ su t,ấ   NXB khoa h c k  thu t, 1997. ẫ ả , H ng d n thi ạ [4]. Ph m Qu c H i ậ ọ ỹ khoa h c k  thu t Hà N i, 2009.

Trang: 41