1. transistor c u t o va nguyên t c ho t đ ng ạ ộ ấ ạ ắ
c. ắ ậ ượ ạ ộ ấ ạ
. ( Bóng bán d n ) ẫ ớ ậ ế ẫ ố ế c Transistor thu n , n u ghép theo th t ượ ng đ ng di n c u t o Transistor t ớ PNP ta đ c. v ph ươ ươ ề ươ ệ ấ ạ NPN ta đ ớ ứ ự ấ ng v i hai Diode đ u ề
ớ ệ ự ố ẫ ượ ố ượ ấ ạ ớ ẫ ự ộ ạ c n i ra thành ba c c , l p gi a g i là c c g c ký hi u là B ( Base ), ỏ ự ấ ự ạ ớ ự t t ế ắ ạ ấ ư ẫ ị ộ ạ ồ t là E, và c c thu c n i ra thành c c phát ( Emitter ) vi ượ ố t là C, vùng bán d n E và C có cùng lo i bán d n (lo i N t t ế ắ ẫ c và n ng đ t p ch t khác nhau nên không hoán v cho nhau ồ c. . ủ
ắ ạ ủ ồ ộ ấ ề ự ự ồ ồ ự ộ ấ ở ạ ự ự ở ắ ẫ c c p đi n nh ng v n ượ ấ ự ư ệ ặ ệ ạ ừ ự ậ ắ ự ấ ằ ạ ố ắ ộ ề ự ệ ạ ạ ồ ố
ậ ứ ạ ấ ố ấ ạ ề ầ ụ ư ậ ụ ộ ộ
ố
ệ ố ế i thích : Khi có đi n áp UCE nh ng các đi n t tr ng không th v và l ạ ố ạ ủ ệ ỗ ố
t ể ạ ồ ạ ỏ ộ ớ ừ ớ ng l ế ớ ư ệ ấ t qua ti p giáp sang l p bán d n P( c c B ) l n h n s l ẫ ệ ử do t ơ ố ượ ạ ỏ ố t qua m i ệ ử ể ượ i c c ạ ự ệ ấ ẫ l p bán d n N ( c c E ) ậ ố ệ ử ự ự ẫ ề tr ng r t nhi u, ỗ ố ớ ự ấ ầ ớ tr ng t o thành dòng IB còn ph n l n đó th vào l ỗ ố ế i tác d ng c a đi n áp UCE => t o thành dòng ICE ủ ướ ự ụ ệ ạ ạ ạ ộ ươ ự ủ ự ng t i . Dòng IC đi t Transistor NPN nh ng c c tính ư ừ E sang C còn dòng IB đi t c l ượ ạ ừ ồ
ủ ệ , Cách xác C u t o và nguyên t c ho t đ ng c a Transistor thu n và Transistor ng ủ -------------------------------------------------------------------------------- 1. C u t o c a Transistor ấ ạ ủ Transistor g m ba l p bán d n ghép v i nhau hình thành hai m i ti p giáp P-N , n u ế ồ ghép theo th t ượ c ứ ự Transistor ng ượ ng c chi u nhau . C u t o Transistor Ba l p bán d n đ ữ ọ l p bán d n B r t m ng và có n ng đ t p ch t th p. ấ ấ ớ Hai l p bán d n bên ngoài đ ẫ hay c c góp ( Collector ) vi hay P ) nh ng có kích th ướ đ ượ 2. Nguyên t c ho t đ ng c a Transistor ắ ạ ộ * Xét ho t đ ng c a Transistor NPN . ạ ộ ủ M ch kh o sát v nguyên t c ho t ạ ề ả đ ng c a transistor NPN ộ Ta c p m t ngu n m t chi u UCE vào hai c c C và E trong đó (+) ngu n vào c c C và ộ (-) ngu n vào c c E. C p ngu n m t chi u UBE đi qua công t c và tr h n dòng vào hai c c B và E , trong ắ ề ồ đó c c (+) vào chân B, c c (-) vào chân E. Khi công t c m , ta th y r ng, m c dù hai c c C và E đã đ không có dòng đi n ch y qua m i C E ( lúc này dòng IC = 0 ) ố Khi công t c đóng, m i P-N đ (+) c phân c c thu n do đó có m t dòng đi n ch y t ượ ngu n UBE qua công t c => qua R h n dòng => qua m