BỘ NHỚ CHÍNH
TRỊNH TẤN ĐẠT
VŨ NGỌC THANH SANG
KHOA CÔNG NGHỆ THÔNG TIN
ĐẠI HỌC SÀI GÒN
Email: trinhtandat@sgu.edu.vn
Website: https://sites.google.com/site/ttdat88
Giới thiệu
1. Tổng quan về bộ nhớ
2. Phân loại bộ nhớ
3. Cấu trúc bộ nhớ
4. Bộ nhớ chính
5. Các chế độ định địa chỉ
6. Bộ nhớ cache
7. Bộ nhớ ngoài
8. Bộ nhớ ảo
9. Bộ nhớ bán dẫn
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
TỔNG QUAN VỀ BỘ NHỚ - CẤU TRÚC
• Thanh ghi (register)
• Là bộ nhớ nằm trên chính CPU.
• Cung cấp khả năng truy cập thông tin tức thời.
• Bộ nhớ đệm (cache)
• Chỉ chứa thông tin quan trọng (vì không gian trên CPU bị giới hạn)
• Được đặt gần thanh ghi hơn bộ nhớ chính.
• Duy trì bản sao của một phần của bộ nhớ chính.
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
• Cho phép truy cập nhanh hơn một số thông tin
TỔNG QUAN VỀ BỘ NHỚ - CẤU TRÚC
• Bộ nhớ chính - (RAM)
• Chạy chậm hơn so với CPU
• Bộ nhớ vật lý
• Cần nguồn điện để duy trì trạng thái và lưu trữ thông tin.
• Bộ nhớ thứ cấp (disk)
• Chỉ chứa thông tin quan trọng (vì không gian trên CPU bị giới hạn)
• Ổ cứng thể rắn (solid state disk, SSD), ổ cứng (hard dis drive, HDD), cloud, ...
• Lưu trữ thông tin thời gian dài, không bị mất thông tin khi mất điện.
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
• Chi phí thấp
TỔNG QUAN VỀ BỘ NHỚ - CẤU TRÚC
TỔNG QUAN VỀ BỘ NHỚ - CẤU TRÚC
BỘ NHỚ ĐỆM
• Đây là bộ nhớ bán dẫn có tốc độ nhanh và chúng được đặt giữa CPU và bộ nhớ chính nằm tăng tốc
• Mỗi vị trí của bộ nhớ đệm lưu trữ một khối dữ liệu của bộ nhớ chính.
truy xuất của CPU tới bộ nhớ chính.
• Hầu hết ở các bộ xử lý, bộ nhớ đếm được đặt bên trong CPU và được gọi là L1.
o Bộ nhớ đệm dữ liệu (Data Cache, D – Cache): lưu dữ liệu và có thể đọc/ ghi bởi CPU.
o Bộ nhớ đệm câu lệnh (Intrucstrion cache, I – Cache): Lưu các câu lệnh và CPU chỉ có thể đọc.
• Có hai loại bộ nhớ đệm bên trong CPU:
• Mục đích: Tăng hiệu suất truy cập bộ nhớ chính
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
• Cache L2 và L3: chung cho lệnh và dữ liệu
CACHE CẤP 2 VÀ 3 – L2, L3
• L2: dung lượng 128K, 256K. Nằm giữa CPU
tốc độ truy xuất nhanh vì không cần thời
và RAM, thường có cấu tạo bằng RAM tĩnh,
gian làm tươi dữ liệu.
truy xuất cho đĩa cứng và các thiết bị ngoại
• L3: là vùng nhớ DRAM dùng làm vùng đệm
Tổ chức bộ nhớ đệm 3 cấp độ
vi. Tốc độ L3 chính là tốc độ truy xuất
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
DRAM.
MỘT SỐ THUẬT NGỮ CỦA BỘ NHỚ ĐỆM
• Miss: Khi CPU truy cập bộ nhớ nhưng dữ liệu không nằm trong bộ nhớ đệm ➔ cache miss.
• Hit: Khi CPU truy cập bộ nhớ và có dữ liệu nằm trong bộ nhớ ➔ cache hit.
• Hit ratio: (số lượng hits / số lượng miss) + số lượng hits (tổng số lượng đã đọc).
• Block: Bao gồm các vị trí của bộ nhớ chính.
• Physical address (Địa chỉ vật lý): Được tạo bởi CPU để truy cập bộ nhớ chính.
• Virtual address(Địa chỉ ảo): Được tạo bởi CPU để trụy cập bộ nhớ ảo và bộ nhớ thứ cấp.
