Chương 4:
PHÂN CỰC CHO
TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
(Bipolar Junction Transistors- BJT)
BỘ GIÁO DỤC và ĐÀO TẠO
ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM
KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ
Bộ Môn Sở Kỹ Thuật Điện tử
NỘI DUNG CHÍNH
2
4.1. Giới thiệu điểm làm việc tĩnh Q:
4.2. Các dạng mạch phân cực cho BJT
4.3. Phương trình đường tải một chiều_ (DC Load line)
4.4. Khảo t sự thay đổi DCLL theo các thông số
3
Mục đích:
Phân cực cho BJT nhằm xác định chế đ hoạt động điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ)
của BJT.
Điểm làm
việc.
4.1. Giới thiệu điểm làm việc tĩnh Q:
4
* Mạch vòng BE:
-Vcc + ICRC+ VCE = 0
B
BECC
BR
VV
I
ICQ= IC= βIB
* Mạch vòng CE:
VCEQ= VCE = Vcc - ICRC
-Vcc + IBRB+ VBE = 0
Điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ)
=Vγ
4.2. Các dạng phân cực cho BJT
4.2.1 Mạch phân cực định dòng không điện trở RE
5
* Mạch vòng BE:
-Vcc + ICRC+ VCE + IERE= 0
EB
BECC
BRR
VV
I
1
ICQ= IC= βIB
* Mạch vòng CE:
VCEQ= VCE = Vcc – IC(RC+ RE) (ICIE)
-Vcc + IBRB+ VBE + IERE= 0
Điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ)
Mà IE= (β+1)IB
=Vγ
4.2. Các dạng phân cực cho BJT
4.2.2 Mạch phân cực định dòng điện trở RE