intTypePromotion=1
ADSENSE

Bài giảng Mạch điện tử nâng cao: Chương 4 - ThS. Nguyễn Thanh Tuấn

Chia sẻ: Sơn Tùng | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:23

146
lượt xem
10
download
 
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Bài giảng "Mạch điện tử nâng cao - Chương 4: Mạch dao động" cung cấp cho người học các kiến thức: Mạch dao động hình sin tần số thấp (Mạch dao động dịch pha RC, mạch dao động cầu Wien), thiết kế mạch dao động tần số thấp. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.

Chủ đề:
Lưu

Nội dung Text: Bài giảng Mạch điện tử nâng cao: Chương 4 - ThS. Nguyễn Thanh Tuấn

  1. Chương 4: Mạch dao động Th.S. Nguyễn Thanh Tuấn Bộ môn Viễn thông (B3) nttbk97@yahoo.com 1
  2. Nội dung • Mạch dao động hình sin tần số thấp: MKĐ hồi tiếp có độ lợi vòng T=1 (hồi tiếp dương) tại 1 tần số và |T|
  3. Nguyên lý dao động • Tiêu chuẩn Barkhausen: 3
  4. Tiêu chuẩn Barkhausen 4
  5. Mạch dao động dịch pha RC • Trễ hay sớm pha? • Cần tối thiểu bao nhiêu tầng RC? 5
  6. • Tính chính xác 6
  7. • Rf = 29Ri 7
  8. 8
  9. 9
  10. 10
  11. 11
  12. Mạch dao động cầu Wien 12
  13. 13
  14. 14
  15. • Tín hiệu nhỏ: D1 và D2 tắt  GAIN>3. • Tín hiệu lớn: D1 hoặc D2 dẫn  điện trở dẫn của diode mắc song song làm giảm R12 tương đương  GAIN=3. 15
  16. • Nếu độ lợi vòng hở (AC) bằng 1 V/V thì mạch dao động tại tần số đó. 16
  17. Chỉnh tần số dao động 17
  18. 18
  19. 19
  20. Bài tập 1 • Vẽ 1 sơ đồ mạch dao động (dạng sóng sin) tần số 1KHz, biết rằng chỉ có 1 Op-Amp lý tưởng, các điện trở (xác định giá trị) và a) 3 tụ điện C1 = 0.1uF, C2 = 0.2uF, C3 = 0.3uF. b) 3 tụ điện C1 = 0.16uF, C2 = 0.2uF, C3 = 0.8uF. 20
ADSENSE

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

 

Đồng bộ tài khoản
2=>2