Bài giảng Cơ sở kỹ thuật điện: Chương 5 - Trường ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM

Chia sẻ: Conbongungoc09 | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:10

Thêm vào BST

Báo xấu

29
lượt xem 2
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Bài giảng Cơ sở kỹ thuật điện: Chương 5 Đại cương về transistor trường FET cung cấp cho người học những kiến thức như: Transistor trường JFET; Nguyên lý hoạt động Transistor trường JFET; Các thông số của JFEET. Mời các bạn cùng tham khảo!

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Bài giảng Cơ sở kỹ thuật điện: Chương 5 - Trường ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM

BỘ GIÁO DỤC VÀO ĐÀO TẠO KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM Bộ Môn Cơ Sở Kỹ Thuật Điện Chương 5 : ĐẠI CƯƠNG VỀ TRANSISTOR TRƯỜNG FET
5.1. Transistor trường JFET 5.1.1. Cấu tạo, kí hiệu Drain(D) Drain(D) Kênh P Kênh N N P N P N P Gate (G) Gate (G) Vùng Vùng nghèo Source(S) Source(S) nghèo D D G ID G ID VGS VGS S S JFET kênh N JFET kênh P 2
5.1. Transistor trường JFET 5.1.2. Nguyên lý hoạt động Để JFET làm việc, phải cung cấp điện áp 1 chiều tới các cực của nó, gọi là phân cực cho JFET (phân cực cho mối nối GS và DS DS) IG= 0 Vùng điện trở ID= IS D Vùng thắt kênh ID ID(mA) IDSS 8 VGS = 0V + VDD G P e P VGS = -1V e VGS 3 N 2 VGS = -2V VP VGS = -3V IS 1 S VGS = -4V VGS -4 -3 -2 -1 0 |VP | VDS 3
5.1. Transistor trường JFET 5.1.2. Nguyên lý hoạt động ID(mA) IDSS: dòng điện ID khi ngắn mạch GS (short) IDSS 8 VGS = 0V VP: điện áp nghẽn (thắt kênh) r0: điện trở cực máng nguồn khi VGS= 0 VGS = -1V 3 2 VGS = -2V VP 1 VGS = -3V VGS = -4V VGS -4 -3 -2 -1 0 |VP | VDS r 0 r d  Vùng điện trở: 2  V G S   1    V P  2 Vùng thắt kênh:  VGS  0  ID  IDSS IID =0 I DSS 1   ID= IS G  VP  VP  VGS  0 4
5.1.3. Các thông số của JFEET 5
5.3.MOSFET 5.3.1. D-MOSFET – Depletion Mosfet a. Cấu tạo SiO2 SiO2 D D P Keânh Daãn P N Keânh Daãn N G G Ñeá SS Ñeá SS N P P N S S D D D D G G G G SS SS S S S S 6
5.3.1. D-MOSFET – Depletion Mosfet b. Nguyên lý hoạt động Để MOSFET làm việc, ID ID D RD D RD phải cung cấp điện áp 1 chiều tới các cực của nó, gọi N Keânh N N Keânh N e là phân cực cho MOSFET G e +VD G e +VD (phân cực cho mối nối GS và Ñeá S ee S DS) DS e P S D e S D N N Ñeá ID(mA) V > 0V GS P S S VGS = 0V IS IS IDSS 8 IG= 0 ID= IS VGS = -1V 2 4  VGS  I D  I DSS 1   0  ID  VP  VGS VP  VGS VP 1 VGS = -3V -3 0 VP V7DS
5.3.2. E-MOSFET a. Cấu tạo Chưa có kênh SiO2 SiO2 dẫn D D N P G Ñeá SS G Ñeá SS P N N P S S D D G G D D SS G G S S SS S S 8
5.3.2. E-MOSFET – Enhanced b.. Nguyên lý hoạt động 0  ID IG= 0 ID ID= IS D VT VGS RD 2 N I D  k VGS  VT  e ID(mA) ID(mA) e + G VDD 8 8 e Ñeá P SS 7 7 VGS = 10V VVGS GS=>0V 0V e e 6 6 5 5 VGS = 8V N 4 4 S 3 3 VGS = 6V IS 2 2 1 1 VGS = 4V V 0 T 0 VDS 2 4 6 VGS VT: điện áp ngưỡng (threshold) 9