Câu hỏi trắc nghiệm Điện tử công suất

Chia sẻ: Nguyen Lan | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:0

Thêm vào BST

Báo xấu

1.516
lượt xem 215
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Cùng tham khảo tài liệu "Câu hỏi trắc nghiệm Điện tử công suất", tài liệu này gồm 143 câu hỏi trắc nghiệm giúp bạn hệ thống lại các kiến thức cơ bản về điện tử công suất.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Câu hỏi trắc nghiệm Điện tử công suất

CÂU HỎI TRẮC NGHIỆM MÔN ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT_NEW Chương 1: Mở đầu 1. Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong thời gian khởi dẫn là 1 1 a. WSWON = V .I .t swoff b. WSWON = V .I .t swon 6 6 1 1 c. WSWON = V .I .t swon d. WSWON = V .I .t swoff 3 3 2. Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong thời gian khởi ngưng là 1 1 a. WSWOFF = V .I .t swoff b. WSWOFF = V .I .t swon 6 6 1 1 c. WSWOFF = V .I .t swon d. WSWOFF = V .I .t swoff 3 3 3. Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong một chu kỳ giao hoán là a. WSW = V .I (t swon + t swoff ) b. WSW = V .I (t swon + t swoff ) 1 1 3 6 c. WSW = V .I (t swon + t swoff ) d. WSW = V .I (t swon + t swoff ) 1 2 4. Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, công suất tiêu tán trong một chu kỳ giao hoán là a. PSW = VI (t swon + t swoff ) f b. PSW = VI (t swon + t swoff ) f 1 1 3 2 c. PSW = VI (t swon + t swoff ) f d. PSW = VI (t swon + t swoff ) f 1 6 5. Công suất thất thoát tổng cộng của một diode được tính t a. PT = PON + POFF + PSW b. PT = V F I F on T t off 1 c. PT = V R I R d. PT = V F max I F max (t swon + t swoff ) f T 6 6. Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả năng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn nên a. Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh b. Transistor có cấu trúc xen kẻ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát c. Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ d. Cả ba câu trên đều đúng 7. Phát biểu nào sau đây thì đúng về đặc tính của transistor (BJT) công suất a. Độ lợi dòng lớn còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng nhỏ độ lợi càng nhỏ b. Độ lợi dòng lớn còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng lớn c. Ngoài hiện tượng huỷ thác do phân cực nghịch còn có hiện tượng huỷ thác thứ cấp do transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn d. Cả ba câu trên đều đúng 8. Công suất thất thoát khi Transistor công suất (BJT) khi dẫn bảo hoà sẽ là t t off a. PON = (VCEbh I CM + V BEbh I B ) on b. PON = VCC I r T T t t c. PON = (VCEbh I CM + VCEbh I B ) on d. PON = VCC I CM on T T 9. Công suất thất thoát khi Transistor công suất (BJT) ngưng dẫn và dòng rỉ rất bé công thức nào sau đây là chính xác nhất t off t off a. POFF = (VCEbh I CM + V BEbh I B ) b. POFF = VCC I r T T 1
t off t on c. POFF = (VCEbh I CM + VCEbh I B ) d. POFF = VCC I CM T T 10. Năng lượng thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán là a. WSW = VCEM .I CM (t swon + t swoff ) b. WSW = VCEM .I CM (t swon + t swoff ) 1 1 3 6 c. WSW = VCEM .I CM (t swon + t swoff ) d. WSW = VCEM .I CM (t swon + t swoff ) 1 2 11. Công suất thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán là a. PT = PON + POFF + PSWON b. PT = (PON + POFF + WSW ) c. PT = PON + POFF + WSW f d. PT = (PON + POFF + WSW ) f 12. Phát biểu nào sau đây đúng cho cấu trúc của mosfet công suất a. Có cấu trúc xen kẻ của các tiếp giáp n-p để cấp dòng lớn b. Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên còn gọi là vmosfet để cấp dòng lớn c. Có diện tích tiếp xúc của vùng hiếm nhỏ để cấp dòng lớn d. Cả ba câu trên đều đúng 13. Phát biểu nào sau đây đúng cho đặc tính của mosfet công suất a. Điện trở giữa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục mΩ ) b. Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại VGS cở vài chục volt c. Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (> 100kHz) d. Cả ba câu trên đều đúng 14. Phát biểu nào sau đây đúng về sự khác biệt của mosfet so với BJT công suất a. Tần số làm việc thấp so với BJT công suất b. Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất c. Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng huỷ thác thứ cấp so với BJT công suất d. Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất 15. Công suất tổn hao của mosfet công suất khi dẫn sẽ là t off t a. PON = I D2 RDSon b. PON = I D2 R DSon on T T t t off c. PON = V DS max I DR on d. PON = VDS max I DR T T 16. Công suất tổn hao của mosfet công suất ngưng dẫn sẽ là t off t a. POFF = I D2 RDSon b. POFF = I D2 R DSon on T T t t off c. POFF = V DS max I DR on d. POFF = VDS max I DR T T 17. Năng lượng tổn hao của mosfet công suất sẽ là a. WSW = V DS max .I D (t swon + t swoff ) b. WSW = V DS max .I D (t swon + t swoff ) 1 1 3 6 c. WSW = V DS max .I D (t swon + t swoff ) d. WSW = V DS max .I D (t swon + t swoff ) 1 2 18. Công suất tổn hao của mosfet công suất trong thời gian giao hoán là a. PSW = PON + POFF + PSWON b. PSW = (PON + POFF + WSW ) c. PSW = (WSWon + WSWoff ) f d. PSW = (PON + POFF + WSW ) f 19. Công suất tổn hao tổng cộng của mosfet công suất là t a. PT = PON + POFF + PSW b. PT = V DS I D on T t off 1 c. PT = VCD I D d. PT = V DS max I D (t swon + t swoff ) f T 6 20. Triac có bao nhiêu cách kích dẫn 2
a. Một cách b. Hai cách c. Ba cách d. Bốn cách 21. Phát biểu nào sau đây đúng trong và thuận lợi trong việc kích dẫn triac a. Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm b. Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm c. Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm d. Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm 22. Phát biểu nào sau đây thì đúng cho cách kích triac a. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện DC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện AC b. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện DC c. Vì triac dẫn chỉ một chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện DC d. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng DC thì thông dụng hơn bằng xung 23. Phát biểu nào đúng cho SCS (silicon controlled switch) a. Có cấu tạo giống như SCR nhưng cực G kích xung âm để điều khiển đóng b. Có cấu tạo giống như GTO nhưng cực G kích xung dương để điều khiển đóng c. Có cấu tạo giống như SCR nhưng có hai cực G kích xung âm và xung dương để điều khiển đóng hoặc ngắt d. Các phát biểu trên đều đúng 24. Phát biểu nào đúng cho việc điều khiển đóng ngắt SCS (silicon controlled switch) a. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK âm và cho xung kích đi vào cực GK, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GA b. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK dương và cho xung kích đi vào cực GA, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GK c. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK dương và cho xung kích đi vào cực GK, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GA d. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn VAK âm và cho xung kích đi vào cực GA, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực GK 25. Phát biểu nào sau đây đúng cho GTO (gate turn off SCR) a. GTO có cấu tạo giống như SCS, nhưng không có cực GA b. GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiển ngắt mắc song song với cực điều khiển đóng c. GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiển ngắt mắc đối diện với cực điều khiển đóng d. Các phát biểu trên đều sai 26. Mạch bảo vệ GTO hình vẽ có nhiệm vụ a. Hạn chế tốc độ tăng thế dv/dt khi đóng GTO b. Hạn chế tốc độ tăng thế dv/dt khi ngắt GTO c. Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dt khi đóng GTO d. Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dt khi ngắt GTO 27. Phát biểu nào sau đây đúng với IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 3
a. IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCR và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet b. IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCS và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet c. IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của transistor và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet d. IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Triac và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet 28. Phát biểu nào sau đây đúng với đặc tính của IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) a. Công suất cung cấp cho tải trung bình (khoảng