intTypePromotion=1

Khảo sát tính nhạy khí amôniắc (NH3) chọn lọc tại nhiệt độ phòng sử dụng cảm biến trên cơ sở ống nano cácbon đa thành

Chia sẻ: Tho Tho | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:8

0
28
lượt xem
3
download

Khảo sát tính nhạy khí amôniắc (NH3) chọn lọc tại nhiệt độ phòng sử dụng cảm biến trên cơ sở ống nano cácbon đa thành

Mô tả tài liệu
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Cảm biến khí amôniắc (NH3) trên cơ sở ống nanô cácbon đa thành (MWCNT) đã được nghiên cứu và chế tạo. MWCNT dạng màng được mọc trực tiếp trên điện cực Pt bằng phương pháp lắng đọng hóa học pha hơi (CVD) để chế tạo linh kiện cảm biến. Kết quả cho thấy màng CNT đáp ứng khí NH3 có chọn lọc tại nhiệt độ phòng.

Chủ đề:
Lưu

Nội dung Text: Khảo sát tính nhạy khí amôniắc (NH3) chọn lọc tại nhiệt độ phòng sử dụng cảm biến trên cơ sở ống nano cácbon đa thành

Science & Technology Development, Vol 15, No.K2- 2012<br /> KHẢO SÁT TÍNH NHẠY KHÍ AMÔNIẮC (NH3) CHỌN LỌC TẠI NHIỆT ðỘ<br /> PHÒNG SỬ DỤNG CẢM BIẾN TRÊN CƠ SỞ ỐNG NANO CÁCBON ðA THÀNH<br /> Nguyễn Quang Lịch(1) , Nguyễn Công Tú(1), Lý Tuấn Anh(1), Trần Phúc Thành(1)<br /> Phan Quốc Phô(1), Nguyễn Hữu Lâm(1,2)<br /> <br /> (1)Viện Vật lý kỹ thuật (SEP), Trường ðại học Bách Khoa Hà Nội<br /> (2) Viện Tiên tiến về Khoa học và công nghệ (AIST), Trường ðại học Bách Khoa Hà Nội<br /> (Bài nhận ngày 16 tháng 10 năm 2012, hoàn chỉnh sửa chữa ngày 25 tháng 12 năm 2012)<br /> <br /> TÓM TẮT: Cảm biến khí amôniắc (NH3) trên cơ sở ống nanô cácbon ña thành (MWCNT) ñã<br /> ñược nghiên cứu và chế tạo. MWCNT dạng màng ñược mọc trực tiếp trên ñiện cực Pt bằng phương<br /> <br /> pháp lắng ñọng hóa học pha hơi (CVD) ñể chế tạo linh kiện cảm biến. Kết quả cho thấy màng CNT ñáp<br /> ứng khí NH3 có chọn lọc tại nhiệt ñộ phòng.<br /> Từ khóa: Ống nano cácbon (CNT); cảm biến; lắng ñọng hóa học pha hơi (CVD).<br /> GIỚI THIỆU<br /> <br /> dụ: SnO2, ZnO…). Những cảm biến loại này<br /> <br /> Trong những năm gần ñây, những nghiên<br /> <br /> thường có nhiệt ñộ làm việc cao trong vùng từ<br /> <br /> cứu trong lĩnh vực cảm biến phát hiện phân tử<br /> <br /> 300 oC ñến 400 oC. ðể tiết kiệm năng lượng và<br /> <br /> khí ñã thu hút ñược nhiều sự quan tâm của các<br /> <br /> giảm nhiệt ñộ làm việc của cảm biến, các nhà<br /> <br /> nhà nghiên cứu trong và ngoài nước. Mục tiêu<br /> <br /> nghiên cứu ñã tìm kiếm những vật liệu mới có<br /> <br /> cuối cùng của các nhà nghiên cứu cảm biến khí<br /> <br /> thể thay thế cho vật liệu ôxít kim loại có tính<br /> <br /> là tạo ra một thiết bị ñiện tử có thể phát hiện<br /> <br /> bán dẫn. Ống nano cácbon (CNT) là một trong<br /> <br /> từng loại khí có trong môi trường với giới hạn<br /> <br /> những vật liệu thay thế hấp dẫn nhất. CNT có<br /> <br /> nồng ñộ phát hiện