• Cache line/ Cache block: Lưu trữ các byte hoặc ký tự, kích thước của mỗi dòng bằng với kích thước của mỗi
khối trong bộ nhớ chính.
• Temporal locality: Lưu trữ các đường trích dẫn vị trí bộ nhớ để có thể sử dụng lại trong tương lai gần.
• Spatial locality: Khi vị trí bộ nhớ được truy cập, các vị trí bộ nhớ lân cận cũng sẽ được truy cập sớm.
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
BỘ NHỚ BÁN DẪN
Kiểu bộ nhớ Phân loại Khả năng xóa Cơ chế ghi Tính bay hơi
Bằng điện Bay hơi Bằng điện • Ramdom Access Memory (RAM) Bộ nhớ đọc và ghi Từng byte
Read Only Memory (ROM)
Mặt nạ
Không xóa được Bộ nhớ chỉ đọc
Không bay hơi
Erasable PROM (EPROM)
Bằng tia cực tím • Xóa cả chip
Programmable ROM (PROM)
Bằng điện
Bộ nhớ hầu như chỉ đọc
Ellectrically Eraseable PROM (EEPROM) Bằng điện • Xóa từng byte
Flash memory
Từng khối
Bằng điện • Bộ nhớ đọc và ghi
BỘ NHỚ BÁN DẪN – READ ONLY MEMORY
• Chỉ có thể đọc. Thường được sử dụng khi khởi động máy tính và chứa hệ thống
BIOS.
• Không xóa hoặc sửa được nội dung khi sử dụng.
• Ứng dụng:
o Thư viện các chương trình con.
o Phần mềm kiểm tra khi bật máy POST (Power On Self Test).
o Phần mềm khởi động máy tính (OS loader).
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
o Vi chương trình.
BỘ NHỚ BÁN DẪN – READ ONLY MEMORY
• Chỉ có thể đọc. Thường được sử dụng khi khởi động máy tính và chứa hệ thống
BIOS.
• Không xóa hoặc sửa được nội dung khi sử dụng.
• Ứng dụng:
o Thư viện các chương trình con.
o Phần mềm kiểm tra khi bật máy POST (Power On Self Test).
o Phần mềm khởi động máy tính (OS loader).
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
o Vi chương trình.
BỘ NHỚ BÁN DẪN – PHÂN LOẠI ROM
• PROM – Programmable Read Only memory:
o Khi sản xuất chưa có nội dung (ROM trắng).
o Cần thiết bị chuyên dụng để ghi .
Read-Many).
• EPROM – Erasable PROM:
o Cho phép ghi được một lần, gọi là OTP (One Time Programmable) hoặc WORM (Write-Once-
o Cần thiết bị chuyên dụng để ghi
o Có thể xóa bằng tia cực tím UV (Ultra Violet)
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
o Ghi/ xoá được nhiều lần
BỘ NHỚ BÁN DẪN – PHÂN LOẠI ROM
• EEPROM – Electrically Erasable PROM:
o Có thể xóa một byte bất cứ lúc nào bằng mạch điện thay vì xóa toàn bộ chip bằng tia cực
tím.
o Có thể ghi theo từng byte
• Flash Memory: gioonsg EEPROM nhưng:
o 2 chế độ điện áp: Điện áp cáo (ghi + xóa), điện áp thấp (chỉ đọc).
o Dung lượng lớn
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
o Đọc ghi theo từng block
BỘ NHỚ BÁN DẪN – RANDOM ACCESS MEMORY
Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên
• Bộ nhớ đọc/ ghi. Lưu trữ dữ liệu mà người dùng đang sử dụng (dữ liệu tạm thời).
• Ghi/ xóa trong quá trình sử dụng.
• Khi khởi động, RAM rỗng. Tự mất dữ liệu khí cắt nguồn điện
➔ Chỉ lưu trữ thông tin tạm thời khi chạy chương trình, khi kết thúc cần lưu trữ dữ liệu ra bộ nhớ
ngoài.
• Có hai loại:
o SRAM (Static RAM): RAM tĩnh
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
o DRAM (Dynamic RAM): RAM động
BỘ NHỚ BÁN DẪN – RANDOM ACCESS MEMORY
BỘ NHỚ BÁN DẪN – RANDOM ACCESS MEMORY
o Fetch: truy xuất dữ liệu từ bộ nhớ
o Store: ghi dữ liệu vào bộ nhớ
o Memory access time
• Thời gian cần thiết để truy xuất hoặc ghi dữ liệu vào bộ nhớ
• RAM hiện đại thường yêu cầu 5-10 nanoseconds
o Memory address register (MAR): chứa địa chỉ bộ nhớ
o Memory data register (MDR): chứa dữ liệu
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
BỘ NHỚ BÁN DẪN – RANDOM ACCESS MEMORY
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
BỘ NHỚ BÁN DẪN – STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
SRAM - RAM tĩnh
• Thông tin ổn định, không tự mất dữ liệu theo thời gian.