vài kW) b. Tần số làm việc cao (vài kHz) c. Thời gian giao hoán ngắt bé (khoảng 0,15 s ) d. Các phát biểu trên đều đúng 29. Trong các linh kiện sau đây loại nào không phải là linh kiện công suất. a. BJT b. TRIAC c. UJT d. MOSFET 30. Trong các linh kiện sau đây loại nào không có khả năng điều khiển công suất. a. MOSFET b. TRIAC c. SCR d. DIAC 31. Linh kiện nào sau đây là SCR. a b c d 32. Linh kiện nào sau đây là TRIAC a b c d 33. Linh kiện nào sau đây là GTO a b c d 34. Linh kiện công suất là linh kiện có: a. Có hình dạng và kích thước lớn b. Dễ ghép với nhôm tản nhiệt. c. Làm việc với dòng lớn, áp lớn d. Cả ba câu trên đều đúng 35. Mạch điều khiển công suất làm việc với điện áp lớn cần sử dụng linh kiện nào sau: 4
a. SCR b. MOSFET c. Diode d. IGBT 36. Cấu tạo TRIAC có số tiếp giáp P-N : a. 3 b. 4 c. 5 d. 6 37. Cấu tạo SCR có số lớp chất bán dẫn là: a. 3 b. 4 c. 5 d. 6 38. Diode công suất ở trạng thái dẫn có điện áp VAK là: a. 0,2 V b. 0,3 V c. 0,7 V d. Lớn hơn bằng 1V 39. SCR được phân cực thuận và kích bằng xung có độ rộng 1µs thì: a. Chuyển sang trạng thái dẫn b. Có thể dẫn nếu xung có biên độ lớn c. Không dẫn. d. Tất cả đều sai 40. Để SCR chuyển từ trạng thái ngưng dẫn sang dẫn hoàn toàn sau khi được phân cực thuận và được kích dẫn còn phải: a. Duy trì tín hiệu kích b. Điện áp phân cực phải được tăng c. Dòng IA đủ lớn d. Không cần thêm điều kiện nào. 41. Trong các loại linh kiện sau đây loại nào không phải là loại công suất a. UJT b. MCT c. BJT d. MOSFET 42. Transistor công suất thường được sử dụng trong các mạch a. Như các công tắc đóng ngắt các mạch điện b. Mạch công suất lớn c. Mạch chịu nhiệt độ cao d. Mạch công suất có tần số cao 43. SCR sẽ bị đánh thủng khi : a. Dòng kích cực cổng cực đại. b. Điện áp đặt trên anode-catot là âm. c. Điện áp đặt trên anode-catot là dương. d. Điện áp đặt trên anode-catot là âm hơn giá trị điện áp ngược cực đại. 44. Các phần tử bán dẫn công suất sử dụng trong các mạch công suất có đặc tính chung là : a. Khi mở cho dòng chảy qua thì có điện trở tương đương lớn, khi khóa thì điện trở tương đương nhỏ. b. Khi mở cho dòng chảy qua hay khi khóa thì điện trở tương đương không thay đổi. c. Khi mở cho dòng chảy qua thì có điện trở tương đương nhỏ, khi khóa thì điện trở tương đương lớn. d. Cả ba câu kia đều sai. 45. Dòng điện rò : a. Có giá trị rất nhỏ, vài µA. b. Có giá trị nhỏ, vài mA. c. Là dòng điện chảy qua phần tử khi phần tử phân cực thuận, có giá trị nhỏ, vài A. d. Là dòng điện chảy qua phần tử khi phần tử phân cực nghịch, có giá trị nhỏ, vài mA. 46. Diode là phần tử bán dẫn công suất cấu tạo bởi : a. 1 lớp tiếp giáp p-n b. 3 lớp tiếp giáp p-n c. 2 lớp tiếp giáp p-n d. 5 lớp tiếp giáp p-n 47. Điện trường nội Ei trong diode : a. Có chiều hướng từ vùng p sang vùng n. b. Có chiều hướng từ vùng n sang vùng p. c. Có chiều phụ thuộc vào phân cực thuận hay phân cực nghịch. d. Tất cả đều sai. 48. Diode dẫn dòng điện từ anode sang catot khi : a. Phân cực ngược. b. Phân cực thuận. 5
c. Điện trở tương đương của diode lớn. d. Cực dương của nguồn nối với catot, cực âm của nguồn nối với anode. 49. SCR cấu tạo từ : a. 4 lớp bán dẫn. b. 5 lớp bán dẫn. c. 2 lớp bán dẫn. d. 3 lớp bán dẫn. 50. Tín hiệu điều khiển SCR : a. Là 1 xung dương. b. Là 1 xung âm. c. Là 1 xung bất kỳ. d. Là 1 xung dương có độ rộng định trước. 51. Dòng điều khiển mở SCR : a. Đi ra khỏi cực điều khiển. b. Đi vào cực điều khiển. c. Nhỏ hơn giá trị dòng điện nhỏ nhất. d. Lớn hơn giá trị dòng điện chảy qua SCR. 52. Để SCR dẫn ta: a. Chỉ cần điện áp phân cực thuận lớn hơn 0 volt. b. Kích vào cực G, điện áp phân cực không quan trọng. c. Phải đảm bảo có tín hiệu kích và điện áp phân cực. d. Có tín hiệu kích âm và điện áp phân cực dương. 53. Khi dòng điều khiển IG = 0: a. SCR không dẫn. b. SCR sẽ dẫn cưỡng ép khi UAK > U thuận max c. SCR sẽ bị đánh thủng khi UAK > U thuận max d. Điện trở tương đương của SCR rất nhỏ. 54. Khi SCR đã được kích mở dẫn dòng : a. Dòng qua anode – catot SCR nhỏ hơn giá trị dòng điện duy trì thì SCR sẽ dẫn tiếp tục. b. Dòng qua anode – catot SCR bằng giá trị dòng điện duy trì thì SCR sẽ dẫn tiếp tục. c. Dòng qua anode – catot SCR lớn hơn giá trị dòng điện duy trì thì SCR sẽ dẫn tiếp tục. d. Tất cả đều sai. 55. Khi SCR đã được kích mở dẫn dòng : a. Kích 1 xung dương vào cực điều khiển để SCR ngưng dẫn. b. Kích 1 xung âm vào cực điều khiển để SCR ngưng dẫn. c. Kích 1 xung dương vào cực điều khiển để SCR dẫn tiếp tục. d. Xung kích mất tác dụng điều khiển. 56. Khi SCR đã được kích mở dẫn dòng, để SCR ngưng dẫn : a. Giảm dòng anode – catot về dưới mức dòng duy trì. b. Đảo chiều điện áp trên anode – catot ngay lập tức. c. Giảm dòng anode – catot về dưới mức dòng duy trì hoặc đặt điện áp ngược lên SCR sau 1 thời gian phục hồi. d. Tất cả đều sai. 57. Đặc tính Volt – Ampe của Triac bao gồm : a. 2 đoạn đặc tính ở góc phần tư thứ 1 và thứ 3. b. 2 đoạn đặc tính đối xứng qua gốc tọa độ. c. 2 đoạn đặc tính ở góc phần tư thứ 2 và thứ 4. d. 2 đoạn đặc tính ở góc phần tư thứ 1 và thứ 3 và đối xứng nhau qua gốc tọa độ. 58. Triac là linh kiện bán dẫn có khả năng : a. Dẫn dòng theo cả 2 chiều. b. Ứng dụng trong mạch công suất điều chỉnh điện áp DC. c. Tương đương với 2 SCR đấu song song. d. Tương đương với 2 SCR đấu ngược chiều nhau. 59. Triac thì: a. Giống như 2 diode ghép song song. 6
b. Giống như 2 SCR ghép song song nhưng ngược chiều nhau. c. Giống như 2 SCR ghép song song. d. Giống như 1 SCR. 60. Triac : a. Điều khiển mở dẫn dòng bằng xung dương. b. Điều khiển mở dẫn dòng bằng xung âm. c. Điều khiển mở dẫn dòng bằng cả xung dương và xung âm. d. Điều khiển mở dẫn dòng bằng 1 xung dương và 1 xung âm liên tiếp. 61. SCR là phần tử : a. Điều khiển hoàn toàn. b. Có thể điều khiển khóa bằng cực điều khiển. c. Điều khiển không hoàn toàn. d. Có thể điều khiển mở và khóa bằng cực điều khiển 62. Để có dòng điện chảy qua SCR thì : a. Điện áp anode phải dương so với catot. b. Điện áp anode phải âm so với catot. c. Cần có tín hiệu kích cho cực cổng. d. Cả a và c 63. Cực cổng của SCR dùng để : a. Làm cho SCR dẫn. b. Làm cho SCR tắt. c. Điều khiển dòng điện qua SCR. d. Điều khiển điện áp trên catot. 64. SCR dùng trong mạch điều khiển pha có thể nhận nhiều xung trong một chu kỳ. Với xung đầu tiên mở SCR, và xung thứ 2 để : a. Mở tải. b. Tắt SCR. c. Tăng dòng điện chảy qua SCR. d. Không có ảnh hưởng gì. 65. Trong mạch SCR điều khiển pha toàn kỳ khi góc kích tăng từ 0 lên 900 thì điện áp chỉnh lưu trung bình trên tải sẽ : a. Không đổi. b. Tăng rất ít. c. Giảm rất ít. d. Giảm xuống zero. 66. Khi đã được kích, dòng điện qua triac sẽ : a. Xuất hiện khi điện áp anode 2 là âm so với anode 1. b. Xuất hiện khi có tín hiệu cổng. c. Xuất hiện khi điện áp anode 2 là dương so với anode 1. d. Câu b thì đúng. 67. SCR sẽ bị đánh thủng khi : a. Dòng kích cực cổng cực đại. b. Điện áp đặt trên anode-catot là âm. c. Điện áp đặt trên anode-catot là dương. d. Điện áp đặt trên anode-catot là âm hơn giá trị điện áp ngược cực đại. 68. Diac là linh kiện đóng ngắt bằng : a. Dòng điện thường trực. b. Hiệu ứng trường. c. Điện áp ngược đặt lên các tiếp giáp P-N. d. Xung điện có độ rộng bé. 69. Thời gian phục hồi của diode công suất khi diode đang dẫn đột ngột chuyển sang trạng thái ngưng là do a. Diode có công suất lớn, thời gian này bằng không b. Diode có thời gian chuyển tiếp do sự phục hồi của các hạt tải trong nối pn c. Diode có điện thế giảm từ thuận đến nghịch d. Diode có dòng giảm từ IF đến trị số tối thiểu nào đó tuỳ theo loại diode 70. Thời gian chuyển tiếp của diode là thời gian a. Diode có dòng giảm từ IF đến trị số tối thiểu nào đó tuỳ theo loại diode 7
b. Diode có điện thế giảm từ thuận đến nghịch, số hạt tải còn di chuyển trong vùng hiếm làm cho dòng điện thay đổi từ trị số 0 đến IRM c. Diode có dòng giảm từ trị số 0 đến trị số IRM rồi lại trở về 0 d. Diode dòng IF = 0 71. Thời gian tích trử của diode là thời gian a. Diode có dòng giảm từ IF đến trị số tối thiểu nào đó tuỳ theo loại diode b. Diode có điện thế giảm từ thuận đến nghịch, số hạt tải còn di chuyển trong vùng hiếm làm cho dòng điện thay đổi từ trị số 0 đến IRM c. Diode có dòng giảm từ trị số 0 đến trị số IRM rồi lại trở về 0 d. Diode dòng IF = 0 72. Thời gian phụ hồi nghịch của diode là thời gian a. Diode có dòng giảm từ IF đến trị số tối thiểu nào đó tuỳ theo loại diode b. Diode có điện thế giảm từ thuận đến nghịch, số hạt tải còn di chuyển trong vùng hiếm làm cho dòng điện thay đổi từ trị số 0 đến IRM c. Diode có dòng giảm từ trị số 0 đến trị số IRM rồi lại trở về 0 d. Diode dòng IF = 0 73. Dòng IA của SCR được tính theo công thức nào sau đây  I + (I CBO1 + I CBO 2 )  I + (I CBO1 + I CBO 2 ) a. I A = 1 G b. I A = 2 G 1 − ( 1 +  2 ) 1 + ( 1 −  2 )  I + (I CBO1 + I CBO 2 )  I + (I CBO1 + I CBO 2 ) c. I A = 2 G d. I A = 2 G 1 − ( 1 +  2 ) 1 − ( 1 −  2 ) 74. Cách làm tăng dòng IA để làm SCR từ trạng thái ngưng sang trạng thái dẫn. Phát biểu nào sau đây là đúng a. Tăng điện thế Anot → làm tăng dòng rỉ ICBO → làm xảy ra hiện tượng huỷ thác ( 1 +  2 ) → 1 b. Tăng dòng IG để các transistor (mạch tương đương) nhanh chóng đi vào trạng thái dẫn bảo hoà c. Tăng nhiệt độ các mối nối bên trong SCR, hay tăng tốc độ tăng thế dv/dt tạo dòng nạp cho điện dung mối nối pn. d. Các phát biểu a, b, c đều đúng 75. Để tác động cho SCR đang dẫn chuyển sang trạng thái ngưng, cách nào sau cách là đúng a. Cắt bỏ nguồn cung cấp b. Dùng một bộ phận có điện trở thật nhỏ mắc song song với SCR để tạo dòng IA
78. Cho mosfet công suất như hình vẽ, cho các thông số sau: IDR = 2mA, R DSon = 0,3Ω , D= 50%, ID=6A, VDS=100V, tswno=100ns, tswoff = 200ns, tần số giao hoán 4kHz. Công suất thất thoát tổng cộng của mosfet là R + Vcc f =4kHz Q1 - in a. 3,3[W] b. 6,7[W] c. 0,8[W] d. 5,4[W] 79. Cho mạch điện như hình vẽ. Diode dẫn với dòng I D = 30 A , VF = 1.1V , I R = 0,3mA , t swon = t f = 1,1s , t swoff = t r = 0,1s , tính hiệu có chu trình định dạng D = 50% , công suất thất thoát tổng cộng trong Diode (lấy gần đúng)là D + R=10 Ohm Vs 400V/10kHz - a. 40,4[W] b. 44[W] c. 60,4[W] d. 70,4[W] 80. Linh kiện nào sau đây là IGBT a. b. c. d. 81. Linh kiện nào sau đây là MCT a. b. c. d. 82. IGBT là linh kiện công suất được chế tạo dựa trên đặc tính a. Tác động nhanh của Mosfet và dòng lớn của SCR b. Khả năng chịu dòng lớn của BJT và điều khiển điện áp lớn của Mosfet c. Điều khiển điện áp lớn của Mosfet và dòng lớn của SCR d. Tác động nhanh của của BJT và dòng lớn của Mosfet 83. MCT là linh kiện công suất được chế tạo dựa trên đặc tính a. Tác động nhanh của Mosfet và dòng lớn của SCR b. Khả năng chịu dòng lớn của BJT và điều khiển điện áp lớn của Mosfet c. Điều khiển điện áp lớn của Mosfet và dòng lớn của SCR d. Tác động nhanh của của BJT và dòng lớn của Mosfet 84. MCT là linh kiện công suất được chế tạo nhằm khắc phục nhược điểm của a. Mosfet và GTO b. BJT và Mosfet c. Mosfet và IGBT d. SCR và Mosfet 85. Công suất trung bình khi sử dụng linh kiện IGBT cung cấp cho tải R trong thời gian dẫn là V  t a. PL =  s  ON  RL  T 9
 V2 t b. PL =  s  ON  2 RL  T  Vs2  t ON c. PL =    L T R  2V 2  t d. PL =  s  ON  RL  T 86. Công suất tổn hao trong thời gian giao hoán của IGBT là a. Psw = 1/3( VCEmax.Icmax )( tswon + tswoff )Tsw b. Psw = 1/6( VCEmax.Icmax )( tswon + tswoff )fsw c. Psw = 1/6( VCEmax.Icmax )( tswon + tswoff )Tsw d. Psw = 1/3( VCEmax.Icmax )( tswon + tswoff )fsw 87. Triac được xem như 2 SCR mắc đối song nhưng chỉ khác là a. Triac còn có thể kích được dòng đi ra cực G nhưng mạch 2 SCR thì không b. Triac còn có thể kích được dòng đi vào cực G nhưng mạch 2 SCR thì không c. Triac còn có thể kích được áp đi ra cực G nhưng mạch mạch 2 SCR thì không d. Triac có thể kích được áp đi vào cực G nhưng mạch 2 SCR thì không 88. Mạch 2 SCR mắc đối song thường được sử dụng hơn mạch sử dụng Triac vì a. Công suất lớn hơn và tạo xung điều khiển dễ b. Công suất lớn hơn và tạo xung điều khiển khó c. Công suất nhỏ hơn và tạo xung điều khiển dễ d. Công suất nhỏ hơn và tạo xung điều khiển khó 89. Để điều khiển MCT ta cho a. Điện áp âm vào cực G để điều khiển đóng, điện áp dương vào cực G để điều khiển ngắt b. Điện áp âm vào cực G để điều khiển ngắt, điện áp dương vào cực G để điều khiển đóng c. Điện áp dương vào cực G để điều khiển đóng, điện áp âm vào cực G để điều khiển ngắt d. Điện áp dương vào cực G để điều khiển ngắt, điện áp âm vào cực G để điều khiển đóng 90. Phát biểu nào sau đây đúng về bộ chỉnh lưu dùng SCR a. Có thể điều khiển đóng và ngắt linh kiện nhanh, do đó đạt đáp ứng điện áp ngõ ra tốt. b. Hiện tượng chuyển mạch xảy ra do tác dụng của cuộn kháng tải c. Để nâng cao chất lượng dòng tải, có thể tăng tần số sóng đồng bộ d. Có khả năng thực hiện chế độ trả năng lượng về nguồn xoay chiều 91. Mạch bảo vệ IGBT thường