Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Nghiên cứu vật lý linh kiện và thiết kế transistor hiệu ứng trường xuyên hầm có cấu trúc pha tạp đối xứng
Luận văn nhằm nghiên cứu vật lý linh kiện và khảo sát thiết kế các TFET có cấu trúc pha tạp đối xứng. Cụ thể, đề tài đề xuất nghiên cứu chi tiết TFET pha tạp đối xứng dựa trên xuyên hầm điểm, giải thích khả năng tăng dòng dẫn và giảm dòng rò lưỡng cực của cấu trúc TFET được nghiên cứu.