NHATRANG UNIVERSITY
Chương 6:
Linh kiện chỉnh lưu có điều khiển
Cấu tạo, nguyên hoạt động, các đặc tính ứng
dụng của:
SCR (Silicon Controlled Rectifier; Thysistor)
TRIAC
DIAC
Diode 4 lớp
NHATRANG UNIVERSITY
Điốt 4 lớp (điốt Shockley)
Cấu tạo:
Điốt 4 lớp gồm 4 lớp n dẫn p-n-p-n xen kẽ nhau,
hai đầu của 4 lớp bán dẫn được nối với hai chân
Anode (A) Kathode (K)
th coi điốt 4 lớp tương đương với hai transistor
khác loại mắc song song với nhau
NHATRANG UNIVERSITY
Điốt 4 lớp (điốt Shockley)
Nguyên hoạt động: Điốt 4 lớp chỉ hoạt động
với điện áp UAK>0, khi đó như một công tắc
điện tử điều khiển bằng điện áp
Khi UAK<UBRF, tiếp giáp J1 J3 phân cực thuận, tiếp
giáp J2 phân cực ngược, dòng điện qua điốt IA
dòng ngược của tiếp giáp J2→điốt 4 lớp như một
công tắc hở; Trên đặc tuyến V-A đây miền chắn
thuận
Khi UAK≥UBRF, dòng ngược của tiếp giáp J2 ng dần
bằng IS ng kích cho 2 transistor tương đương
dẫn o hòa. c này điện trở của điốt 4 lớp giảm
mạnh nên sụt áp trên giảm manh dòng điện
qua tăng mạnh→điốt 4 lớp như một công tắc
đóng; Trên đặc tuyến V-A đây miền dẫn thuận
Để điốt 4 lớp trở về trạng ti ngắt điện thì phải giảm
dòng IAxuống dưới một giá trị IS, gọi dòng ngắt
NHATRANG UNIVERSITY
Điốt 4 lớp (điốt Shockley)
VBRF:Điện áp đỉnh khủy (forward-
breakover voltage)
IS:Dòng ngắt (switching current)
IH:Dòng giữ (holding current)
NHATRANG UNIVERSITY
Ứng dụng của điốt 4 lớp
Mạch tạo dao động răng cưa:
Khi đóng khóa SW, nguồn nạp cho tụ qua điện trở R,
khi điện áp trên tụ bằng điện áp đỉnh khủy UBRF thì
điốt được kích m
Khi điốt 4 lớp được kích mở thì điện áp trên t xả qua
điốt đến khi dòng IAgiảm tới ISthì điốt khóa, tụ lại
được nạp điện từ nguồn; các chu kỳ sau lặp lại