intTypePromotion=1
zunia.vn Tuyển sinh 2024 dành cho Gen-Z zunia.vn zunia.vn
ADSENSE
 » 
 » 

Bài giảng Điện tử ứng dụng - Nguyền Trọng Khanh & Hồ Anh Khoa

Chia sẻ: Tabicani09 | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:50

Thêm vào BST
Báo xấu
36
lượt xem 6
download
 
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Bài giảng Điện tử ứng dụng gồm có 3 chương cung cấp cho người học những kiến thức như: Linh kiện giao tiếp và mạch ứng dụng; Mạch nguồn; Mạch chuyển đổi tương tự số. Mời các bạn cùng tham khảo!

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Bài giảng Điện tử ứng dụng - Nguyền Trọng Khanh & Hồ Anh Khoa

  1. BỘ CÔNG THƯƠNG TRƯỜNG CAO ĐẲNG KỸ THUẬT CAO THẮNG BỘ MÔN ĐIỆN TỬ CÔNG NGHIỆP   NGUYỀN TRỌNG KHANH – HỒ ANH KHOA BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Lưu hành nội bộ
  2. MỤC LỤC CHƯƠNG 1: LINH KIỆN GIAO TIẾP VÀ MẠCH ỨNG DỤNG ...............................1 I. LINH KIỆN GIAO TIẾP..........................................................................................1 1. Transistor lưỡng cực..............................................................................................1 1.1. Nguyên lý hoạt động .........................................................................................1 1.2. Phân cực cho Transistor ....................................................................................2 1.2.1. Phân cực bằng hai nguồn riêng biệt.............................................................2 1.2.2. Phân cực cầu phân áp..................................................................................3 2. SCR.........................................................................................................................3 2.1. Ký hiệu .............................................................................................................4 2.2. Đặc tuyến ..........................................................................................................4 2.3. Nguyên lý hoạt động .........................................................................................5 3. IGBT .......................................................................................................................5 3.1. Ký hiệu .............................................................................................................6 3.2. Nguyên lý hoạt đông .........................................................................................6 4. MOSFET ................................................................................................................6 4.1. Ký hiệu .............................................................................................................7 4.2. Nguyên lý hoạt đông (xét kênh N) .....................................................................8 4.2.1. Loại liên tục:...............................................................................................8 4.2.2. Loại gián đoạn: ...........................................................................................8 5. OP-AMP .................................................................................................................9 5.1. Đặc điểm. ........................................................................................................10 5.2. Chế độ làm việc...............................................................................................10 5.2.1. Đặc tuyến .................................................................................................10 5.2.2. Chế độ bão hòa .........................................................................................10 5.2.2.1. Mạch