intTypePromotion=3

Bài thuyết trình Phát xạ quang điện tử

Chia sẻ: Lavie Lavie | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:18

0
35
lượt xem
5
download

Bài thuyết trình Phát xạ quang điện tử

Mô tả tài liệu
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Mời các bạn cùng nắm bắt những nội dung về hiện tượng quang điện tử, sự phát xạ quang điện tử đối với kim loại, sự phát xạ quang điện tử đối với chất cách điện và chất bán dẫn, yêu cầu của photocathode thông qua bài thuyết trình Phát xạ quang điện tử sau đây.

Chủ đề:
Lưu

Nội dung Text: Bài thuyết trình Phát xạ quang điện tử

  1. PHÁT XẠ QUANG ĐIỆN TỬ Nhóm thực hiện: _ Huỳnh Lê Thùy Trang _ Đào Vân Thúy
  2. I.LÝ THUYẾT 1. Hiện tượng quang điện tử 2. Sự phát xạ quang điện tử đối với kim loại 3. Sự phát xạ quang điện tử đối với chất cách điện và chất bán dẫn 4. Yêu cầu của photocathode
  3. 1.HIỆN TƯỢNG QUANG ĐIỆN TỬ Lịch sử của hiệu ứng quang điện _ Năm 1839 Alexandre Edmond Becquerel lần đầu tiên quan sát thấy hiệu ứng quang điện xảy ra với một điện cực được nhúng trong dung dịch dẫn điện được chiếu sáng. _ Năm 1887, Heinrich Hertz quan sát thấy hiệu ứng quang điện ngoài đối với các kim loại (cũng là năm ông thực hiện thí nghiệm phát và thu sóng điện từ. Sau đó Aleksandr Grigorievich Stoletov (1839-1896) ) đã tiến hành nghiên cứu một cách tỉ mỉ và xây dựng nên các định luật quang điện. _ Năm 1905 Albert Einstein đã lý giải một cách thành công hiệu ứng quang điện cũng như các định luật quang điện dựa trên mô hình hạt ánh sáng, theo Thuyết lượng tử vừa được công bố vào năm 1900 của Max Planck. Các công trình này đã dẫn đến sự công nhận về bản chất hạt của ánh sáng, và sự phát triển của lý thuyết lưỡng tính sóng - hạt của ánh sáng.
  4. 1.HIỆN TƯỢNG QUANG ĐIỆN TỬ Hiện tượng: Khi thông lượng bức xạ điện từ đập lên bề mặt một vật thể thì 1 phần bị phản xạ lại, 1 phần bị hấp thụ.Bức xạ bị hấp thu nên có thể: ☻ Làm xuất hiện những hạt tải điện mới (điện tử trong vùng dẫn và lỗ trống trong vùng lấp đầy) làm tăng độ dẫn điện ⟹ là hiện tương quang dẫn (hiệu ứng quang điện nội), Thí nghiệm của xuất hiện ở chất bán dẫn và chất cách điện. Millikan về hiện tượng quang điện ☻ Xuất hiện những điện tử có năng lượng lớn có thể vượt qua hàng rào thế năng và phát xạ ⟹ là hiệu ứng quang điện ngoại (phát xạ quang điện tử).
  5. ♦ Sự phụ thuộc của dòng vào cường độ: 1.HIỆN TƯỢNG QUANG ĐIỆN TỬ Dòng quang điện tăng tuyến tính với cường độ ánh sáng tới ♦ Sự phụ thuộc của dòng quang điện vào điện thế áp: Vs :thế hãm ⟹ I=0 _ Thế hãm tỉ lệ với động năng cực đại của quang điện tử: Kmax =eVs _ Thế hãm không đổi khi cường độ dòng thay đổi⟹động năng của quang điện tử không phụ thuộc cường độ tới ♦ Động năng phụ thuộc tuyến tính vào tần số ánh sáng tới
  6. 1.HIỆN TƯỢNG QUANG ĐIỆN TỬ ☻ ĐỊNH LUẬT STOLETOV Dòng quang điện tử (trong chế độ bão hòa) tỷ lệ thuận với dòng bức xạ đập lên cathode ☻ ĐỊNH LUẬT EINSTEIN Năng lượng cực đại của quang điện tử tỷ lệ thuận với tần số bức xạ và không phụ thuộc vào cường độ của nó:
  7. 2.PHÁT XẠ QUANG ĐIỆN TỬ ĐỐI VỚI KIM LOẠI ĐỊNH LUẬT EINSTEIN ╬ T > 0K: _Năng lượng của điện tử trong kim loại: ε + δW _Sau khi hấp thu năng lượng photon, điện tử có : W = ε + δW + hυ _Trên đường đi đến bề mặt kim loại, điện tử mất 1 năng lượng ΔW, sau khi vuot qua rào thế W0 ,điện tử còn động năng : mv2 /2 = ε + δW + hυ – ΔW – W0 = hυ + δW – ΔW – Φ0 _Động năng đạt cực đại khi: ΔW = 0, lúc đó: (mv2 /2)max =hυ – Φ0 + δW ╬ T = 0K: δW=0 Phương trình Einstein
  8. 2.PHÁT XẠ QUANG ĐIỆN TỬ ĐỐI VỚI KIM LOẠI Nhận xét: ♦ Sự phụ thuộc vào tần số của ánh sáng tới: Vận tốc của quang điện tử chỉ phụ thuộc vào tần số υ của bức xạ chiếu tới mà không phụ thuộc vào cường độ ánh sáng tới. ♦ Sự phụ thuộc vào cường độ ánh sáng tới: Dòng quang điện tỉ lệ với cường độ ánh sáng tới ( khi tăng cường độ ánh sáng tới tức tăng số photon thì số quang điện hay cường độ dòng quang điện tăng) ♦ Từ pt Einstein: hυ < Φ0 : hiệu ứng quang điện không xảy ra υ0 = Φ0 /h: biên đỏ của hiệu ứng quang điện ♦ Sự phụ thuộc thời gian của phát xạ quang điện tử Định luật Einstein chỉ nghiệm đúng khi T=0K với υ ≤ 1.5υ0 hoặc T>0K nhưng không lớn lắm (khoảng nhiệt độ phòng)
  9. 2. PHÁT XẠ QUANG ĐIỆN TỬ ĐỐI VỚI KIM LOẠI ☻Mật độ dòng phát xạ: LÝ THUYẾT FLOWER ♦ Xác suất hấp thụ photon của điện tử phải phụ thuộc vào tần số υ, cường độ, năng lượng photon ♣ Biễu diễn trạng thái điện tử trong kim loại bằng thuyết Sommerfield ♦Sự phân bố năng lượng điện tử sau khi hấp thụ photon ♣ Xét dãy tần số υ ~ υ0 ÷ 1.5υ0 ⟹ xác suất hấp thụ photon P của điện tử bất kỳ trong hiệu ứng quang điện là như nhau, P=const ♦Xác suất điện tử hấp thụ photon đến bề mặt kim loại và sự mất mát năng lượng trên đường đi của chúng. ♣ Hệ số truyền qua: ♦Hệ số truyền qua của điện tử được kích thích qua rào thế trên bề mặt kim loại …. ♣ Quang điện tử khi thoát ra ngoài chân không, không bị va chạm trong kim loại
  10. 2. PHÁT XẠ QUANG ĐIỆN TỬ ĐỐI VỚI KIM LOẠI ☻ Điện tử khí ở lớp trên bề mặt kim loại được chiếu sáng với tần số υ gồm 2 loại: + điện tử thông thường nằm gần mức Fermi: ở nhiệt độ thường (W0 – ε >> kT)⟹ không thể tự thoát khỏi kim loại. + điện tử được kích thích bởi hυ ☻Số điện tử có năng lượng trong khoảng từWx đến Wx + dWx đập lên 1 đơn vị diện tích bề mặt kim loại trong 1s: ☻ Số quang điện tử thoát ra trên 1cm2 bề mặt kim loại trong 1s: α là xác suất hay tỉ số giữa mật độ điện tử khí được kích thích bởi photon trên lớp bề mặt kim loại với mật độ điện tử khí thông thường, α = const
  11. 2. PHÁT XẠ QUANG ĐIỆN TỬ ĐỐI VỚI KIM LOẠI Đưa pt về dạng Với : Hàm số: ⟹Mật độ dòng quang điện tử: Hằng số nhiệt điện tử Sommerfield
  12. Nhận xét kết quả: TH: υ = 0 (và α = 1) TH: T > 0 K ☻ υ = υ0 ; x = 0 ⟹ Mật độ dòng: Mâu thuẫn với ĐL Einstein ☻ υ > υ0 ; x>> 1 Trùng với pt phát xạ nhiệt điện tử TH: T = 0K ☻ υ < υ0 ; x→ -∞ ⟹ jΦ = 0 : đúng JΦ phụ thuộc rất ít vào T với định luật Einstein ☻ υ < υ0 ; x υ0 ; x→ ∞ jΦ = αAo T2 Sự hấp thụ lượng tử tương đương sự giảm công thoát 1 lượng hυ
