Bài 4

C M BI N ĐI N DUNG. C M BI N ÁP

Ế Ệ ĐI N. NHI T ĐI N TR

1

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

ệ ứ

ế

ầ ử ả

ạ ộ

ế ự

ư

c m  bi n    đi n  theo  các  ,  di n  tích  các

ả ụ

2.3.1. Khái ni m,  ng d ng ­  Khái  ni m:ệ  C m  bi n  đi n  dung  là  nh ng  ph n  t ho t  đ ng  d a  trên  s   thay  đ i  đi n  dung  c a  t ặ đ c  tính  c a  nó  nh :  Kho ng  cách  gi a  2  b n  t ả ụ  hay tính ch t đi n môi gi a các b n t b n t

ủ ụ ệ ả ụ ệ .

­  ng d ng:

ộ ị

ế + Đo đ  d ch chuy n tuy n tính, d ch chuy n góc

ướ

+ Đo kích th

ộ c, góc, m c, n ng đ , phân tích thành ph n

ộ ẩ

ấ + Đo đ   m, áp su t

+…

2

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

.S

d

=

C

ee 0. d

S

ủ ả ự

S ­ di n tích c a b n c c

ố ệ

ng

ườ

ả ự   d ­ kho ng cách gi a hai b n c c    (cid:0)  ­ h ng s  đi n môi c a môi tr   (cid:0)

0 = 8,85.10­12F/m;

ủ ụ ệ

 đ  thay đ i đi n dung c a t

ể  đi n ta có th  thay đ i S, d,

(cid:0) .

3

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

ệ ủ

ự a. C m bi n đi n dung d a trên s  thay đ i di n tích đ i di n c a

ế các c c Sự

TÊm dÞch chuyÓn

C

TÊm cè

S

d

®Þnh

l

l

ee

.

S .

=

C

l .

0 d

ee a . . = 0                 d

ủ ấ

ề ộ

Trong đó a là b  r ng c a t m.

4

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

ế ả ạ ượ ể ạ C m bi n lo i này có th  đ ng góc quay:

-

(

.

0

=

j

j

(

)

C

0

-

0 ­ giá tr  góc ban đ u c a 2 b n c c;

(cid:0) ể ượ ử ụ c s  d ng đ  đo đ i l ) ee 2 2 r r . 1 2 d 2 0 ầ ủ ả ự ị

(cid:0) ể ủ ế ộ ị ị

ầ ả ự ả ự ế ạ ớ ­ giá tr  góc quay c n đo, là góc d ch chuy n c a m t phi n  i; b n c c so v i phi n b n c c cũn l

5

ả ự ủ ế r2 , r1  ­ bán kính ngoài và bán kính trong c a phi n b n c c.

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

ế ệ ự ự ổ ả ả b) C m bi n đi n dung d a trên s  thay đ i kho ng cách hai c c d

C

TÊm

TÊm

d

cè ®Þnh

dÞch chuyÓn

S

d

ee

.

S .

=

C

= ee .

a l . . .

0

0 d

1 d

6

ế ể ạ ả ượ ộ ị ể ớ ụ ế C m bi n lo i này có th  đo đ c đ  d ch chuy n l n đ n hàng ch c cm

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

ổ ủ ự ế ệ ệ ấ ả . c) C m bi n đi n dung d a trên s  thay đ i c a ch t đi n môi

C1

C2

l2

l1

ee

l a

l a

=

ee =

C

C

,

1

2

e

e

=

e

C = C1+C2

C

l .(

+ )

e (

e + l .

e .(

l ).