được chọn các mạch a. Bảo vệ ngõ vào là BJT, ngõ ra là MOSFET b. Bảo vệ ngõ vào là MOSFET, ngõ ra là SCR c. Bảo vệ ngõ vào là BJT, ngõ ra là SCR d. Bảo vệ ngõ vào là MOSFET, ngõ ra là BJT 92. Mạch bảo vệ MCT thường được chọn các mạch a. Bảo vệ ngõ vào là BJT, ngõ ra là MOSFET b. Bảo vệ ngõ vào là MOSFET, ngõ ra là SCR c. Bảo vệ ngõ vào là BJT, ngõ ra là SCR d. Bảo vệ ngõ vào là BJT, ngõ ra là BJT 93. Để điều khiển đóng ngắt IGBT ta điều khiển bằng cách a. Cấp dòng cho cực khiển b. Cấp áp cho cực khiển c. Cấp xung đi vào cực khiển d. Cấp xung đi ra cực khiển 94. Để điều khiển đóng MCT ta điều khiển bằng cách a. Cấp dòng cho cực khiển b. Cấp áp cho cực khiển c. Cấp xung dương vào cực khiển d. Cấp xung âm vào cực khiển 95. Để điều khiển ngắt MCT ta điều khiển bằng cách 10
a. Cấp dòng cho cực khiển b. Cấp áp cho cực khiển c. Cấp xung dương vào cực khiển d. Cấp xung âm vào cực khiển 96. Trong các mạch công suất để dễ điều khiển đóng ngắt thường chọn a. Linh kiện điều khiển bằng xung âm b. Linh kiện điều khiển bằng xung dương c. Linh kiện điều khiển bằng áp d. Linh kiện điều khiển bằng dòng 97. Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo có dòng cao nhất a. BJT b. GTO c. MOSFET d. IGBT 98. Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo có dòng cao nhất a. BJT b. GTO c. SCR d. IGBT 99. Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo chịu được áp ngược cao nhất a. BJT b. GTO c. MCT d. IGBT 100. Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo chịu được áp ngược cao nhất a. BJT b. MCT c. MOSFET d. IGBT 101. Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo có tần số làm việc cao nhất a. BJT b. GTO c. IGBT d. SCR 102. Linh kiện công suất nào sau đây hiện được chế tạo có tần số làm việc cao nhất a. BJT b. MCT c. MOSFET d. IGBT 103. IGCT là linh kiện công suất được chế tạo nhờ sự cải tiến của linh kiện nào sau đây a. MCT b. IGBT c. GTO d. GCT 104. IGCT là linh kiện công suất có cấu tạo gồm a. MCT và một số phần tử hỗ trợ b. IGBT và một số phần tử hỗ trợ c. GTO và một số phần tử hỗ trợ d. GCT và một số phần tử hỗ trợ 105. Điều khiển đóng IGCT ta dùng a. Xung đưa vào cực khiển để đóng GCT b. Xung đưa vào cực khiển để ngắt GCT c. Áp đưa vào cực khiển để đóng GCT d. Áp đưa vào cực khiển để ngắt GCT 106. Điều khiển ngắt IGCT ta dùng 11
a. Xung đưa vào ngược chiều để triệt tiêu dòng qua Anot b. Xung đưa vào ngược chiều để triệt tiêu dòng qua Katot c. Áp đưa vào ngược chiều để triệt tiêu dòng qua Anot d. Áp đưa vào ngược chiều để triệt tiêu dòng qua Katot 107. IGCT được chế tạo với mục đích a. Làm giảm trị số điện dung mạch cổng đến trị số nhỏ nhất b. Làm giảm trị số cảm kháng cực cổng đến trị số nhỏ nhất c. Làm tăng trị số điện dung mạch cổng đến trị số nhỏ nhất d. Làm tăng trị số cảm kháng cực cổng đến trị số nhỏ nhất 108. IGCT là linh kiện công suất có tính năng vượt trội so với các linh kiện công suất khác đó là a. Làm giảm nhanh trị số dòng điện qua cực cổng b. Làm giảm nhanh trị số hiệu điện thế qua cực cổng c. Làm tăng nhanh trị số dòng điện qua cực cổng d. Làm tăng nhanh trị số hiệu điện thế qua cực cổng 109. linh kiện nào sau đây là IGCT a. b. c d. 110. Linh kiện nào sau đây là Diode Schottkey. a. b. c. d. 111. Linh kiện nào sau đây là SCS. a. b. c. d. 112. Diode Schottkey có tần số làm việc như thế nào so với tần số làm việc của diode thường: a. Cao hơn. b. Thấp hơn. c. Bằng nhau d. Bằng không 113. Diode Schottkey thường được làm từ các chất bán dẫn nào sau đây: a. . GaAs b. Ge c Si d. GaAl 114. Điện áp rơi Diode Schottkey nằm trong khoảng nào sau: a. 0,3V - 0,5V b. 1V - 3V c. 0,2V - 0,3V d. 0,6V – 0,8V 115. Điện áp rơi Diode chỉnh lưu công suất thường có giá trị trong khoảng nào sau: a. 1V - 3V b. 0,3V - 0,5V c. 0,2V - 0,3V d. 0,6V – 0,8V 116. Điều khiển đóng GTO ta dùng e. Dòng dương đưa vào cực khiển để đóng GTO f. Xung dòng dương đưa vào cực khiển để đóng GTO g. Áp dương đưa vào cực khiển để đóng GTO h. Xung áp dương đưa vào cực khiển để đóng GTO 117. Điều khiển ngắt GTO ta dùng a.Dòng âm đưa vào cực khiển để ngắt GTO b.Xung dòng âm đưa vào cực khiển để ngắt GTO c.Áp âm đưa vào cực khiển để ngắt GTO d.Xung áp âm đưa vào cực khiển để ngắt GTO 12