thấp, ñộ nhạ y cao, có tính<br /> <br /> nhiều tính chất ưu việt như: có thể nhạ y khí ở<br /> <br /> chọn lọc và ñộ lặp lại cao. Hiện nay, môi<br /> <br /> nhiệt ñộ phòng, tỷ lệ diện tích bề mặt so với thể<br /> <br /> trường sống ngày càng ô nhiễm với sự xuất<br /> <br /> tích lớn… Có nhiều loại cảm biến khí NH3 trên<br /> <br /> hiện của nhiều loại khí ñộc hại hoặc dễ gây<br /> <br /> cơ sở CNT ñược phát triển như: cảm biến kiểu<br /> <br /> cháy nổ như: khí ga hóa lỏng (LPG), CO2,<br /> <br /> ion hóa [1], cảm biến kiểu tụ [2,3], cảm biến<br /> <br /> NH3, NO2, H2, …trong số này thì khí NH3 là<br /> <br /> kiểu CNT transistor trường [4], cảm biến ñiện<br /> <br /> phổ biến. Khí NH3 ñược sử dụng trong nông<br /> <br /> trở [5]… Tuy nhiên trong số này, loại cảm biến<br /> <br /> nghiệp, trong quá trình chẩn ñoán sức khỏe,<br /> <br /> ñiện trở thường ñược quan tâm phát triển vì<br /> <br /> hay trong quá trình phân hủy thức ăn, chất hữu<br /> <br /> linh kiện cảm biến loại này dễ chế tạo và dễ<br /> <br /> cơ …<br /> <br /> khảo sát so với các loại khác.<br /> <br /> Cảm biến khí NH3 chủ yếu ñược phát triển<br /> <br /> Trong bài báo này, CNT ñược tổng hợp bằng<br /> <br /> trên cơ sở các ôxít kim loại có tính bán dẫn (ví<br /> <br /> phương pháp lắng ñọng hóa học từ pha hơi<br /> <br /> Trang 62<br /> <br /> TAÏP CHÍ PHAÙT TRIEÅN KH&CN, TAÄP 15, SOÁ K2- 2012<br /> (CVD) sử dụng xúc tác Ni ñể mọc CNT trên<br /> <br /> nghệ vi ñiện tử có dạng hình răng lược ñan xen<br /> <br /> vùng ñiện cực kim loại Platin (Pt). CNT ñược<br /> <br /> nhau (hình 1). Sau ñó, một lớp kim loại Ni<br /> <br /> làm sạch bằng cách ủ nhiệt trong không khí tại<br /> <br /> ñóng vai trò lớp xúc tác ñược phủ lên vùng<br /> <br /> o<br /> <br /> nhiệt ñộ 400 C. Kích thước và cấu trúc của<br /> <br /> ñiện cực răng lược bằng phương pháp phún xạ.<br /> <br /> CNT ñược quan sát bằng kính hiển vi ñiện tử<br /> <br /> Bề dày của lớp kim loại xúc tác khoảng 8-10<br /> <br /> quét ñộ phân giải cao FESEM-S4800. Hệ<br /> <br /> nm và ñược xác ñịnh một cách chính xác bằng<br /> <br /> Keithley 197A ñược sử dụng ñể khảo sát ñặc<br /> <br /> hệ ño vi cân tinh thể thạch anh (QCM – Quarzt<br /> <br /> trưng nhạ y khí NH3 của CNT.<br /> <br /> Crystal Microbalance). Tiếp theo, ñế có ñiện<br /> <br /> THỰC NGHIỆM<br /> <br /> cực ñược ñưa vào bên trong buồng phản ứng<br /> <br /> ðế linh kiện sử dụng là Si(001) ñược ôxy<br /> <br /> của hệ CVD nhiệt. Ở ñây, CNT ñược tổng hợp<br /> <br /> hóa nhiệt ñể tạo một lớp ôxit silic làm lớp cách<br /> <br /> tại nhiệt ñộ 750 oC với khí nguồn ñược chọn là<br /> <br /> ñiện. Tiếp theo ñó, phiến Si ñược phủ một lớp<br /> <br /> C2H2, thời gian phản ứng là 30 phút. Khí N2<br /> <br /> nhạy sáng và thực hiện quá trình quang khắc,<br /> <br /> ñược sử dụng làm khí mang ñể tạo môi trường<br /> <br /> ăn mòn tạo cấu trúc mong muốn. ðiện cực Pt<br /> <br /> khí trơ trong suốt quá trình thực hiện tạo mẫu,<br /> <br /> ñược chế tạo trên bề mặt ñế SiO2 bằng công<br /> <br /> ñồng thời bảo vệ CNT mới hình thành khỏi bị<br /> <br /> ôxy hóa bởi ôxy trong không khí.