điện so sánh bão hòa dương ..........................................................10 5.2.2.2. Mạch so sánh bão hòa âm .....................................................................11 5.2.3. Chế độ khuếch đại ....................................................................................11 5.2.3.1. Mạch khuếch đại đảo (Inverting Operational Amplifier).........................11 5.2.3.2. Mạch khuếch đại không đảo. ..................................................................13 5.2.3.3. Mạch cộng. .............................................................................................14 6. IC555 ....................................................................................................................15 6.1 Cấu trúc IC555 ................................................................................................15 6.2 Nguyên lý hoạt động .......................................................................................17 II. MẠCH ỨNG DỤNG ...............................................................................................18 1. Mạch Cầu H .........................................................................................................18 1.1 Sơ đồ ...............................................................................................................18 1.2 Mạch cầu H dùng BJT .....................................................................................19 1.3 Mạch cầu H dùng MOSFET ............................................................................20 2. Mạch dimmer .......................................................................................................20 2.1 Mạch dimmer dùng SCR .................................................................................21 2.2 Mạch dimmer dùng Triac và Diac ...................................................................22
  3. 3. Mạch tạo xung PWM ...........................................................................................22 CHƯƠNG 2: MẠCH NGUỒN ......................................................................................26 I. Chỉnh lưu .................................................................................................................26 1. Mạch chỉnh lưu bán kỳ ........................................................................................27 2. Mạch chỉnh lưu toàn kỳ sử dụng MBA có điểm giữa .........................................28 3. Mạch chỉnh lưu cầu 1 pha ...................................................................................29 II. IC họ 78xx, 79xx, LM2596 ......................................................................................30 1. IC họ 78xx: ...........................................................................................................30 2. IC họ 79xx: ...........................................................................................................32 3. IC LM2596: ..........................................................................................................33 III. Mạch bảo vệ nguồn .................................................................................................34 CHƯƠNG 3: MẠCH CHUYỂN ĐỔI TƯƠNG TỰ SỐ ...............................................38 I. ADC: ........................................................................................................................38 1. Khái niệm: ............................................................................................................38 2. Nguyên lý chuyển đổi:..........................................................................................39 3.1. Sơ đồ khối của bộ chuyển đổi: .........................................................................39 3.2. Cấu trúc bộ chuyển đổi: ...................................................................................39 3.3. Nguyên lý hoạt động: ......................................................................................40 II. ADC: ........................................................................................................................42 1. Khái niệm: ............................................................................................................42 2. Nguyên lý chuyển đổi:..........................................................................................42 2.1 Sơ đồ khối của bộ chuyển đổi: .........................................................................42 2.2 Cấu trúc bộ chuyển đổi: ...................................................................................42 2.2.1. DAC Dùng Bộ Khuếch Đại Cộng Đảo:.....................................................42 2.2.2. DAC với đầu ra dòng: ...............................................................................43 TÀI LIỆU THAM KHẢO………………………………………………………………47
  4. BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG CHƯƠNG 1: LINH KIỆN GIAO TIẾP VÀ MẠCH ỨNG DỤNG I. LINH KIỆN GIAO TIẾP 1. Transistor lưỡng cực Transistor lưỡng cực hay BJT (Bipolar junction transistor) là một loại linh kiện bán dẫn, có 3 cực là B (base - cực nền), C (collector - cực thu), E (emitter - cực phát). Transistor có 2 tiếp giáp P-N, dựa theo cấu tạo lớp này ta phân biệt hai loại transistor P-N-P, và transistor N-P-N. Mỗi tiếp giáp có thể được phân cực theo chiều thuận hoặc theo chiều nghịch dưới tác dụng của điện thế bên ngoài. Hình 1.1. Cấu trúc và hình ảnh thực tế của Transistor lưỡng cực. Transistor BJT thường được sử dụng như công tắc (switch) đóng ngắt các mạch điện và phần lớn được mắc theo dạng mạch có chung cực emitter (CE). 1.1. Nguyên lý hoạt động  Loại NPN Hình 1.2. Sơ đồ chân và ký hiệu Transistor loại NPN. 2020 TRANG 1
  5. BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Transistror NPN cho phép dẫn dòng từ CE Điều kiện dẫn của Transistor:  VC>VE  VB -VE ≥ VƳ Khi Transistror NPN dẫn thì IC = βIB (β là hệ số khuếch đại), IE= IB+IC. Khi đó tăng dòng IB thì IC tăng β lần. Nếu tiếp tục tăng IB đến lúc nào đó mà IC không tăng nữa lúc đó Transistror NPN dẫn bão hòa. Khi transistor dẫn bão hòa thì: βIB = K.IC (trong đó K là hệ số bão hòa K=2÷5) . VCE0  Loại PNP Hình 1.3. Sơ đồ chân và ký hiệu Transistor loại PNP. Transistror PNP cho phép dẫn dòng từ EC, Điều kiện dẫn của Transistor  VE>VC  VE – VB ≥ VƳ Tương tự như Transistor NPN, ta có: IC = βIB, IE= IB+IC 1.2. Phân cực cho Transistor 1.2.1. Phân cực bằng hai nguồn riêng biệt Hình 1.4. Mạch phân cực bằng hai nguồn riêng biệt. 2020 TRANG 2
  6. BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG VBB – IBRBB – VBE – IERE = 0 Với IE = (+1) IB, ta có: VBB  VBE IB  RBB  (   1) RE Phương trình mạch vòng CE không thay đổi, kết quả đạt được: VCE = VCC – IC (RC+ RE) 1.2.2. Phân cực cầu phân áp Hình 1.5. Sơ đồ mạch phân cực cầu phân áp. R1 xR2 RBB  R1  R2 R2 VBB  VR 2  VCC R1  R2 2. SCR SCR (Silicon Controlled Rectifier) hay Chỉnh lưu silic có điều khiển là phần tử bán dẫn cấu tạo từ 4 lớp bán dẫn, ví dụ như P-N-P-N, tạo ra ba lớp tiếp giáp P-N: J1, J2, J3. Thyristor có ba cực hoạt động là anode (A), cathode (K) và cực điều khiển (G) như được biểu diễn trong hình vẽ. Nó được dùng cho chỉnh lưu dòng điện có điều khiển. 2020 TRANG 3
  7. BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Hình 1.6. Cấu trúc và hình ảnh thực tế của SCR. 2.1. Ký hiệu Hình 1.7. Ký hiệu của SCR. 2.2. Đặc tuyến Hình 1.8. Đặc tuyến làm việc của SCR. 2020 TRANG 4