  13. 3.PHÁT XẠ QUANG ĐIỆN TỬ CỦA CHẤT BÁN DẪN VÀ CHẤT CÁCH ĐIỆN BÁN DẪN TINH KHIẾT VÀ CHẤT CÁCH ĐIỆN T= 0K Điều kiện để phát xạ quang điện tử hυ ≥ ψ + Eg Tần số biên của phát xạ quang điện tử υ0 : hυ0 = ΦΦ = ψ + Q0 ΦΦ :công thoát quang điện tử Công thoát phát xạ nhiệt điện tử: Cấu trúc vùng năng Φ0 = W0 – ε = ψ + Q0 /2 = ΦΦ – Q0 /2 lượng của bán dẫn tinh Ở T= 0K: đối với kim loại: Φ0 = ΦΦ khiết và chất cách điện ở T= 0 K
  14. 3.PHÁT XẠ QUANG ĐIỆN TỬ CỦA CHẤT BÁN DẪN VÀ CHẤT CÁCH ĐIỆN BÁN DẪN CÓ TẠP CHẤT Ở nhiệt độ thấp BÁN DẪN LOẠI P BÁN DẪN LOẠI N ♦Tần số biên được xác định: ♦Tần số biên được xác định: hυ0 = ΦΦ = ψ + Q0 hυ0 = ΦΦ = ψ + Q δ≈ Q/2 δ≈ Q/2 ♦ Hệ thức giữa ΦΦ và Φ0 có dạng: ♦ Hệ thức giữa ΦΦ và Φ0 có dạng: Φ0 = ΦΦ - δ Φ0 = ΦΦ - δ = ΦΦ – Q/2
  15. 4.YÊU CẦU CỦA Biên quang điện tử PHOTOCATHODE Lượng tử thoát (độ nhạy γ = số quang điện tử/ số hυ) ĐỐI VỚI KIM LOẠI ĐỐI VỚI CHẤT CÁCH ĐIỆN ☻ Độ nhạy rất nhỏ, luôn luôn không đổi ☻ Ở nhiệt độ thường phát xạ nhiệt điện tử ☻ Tần số biên luôn nằm hoàn toàn không xảy ra⟹ quan trọng đối với rất xavùng tử ngoại cathoade làm nhân quang điện ☻Biên quang điện tử của tất cả các kim loại ☻Không thuận lợi (trừ kim loại kiềm) đều nằm trong vùng tử ngoại hoặc ở biên vùng ánh sáng tím ☻Cathode kim loại được dùng khi cần có photocathode có độ nhạy lớn ở vùng tử ngoại
  16. 4.YÊU CẦU CỦA PHOTOCATHODE BÁN DẪN PHOTOCATHODE ♦ Nhận biết ánh sáng trong vùng khả kiến ♦ Có lượng tử thoát lớn ☻Hấp thụ quang điện tử là lớn nhất khi quang điện tử thoát ra từ vùng đầy vì số điện tử trong vùng đầy luôn lớn hơn vùng tạp chất. ☻Sự mất mát năng lượng của quang điện tử trên đường đi của nó đến bề mặt cathode là không nhiều Để thỏa yêu cầu của một photocathode thì ngoài lượng tử thoát lớn còn cần giảm công thoát quang điện tử ΦΦ⟹phủ lên bề mặt cathode 1 lớp đơn nguyên tử mỏng. PHOTOCATHODE BÁN DẪN PHỨC TẠP
  17. PHOTOCATHODE PHOTOCATHODE Ag-Cs2O-Cs Cs3Sb Cathode bán dẫn loại n Độ nhạy tích phân: Cathode bán dẫn loại p
  18. Đặc trưng của phổ photocathode 1. Cs3Sb không trong suốt 2. Cs3Sb trong suốt 3. Ag-Cs2O-Cs (theo tỷ lệ xích bên phải) Cs3Sb( photocathode hiệu dụng) Ag-Cs2O-Cs _ Bước sóng biên quang điện λ0 _ Biên quang điện λ0 lớn hơn 12000- ≈6200÷7000A0 (ΦΦ ≈1.7÷2eV) :nhờ sự 14000A0 (ΦΦ ≈0.87÷1eV) phát xạ từ mức tạp chất aceptor _ Cực đại thứ nhất(λ max≈3500A0 ):γ _Tại miền cực đại (λmax ≈0.01, STP ≈2mA/Watt, đủ lớn. ≈4200÷4500A0): γ rất lớn (0.25÷0.3),, _ Cực đại thứ 2 (λmax ≈8000÷8500A0 ) độ độ nhạy tích phân đạt khoảng nhạy phổ trong vùng hồng ngoại (loại 60÷100mA/Watt, do dự phát xạ quang cathode phát xạ duy nhất có độ nhạy lớn điện tử ở vùng hóa trị. trong vùng hồng ngoại. Mật độ dòng nhiệt tương đối nhỏ 10-16 Mật độ dòng nhiệt lớn 10-13 ÷ 10-11 A/cm2 ÷10-15 A/cm2 (ở nhiệt độ phòng)

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

 

Đồng bộ tài khoản