Bài giảng Cơ sở kỹ thuật điện tử: Chương 5 - Đại cương về transistor hiệu ứng trường

Chia sẻ: _ _ | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:11

Thêm vào BST

Báo xấu

7
lượt xem 2
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Bài giảng "Cơ sở kỹ thuật điện tử: Chương 5 - Đại cương về transistor hiệu ứng trường" giới thiệu tới bạn đọc các nội dung kiến thức về: Transistor trường JFET; Transistor trường D-MOSFET; Transistor trường E-MOSFET. Mời các bạn cùng tham khảo chi tiết nội dung bài giảng!

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Bài giảng Cơ sở kỹ thuật điện tử: Chương 5 - Đại cương về transistor hiệu ứng trường

BỘ GIÁO DỤC VÀO ĐÀO TẠO KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM Bộ Môn Cơ Sở Kỹ Thuật Điện tử Chương 5 : ĐẠI CƯƠNG VỀ TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG (Field Effect Transistors-FET)
NỘI DUNG CHÍNH 5.1. Transistor trường JFET Cấu tạo, ký hiệu và đặc tuyến của JFET 5.2. Transistor trường D-MOSFET Cấu tạo, ký hiệu và đặc tuyến của D-MOSFET 5.3. Transistor trường E-MOSFET Cấu tạo, ký hiệu và đặc tuyến của E-MOSFET
5.1. Transistor trường JFET 5.1.1. Cấu tạo, kí hiệu: Drain(D) Drain(D) Kênh P Kênh N N P N P N P Gate (G) Gate (G) Vùng Vùng nghèo Source(S) Source(S) nghèo D D G ID G ID VGS VGS S S JFET kênh N JFET kênh P 3
5.1. Transistor trường JFET 5.1.2. Nguyên lý hoạt động Để JFET làm việc, phải cung cấp điện áp 1 chiều tới các cực của linh kiện, gọi là phân cực cho JFET (phân cực cho mối nối GS và DS) IG= 0 Vùng điện trở ID= IS D Vùng thắt kênh ID ID(mA) IDSS 8 VGS = 0V + VDD G P e P VGS = -1V e VGS 3 N 2 VGS = -2V VP VGS = -3V IS 1 S VGS = -4V VGS -4 -3 -2 -1 0 |VP | VDS 4
5.1. Transistor trường JFET 5.1.2. Nguyên lý hoạt động ID(mA) IDSS 8 VGS = 0V IDSS: Dòng điện ID khi ngắn mạch GS (short) VP: Điện áp nghẽn (thắt kênh) r0: Điện trở cực máng nguồn khi VGS= 0 VGS = -1V 3 2 VGS = -2V VP 1 VGS = -3V VGS = -4V VGS -4 -3 -2 -1 0 |VP | VDS r Điện trở kênh dẫn: r d  0 2  V   1  G S   V P  2  VGS  0  ID  IDSS Dòng điện chạy qua I D  I DSS 1   kênh dẫn:  VP  VP  VGS  0 5
5.1.3. Các thông số của JFET: 6
5.2. D-MOSFET – (Depletion MOSFET) 7
5.2. D-MOSFET – (Depletion MOSFET) b. Nguyên lý hoạt động Để MOSFET làm việc, ID ID D RD D RD phải cung cấp điện áp 1 chiều tới các cực của nó, gọi N Keânh N N Keânh N e là phân cực cho MOSFET G e +VD G e +VD (phân cực cho mối nối GS và Ñeá S ee e P S DS) S D e S D N N Ñeá ID(mA) V > 0V GS P S S VGS = 0V IS IS IDSS 8 IG= 0 ID= IS VGS = -1V 2 4  VGS  I D  I DSS 1   0  ID  VP  VGS VP  VGS VP 1 VGS = -3V -3 0 VP VDS 8
5.3. E-MOSFET- (Enhanced MOSFET) a. Cấu tạo Chưa có kênh SiO2 SiO2 dẫn D D N P G Ñeá SS G Ñeá SS P N N P S S D D G G D D SS G G S S SS S S 9
5.3. E-MOSFET – (Enhanced MOSFET) b. Nguyên lý hoạt động: 0  ID IG= 0 ID ID= IS D VT VGS RD I D  k VGS  VT  2 N e ID(mA) ID(mA) e + G VDD 8 8 e Ñeá P SS 7 7 VGS = 10V VGS= 0V VGS> 0V e e 6 6 5 5 N 4 VGS = 8V 4 S 3 3 VGS = 6V 2 2 IS 1 1 VGS = 4V V 0 T 0 VDS 2 4 6 VGS VT: điện áp ngưỡng (threshold) 10