<br /> <br /> Hình 1: Mô tả cảm biến kiểu ñiện trở răng lược và màng CNT ñược tổng hợp trên vùng ñiện cực răng lược Pt phủ<br /> trên ñế SiO2/Si<br /> <br /> Ngay sau quá trình tạo CNT, mẫu ñược ñưa<br /> o<br /> <br /> kết thúc quá trình ủ nhiệt, mẫu ñược làm nguội<br /> <br /> về nhiệt ñộ 400 C ñể làm sạch. Quá trình làm<br /> <br /> tự nhiên ñến nhiệt ñộ phòng. Bề mặt và cấu<br /> <br /> sạch ñược thực hiện bằng việc ủ mẫu có chứa<br /> <br /> trúc của màng CNT sẽ ñược khảo sát bằng kính<br /> <br /> màng CNT trong môi trường không khí. Ở<br /> <br /> hiển vi ñiện tử quét phát xạ trường FESEM.<br /> <br /> nhiệt ñộ này, ôxy trong không khí có thể phản<br /> <br /> ðặc trưng nhạ y khí của cảm biến ñược khảo sát<br /> <br /> ứng ôxy hóa cácbon vô ñịnh hình. Cần chú ý<br /> <br /> bằng hệ ño khí kín sử dụng thiết bị Keithley<br /> <br /> rằng cácbon tinh thể của CNT không thể bị phá<br /> <br /> 197A kết nối với máy tính.<br /> <br /> hủy ở nhiệt ñộ ủ nêu trên. Cuối cùng, sau khi<br /> <br /> Trang 63<br /> <br /> Science & Technology Development, Vol 15, No.K2- 2012<br /> KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN<br /> <br /> nguyên tử cácbon luôn bám vào mặt trên của<br /> <br /> Hình 2 là ảnh hiển vi ñiện tử quét FESEM<br /> <br /> các hạt kim loại làm cho ống cácbon phát triển<br /> <br /> của mẫu ñược tổng hợp tại nhiệt ñộ 750 C<br /> <br /> theo chiều ngược trong khi các hạt kim loại<br /> <br /> trong thời gian 30 phút và ñược ủ nhiệt tại 400<br /> <br /> luôn bám chặt vào bề mặt ñế bán dẫn.<br /> <br /> o<br /> <br /> 0<br /> <br /> C. Có thể thấ y CNT ở ñây mọc rất ñều và có<br /> <br /> Trên bề mặt ñiện cực Pt và tại vùng giữa các<br /> <br /> ñường kính trung bình khoảng 30 nm. Trong<br /> <br /> ñiện cực trên ñế SiO2, bề mặt ôxit silic phẳng,<br /> <br /> quá trình mọc, ống CNT có ñộ dài ñủ lớn, kết<br /> <br /> nhẵn sẽ hỗ trợ các nguyên tử xúc tác di chuyển<br /> <br /> lại với nhau ñể tạo thành một màng CNT khá<br /> <br /> và tích tụ thành các hạt xúc tác có kích thước<br /> <br /> dày. Ảnh FESEM cũng cho thấ y lớp CNT<br /> <br /> cỡ nanomet phù hợp cho sự hình thành CNT.<br /> <br /> không những hình thành ở vùng giữa các ñiện<br /> <br /> Từ ñó, CNT hình thành trên lớp xúc tác có bề<br /> <br /> cực Pt mà còn xuất hiện trên các ñiện cực ñó<br /> <br /> dày thích hợp trong khoảng 8 - 10 nm. Với kích<br /> <br /> với mật ñộ thấp hơn (hình 2a).