1

0 1 1 d l 2

l 2 2

1

2

2

1

a 0 d

0 2 2 d a = e 0 )                 d

a e 0 d

- -

ề ấ ả ự l ­ chi u dài t m b n c c

ả ế ượ ứ c dùng đ  đo m c ch t l ng và ch t b t,

ạ ầ ể ấ ầ ộ

7

GV: Vũ Xuân Đ cứ

ấ ỏ ọ ủ ả ế ệ ặ

ế ấ ộ C m bi n lo i này đ ề ồ phân tích thành ph n v  n ng đ  các ch t trong hóa h c, hóa d u và  ệ trong các ngành công nghi p khác. Đ c tính tĩnh c a c m bi n đi n  ạ dung lo i này là tuy n tính. ọ Môn h c: PTTĐ

*

ơ ả

ỏ ố ượ ng nh

ế ộ

ượ

ể c đi m: ấ ệ

8

ặ ổ ổ ườ ng. Ư ể u đi m: • C u t o đ n gi n. ấ ạ • Kích th ướ c, kh i l • Đ  nh y cao, đo tín hi u vào nh . ỏ ạ ộ • Không có ti p xúc, tác đ ng nhanh. Nh • Công su t tín hi u ra nh . ỏ • Đ c tính không  n đ nh, thay đ i theo môi tr ị

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

ệ ứ ụ

ự ế ạ ộ  c m bi n ho t đ ng d a trên 2.4.1. Khái ni m,  ngd ng:             ầ ử ả ệ ế Khái ni mệ : C m bi n áp đi n là ph n t ả

ệ ứ ệ hi u  ng áp đi n

ệ ứ ệ ậ ­ Hi u  ng áp đi n thu n

=

K

d

ệ ứ ệ ị ­ Hi u  ng áp đi n ngh ch

ộ ệ Đ  áp đi n

Q F Q ­ đi n tích xu t hi n trên b  m t

ề ặ ệ ệ ấ

ự ộ F  ­  l c tác đ ng :

ụ ng d ng: ự ố ượ ố ấ ­ Đo l c, áp su t, gia t c, kh i l ậ ố ng, v n t c góc...

9

ự ế ố ế ả ấ ế ­ D i đo l c đ n 10000N, áp su t đ n 100N/mm2,  gia t c đ n 1000g

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

ế ạ ậ ệ

ự ạ T  nhiên: th ch anh , tumali..

ự ề ạ ố ), Chì a. V t li u ch  t o: • • Nhân t o: g m áp đi n có tính phân c c trên n n Bari Titanat (

ế ệ  ). Titanat ( ), Thi c chì (

ạ ậ ệ ườ ằ i  ta  hay  dùng  g m  PZT  đ

ượ ứ ố ớ ế ạ c  ch   t o  b ng  1ZrxO3 (x    ̴

V t  li u  nhân  t o  ng cách nung các oxit Chì, Zirconi và Titan v i công th c PbTi 0.5).

ấ b. C u trúc:

ụ X ­ tr c đi n Y ­ tr c cụ ơ ụ

Z ­ tr c quang

10

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

ạ ộ

ắ c. Nguyên t c ho t đ ng:

ệ ọ l c  F tác đ ng theo tr c  X, đi n tích trên các m t vuông góc v i

­ Áp đi n d c:

tr c X :

Q=Kd.F

­ Áp đi n ngang:

= -

ộ K

Q

F

d

ự l c  F tác đ ng theo tr c  Y b a

ướ ủ ả

ế

ướ

c c a c m bi n áp đi n theo h

ng tr c  X và Y (nh n xét)

'

'

'

=

=

=

=

U

* k F .

0

a,b ­ kích th     Q=k’.F ệ Đi n áp

hai c c:

Q k F = C

. C

k F a . . e S .

k F a . . e h b . .

p

p

x

x

C

p

ầ ử

Cp – đi n dung c a ph n t

áp đi n:

ế

ậ ệ

ế

.(cid:0) S a ố ệ

ệ ε – h ng s  đi n môi c a phi n v t li u áp

ủ Sx=h.b – di n tích c a phi n áp đi n,

đi nệ

Khi h

ấ ủ ọ

ặ ộ

ệ ụ

ng tác đ ng c a F thay đ i (nén ho c kéo), d u c a đi n tích trên  các m t c a c m bi n s  thay  đ i. Khi tác đ ng l c  d c theo tr c Z, hi u  ứ

ướ ặ ủ ả ệ

ộ ủ ế ẽ ấ

ng áp đi n không xu t hi n.

