CH NG IV: ƯƠ CH T BÁN D N ĐI N
DIODE BÁN D N
M C TIÊU TH C HI N:
H c xong bài này h c viên có kh năng:
-Hi u đ c c u trúc v t lý c a các ch t bán d n. ượ
-N m v ng b n ch t v t lý s hình thành và đ c
tr ng c a ti p giáp p-n – ph n t c b n c a các ư ế ơ
linh ki n bán d n.
-Bi t s d ng các lo i diode trong các m ch đi n t ế
ch c năng.
1. Đ c tính c a ch t bán d n
a. Đi n tr su t
Hai ch t bán d n thông d ng là Silicium và
Germanium có đi n tr su t là:
ρSi = 1014 Ωmm2/m
ρGe = 8,9.1012 Ωmm2/m
b. nh h ng c a nhi t đ ưở
Đi n tr c a ch t bán d n thay đ i r t l n theo
nhi t đ , khi nhi t đ tăng cao thì đi n tr c a ch t
bán
d n gi m xu ng.
I. CH T BÁN D N ĐI N
c. nh h ng c a ánh sáng ưở
Ch t bán d n có tr s đi n tr r t l n khi b che t i,
khi có ánh sáng chi u vào thì đi n tr gi m xu ng.ế
d. nh h ng c a đ tinh khi t ưở ế
M t kh i ch t bán d n tinh khi t có đi n tr r t ế
l n, nh ng n u pha thêm vào m t t l r t th p các ư ế
ch t thích h p thì đi n tr c a ch t bán d n gi m
xu ng rõ r t. T l pha càng cao thì đi n tr gi m
càng nh .
2. Ch t bán d n thu n
Tinh th silicon là m t bán d n thu n n u nh ế ư
m i nguyên t trong tinh th đ u là nguyên t
Silicon.
Trong ch t bán d n thu n, năng l ng nhi t t o ượ
ra m t c p đi n t t do và l tr ng b ng nhau.
Đi n t t do và l tr ng th ng đ c g i là h t ư ượ
t i đi n.
3. Ch t bán d n lo i N (Negative)
Khi pha thêm vào ch t bán d n nguyên ch t m t
l ng r t ít t p ch t nguyên t nhóm 5 ch ng h n ượ
pha arsenic (As) vào Ge, phosphorus (P) vào Si thì
trong s 5 đi n t c a v ngoài cùng c a nguyên t
t p ch t P thì có 4 đi n t tham gia liên k t hóa tr ế
v i các nguyên t lân c n. Đi n t th 5 liên k t y u ế ế
h n v i h t nhân và các nguyên t xung quanh, ch ơ
m t năng l ng nh cũng giúp đi n t này thoát kh i ượ
ràng bu c và tr thành electron t do, nguyên t t p
ch t tr thành ion d ng. ươ