Điện tử cơ bản: Transistor trường ứng( FET)

Chia sẻ: 124357689 124357689 | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:60

Thêm vào BST

Báo xấu

273
lượt xem 89
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

FET ( Field Effect Transistor)-Transistor hiệu ứng trường – Transistor trường. • Có 2 loại: - Transistor trường nối (JFET-Junction FET. - Transistor có cổng cách điện ( IGFETInsulated Gate FET hay MOSFET – Metal Oxide Semiconductor : Kim loại- oxid-bán dẫn)

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Điện tử cơ bản: Transistor trường ứng( FET)

Điện Điện tử cơ bản Ch 6.Transistor trường ứng( FET)
I. I. Đại cương và phân loại • FET ( Field Effect Transistor)-Transistor hiệu ứng trường – Transistor trường. • Có 2 loại: - Transistor trường nối (JFET-Junction FET. - Transistor có cổng cách điện ( IGFET- Insulated Gate FET hay MOSFET – Metal Oxide Semiconductor : Kim loại- oxid-bán dẫn)
I. I. JFET 1.Cấu tạo D D D D G G G G p p n n n p S S S S kênh n kênh p
• JFET
• JFET kênh n
2 Cách hoạt động(xem hình ). Cách • VGS >0 nối pn phân cực thuận và do đó sẽ có dòng điện từ cực nguồn S đến cực thoát D lớn nhưng không điều khiển được a.VGS = 0 V và VDS >0 : Nối pn phân cực nghịch tạo thành vùng hiếm 2 bên mối nối , khi VDS càng lớn vùng hiếm càng rộng làm thắt chặt đường đi của điện tử tự do bị hút về cực thoát. Kết quả : khi VDS nhỏ dòng thoát ID tăng nhanh, khi VDS càng lớn dòng thoát tăng chậm, khi VDS đủ lớn vùng hiếm làm nghẽn kênh ,dòng thoát bão hòa IDSS( do dòng ID có trị lớn nhất và không thay đổi),và điện thế nghẽn Vpo ( do VGS=0V)
Phân cực
• Khi VDS lớn
source voltage is lower than -Vp, no current flows. This is the cutoff cutoff region Gate Source Drain p n Channel p
depletion regions form around the gate sections. As the gate voltage is increased, the depletion regions widen, and the channel width (i.e., the resistance) is controlled by by the gate-source voltage. This is the ohmic region of source ohmic of the the JFET Gate Source Drain p n Channel p depletion regions
regions further widen near the drain end, eventually pinching off the channel. This corresponds to the saturation region saturation Gate Source Drain p n Channel p Pinched-off channel
b.Khi b.Khi cho VDS = h.s và VGS
VGS = 5 V G p+ SCL n S D VDS F ig . 6 .3 2 : W h e n V G S = 5 V th e d e p le tio n la y e r s c lo se t h e w h o le c h a n n e l f r o m th e s ta r t, a t V D S = 0 . A s V D S is in c r e a s e d t h e r e is a v e r y s m a l l d r a i n c u r r e n t w h i c h is t h e s m a l l r e v e r s e le a k a g e c u r r e n t d u e to th e r m a l g e n e r a tio n o f c a r r ie r s in th e d e p le tio n la y e r s . F r o m P r i n c i p l e s o f E l e c t r o n i c M a t e r i a l s a n d D e v i c e s , S e c o n d E d i t i o n , S . O . K a s a p ( © M c G r a w - H il l , 2 0 0 2 ) h t t p : / / M a t e ria l s . U s a s k . C a
II. II. Đặc tuyến và công thức dòng thoát ID 1.Đặc tuyến ngõ ra ID = f(VDS) tạiVGS=h,s. Có 3 vùng: Vùng điện trở Vùng bão hoà Vùng ngưng
Figure 9.41 JFET characteristic characteristic curves 4m 0V 3m – 0.5 V 2m – 1.0 V 2m – 1.5 V 800 u – 2.0 V – 2.5 V VGS = – 3 V 0 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 Drain-source voltage, V
• Theo chùm( họ) đặc tuyến ra , quỉ tích các điện thế nghẽn là đường cong thoả hàm số theo điện thế phân cực và Vpo: Vp = VDS bh = VGS + Vpo ( Với Vpo >0) (1) Thí dụ :Khi : VGS = 0V VDS0bh = VP0=0+5V = 5V VGS = -1V VDS1bh=VP1=-1+5V = 4V VGS = -2V VDSbh = VP2=-2+5V = 3V ……………… VGS = -5V VDSbh =VP5=-5V+5V = 0 (Vp5 = VGSOFF) • Do tính chất đối xứng nên VPO và VGSOFF bằng nhau nhưng khác dấu. Mặt khác theo định luật kirchooff về thế ta có:VDS = VDG+VGS và khi VGS = 0 V ta điện thế nghẽn VDS0 = VDGo = Vpo (để dễ liên tưởng đến điện thế nghẽn ( pinch off), nên khi VGS
2. 2. Đặc tuyến truyền ID=f(VGS)