CÁC PH NG PHÁP ƯƠ
CH T O MÀNG M NGẾ Ạ Ỏ
SPUTTERING
-DC sputtering
-RF sputtering
-Magneton sputtering
B C BAY LASER XUNG (Laser Pulze Deposition-PLD)Ố
EPITAXY CHÙM PHÂN T (ỬMolecular Beam Epitaxy-MBE)
SPUTTERING
C ch : ơ ế
+ ion hóa h t trung hòa thanh ionạ
+ Tăng tôc ion trong t tr ng b n phá bia, b c các ừ ườ ắ ứ
nguyên t trên bia l ng đ ng trên đử ắ ọ ế
DC SPUTTERING
+ Khí th ng dùng là Ar, Heườ
+ Dùng hi u đi n th 1 chi uệ ệ ế ề
+ Áp su t kho ng 10ấ ả -7 torr
+ Bia ph i d n đi n ả ẫ ệ
+ Bia ch b b n phá m t ỉ ị ắ ở ộ
c a chu kỳ âm c a HĐTủ ủ
RF SPUTTERING
+ Dùng hi u đi n th xoay chi uệ ệ ế ề
+ Bia không c n ph i d n đi n ầ ả ẫ ệ
+ Dùng ph i tr kháng đ tăng công su t cũng nh ố ở ể ấ ư
b o v dòng đi nả ệ ệ
+ Bia b b n phá trong c 2 chu kỳ d ng và âm ị ắ ả ươ
c a HĐTủ
MAGNETON SPUTTERING
+ Dùng hi u đi n th DC ho c xoay chi uệ ệ ế ặ ề
+ Đ t t tr ng d i bia nh m giam hãm electron và các ion ặ ừ ườ ướ ằ
giúp tăng va đ p c a Arậ ủ + vào bia nhi u h nề ơ
+ Bia b b n phá trong c 2 chu kỳ d ng và âm c a HĐTị ắ ả ươ ủ