11

(cid:0)

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

ệ ụ ụ ơ

ụ ụ ụ

ạ ụ

Tr c X đi qua tâm,n i hai đi n tích trái d u ­ tr c đi n Tr c Y đi qua tâm, vuông góc v i các c nh – tr c c Tr c Z vuông góc v i các tr c X,Y – tr c quang.

12

ơ ế ệ C  ch  áp đi n:

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

ơ ồ ế

ế

S  đ  x p ch ng phi n áp đi n:

d)

ầ ử

a) Hai ph n t

song song

b) Hai ph n t

ầ ử ố ế  n i ti p

ầ ử

ề c) Nhi u ph n t

song song

ơ ồ ấ ạ

ộ ả

ế

ế

ế

d) S  đ  c u t o m t c m bi n áp đi n g m nhi u phi n áp đi n x p song song

13

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

=

U

F

0

a. Khi không có t

i:ả

p

Q K = .d C C            p

d

ế ạ ủ ả   Đ  nh y c a c m bi n

=

K

0

K C

p

b. Khi có t

ộ ả

ư

ế

i:ả ả ượ ố ớ ầ

c n i v i đ u ra b  c m bi n áp đi n, đ c tr ng b i đi n tr   R

T i đ

ở H và CH

ử ụ

CH >> CP ­ Khi s  d ng th ch anh

ử ụ CH << CP ­ Khi s  d ng g m áp đi n

ạ ủ ả

Đ  nh y c a c m bi n áp đi n: K

K

0

ế dU ra dF

d C

C

H

P

F

Qn .

(cid:0) (cid:0) (cid:0)

K

U

d

ra

ế

ế

Khi có n phi n áp đi n x p ch ng song song:

C

Cr .

P

H

C

P

C H n

K

*

(cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0)

K

K

U

F

K

.*

S

0

ra

S

Hay                             v i ớ

(cid:0) (cid:0) (cid:0)

C

P

d C H n

14

(cid:0)

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

u đi m:

ề ấ

ỏ ộ ướ ậ c nh , đ  tin c y cao,

ượ ạ ượ ổ ấ c các đ i l ụ ư ộ ng thay đ i r t nhanh (ví d  nh  đ

Ư ể • Đ n gi n v  c u trúc,  ơ ả • Kích th • Kh  năng đo đ ả rung).

ượ

ạ ộ

ệ ệ ầ ớ

ể Nh c đi m: • Đ  nh y không cao,  • Đi n tr  đ u vào m ch đo l n, tín hi u đ u ra nh . ỏ ạ ở ầ

15

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

ạ ả ế Phân lo i c m bi n đo nhi ệ ộ t đ :

Có 2 nhóm chính:

ế ế ớ ườ ồ ả ế : c m bi n ti p xúc v i môi tr ng đo, bao g m:

ả ệ ế ở t k  giãn n );

ệ ở ệ ở t đi n tr );

ệ ẫ t ng u;

16

ế : ho  kả ế ả ế ­ C m bi n ti p xúc   C m bi n giãn n  (nhi ở ế   C m bi n đi n tr  (nhi ệ ế ả   C p nhi ặ ế ả ­ C m bi n không ti p xúc

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

ế ế ể ả ở t đi n tr  là ph n t

3.1.1. Khái ni m: ệ ạ ộ ệ C m bi n nhi ự ầ ử ả ự ở ệ ộ ổ ủ ự ệ ệ ổ t đ  ho t đ ng d a trên s  thay đ i đi n tr  theo s  thay đ i c a nhi c m bi n dùng đ  đo  ệ t

nhi độ

ủ ả ạ ộ ế ệ ở 3.1.2. Nguyên lý ho t đ ng c a c m bi n nhi

ệ t đi n tr ở ấ ủ ậ ệ ự ự ệ ệ ẫ

0.

(cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) ặ ậ ệ ổ Nguyên lý chung: d a vào s  thay đ i đi n tr  su t c a v t li u d n đi n  ệ ộ ẫ ho c v t li u bán d n theo nhi t đ .   TR TTFR 0

ổ T ng quát:

ở ậ ệ ạ ệ ướ i nhi c nào đó; t đ  T R0 ­ đi n tr  v t li u t

0

ậ ệ ư ế ặ F ­ hàm đ c tr ng cho v t li u ch  t o c m bi n,  F=1 khi T=T

ệ ộ 0 quy  ế ạ ả

2

3

=

+

+

+ AT BT

(1

),

0 :[ C]

CT ồ

ế ạ ậ ệ

=

)

( R T

exp

T K :[

]

R 0

1 T 0

� � 1 -� B � T � �

� � , � � � �

V t li u ch  t o: T R R T ( ) ­ Kim lo i: (Platin, Wonfram, Niken, Đ ng...):  ạ 0

GV: Vũ Xuân Đ cứ

ệ ố ượ ạ ậ ệ ừ ệ ￯￯ � ￯￯ ẫ ­ Bán d n:(Silic, Germany,…)   ­ Oxyt bán d n.ẫ (A,B,C ­ các h  s  đ c tính theo th c nghi m cho t ng lo i v t li u khác ự 17

ọ Môn h c: PTTĐ nhau

*

ổ ệ ộ Khi thay đ i nhi

TR

TR

T

R

(cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) (cid:0) ị ΔT không l n: ớ t đ  T xung quanh m t giá tr    (cid:0)T ộ            (cid:0)1

1 TR

TdR dT

(cid:0) R đ  Tộ

(cid:0) (cid:0) (cid:0) ệ ố ệ ạ ộ ệ ở ạ ủ ệ ­ h  s  nhi t (đ  nh y nhi ệ t) c a đi n tr  t i nhi t (cid:0) (cid:0)

ầ ở ệ

0 l n mà kích th

ρ ố ớ ậ ệ Yêu c u chung đ i v i v t li u làm đi n tr :  ầ ủ ớ ể ệ ở ớ ướ ệ đ  l n đ  đi n tr  ban đ u R ­  Có đi n tr  su t c nhi t

ệ ở ấ ỏ ế ẫ k  v n nh .

ấ t nh t là luôn luôn không đ i d u, không

ệ ệ ị ố ổ ấ ở ổ t đi n tr   n đ nh, t

ệ ố ­  H  s  nhi ệ t tiêu. tri

ở ả ệ ộ ệ ủ ộ ề ơ ­  Có đ  đ  b n c , hoá d i nhi t đ  làm vi c.

18

ễ ả ế ­  D  gia công và có kh  năng thay th .

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

ậ ệ ế ạ a. V t li u ch  t o:

ạ (Resistance Temperature Detector ­  ồ

ế ườ ằ ở ệ t đi n tr  kim lo i  Các c m bi n nhi ế ạ ượ ng đ c ch  t o b ng Platin và Niken, Đ ng, Vonfram.

ả RTD)  th ư ặ ủ Đ c tr ng c a Cu :

0C­1800C;

ệ ệ ộ t đ  làm vi c: 50

t=R0(1+ t),α

ệ ộ ệ ữ ệ ở t đ :   R

­3/0C

α α Ở ả ệ ủ kho ng nhi ệ ộ 0C­1000C: t đ  0 =3,9.10 ả ­ D i nhi ­ Quan h  gi a đi n tr  và nhi ệ ố  là h  s  nhi t c a Cu.

ở ạ ệ i nhi ệ ộ 0C t đ  0 R0 ­ đi n tr  t

.

