NG PHÁP CÁC PH ƯƠ CH T O MÀNG M NG Ế Ạ
Ỏ
SPUTTERING
-DC sputtering -RF sputtering -Magneton sputtering
Ố
B C BAY LASER XUNG (Laser Pulze Deposition-PLD) EPITAXY CHÙM PHÂN T (Ử Molecular Beam Epitaxy-MBE)
SPUTTERING
C ch : ế ơ
ạ
ứ
tr ừ ườ trên bia l ng đ ng trên đ nguyên t + ion hóa h t trung hòa thanh ion + Tăng tôc ion trong t ắ ử ắ ọ ng b n phá bia, b c các ế
DC SPUTTERING
+ Dùng hi u đi n th 1 chi u ệ ệ ế ề
+ Khí th ng dùng là Ar, He ườ
-7 torr
+ Áp su t kho ng 10 ấ ả
ệ
m t ỉ ở ộ
+ Bia ph i d n đi n ả ẫ + Bia ch b b n phá ị ắ c a chu kỳ âm c a HĐT ủ ủ
RF SPUTTERING
+ Dùng hi u đi n th xoay chi u ệ ệ ế ề
+ Bia không c n ph i d n đi n ả ẫ ệ ầ
ấ
+ Dùng ph i tr kháng đ tăng công su t cũng nh ư ể b o v dòng đi n ố ở ệ ệ ả
ng và âm ị ắ ả ươ
+ Bia b b n phá trong c 2 chu kỳ d c a HĐT ủ
MAGNETON SPUTTERING
ệ tr ặ ừ ườ ặ ằ
ệ ng d ậ
+ vào bia nhi u h n ả
+ Dùng hi u đi n th DC ho c xoay chi u ế ề i bia nh m giam hãm electron và các ion + Đ t t ướ giúp tăng va đ p c a Ar ơ ủ + Bia b b n phá trong c 2 chu kỳ d ng và âm c a HĐT ề ươ ị ắ ủ
Ư
U ĐI M: Ể
ề ớ
+ D t o các màng đa l p nh t o nhi u bia khác nhau ờ ạ + Đ bám dính c a màng lên đ cao (do đ ng năng h t l n) ế ễ ạ ộ ạ ớ ủ ộ
ề ặ ấ
ng đ i h n b c bay) ộ ấ ộ ố ơ ố
+ Đ m p mô b m t th p + Tính đ dày khá chính xác (t + R ti n, d th c hi n, khai tri n đ i trà ệ ễ ự ươ ể ẻ ề ạ
Ư
U ĐI M: Ể
+ Không th t o ra màng đ n tinh th ể ạ ơ ể
+ không t o đ c đ dày chính xác cao ạ ượ ộ
+ Các ch t có hi u su t phún x khác nhau nên vi c t h p các ệ ổ ợ ệ ấ ạ ấ
bia t o màng đa l p cũng tr nên ph c t p ứ ạ ạ ở ớ
pulsed-laser deposition)
PPBB B NG XUNG LASER (
Ằ
+ Dùng chùm laser có xung c c ự ng n và công xu t l n ấ ớ ắ
Ư
U ĐI M: Ể
+ V t li u làm bia r t đa d ng, và ch c n kích th c nh ậ ệ ỉ ầ ạ ấ ướ ỏ
+ Chi u xuyên qua các v t li u trong su t vào bu ng chân ậ ệ ế ố ồ
không mà không b gi m năng l ng ị ả ượ
+ Ion hóa các bia có năng l ng ion hóa l n ượ ớ
c màng siêu m ng, siêu c ng, ch t l ng cao + T o đ ạ ượ ấ ượ ứ ỏ
+ Dùng nhi u bia đ t o màng đa l p ể ạ ề ớ
NH
ƯỢ
C ĐI M: Ể
+ Có th xu t hi n các phân t l n ể ệ ấ ử ớ
c chính xác đ dày + khó ki m soát đ ể ượ ộ
ề ặ
+ b m t màng trên đ g g ế ồ ề
PP EPITAXY CHÙM PHÂN T (Ử Molecular-beam-epitaxy)
-9 Torr r t th p, t ng h t s đ n và
ng có công su t r t cao 10 ừ ấ ấ ử ấ ạ ẽ ế ấ ạ ườ ữ
ế
( ki m soát ả
/m h
m 1
c ghi ng cao (RHEED) ượ ph nhi u x đi n t ổ ạ ệ ử đ ễ ể ượ
+ Đ t trong môi tr ặ + T l va ch m gi a các nguyên t ỉ ệ l ng đ ng trên đ ắ ọ ng dùng k thu t + ng i ta th ậ ỹ ườ ườ nhi u x đi n t ph n x năng l ạ ệ ử ạ ễ quá trình m c màng thông qua ọ tr c ti p ự ế ) + T c đ phát tri n màng ộ ố ể
Ư
U ĐI M: Ể
c kh ng ch chính xác đ n t ng l p + T c đ m c màng đ ộ ọ ố ượ ế ừ ế ớ ố
nguyên tử
+ T o màng đ n tinh th trên m t đ đ n tinh th ể ộ ế ơ ạ ơ ể
, quan + Có th t o thành t ng đ o nh hay t ng l p nguyên t ả ể ạ ừ ừ ỏ ớ ử
trong trong ch t o bán d n ế ạ ẫ
NH
ƯỢ
C ĐI M: Ể
6 USD
+ h MBE v n hành khá ph c t p và t n kém 10 ứ ạ ệ ậ ố
t b MBE t
nh ch p thi ụ
ế ị
Ả Laboratory cho phép ch t o các
i William R. Wiley Environmental Molecular Sciences ạ ế ạ
màng m ngỏ ôxit và g mố
Atomic structure of graphene.