• Các bit được lưu trữ bằng các Flip-Flop.
• Cấu trúc phức tạp do sử dụng một số lượng lớn các bóng bán dẫn.
• Dung lượng chip nhỏ.
• Tốc độ truy cập nhanh.
• Giá thành cao
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
• Dùng làm bộ nhớ cache.
BỘ NHỚ BÁN DẪN – STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
Có n chân địa chỉ (An-1-A0): •
truyền vào chip nhớ n bit địa chỉ đồng thời
Có m chân dữ liệu (Dm-1-D0): •
• trong chip nhớ có 2n từ nhớ
cho phép truyền đồng thời m bit dữ liệu
• độ dài từ nhớ là m bit
Dung lượng của chip SRAM 2n × m bit
Các chân tín hiệu điều khiển
• CS (Chip Select): tín hiệu điều khiển chọn chip nhớ làm việc
nhớ đã được xác định
• OE (Output Enable): tín hiệu điều khiển đọc dữ liệu của một từ
• WE (Write Enable): tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu vào một từ nhớ
đã được xác định
BỘ NHỚ BÁN DẪN – DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
DRAM - RAM động
• Các bit được lưu trữ trên mạch tụ điện
• Tự mất dữ liệu theo thời gian
➔ cần phải có mạch làm tươi (refresh).
• Cấu trúc đơn giản
• Dung lượng lớn
• Tốc độ chậm hơn
• Chi phí thấp
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
• Dùng làm bộ nhớ chính
BỘ NHỚ BÁN DẪN – DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
DRAM dùng n địa chỉ dồn kênh để nạp lần lượt (2 lần) địa chỉ hàng và địa chỉ cột vào đệm địa chỉ/
Dung lượng của chip DRAM 22n × m bit
Các chân tín hiệu điều khiển
• RAS (Row Access Strobe): điều khiển việc nạp địa
• CAS (Column Access Strobe): điều khiển việc nạp
chỉ hàng
địa chỉ cột
• W/R = 0 điều khiển ghi chip, W/R = 1 điều khiển
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
đọc chip
TỔ CHỨC CHIP NHỚ
Phần tử nhớ (ô nhớ) là các mạch D-latch lưu 1
bit.
Nếu write = 0
→ mạch sẽ ghi nhớ giá trị
Nếu write = 1
→ mạch sẽ cập nhật giá trị input
TỔ CHỨC CHIP NHỚ
TỔ CHỨC CHIP NHỚ
• Các đường địa chỉ:
A0-An-1 → 2n ngăn nhớ
• Các đường dữ liệu:
D0-Dm-1 → độ dài ngăn nhớ là m bit
• Dung lượng chip nhớ 2n m bit
• Các tín hiệu điều khiển
➢ Tín hiệu chọn (Chip Select, CS)
➢ Tín hiệu điều khiển đọc (Read, RD)
➢ Tín hiệu điều khiển ghi (Write, WR)
TỔ CHỨC CHIP NHỚ
• 8 bit EPROM
THIẾT KẾ MODULE NHỚ BÁN DẪN
• Dung lượng chip nhớ là 2n × m
• Thiết kế để tăng dung lượng
1. Tăng độ dài ngăn nhớ (tăng m)
2. Tăng số lượng ngăn nhớ (tăng n)
3. Kết hợp cả hai (tăng m và n)
BỘ NHỚ CHÍNH
• Cắc đặc trưng của bộ nhớ chính
• Là thành phần nhớ tồn tại trên mọi hệ thống máy tính
• Chứa các chương trình đang được thực hiện và các dữ liệu đang được sử
dụng
• Bao gồm các ngăn nhớ được đánh địa chỉ trực tiếp bởi CPU
• Dung lượng vật lý của bộ nhớ chính nhỏ hơn hoặc bằng không gian địa chỉ bộ
nhớ mà CPU quản lý.
TỔ CHỨC BỘ NHỚ CỦA 8086/8088
• 20 hàng địa chỉ ➔ 220 vị trí nhớ khác nhau ➔ tổng kích thước là 220 Bytes.
• Để tổ chức bộ nhớ hiệu quả (có thể truy cập 16 bit dữ liệu theo cấu trúc bus dữ liệu 16 bit của 8086), bộ
nhớ 8086 chia thành 2 nơi lưu trữ nhớ: odd bank và even bank
TỔ CHỨC BỘ NHỚ CỦA 8086/8088
• Các cách để dữ liệu đọc và ghi được miêu tả trong bảng trên.
• A0: các bit địa chỉ quan trọng (không được sử dụng cho chọn byte) được dự trữ để chọn bank.
Với A0 = 0 sẽ chọn Even bank.
• Tín hiệu BHE được sử dụng để chọn Odd bank.
• Bộ xử lý sẽ dựa vào hai tín hiệu để chọn loại truyền dữ liệu.
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
ĐỊA CHỈ VẬT LÝ VÀ ĐỊA CHỈ LOGIC (PHYSICAL ADDRESS, LOGICAL ADDRESS)
• Địa chỉ logic: Được tạo bởi CPU khi chương trình đang chạy. Là một địa chỉ ảo vì không
có cấu tạo vật lý ➔ Có thể gọi là Địa chỉ ảo (Virtual Address). Được sử dụng để CPU
tham chiếu đến vị trí nhớ vật lý. Thuật ngữ không gian địa chỉ logic được sử dụng cho
tập hợp tất cả các địa chỉ logic được tạo bởi chương trình. Phần cứng đơn vị quản lý
bộ nhớ được dùng để chuyển đổi địa chỉ logic vào địa chỉ vật lý.
• Địa chỉ vật lý: xác định vị trí thực của dữ liệu cần thiết trong bộ nhớ. Là địa chỉ hỗ trợ
cung cấp bộ nhớ vật lý cho việc thực thi các địa chỉ logic tương ứng
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
CÁC CHẾ ĐỘ ĐỊNH ĐỊA CHỈ
• Phương pháp định địa chỉ (addressing modes) là cách thức địa chỉ hóa trong
vùng địa chỉ của lệnh để xác định nơi chứa toán hạng.
o Định địa chỉ tức thời
o Định địa chỉ thanh ghi
o Định địa chỉ trực tiếp
o Định địa chỉ gián tiếp qua thanh ghi
o Định địa chỉ gián tiếp
o Định địa chỉ dịch chuyển
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
ĐỊNH ĐỊA CHỈ TỨC THỜI – IMMEDIATE ADDRESSING
• Toán hạng nằm ngay trong vùng địa chỉ của lệnh
• Toán hạng = A.
• Có thể được sử dụng để định nghĩa và sử dụng hằng số hoặc thiết
lập giá trị ban đầu của biến:
o Số thường được lưu dưới dạng bù 2. o Bit ngoài cùng bên trái của trường toán hạng là bit dấu
• Ví dụ: ADD 5
• Ưu điểm: không tham chiếu bộ nhớ ➔ truy cập toán hạng rất
nhanh
• Nhược điểm: Dải giá trị của toán hạng bị hạn chế bởi kích thước của trường địa chỉ. Vì trong tập lệnh, kích thước trường địa chỉ thường nhỏ hơn kích thước từ.
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
ĐỊNH ĐỊA CHỈ THANH GHI – REGISTER ADDRESSING
• Toán hạng được đặt tại thanh ghi đa chức năng 8 bit
hoặc 16 bit. Dữ liệu được lưu trong thanh ghi chỉ định
bởi câu lệnh.
• Chỉ cần tham chiếu một thanh ghi để truy cập dữ liệu.
Không yêu cầu tính toán thêm để thực hiện phép tính.
• Có sử dụng giá trị tạm thời.
• Lệnh sẽ xác định thanh ghi chứa địa chỉ toán hạng.
• Ví dụ: MOVE R1, R2.
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
ĐỊNH ĐỊA CHỈ TRỰC TIẾP – DIRECT ADDRESSING
• Trường địa chỉ chứa địa chỉ toán hạng.
• Địa chỉ hiệu dung (Effective Address – EA) =
trường địa chỉ toán hạng.
• Ví dụ: ADD (1001).
• Chỉ tham chiếu bộ nhớ 1 lần để lấy dữ liệu.
• Không cần tính toán để tìm EA.
• Hạn chế: Chỉ cung cấp một không gian địa chỉ
hữu hạn
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
ĐỊNH ĐỊA CHỈ GIÁN TIẾP THANH GHI – REGISTER INDIRECT ADDRESSING
• Offset của toán hạng được lưu vào một trong các
• Trường địa chỉ chứa tham chiếu địa chỉ hiệu dụng.
thanh ghi.