<br /> <br /> thước các hạt xúc tác và ñiều kiện của phản<br /> <br /> Quá trình mọc CNT bằng phương pháp CVD<br /> <br /> ứng CVD ñã nêu thì CNT hình thành có mật ñộ<br /> <br /> chủ yếu ñược giải thích bằng cơ chế VLS (khí -<br /> <br /> rất cao nên các CNT có thể dễ dàng tiếp xúc<br /> <br /> lỏng - rắn). Trong cơ chế này, quá trình mọc<br /> <br /> với ñiện cực tạo nên một tiếp xúc tốt giữa<br /> <br /> CNT ñược hỗ trợ bởi các hạt xúc tác và kích<br /> <br /> màng CNT và các ñiện cực răng lược Pt.<br /> <br /> thước của CNT phụ thuộc vào kích thước các<br /> <br /> Việc làm sạch CNT bằng phương pháp ủ<br /> <br /> hạt xúc tác. Trong quá trình mọc, vai trò của<br /> <br /> nhiệt tại nhiệt ñộ 400 0C trong môi trường<br /> <br /> các hạt xúc tác rất quan trọng. Chỉ những hạt<br /> <br /> không khí cho kết quả bề mặt của màng CNT<br /> <br /> xúc tác phù hợp mới thúc ñẩy việc hình thành<br /> <br /> không tạo thành các cụm cácbon vô ñịnh hình<br /> <br /> cấu trúc CNT. Các nghiên cứu cho thấ y ống<br /> <br /> rõ rệt và giảm thiểu các sai hỏng cấu trúc. Tại<br /> <br /> CNT ñược hình thành theo hai cơ chế chính là<br /> <br /> vùng nhiệt ñộ này, ôxy sẽ tham gia quá trình<br /> <br /> “phát triển tại ñỉnh” (tip-growth) và “phát triển<br /> <br /> ñốt cháy các phần tử vô ñịnh hình tạo thành khí<br /> <br /> tại gốc” (base-growth) [6,7]. Liên quan ñến cơ<br /> <br /> CO2 và ñược ñẩ y ra ngoài. Các hình ảnh chụp<br /> <br /> chế thứ nhất, các nguyên tử cácbon sẽ bám vào<br /> <br /> FESEM có ñộ phóng ñại lớn (hình 2b, 2c) cho<br /> <br /> mặt dưới của các hạt kim loại và ñẩ y các hạt<br /> <br /> thấ y màng CNT sau khi ủ nhiệt có ñộ sạch cao,<br /> <br /> kim loại lên làm cho các hạt kim loại này luôn<br /> <br /> bề mặt ống CNT mịn và phía ñầu ống CNT có<br /> <br /> gắn vào ñầu của ống cácbon trong quá trình<br /> <br /> xuất hiện các hạt xúc tác, phù hợp với cơ chế<br /> <br /> phát triển. Do ñó, ống cácbon thường ñược<br /> <br /> hình thành CNT ñã nêu trên.<br /> <br /> phát triển có kích thước dài và bề mặt mịn. Cơ<br /> chế thứ hai là các hạt kim loại sẽ ñóng vai trò<br /> trợ giúp cho sự phát triển của ống cácbon. Các<br /> <br /> Trang 64<br /> <br /> TAÏP CHÍ PHAÙT TRIEÅN KH&CN, TAÄP 15, SOÁ K2- 2012<br /> <br /> a)<br /> <br /> b)<br /> <br /> c)<br /> <br /> Hình 2. Ảnh FESEM của CNT ñược tổng hợp bằng phương pháp CVD tại nhiệt ñộ 750 oC trong thời gian 30 phút<br /> trên ñế SiO2 có chứa ñiện cực răng lược Pt . Các ống CNT kết hợp với nhau tạo thành màng cácbon dày trên toàn bộ<br /> vùng diện tích giữa và trên ñiện cực (a). Ảnh phóng ñại x 10.000 lần (b) và x 150.000 lần (c) của màng CNT thu<br /> ñược.