Nghiên cứu sự phân bố của nguyên tử antimony trong màng Ge/Gi đồng pha tạp Sb và P sử dụng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
Trong bài báo "Nghiên cứu sự phân bố của nguyên tử antimony trong màng Ge/Gi đồng pha tạp Sb và P sử dụng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử", tác giả đưa ra một cách tiếp cận mới để tăng nồng độ điện tử tổng cộng trong lớp Ge. Vì độ hòa tan của mỗi nguyên tố trong vật liệu nền là hoàn toàn xác định nên ta có thể tăng mật độ tổng cộng của điện tử bằng cách sử dụng kỹ thuật đồng pha tạp. Trên cơ sở đó tác giả nghiên cứu màng Ge pha tạp điện tử mật độ cao sử dụng kỹ thuật đồng pha tạp P và Sb.