• Cần hai tham chiếu thanh ghi để truy cập dữ liệu.
Yêu cầu tính toán thêm để tìm tham chiếu địa chỉ
hiệu dụng.
• Sử dụng con trỏ.
• Ví dụ: ADD R1, (R2). Câu lệnh có thanh ghi R2 và
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
R2 có địa chỉ bộ nhớ toán hạng.
ĐỊNH ĐỊA CHỈ GIÁN TIẾP – INDIRECT ADDRESSING
• Trường địa chỉ tham chiếu đến địa chỉ của một từ
trong bộ nhớ chứa địa chỉ đầy đủ của toán hạng.
• Ví dụ: ADD (A).
• Ưu điểm: Không gian địa chỉ lớn, ví dụ: với một từ có
kích thước N cho phép một không gian địa chỉ 2N.
• Nhược điểm: một thực thi lệnh đòi hỏi hai lần tham
chiếu bộ nhớ để truy xuất toán hạng
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
ĐỊNH ĐỊA CHỈ DỊCH CHUYỂN – DISPLACEMENT ADDRESSING
• Kết hợp chế độ định địa chỉ trực tiếp và địa chỉ gián tiếp thanh ghi.
• EA = A + (R).
• Lệnh phải có 2 trường địa chỉ, ít nhất một trong hai phải có giá trị cụ thể:
o Giá trị trong một trường địa chỉ (giá trị = A) được sử dụng trực tiếp.
để tạo ra địa chỉ hiệu dụng.
• Các dạng phổ biển:
o Trường địa chỉ còn lại tham chiếu đến thanh ghi, nội dung trong thanh ghi đó được cộng với A
o Địa chỉ thanh cơ sở.
o Địa chỉ tương đối.
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
o Lập chỉ mục.
ĐỊNH ĐỊA CHỈ TƯƠNG ĐỐI – RELAVTIVE ADDRESSING
• EA = PC + giá trị trường địa chỉ.
• PC = PC + Giá trị tương đối
➔ Trường địa chỉ được coi là số bù 2
➔EA là một dịch vị tương đối của địa chỉ trong
lệnh.
• Lợi dụng tính cục bộ của bộ nhớ.
• Tiết kiệm bit địa chỉ trong lệnh nếu đa phần các
tham chiếu bộ nhớ ở tương đối gần với lệnh
đang được thực thi.
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
ĐỊNH ĐỊA CHỈ CƠ SỞ - BASED ADDRESSING
• EA = Thanh ghi cơ sở + giá trị trường địa chỉ.
• Thanh ghi cơ sở chứa địa chỉ cơ sở. Trường địa chỉ
• PC = Thanh ghi cơ sở + Giá trị tương đối.
• Tham chiếu thanh ghi có thể là cụ thể hoặc ngầm định.
• Giá trị dịch là biểu diễn số nguyên không dấu.
của lệnh chứa giá trị dịch vị dựa trên địa chỉ cơ sở:
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
• Khai thác tính cục bộ của tham chiếu bộ nhớ.
INDEXEX ADDRESSING
• EA được tính như định địa chỉ cơ sở.
• Ứng dụng hiệu quả cho các hoạt động lặp.
• Auto Indexed:
• Tự đông tăng: EA của toán hạng là nội dung của thanh ghi chỉ định trong câu
lệnh. Sau khi truy cập toán hạng, nội dung của thanh ghi tự động tăng để trỏ
tới vị trí bộ nhớ tiếp theo (R1)+.
• Tự động giảm: tương tự như tự động tặng, nội dung của thanh ghi tự động
giảm –(R1).
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
BỘ NHỚ THỨ CẤP – SECONDARY MEMORY
• Là bộ nhớ phụ nằm ngoài CPU.
• Ví dụ: Floppy disk, Tapes, Compact
discs,…
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
Bài tập
• Câu 1: Điện thoại thông minh ngày nay thường được trang bị DRAM thay vì SRAM, hãy
giải thích lý do.
• Câu 2: Tìm hiểu về cơ chế làm mới (refresh) của DRAM.
• Câu 3: Xác định bộ nhớ mà máy tính đang sử dụng, xác định thông tin của nhà sản xuất,
kiểu bộ nhớ và tốc độ.
• Câu 4: Theo anh/chị thì bộ nhớ của con người có phải là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên
(random access memory) hay không? Đưa ra lập luận và dẫn chứng cho câu trả lời của
mình.
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
THANK YOU FOR YOUR ATTENTIONS
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn
Kiến Trúc Máy Tính