<br /> <br /> Hình 3 thể hiện kết quả ño phổ Raman của<br /> <br /> bề rộng phổ khá hẹp thể hiện cấu trúc tinh thể<br /> <br /> ống nano cácbon ña thành hình thành với ñiều<br /> <br /> khá tốt của ống nano cácbon. Ngoài ra, ñỉnh có<br /> <br /> kiện nêu trên. Ở ñây, chúng tôi sử dụng nguồn<br /> <br /> giá trị cỡ 1325 cm-1 ñược xác ñịnh do cấu trúc<br /> <br /> ánh sáng kích thích là laser He-Ne với bước<br /> <br /> bất trật tự của ống nano cácbon, có thể từ các<br /> <br /> sóng 632,8 nm. Cấu trúc ña lớp của ống CNT<br /> <br /> sai hỏng, tạp chất một phần còn tồn lại dính<br /> <br /> ñược xác ñịnh bởi sự xuất hiện của ñỉnh phổ tại<br /> <br /> trên bề mặt ống cácbon.<br /> <br /> -1<br /> <br /> giá trị 1590 cm (ñỉnh G-band). Phổ G-banb có<br /> <br /> Trang 65<br /> <br /> Science & Technology Development, Vol 15, No.K2- 2012<br /> <br /> Hình 3. Phổ Raman của màng CNT nhận ñược, ñỉnh G-band thể hiện tính tinh thể của ống cácbon ña<br /> thành, ñỉnh D-band thể hiện tính bất trật tự của cấu trúc.<br /> <br /> Ống nano cácbon có thể ñược sử dụng ñể<br /> <br /> buồng khí kín có chứa NH3 với các nồng ñộ khí<br /> <br /> làm cảm biến nhạy khí NH3. Tính nhạ y khí<br /> <br /> thấp và có thể thay ñổi (giá trị nồng ñộ khí<br /> <br /> NH3 của ống CNT ñược cho là do sự trao ñổi<br /> <br /> ñược xác ñịnh thông qua thiết bị ño nồng ñộ<br /> <br /> ñiện tử của khí NH3 với bề mặt ống CNT. Khi<br /> <br /> khí NH3 BW Canada Gas Alert). Có thể nhận<br /> <br /> CNT hấp thụ phân tử khí NH3 (một loại khí có<br /> <br /> thấ y rõ sự thay ñổi về ñộ ñáp ứng khí<br /> <br /> tính khử), ñiện trở của CNT tăng lên, tính chất<br /> <br /> (Response % = (Rgas – R0)/R0 x 100% ), trong<br /> <br /> này giống tính chất nhạ y khí của bán dẫn loại p<br /> <br /> ñó Rgas và R0 là ñiện trở của màng CNT khi có<br /> <br /> hoặc vật liệu dẫn ñiện bằng lỗ trống [5,8,9].<br /> <br /> khí thử và khi chưa có khí thử. Nói cách khác<br /> <br /> Phân tử khí NH3 sẽ cho CNT ñiện tử, những<br /> <br /> ñây chính là sự thay ñổi ñiện trở của màng<br /> <br /> ñiện tử này sẽ liên kết với “lỗ trống” trong<br /> <br /> chứa CNT. ðiện trở màng CNT thay ñổi ngay<br /> <br /> CNT làm giảm mật ñộ các hạt mang ñiện do ñó<br /> <br /> lập tức khi môi trường có khí NH3, mặc dù với<br /> <br /> làm giảm ñộ dẫn của CNT.<br /> <br /> nồng ñộ thấp khoảng 7 ppm. Chúng tôi tiếp tục<br /> <br /> Hình 4a là kết quả khảo sát ñặc trưng nhạ y<br /> khí của màng CNT thu ñược ñối với khí NH3.<br /> Có thể nhận thấ y cảm biến trên cơ sở CNT có<br /> ñáp ứng với khí NH3 ngay tại nhiệt ñộ phòng.<br /> <br /> Trong thực nghiệm, chúng tôi ñã sử dụng<br /> <br /> thay ñổi nồng ñộ khí với bước nhả y 7 ppm thì<br /> nhận thấ y ñộ ñáp ứng khí vẫn tăng ổn ñịnh ~<br /> 1% qua từng giá trị nồng ñộ ño. Thời gian ñáp<br /> ứng khí của ống nanô cácbon với khí NH3 là<br /> <br /> khá tốt, ñiện trở tăng nhanh ngay khi có khí thử<br /> ñược bơm vào.<br /> <br /> Trang 66<br /> <br />
ADSENSE
ADSENSE

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

 

Đồng bộ tài khoản
2=>2