Bài giảng Phát xạ điện tử thứ cấp

Chia sẻ: Lavie Lavie | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:9

Thêm vào BST

Báo xấu

107
lượt xem 5
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Bài giảng Phát xạ điện tử thứ cấp dưới đây sẽ trang bị cho các bạn những kiến thức về khái niệm phát xạ điện tử thứ cấp; hệ số phát xạ thứ cấp; lý thuyết Lye và Dekker; lý thuyết Dionne. Mời các bạn tham khảo bài giảng để nắm bắt nội dung chi tiết.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Bài giảng Phát xạ điện tử thứ cấp

PHÁT XẠ ĐIỆN TỬ THỨ CẤP Thực Hiện: Nguyễn Văn Thọ
Phát xạ điện tử thứ cấp là gì? Nguồn: Scanning electron microscopy (SEM) D.S. Su
CƠ SỞ LÝ THUYẾT • Hệ số phát xạ thứ cấp • Is Tổng dòng phát xạ electron thứ cấp • Ip Tổng dòng phát xạ electron sơ cấp Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission Prashanth Kumar B.E, University of Madras, 2003
Tóm tắt lý thuyết lye và dekker • n(x;E0)dx là số hạt thứ cấp được tạo ra dưới năng lượng ban đầu E0 của hạt tới với độ dày dx và ở độ sâu x so với bề mặt. Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission Prashanth Kumar B.E, University of Madras, 2003
Tóm tắt lý thuyết lye và dekker • f(x) Là hàm phân bố của hạt thứ cấp dọc theo trục x và thoát ra bề mặt. Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission Prashanth Kumar B.E, University of Madras, 2003
Tóm tắt lý thuyết lye và dekker Độ mất mát năng lượng của hạt sơ cấp được tính bằng định luật Whiddington's: dE/dx = -Ep/R trong đó A là hằng số đặt trưng cho vật liệu, R độ xuyên sâu. R được xác định thông qua n nằm trong khoảng 1,3 – 1,6 Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission Prashanth Kumar B.E, University of Madras, 2003
Tóm tắt lý thuyết lye và dekker Với K là hệ số, r được xác định thông qua: Sử dụng điều kiện Ta có Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission Prashanth Kumar B.E, University of Madras, 2003
Tóm tắt lý thuyết Dionne Tổng số hạt electron thứ cấp bằng (-dE/dx)/ Trong đó dE/dx là năng lượng bị mất mát, còn là năng lượng mà một electron thoát ra Độ mất mát năng lượng của hạt sơ cấp được tính bằng định luật Whiddington's: dE/dx = -Ep/R trong đó A là hằng số đặt trưng cho vật liệu, R độ xuyên sâu. R được xác định thông qua n nằm trong khoảng 1,3 – 1,6 Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission Prashanth Kumar B.E, University of Madras, 2003
Tóm tắt lý thuyết Dionne Hệ số phát xạ thứ cấp được xác định bằng công thức: Trong đó B xắc suất để hạt thoát ra khỏi bề mặt Năng lượng excitation của điện tử thứ cấp Hệ số hấp thụ của điện tử thứ cấp A Hệ số hấp thụ của điện tử sơ cấp d Độ xuyên sâu cực đại Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission Prashanth Kumar B.E, University of Madras, 2003