ư Khi ch a bi t R

2

ể ứ + t t ( ) 2 + t t ( ) 1

ế 0 có  th  s  d ng bi u th c: ể ử ụ = R R t t 1

ở ủ ả ế ứ ệ ớ t đ  t Rt1 và Rt2 là đi n tr  c a c m bi n  ng v i nhi ệ ộ 1 và t2,

19

α τ ằ τ             =1/ ố  ­ h ng s ,   = 234

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

ậ ệ

a. V t li u ch  t o

ế ạ  (tt)

ư

Đ c tr ng c a Pt

:

ệ ộ

ả ­ D i nhi

ệ t đ  làm vi c khá r ng  t

­200

0C  1000→

0C

ệ ố ­ H  s  nhi

ệ t đi n tr

ằ ở ở 0C b ng 3,97.10

0

­3/0C .

ớ ộ

ế ấ

­ Có th  ch  t o v i đ  tinh khi

t r t cao (99,999%) do đó tăng đ  chính xác c a các

ể ế ạ ệ

ấ tính ch t đi n;

­ Có tính tr  v  m t hoá h c và tính  n đ nh c u trúc tinh th  cao do đó đ m b o tính

ổ ệ

ơ ề ặ ề

n đ nh cao v  các đ c tính d n đi n;

ế

0

2

ặ ­ Có đ c tính phi tuy n: = (cid:0)

=

+

(

)

(

T

0 650

:

R 0

0

3

= -

C R T (

) =

1 (

)

C R T

) + AT BT ,                 + + 2 AT BT

T

:

+ 1

200 0

C T (

100)

,

R 0

(cid:0) -

3

0

7

0

2

12

0

3

=

= -

A

C

B

C

= - C

C

3,96.10 /

;

5,847.10 /

,

4,356.10

/

ượ

ế ạ ướ

ử ụ ng s  d ng nhi

c ch   t o d

i

ế

­ Trong th c t ạ d ng chu n P

ở t đi n tr  Platin đ ệ ộ ừ 0C­1000C. Khi đó :

ệ t đ  t

ệ  0

ự ế ườ ườ  ng i  ta th ả ể ẩ t100 đ  làm c m bi n đo nhi

3,9.10

­3/0C

Rt=R0(1+ t),

α α ≈   20

- - -

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

ậ ệ a. V t li u ch  t o

ủ ư ặ Đ c tr ng c a Ni ế ạ  (tt) :

0C­2600C;

3

0

=

C

4,7.10 /

ệ ộ ệ ả ­ D i nhi t đ  làm vi c: 195 -

a 0C­1000C  thì

ệ ệ ả ở ệ ố ­ H  s  nhi t đi n tr  cao, trong kho ng 0

Ni ộ ở ở 0C. Do đ  nh y nhi

ệ ở ở ệ ầ ớ ạ ệ 100 t cao

ớ ỏ ấ 0Cl n g p 1,617 l n đi n tr   Đi n tr   ế ế ạ ả nên cho phép ch   t o c m bi n v i kích th 0 ướ c nh

ễ ị ở ệ ộ ệ ố ự ổ ả ị ệ ­ D  b  oxy hoá khi nhi t đ  cao làm gi m s   n đ nh h  s  nhi t

21

ở ấ ủ ệ ấ ầ Đi n tr  su t c a Ni cao g p 5 l n Cu

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

ở t đi n tr : là m t đi n tr  thay đ i tr  s  theo nhi

ấ ạ b. C u t o ầ ử ệ ổ ị ố ệ ệ ộ ở ­ Ph n t nhi ệ ộ t đ

ầ ử ố ­ Các dây n i ph n t và máy đo

22

ỡ ị ầ ử ị ệ ở ­ Gá đ  đ nh v  ph n t nhi ệ t đi n tr

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

ệ ệ nhi

ộ ậ ườ ượ ặ ng là m t cu n dây ho c màng đi n d n. Dây  c ệ ẫ ng  dây  đ

ở ườ ể ị ầ ử t đi n tr  th Ph n t ơ ể ề ố cu n  theo  nhi u  ki u:  ki u  đ n  ho c  ch p  đôi.  Thông  th ệ ệ ố cu n trên lõi cách đi n ch u nhi ộ            ặ t cao

ơ

23

GV: Vũ Xuân Đ cứ

ố ố

ể ể ọ Môn h c: PTTĐ ể ỏ a) Ki u dây cu n đ n ậ b) Ki u dây cu n ch p đôi c) Ki u màng m ng

ủ ả ế ể Ư ượ c đi m c a c m bi n RTD

ổ u đi m: ạ ộ

t.