  8. BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG 2.3. Nguyên lý hoạt động  Khi VAVK và IG = 0: SCR phân cực thuận, ban đầu đặc tuyến cũng giống như phân cực nghịch, nhưng khi đạt đến giá trị VBO (Breakover Voltage) điện thế chận thuận hoặc điện thế gãy lên, điện thế trên Anod tự động sụt xuống như diode thường (0,7V), dòng điện tương ứng lúc bấy giờ được gọi là dòng duy trì IH (Holding current) hay còn gọi là dòng giữ và lúc này SCR đã dẫn. Với đặc tuyến V-I tương tự như diode thường.  Khi VA>VK và IG>0: Khi có dòng cổng(IG)thì SCR sẽ chuyển từ trạng tắt sang trạng thái dẫn nhanh hơn. Các thông số chính của SCR, khi sử dụng cần phải lưu ý:  Điện áp phân cực thuận và nghịch cực đại.  Dòng điện thuận cực đại.  Điện áp và dòng điện cổng.  Dòng duy trì (IH)  Công suất tiêu tán. 3. IGBT IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) là transistor công suất cực đại có cực điều khiển cách ly là một linh kiện bán dẫn công suất 3 cực. IGBT kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET và khả năng chịu tải lớn của transistor thường. Mặt khác IGBT cũng là phần tử điều khiển bằng điện áp, do đó công suất điều khiển yêu cầu sẽ cực nhỏ. Hình 1.9. Hình ảnh thực tế của IGBT và module IGBT. 2020 TRANG 5
  9. BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG 3.1. Ký hiệu Hình 1.10. (a) Ký hiệu, (b) Mạch tương đương của IGBT. 3.2. Nguyên lý hoạt đông Dưới tác dụng của áp điều khiển VGE>0, kênh dẫn với các hạt mang điện là các điện tử được hình thành, giống như ở cấu trúc MOSFET. Các điện tử di chuyển về cực C vượt qua lớp tiếp giáp n-p như ở cấu trúc giữa base và collector ở transistor thường, tạo nên dòng collector. IGBT có khả năng làm việc với dòng điện lớn và chịu được điện áp ngược cao. Thời gian đáp ứng đóng ngắt của IGBT rất nhanh (khoảng vài µs). IGBT có khả năng hoạt động tốt không cần đến mạch bảo vệ. Trong trường hợp đặc biệt, có thể sử dụng mạch bảo vệ của MOSFET áp dụng cho IGBT và mạch kích IGBT được thiết kế tương tự như mạch kích MOSFET. Do đó IGBT được sử dụng phổ biến trong các bộ biến đổi điều chế xung tần số rất cao và chiếm vị trí rất quan trọng trong công nghiệp với hoạt động phạm vi công suất lên đến 10MW hoặc cao hơn. Hiện nay trên thị trường có module IGBT thông minh (Intelligent power module): được chế tạo bởi công nghệ tích hợp cao. Trên module có tích hợp các phần tử IGBT, mạch kích lái, mạch bảo vệ, cảm biến dòng điện. Các module này được sử dụng phổ biến và đạt độ tin cậy rất cao. 4. MOSFET MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) hay còn gọi là "Transistor hiệu ứng trường Oxit Kim loại - Bán dẫn", là một thuật ngữ chỉ các transistor hiệu ứng trường được sử dụng rất phổ biến trong các mạch số, các mạch tương tự và các thiết bị điện tử công suất. 2020 TRANG 6
  10. BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Transistor MOSFET được xây dựng dựa trên lớp chuyển tiếp Oxit Kim loại và bán dẫn (ví dụ như Oxit Bạc và bán dẫn Silic) với các cực cổng (G), cực nền (B), cực nguồn (S) và cực máng (D). Hình 1.11. Cấu trúc và hình ảnh thực tế của MOSFET. MOSFET có hai loại: N-MOSFET và P-MOSFET 4.1. Ký hiệu Hình 1.12. Ký hiệu các loại MOSFET. 2020 TRANG 7
