Chương 5 :
ĐẠI CƯƠNG VỀ TRANSISTOR
HIỆU ỨNG TRƯỜNG
(Field Effect Transistors-FET)
BỘ GIÁO DỤC VÀO ĐÀO TẠO
ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM
KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ
Bộ Môn Cơ Sở Kỹ Thuật Điện tử
NỘI DUNG CHÍNH
5.1. Transistor trường JFET
Cấu tạo, ký hiệu và đặc tuyến của JFET
5.2. Transistor trường D-MOSFET
Cấu tạo, ký hiệu và đặc tuyến của D-MOSFET
5.3. Transistor trường E-MOSFET
Cấu tạo, ký hiệu và đặc tuyến của E-MOSFET
5.1.1. Cấu tạo, kí hiệu:
3
ID
S
D
G
VGS
ID
D
G
S
VGS
N
Gate (G)
Drain(D)
Source(S)
P P
Vùng
nghèo
Kênh N
P
Drain(D)
Source(S)
N N
Vùng
nghèo
Gate (G)
Kênh P
JFET kênh N JFET kênh P
5.1. Transistor trường JFET
5.1.2. Nguyên lý hoạt động
4
Để JFET làm việc, phải cung cấp điện áp 1 chiều tới các cực của linh kiện, gọi
là phân cực cho JFET (phân cực cho mối nối GS và DS)
N
D
S
VDD
+
e
e
GP
P
ID
IS
VGS
IDSS VGS = 0V
|VP|
VP1
2
3
8
-2
VGS
ID(mA)
-1-3
-4 0VDS
VGS = -1V
VGS = -2V
VGS = -3V
VGS = -4V
Vùng điện trở
Vùng thắt kênh
IG= 0
ID= IS
5.1. Transistor trường JFET
5
IDSS VGS = 0V
|VP|
VP1
2
3
8
-2
VGS
ID(mA)
-1-3
-4 0VDS
VGS = -1V
VGS = -2V
VGS = -3V
VGS = -4V
0
2
1
d
G S
P
r
r
V
V
2
1GS
D DSS
P
V
I I
V
Điện trở kênh dẫn:
Dòng điện chạy qua
kênh dẫn:
0 IDIDSS
VPVGS 0
IDSS: Dòng điện IDkhi ngắn mạch GS (short)
VP: Điện áp nghẽn (thắt kênh)
r0: Điện trở cực máng nguồn khi VGS= 0
5.1.2. Nguyên lý hoạt động
5.1. Transistor trường JFET