Bài giảng Điện tử tương tự 1: Transistor trường

Chia sẻ: _ _ | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:28

Thêm vào BST

Báo xấu

18
lượt xem 2
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Bài giảng "Điện tử tương tự 1: Transistor trường" được biên soạn với các nội dung chính sau: Cấu trúc và hoạt động của transistor trường; Các dạng mắc mạch; Các phương pháp phân cực cho trasistor trường; Các tham s ố kỹ thuật quan trọng của FET. Mời thầy cô và các em cùng tham khảo chi tiết bài giảng tại đây!

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Bài giảng Điện tử tương tự 1: Transistor trường

4.396 Điện tử tương tự 1 Bài giảng: Transistor trường Slide 1
Nội dung • 5.1 Cấu trúc và hoạt động của transistor trường – 5.1.1 Phân loại transistor trường – 5.1.2 Transistor trường có cực cửa tiếp giáp (JFET) – 5.1.3 Transistor trường có cực cửa cách ly (MOSFET) • 5.2 Các dạng mắc mạch – 5.2.1 Mạch nguồn chung – 5.2.2 Mạch máng chung – 5.2.3 Mạch cửa chung • 5.3 Các phương pháp phân cực cho trasistor trường – 5.3.1 PP phân cực cố định – 5.3.2 PP tự phân cực – 5.3.3 PP phân cực bằng mạch phân áp – 5.3.4 PP phân cực kiểu hồi tiếp • 5.4 Các tham số kỹ thuật quan trọng của FET Slide 2
5.1 Cấu trúc và hoạt động của FET • 5.1.1 Phân loại transistor trường • 5.1.2 Tran Transistor trường có cực cửa tiếp giáp (JFET) • 5.1.3 Transistor trường có cực cửa cách ly (MOSFET) Slide 3
5.1.1 Phân loại FET • Transistor trường có cực cửa tiếp giáp JFET (Junction Field-Effect Transistor) – Kênh n – Kênh p • Transistor trường có cực cửa cách ly MOSTFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) – Kiểu Depletion: kênh n, kênh p – Kiểu Enhancement: kênh n, kênh p Slide 4
5.1.2 JFET • Cấu trúc Slide 5
5.1.2 JFET • Hoạt động cơ bản: – Khi VGS = 0V , VDS tăng dần tới 1 giá trị dương pinch-off Slide 6
5.1.2 JFET • Hoạt động cơ bản – Khi VGS < 0V , VDS tại một giá trị dương Slide 7
5.1.2 JFET • Hoạt động cơ bản – Điện trở điều khiển bởi điện áp • JFET có thể được sử dụng như 1 biến trở r0 r= 2  VGS  1 −   VP  Slide 8
5.1.2 JFET • Ký hiệu kênh n kênh p • Đặc tuyến truyền đạt Phương trình Schockley 2  VGS  I D = I DSS 1 −  VP  VP = VGS ( off ) Slide 9
5.1.2 JFET • JFET, BJT 2  VGS  I D = I DSS 1 − IC = β I B  VP  ID = IS IC ≈ I E I G ≈ 0A VBE ≈ 0,7V Slide 10
5.1.3 MOSFET • Cấu trúc kênh n có sẵn kênh n cảm ứng Slide 11
5.1.3 MOSFET • Hoạt động kênh n có sẵn kênh n cảm ứng VGS = 0, VDS 0 > VGS > 0, VDS > 0 Slide 12
5.1.3 MOSFET • Kí hiệu kênh có sẵn kênh cảm ứng Slide 13
5.1.3 MOSFET • Đặc tuyến truyền đạt kênh n có sẵn 2  VGS  I D = I DSS 1 −  VP  kênh n cảm ứng I D = k (VGS VT ) − 2 I D ( on ) k= (V − VT ) 2 GS( on ) VT = VGS (Th ) Slide 14
5.1.3 MOSFET • Đặc tuyến truyền đạt kênh p có sẵn kênh p cảm ứng Slide 15
CMOS • CMOS - Complementary MOSFET – Chế tạo MOSFET kênh n và p trên cùng 1 đế – Trở kháng vào tương đối cao, tốc độ chuyển mạch nhanh, mức năng lượng hoạt động thấp – Thiết kế IC số CMOS inverter Slide 16
5.2 Các dạng mắc mạch • Có 3 dạng mắc mạch – Mạch nguồn chung – Mạch máng chung – Mạch cửa chung Slide 17
5.3 Các phương pháp phân cực cho FET • 5.3.1 PP phân cực cố định • 5.3.2 PP tự phân cực • 5.3.3 PP phân cực bằng điện áp phản hồi • 5.3.4 PP phân cực kiểu hồi tiếp Slide 18
5.3 Các phương pháp phân cực cho FET • Cách tính toán – Quan hệ • Đối với FET I G ≈ 0A ID = IS 2  VGS  • Đối với JFET và DMOSFET I D = I DSS 1 −  VP  I D = k (VGS VGS(Th − )) 2 • Đối với EMOSFET I D ( on ) k= (VGS(on) − VGS (Th) ) 2 Slide 19
5.3.1 PP phân cực cố định I G ≈ 0A VGS = −VGG 2  VGS  I D = I DSS 1 −  VP  VDS = VDD I D R−D - Cần 2 nguồn DC - Ít dùng với E-MOSFET Slide 20