  11. BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG 4.2. Nguyên lý hoạt đông (xét kênh N) 4.2.1. Loại liên tục: Hình 1.13. Đặc tuyến làm việc MOSFET loại liên tục. MOSFET kênh liên tục ít thông dụng hơn loại kênh gián đoạn, thường dẫn điện (Chế độ ON) khi không cần điện áp phân cực tại cực cổng. MOSFET dẫn điện khi VGS=0 làm cho nó có thên gọi là thiết bị thường đóng (nomally-closed). Mạch điện phía trên là loại MOSFET kênh liên tục với đường vẽ qua các kênh liên tục thể hiện cho việc thường đóng của kênh. Đối với loại MOSFET kênh liên tục kênh N, một điện áp âm giữa cực cổng-nguồn, - VGS sẽ xã hết electron trong kênh dẫn và làm cho transistor trở thành trạng thái ngắt “OFF”. Tương tự đối với kênh P, điện áp cực cổng – nguồn, +VGS rút hết lỗ trống làm cho transistor ngắt (OFF). Tóm lại: Đối với MOSFET kênh liên tục kênh N: +VGS đồng nghĩa với nhiều electron sinh ra dòng điện lớn, phân cực -VGS làm giảm electron cho nên giảm dòng điện. Ngược lại đối lới MOSFET kênh P. Vì vậy MOSFET kênh liên tục tương đương với công tắc thường đóng “normally-closed”. Phương trình shoockley: 2  V  I D  I DSS 1  GS   VP  4.2.2. Loại gián đoạn: 2020 TRANG 8
  12. BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Hình 1.14. Đặc tuyến làm việc MOSFET loại gián đoạn. Để MOSFET gián đoạn (E-MOSFET) dẫn thì:  VGS>0.  VDS>0. Khi VGS tăng đạt đến giá trị VGS(th) thì xuất hiện dòng ID, nếu VGS vượt VGS(th) thì dòng ID tăng mạnh, theo phương trình sau: ID= K.(VGS-VGS(th))2 Trong đó K là hằng số phụ thuộc vào đặc tính của E-MOSFET Chú ý: Đối với MOSFET  IG=0.  ID=IS 5. OP-AMP Op-Amp (Operational Amplifier), là một mạch điện tử có chức năng khuyếch đại tín hiệu (Tín hiệu ở đây được hiểu chung là tín hiệu điện bao gồm cả dòng điện và điện áp). Op-Amp không nhất thiết phải là một IC (Integrated circuit – mạch tích hợp) nhưng hiện nay Op-Amp IC được phổ cập rất rộng rãi và dễ dàng mua được nên ở đây chỉ nói về Op-Amp IC. 2020 TRANG 9
  13. BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Hình 1.15. Hình ảnh thực tế Op-Amp và sơ đồ các chân. 5.1. Đặc điểm. Hình 1.16. Đặc điểm cấu trúc của Op-Amp.  Trở kháng ngõ vào, Zin = 0  Trở kháng ngõ ra, Zo = 0  i+ = i- = 0 5.2. Chế độ làm việc. 5.2.1. Đặc tuyến Hình 1.17. Đặc tuyến làm việc của Op-Amp 5.2.2. Chế độ bão hòa 5.2.2.1. Mạch điện so sánh bão hòa dương 2020 TRANG 10
  14. BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Hình 1.18. Sơ đồ mạch và dạng sóng mạch so sánh bảo hòa dương. - Khi VIN>VRFE (Vi+>Vi-): Vout = VCC=+12V. - Khi VINVi+): Vout = VCC=0V. - Khi VIN
  15. BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG  Điện áp V1 luôn bằng V2 (Trong OP-AMP lý tưởng). Trong trường hợp nay V1=V2 =0V (V1 nối đất). Bằng cách sử dụng hai luật trên ta có thể tính toán như sau: VIN  VOUT i RIN  RF Mặt khác: VIN  V2 V2  VOUT i  RIN RF VIN V2 V V i   2  OUT RIN RIN RF RF Vì vậy: VIN  1 1  VOUT  V2    RIN  RIN RF  RF Thay các thông số vào ta được: VIN  0 0  VOUT i  RIN RF RF 0  VOUT  RIN VIN  0 Ta có hệ số khuếch đại vòng lặp kín AV như sau: VOUT R R AV    F hay VOUT   F VIN VIN RIN RIN 2020 TRANG 12
  16. BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG 5.2.3.2. Mạch khuếch đại không đảo. Hình 1.21. Mạch khuếch đại không đảo. Tương tự tính toán như mạch khuếch đại đảo. Ta có như sau: R2 V1  VOUT R2  RF V1  VIN Độ khuếch đại điện áp AV được tính bằng: VOUT AV  VIN 2020 TRANG 13
  17. BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Ta được: VOUT R2  RF AV   VIN R2 Tương đương: VOUT R AV  1 F VIN R2 5.2.3.3. Mạch cộng. Hình 1.22. Sơ đồ mạch cộng. Trong mạch cộng đơn giản, điện áp ngõ ra VOUT tỉ lê với tổng các điện áp ngõ vào V1, V2, V3…Chúng ta có thể điều chỉnh công thức tổng quát áp dụng cho nhiều ngõ vào. Ta có: V V V  I F  I1  I 2  I 3    1  2  3   RIN RIN RIN  Phương trình đảo: RF VOUT   VIN RIN Suy ra: R R R  VOUT    F V1  F V2  F V3   RIN RIN RIN  Tuy nhiên, nếu tất cả các điện trở ngõ vào (RIN) bằng nhau, chúng ta có thể đơn giản biểu thức như sau: RF VOUT   V1  V2  V3  ... RIN 2020 TRANG 14