Chương 2 : Chỉnh lưu một pha 1. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch. v t 0α π 2π a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R b. Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R c. Chỉnh lưu cầu không đối xứng tải R d. Chỉnh lưu cầu đối xứng tải R 2. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch. v π t 0 2π a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R b. Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R c. Chỉnh lưu bán kỳ không điều khiển tải R d. Chỉnh lưu toàn kỳ không điều khiển tải R 3. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch. v t 0 π 2π a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R b. Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R c. Chỉnh lưu bán kỳ không điều khiển tải R d. Chỉnh lưu toàn kỳ không điều khiển tải R 4. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch. v t 0 π 2π a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R b. Chỉnh lưu cầu điều khiển bán phần tải R c. Chỉnh lưu bán kỳ không điều khiển tải R d. Chỉnh lưu cầu không điều khiển tải R 5. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch. v 0 α α t  2 α a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R b. Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R c. Chỉnh lưu bán kỳ không điều khiển tải R d. Chỉnh lưu toàn kỳ không điều khiển tải R 6. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch. 13
v 0 α t  α 2 α a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R b. Chỉnh lưu cầu điều khiển đối xứng tải R c. Chỉnh lưu bán kỳ không điều khiển tải R d. Chỉnh lưu cầu không điều khiển tải R 7. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch. v 0 α α t  2 α a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R b. Chỉnh lưu cầu điều khiển không đối xứng tải R c. Chỉnh lưu bán kỳ không điều khiển tải R d. Chỉnh lưu toàn kỳ không điều khiển tải R 8. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch. v α α α t 0 a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra liên tục b. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra không liên tục c. Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra liên tục d. Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra không liên tục 9. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch. v t 0 α1 α2 α3 a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra liên tục b. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra không liên tục c. Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra liên tục d. Chỉnh lưu toàn kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra không liên tục 10. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch. v α α α t 0 a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra liên tục b. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra không liên tục c. Chỉnh lưu cầu điều khiển đối xứng tải R-L dòng ra liên tục d. Chỉnh lưu cầu điều khiển đối xứng tải R-L dòng ra không liên tục 11. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch. v t 0 α1 α2 α3 14
a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra liên tục b. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra không liên tục c. Chỉnh lưu cầu điều khiển bất đối xứng tải R-L dòng ra liên tục d. Chỉnh lưu cầu điều khiển bất đối xứng tải R-L dòng ra không liên tục 12. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch. v α α α t 0 a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra liên tục b. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra không liên tục c. Chỉnh lưu cầu điều khiển bất đối xứng tải R-L dòng ra liên tục d. Chỉnh lưu cầu điều khiển bất đối xứng tải R-L dòng ra không liên tục 13. Dạng sóng của hình sau là dạng sóng vào ra của mạch. v t 0 α1 α2 α3 a. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra liên tục b. Chỉnh lưu bán kỳ có điều khiển tải R-L dòng ra không liên tục c. Chỉnh lưu cầu điều khiển đối xứng tải R-L dòng ra liên tục d. Chỉnh lưu cầu điều khiển đối xứng tải R-L dòng ra không liên tục 14. Nguồn áp xoay chiều dạng sin v iac = 220 2 sin100t [V] mắc nối tiếp với một tải điện trở R = 2Ω và một diode lý tưởng như hình vẽ. Dòng trung bình qua diode lấy gần đúng là T1 D1 Vs Viac TAI a. 59 [A] b. 49 [A] c. 70 [A] d. 99 [A] 15. Mạch chỉnh lưu bán kỳ bằng diode như hình vẽ, với v iac = 220 2 sin100t [V] mạch có tần số xung ra: T1 D1 Vs Viac TAI a. Bằng tần số xung xoay chiều b. Gấp 2 lần tần số xung vào c. Gấp 3 lần tần số xung vào d. Tất cả đều sai 16. Trong sơ đồ hình vẽ tải R, diode D1sẽ dẫn ở các thời điểm. T1 D1 Vs Viac TAI a. 0 đến  b.  đến 2  c. 2k  đến (2k+1)  d. (2k+1)  đến 2(k+1)  17. Trong sơ đồ hình sau tải R, diode D1sẽ dẫn ở các thời điểm 15
