Bài giảng Cơ sở kỹ thuật điện tử: Chương 3 - Đại cương về transistor lưỡng cực

Chia sẻ: _ _ | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:18

Thêm vào BST

Báo xấu

10
lượt xem 2
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Bài giảng "Cơ sở kỹ thuật điện tử: Chương 3 - Đại cương về transistor lưỡng cực" trình bày các nội dung chính sau đây: Cấu tạo, ký hiệu của BJT; nguyên lý hoạt động của BJT; các mạch nối dây; các thông số giới hạn của BJT; hình dạng thực tế của các loại BJT. Mời các bạn cùng tham khảo.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Bài giảng Cơ sở kỹ thuật điện tử: Chương 3 - Đại cương về transistor lưỡng cực

BỘ GIÁO DỤC VÀO ĐÀO TẠO KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM Bộ Môn Cơ Sở Kỹ Thuật Điện tử Chương 3: ĐẠI CƯƠNG VỀ TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (Bipolar Junction Transistors – BJT)
NỘI DUNG CHÍNH 3.1. Cấu tạo, ký hiệu của BJT 3.2. Nguyên lý hoạt động của BJT 3.3. Các mạch nối dây 3.4. Các thông số giới hạn của BJT 3.5. Hình dạng thực tế của các loại BJT 2
3.1. Cấu tạo, kí hiệu của BJT: Tiếp giáp giữa Tiếp giáp giữa E và B C và B JE JC + + Emitter Collector (Cực phát) (Cực thu) Chiều dòng Base điện IE (Cực nền) PNP NPN 3
3.2. Nguyên lý hoạt động: Để BJT làm việc, phải cung cấp điện áp 1 chiều tới các cực của linh kiện, gọi là phân cực cho Transistor (tức là phân cực cho mối nối các BE và BC) C B UCE>0 npn UBE>0 E * Tích cực: (khuếch đại hay tuyến tính - active) Mối ghép B-E phân cực thuận Các chế độ Mối ghép B-C phân cực nghịch hoạt động * Bão hòa: (saturation) của BJT Mối ghép B-E phân cực thuận Mối ghép B-C phân cực thuận * Ngưng dẫn: (cutoff) Mối ghép B-E phân cực nghịch 4
3.2. Nguyên lý hoạt động: JE JC iCBO iB iE iC Phân cực cho BJT npn 5
3.2. Nguyên lý hoạt động: JE JC iCBO iB iE iC Phân cực cho BJT pnp 6
3.2. Nguyên lý hoạt động: Các công thức quan hệ dòng điện trong BJT: SỐ HẠT ĐẾN ĐƯỢC C  = SỐ HẠT PHÁT RA TỪ E IC = .IE +ICBO IE = IB +IC IC Hệ số khuếch đại:  = IB   Quan hệ giữa  và  :  = = 1- +1 ICBO: dòng rỉ của mối nối CB khi phân cực ngược CB và cực E hở mạch. 7
3.3. Các sơ đồ đấu dây, đặc tuyến Volt – Ampere: Kiểu CB (Common Base – B chung): vào E ra C Kiểu CE (Common Emitter – E chung): vào B ra C Kiểu CC (Common Collector – C chung): vào B ra E 8
3.3.1. Mạch cực B chung (CB) Đặc tuyến ngõ vào IE= f(VBE) 9
3.3.1. Mạch cực B chung (CB) * Vùng bão hoà (saturation) VCB= VCBsat  0 * Vùng ngưng dẫn (cut off) IC= ICBO  0 ICBO * Vùng tích cực (active) Đặc tuyến ngõ ra IC= f(VCB) 10
3.3.2. Mạch cực E chung (CE) Đặc tuyến ngõ vào IB= f(VBE) 11
3.3.2. Mạch cực E chung (CE) * Vùng bão hoà (saturation) VCE= VCEsat  0 IC= ICmax IC β IB * Vùng ngưng dẫn (cut off) IC= ICEO (dòng rỉ từ mối nối CE khi cực B hở mạch)  0 * Vùng tích cực (active) IC= βIB Đặc tuyến ngõ ra IC= f(VCE) 12
3.3.3. Mạch cực C chung (CC) Đặc tuyến ngõ vào IB= f(VBC) 13
3.3.3. Mạch cực C chung (CC) Đặc tuyến ngõ vào IE= f(VEC) 14
3.4. Các thông số giới hạn của BJT: IC IC max PCmax = VCE IC 0 VCE max VCE 15
3.4. Các thông số giới hạn của BJT: 16
3. 5. Hình dạng thực tế