iii
MỤC LỤC
LỜI CAM ĐOAN ................................................................................................................... i
LỜI CẢM ƠN ........................................................................................................................ ii
Danh mục hình vẽ .................................................................................................................. 1
Danh mục bảng ...................................................................................................................... 5
Danh mục ký tự viết tắt ......................................................................................................... 6
Đặt vấn đề .............................................................................................................................. 8
1. Lý do chọn đề tài ........................................................................................................ 8
2. Mục tiêu của luận án ................................................................................................... 8
3. Phương pháp nghiên cứu ............................................................................................ 9
4. Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của luận án ................................................................. 9
5. Các kết quả mới của luận án ....................................................................................... 9
6. Cấu trúc của luận án ................................................................................................. 10
CHƯƠNG 1. TỔNG QUAN VỀ BÁN DẪN GaN VÀ LINH KIỆN GaN HEMT ............ 12
1.1. Tổng quan về vật liệu bán dẫn vùng cấm rộng ......................................................... 12
1.2. Thông số kỹ thuật của linh kiện bán dẫn vùng cấm rộng ......................................... 14
1.2.1. Hệ số phẩm chất Baliga (Baliga’s Figure of merit - BFoM) ............................. 15
1.2.2. Hiệu suất chuyển đổi điện ................................................................................. 16
1.2.3. Công nghệ chế tạo phiến bán dẫn GaN ............................................................. 18
1.3. Tổng quan về transistor dựa trên bán dẫn có độ linh động điện tử cao .................... 19
1.3.1. Cấu trúc HEMT cơ bản...................................................................................... 19
1.3.2. Phân cực tự phát và phân cực áp điện ............................................................... 20
1.3.3. Nguyên lý hoạt động của HEMT ....................................................................... 23
1.3.4. Tiếp giáp Ohmic ................................................................................................ 27
1.3.5. Tiếp giáp Schottky ............................................................................................. 29
1.4. Ứng dụng của linh kiện GaN HEMT........................................................................ 33