T1 D1 Vs Viac TAI . a. 0 đến  b.  đến 2  c. 2k  đến (2k+1)  d. (2k+1)  đến 2  (k+1) 18. Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D1 sẽ dẫn ở các thời điểm. T1 D1 Vs Viac TAI a. 0 đến  b. 2k  đến (2k+1)  c. (2k+1)  đến 2  (k+1) d. Phụ thuộc vào L 19. Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D1 sẽ dẫn ở các thời điểm. T1 D1 Vac Dw Viac TAI a. 0 đến  b. 2k  đến (2k+1)  c. (2k+1)  đến 2  (k+1) d. Các câu a, b, c đều sai 20. Trong sơ đồ hình sau tải R+E, diode D1sẽ dẫn ở các thời điểm. T1 D1 Vs Viac TAI d. 0 đến  b. 2k  đến (2k+1)  c. (2k+1)  đến 2  (k+1) d. Các câu a, b, c đều sai 21. Trong sơ đồ hình sau điện áp trung bình trên tải R là: T2 D1 Vac Viac D2 TAI VM VM a. VAV = b. VAV = 2  2 VM V cos  c. VAV = d. VAV = M  2 22. Trong sơ đồ hình sau, tần số xung ở tải sẽ là: T2 D1 Vac Viac D2 TAI a. Bằng tần số xung xoay chiều b. Gấp 2 lần tần số xung vào 16
c. Gấp 3 lần tần số xung vào d. Tất cả đều sai 23. Trong sơ đồ hình sau nếu có điện áp vào V = 150 (V) , tải R = 10 ohm thì điện áp ra trên tải là :(lấy gần đúng ) T2 D1 Vac Viac D2 TAI a. 15 V b. 100 V c. 135V d. 175 V 24. Trong sơ đồ hình sau nếu có điện áp vào Vm = 150 (V) , tải R = 10 ohm thì điện áp ngược cực đại trên diode là :(lấy gần đúng ) T2 D1 Vac Viac D2 TAI a. 424 V b. 300 V c. 212 d. 150 V 25. Trong sơ đồ hình sau tải R, diode D2 dẫn trong các thời điểm T2 D1 Vac Viac D2 TAI a. 0 đến  b.  đến 2  c. 2k  đến (2k+1)  d. (2k+1)  đến 2  (k+1) 26. Trong sơ đồ hình sau tải R, diode D1 dẫn trong các thời điểm T2 D1 Vac Viac D2 TAI a. 0 đến  b.  đến 2  c. 2k  đến (2k+1)  d. (2k+1)  đến 2  (k+1) 27. Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D2 dẫn trong các thời điểm T2 D1 Vac Viac D2 TAI a. 0 đến  b.  đến 2  c. 2k  đến (2k+1)  d.(2k+1)  đến 2  (k+1) 28. Trong sơ đồ hình sau tải R+E, diode D1 dẫn trong các thời điểm 17
T2 D1 Vac Viac D2 TAI a. Phụ thuộc vào R b. Phụ thuộc vào E c. 2k  đến (2k+1)  d. (2k+1)  đến 2  (k+1) 29. Trong sơ đồ hình sau tải R+E, diode D2 dẫn trong các thời điểm T2 D1 Vac Viac D2 TAI a. Phụ thuộc vào R b. Phụ thuộc vào E c. 2k  đến (2k+1)  d. (2k+1)  đến 2  (k+1) 30. Trong sơ đồ hình sau dòng qua D1 và D2: T2 D1 Vac Viac D2 TAI a.ID1 = ID2 b. ID1 > ID2 c. ID1 < ID2 d. Phụ thuộc vào tải 31. Trong sơ đồ hình sau, để chọn diode cho mạch ta dựa vào: T2 D1 Vac Viac D2 TAI a. Dựa vào điện áp nguồn b.URmax, IDmax c. Dựa vào tải d. Tất cả đều đúng 32. Trong sơ đồ hình sau điện áp ngược trên mỗi diode là: T2 D1 Vac Viac D2 TAI a. V RM _ DIODE = VM b. V RM _ DIODE = 2VM 2 2V 2V c. V RM _ DIODE = d. V RM _ DIODE =   33. Trong sơ đồ hình sau điện áp trung bình trên tải là: 18
D1 D3 V iac TAI D2 D4 VM VM a. V AV = b. V AV = 2  2VM VM cos  c. V AV = d. V AV =  2 34. Trong sơ đồ hình sau có tần số xung ra D1 D3 V iac TAI D2 D4 34.a.1.1.1. Bằng tần số xung xoay chiều b. Gấp 2 lần tần số xung vào c. Cấp 3 lần tần số xung vào d. Tất cả đều sai 35. Trong sơ đồ hình sau dòng qua D1 D1 D3 V iac TAI D2 D4 a. Id1 = Id2 b. Id1 = Id4 c. Id1 = Id3 d. Tất cả đều đúng 36. Trong sơ đồ hình sau nếu có điện áp vào Um = 150 (V) , tải R = 10 ohm thì điện áp ngược max trên diode là :(lấy giá trị gần đúng ) D1 D3 V iac TAI D2 D4 a. 150 V b. 212 V c. 300 V d. 424 V 37. Trong sơ đồ hình sau nếu có điện áp vào Um = 150 (V) , tải R = 10Ω thì dòng qua mỗi diode là :(lấy gần đúng ) 19
D1 D3 V iac TAI D2 D4 a. 6,75 A b. 10 A c. 13,5 A d. 4.77A 38. Trong sơ đồ hình sau diode D1 dẫn cùng lúc với: D1 D3 V iac TAI D2 D4 a. D2 b. D3 c. D4 d. Tất cả đều sai 39. Trong sơ đồ hình sau diode D2 dẫn cùng lúc với: D1 D3 V iac TAI D2 D4 a. D2 b. D3 c. D4 d. Tất cả đều sai 40. Trong sơ đồ hình sau các cặp diode dẫn cùng lúc là: D1 D3 V iac TAI D2 D4 a. D1 và D2 , D3 và D4 b. D1 và D3 , D2 và D4 c. D1 và D4 , D2 và D3 d. Tất cả đều sai 41. Trong sơ đồ hình sau tải R+L, diode D3 dẫn trong các thời điểm 20