ượ

ứ ậ

0C ).

24

t đ  đo không cao (không quá 600 c.  u, nh Ư ể • Ho t đ ng  n đ nh; ị • Đ  chính xác cao; • Không c n bù nhi ệ ầ ể  Nh c đi m: • Giá thành cao; • Đ  nh y th p ấ ạ • Th i gian đáp  ng ch m; ờ • D i nhi ệ ộ ả

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

ế ệ ẫ ượ c ch  t o t h n

ệ t đi n tr  oxit bán d n (Thermistor) đ ẫ ể ư ế ạ ừ ỗ 2O4, Mn2O3, Fe3O4, NiO,

=

)

( R T

exp

R 0

1 T 0

� � 1 -� B � T � �

� � � � � �

ở ả C m bi n nhi ợ h p oxit bán d n đa tinh th  nh : MgO, MgAl ZnTiO4,...

(cid:0) (cid:0)

R t đ  T

(cid:0) ệ ộ 0(K).

B 2T

ở ở ệ nhi R0(T)  ­ đi n tr

=

B

B

, (

K 3000 5000 )

R 1 R 2

1 ln �-� � 1 1 � T T � � 1 2

25

ộ ệ ạ Đ  nh y nhi ạ t có d ng:  = (cid:0)

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

ể Ư ượ ủ ả ế ệ ộ c đi m c a c m bi n nhi t đ  Thermistor:

u đi m: ạ ớ ự ỏ ủ ộ ổ ệ ộ ả t đ ; d i đo nhi ệ ộ ừ t đ  t ộ  vài đ u, nh Ư ể • Đ  nh y cao v i s  thay đ i nh  c a nhi

ế K đ n 300

ị ệ ộ ổ

ướ ỏ c nh .

ể c đi m:

ớ ạ ấ

0C • Đ   n đ nh làm vi c cao; • Đ chính xác cao (±0.02 ộ 0C) • Kích th ượ Nh • Gi i h n đo th p.                 • Quan h  R­T phi tuy n ế

26

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

ử ệ ấ ồ ơ l nh, máy r a chén, n i c m đi n, máy s y tóc,…

ạ ệ ộ ủ ầ c làm l nh hay d u, theo dõi nhi t đ  c a

ả ắ ệ ộ ướ t đ  n ệ ố khí th i, đ u xilanh hay h  th ng th ng,…

ệ ố ưở ệ ộ ệ ộ ả Ứ ng d ng Thermistor   Trong gia đình: t ủ ạ   Trong xe h i: đo nhi ơ ầ   H  th ng đi u hòa và s i: theo dõi nhi t đ phòng, nhi t đ  khí th i

ề hay lò đ t,…ố

ệ ầ ử t cho diode laser hay các ph n t quang,

ị ồ ệ bù nhi

  Trong công nghi p:  n đ nh nhi ệ ổ ộ t cho cu n dây đ ng,…   Trong vi n thông: đo và bù nhi

27

ễ ệ ệ ạ ộ t cho đi n tho i di đ ng

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

*

N i dung bài h c hôm nay:

ế 2.3. C m bi n đi n dung

ệ ế 2.4. C m bi n áp đi n

ế

3.1. C m bi n nhi

ệ t đi n tr

ế

ế ế    “C m  bi n

ọ N i  dung  bài  h c  k   ti p: ệ ” t đi n

ặ c p nhi

28

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ

29

ọ Môn h c: PTTĐ

GV: Vũ Xuân Đ cứ