1
III - PHƯƠNG PHÁP CHTO MÀ
NG
MNG TNH:
Thông thường, các màng mỏng để thsdụng đều được
chếto trên các lớp đế, là các khi vt liệu đơn tinh thể (VD: Si,
MgO, Ge, GaAs, thch anh...). Các kthut chếto ng
mng bắt đầu được phát trin tcui thếk 19, cho đến thi
điểm hin ti, có rt nhiều phương pháp được dùng tùy theo
mục đích và điều kin kinh tế, kthut:
Kthut m điện
Kthut phun tĩnh điện
Bc bay nhit trong chân không
Phún xcatt
Epitaxy chùm phân t(MBE)
Lng đọng hơi a hc (CVD)
Lng đọng chùm laser
Phương pháp sol-gel
2
Mt s phương pháp chính thường dùng
để chếto màng mng tlà:
Epitaxy chùm phân t(MBE)
Bc bay nhit trong chân không
Phương pháp phún x
Lng đọng hơi hóa hc (CVD)
Cu trúc ca màng mng tùy thuc vào k
thut chếto, có thmang cu trúc ca vt liu
ngun, hoc có thể thay đổi phthuc vào k
thut chếto, các điu kin khi chếto.
3
1 .Epitaxy chùm phân t(MBE):
Epitaxy chùm phân t(Molecular beam
epitaxy, viết tt MBE) là thut ngchmt k
thut chếtong mng bng cách sdng
các chùm phân tlng đọng trên đế đơn tinh
thtrong chân không siêu cao, để thu được các
màng mng đơn tinh th cu trúc tinh th
gn vi cu trúc ca lpđế. Kthut này được
phát minh vào nhng năm 60 cathếk20 ti
Phòng thí nghim Bell (Bell Telephone
Laboratories) biJ.R. Arthur Alfred Y. Cho.
4
* Kthut MBE ch ththc hinđược trong môi
trường chân không siêu cao (áp sutthphơn 10-9
Torr), do đó cho phép to ra các màng mng vt liu
độ tinh khiết rt cao. Điểm khác bitcơ bn nht
ca MBE so vi các kthut màng mng khác (ví d
như phún x, bc bay nhit...) là các màng mng đơn
tinh th đưc mc lên tlpđế đơn tinh thvi tc
độ cc thp và có độ hoàn ho rt cao. Vì thế, k
thut MBE cho phép to ra các siêu mng, thm chí
chvài lpnguyên tvi chtlượng rt cao. Tuy
nhiên, chtng màng cũng như tcđộ to màng
phthuc nhiu vào độ hoàn ho ca môi trường
chân không. Lpđế bên dưới đơn tinh th, có tác
dng như mt mmđể lp màng phát trin lên trong
quá trình ngưng đọng.
5