  18. BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Đối với các ngõ vào có các điện trở khác nhau: V V V  VOUT   RF  1  2  3  ...  R1 R2 R3  6. IC555 Vi mạch định thì 555 (IC555) là một mạch tích hợp được sử dụng trong nhiều ứng dụng hẹn giờ, tạo xung và dao động. Chức năng của 555: - Tạo xung. - Điều chế độ rộng xung (PWM) - Điều chế vị trí xung (PPM) (Hay dùng trong thu phát hồng ngoại) - …. Hình 1.23. Hình ảnh thực tế IC NE555. 6.1 Cấu trúc IC555 - Cấu trúc bên trong IC555 Hình 1.24. Cấu trúc bên trong IC555. 2020 TRANG 15
  19. BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG - Sơ đồ chân IC555 Hình 1.25. (a) Sơ đồ chân IC555 loại chân tròn, (b) Sơ đồ chân IC555 loại chân vuông. IC NE555 N gồm có 8 chân: + Chân số 1 (GND): cho nối GND để lấy dòng cấp cho IC hay chân còn gọi là chân chung. + Chân số 2 (TRIGGER): Đây là chân đầu vào thấp hơn điện áp so sánh và được dùng như 1 chân chốt hay ngõ vào của 1 tần so áp. Mạch so sánh ở đây dùng các transitor PNP với mức điện áp chuẩn là 2/3Vcc. + Chân số 3 (OUTPUT): Chân này là chân dùng để lấy tín hiệu ra logic. Trạng thái của tín hiệu ra được xác định theo mức 0 và 1. 1 ở đây là mức cao nó tương ứng với gần bằng Vcc nếu (PWM=100%) và mức 0 tương đương với 0V nhưng mà trong thực tế mức 0 này ko được 0V mà nó trong khoảng từ (0.35 ->0.75V). + Chân số 4 (RESET): Dùng lập định mức trạng thái ra. Khi chân số 4 nối masse thì ngõ ra ở mức thấp. Còn khi chân 4 nối vào mức áp cao thì trạng thái ngõ ra tùy theo mức áp trên chân 2 và 6. Nhưng mà trong mạch để tạo được dao động thường hay nối chân này lên VCC. + Chân số 5 (CONTROL VOLTAGE): Dùng làm thay đổi mức áp chuẩn trong IC 555 theo các mức biến áp ngoài hay dùng các điện trở ngoài cho nối GND. Chân này có thể không nối cũng được nhưng mà để giảm trừ nhiễu người ta thường nối chân số 5 xuống GND thông qua tụ điện từ 0.01µF đến 0.1 µF các tụ này lọc nhiễu và giữ cho điện áp chuẩn được ổn định. + Chân số 6 (THRESHOLD): là một trong những chân đầu vào so sánh điện áp khác và cũng được dùng như 1 chân chốt. + Chân số 7 (DISCHAGER): có thể xem chân này như 1 khóa điện tử và chịu điều khiển bỡi tầng logic của chân 3. Khi chân 3 ở mức áp thấp thì khóa này đóng lại.ngược lại thì nó mở ra. Chân 7 tự nạp xả điện cho 1 mạch R-C lúc IC 555 dùng như 1 tầng dao động. + Chân số 8 (Vcc): Không cần nói cũng bít đó là chân cung cấp áp và dòng cho IC hoạt động. Không có chân này coi như IC chết. Nó được cấp điện áp từ 2V -->18V (Tùy từng loại 555 nhé thấp nhất là con NE7555). 2020 TRANG 16
  20. BÀI GIẢNG ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG 6.2 Nguyên lý hoạt động  Bảng trạng thái của RS-FF R S Q+ 0 0 Q 0 1 1 1 0 0 1 1 Cấm  Nguyên lý hoạt động: Cấu tạo của IC 555 gồm Op-Amp so sánh điện áp, mạch lật và transistor để xả điện. Bên trong gồm 3 điện trở mắc nối tiếp chia điện áp VCC thành 3 phần. Cấu tạo này tạo nên điện áp chuẩn. Điện áp 1/3 VCC nối vào chân dương của Op-Amp 1 và điện áp 2/3 VCC nối vào chân âm của Op-Amp 2.  Bảng hoạt động Điện áp chân 6 Điện áp chân 2 R S Chân (out) < 2/3 Vcc 2/3 Vcc 2/3 Vcc >1/3Vcc 1 0 0 Ví dụ: Mạch tạo xung dùng IC555 Hình 1.26. Mạch tạo xung dùng IC555. 2020 TRANG 17
ADSENSE

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

LV.15: Bộ Đồ Án Tốt Nghiệp Chuyên Ngành Cơ Khí
65 tài liệu
2431 lượt tải
THÔNG TIN
TRỢ GIÚP
HỖ TRỢ KHÁCH HÀNG
Theo dõi chúng tôi

Chịu trách nhiệm nội dung:

Nguyễn Công Hà - Giám đốc Công ty TNHH TÀI LIỆU TRỰC TUYẾN VI NA

LIÊN HỆ

Địa chỉ: P402, 54A Nơ Trang Long, Phường 14, Q.Bình Thạnh, TP.HCM

Hotline: 093 303 0098

Email: support@tailieu.vn

Giấy phép Mạng Xã Hội số: 670/GP-BTTTT cấp ngày 30/11/2015 Copyright © 2022-2032 TaiLieu.VN. All rights reserved.

 

Đồng bộ tài khoản
2=>2