i BE v c c (-) t o thành dòng IB Ngay khi dòng IB xu t hi n => l p t c cũng có dòng IC ch y qua m i CE làm bóng đèn ệ phát sáng, và dòng IC m nh g p nhi u l n dòng IB Nh v y rõ ràng dòng IC hoàn toàn ph thu c vào dòng IB và ph thu c theo m t công ộ th c . ứ IC = β.IB Trong đó IC là dòng ch y qua m i CE IB là dòng ch y qua m i BE ạ β là h s khuy ch đ i c a Transistor Gi ả ti p giáp P-N đ t o thành dòng đi n, khi xu t hi n dòng IBE do l p bán d n P t ế B r t m ng và n ng đ pha t p th p, vì v y s đi n t ấ v ượ m t ph n nh trong s các đi n t ố ầ ộ s đi n t b hút v phía c c C d ề ố ệ ử ị ch y qua Transistor. * Xét ho t đ ng c a Transistor PNP . ủ S ho t đ ng c a Transistor PNP hoàn toàn t ự ạ ộ c a các ngu n đi n UCE và UBE ng ệ ủ E sang B. Ký hi u & hình d ng c a Transistor ạ N i dung : Ký hi u c a Transistor trên s đ và trên thân , Hình d ng th c t ệ ủ ự ế ơ ồ ạ ộ
ệ ệ ủ ấ
ạ ệ ủ ị ườ ư c s n xu t nh ng ấ ỹ ụ ng có nhi u lo i Transistor c a nhi u n ậ ả ườ ấ ậ ả ề ướ ả ố ụ ậ c NPN. các Transistor A và C th ỏ ườ ượ ệ ệ ườ ng có công xu t nh và t n s ấ ầ ố ấ ớ
ỹ ả ố ằ ế ệ ắ ầ ấ ố ả ậ ữ ng ký hi u là 2N... ví d 2N3055, 2N4073 vv... ụ ườ ấ ữ ầ ữ ữ t lo i bóng : Ch A và B là bóng thu n , ch C và D là bòng ng ượ c, ạ t đ c đi m : X và P là bòng âm t n, A và G là bóng cao t n. Các ch ế ặ ầ s n ph m. Thí d : 3CP25 , 3AP20 vv.. ụ ể ẩ ỉ ứ ự ả ị chân C và B tuỳ theo bóng c a n ỏ ớ ạ ả ấ ứ ự ế ư ể ậ ả ụ bên ph i. ả ở gi a , chân C bên ph i. ố ả ở ữ ả này => đ bi ể ế t ở c s n xu t nhái thì không theo th t ứ ự ồ ạ ấ ng pháp đo b ng đ ng h v n năng. ồ ấ ượ ả ằ
i ) thì h u h t đ u có chung th t ầ ế ề ứ ự ướ ư ạ ớ ự ự ả ng ấ ớ gi a là c c C và bên ph i là c c E. ở ữ ườ ự ấ ớ chân nh trên. ứ ự ư ị ng chân E bên trái nh v y ta ch xác ư ậ ấ ỏ ớ ở ỉ
ặ ố ị ể ồ ừ ể ồ i, n u kim lên = nhau thì chân có que đ t c đ nh là chân B, n u que đ ng ế ạ c, là que đ thì là Transistor thu n.. ặ ố ị ỏ ế ậ ượ ể ng pháp đo ki m tra Transistor đ xác đ nh h h ng, Các ư ỏ ể ể ị
ể ng pháp ki m tra Transistor . ả ươ ạ ể ạ ộ ư ỏ t đ , ệ ộ ể ể ng c a b n thân Transistor, đ ki m ủ ả ệ đ nh chân c a Transistor. ủ ị -------------------------------------------------------------------------------- 1. Ký hi u & hình dáng Transistor . Ký hi u c a Transistor Transistor công xu t nh Transistor công xu t l n ấ ớ ỏ 2. Ký hi uệ ( trên thân Transistor ) * Hi n nay trên th tr ề thông d ng nh t là các transistor c a Nh t b n, M và Trung qu c. ủ ng ký hi u là A..., B..., C..., D... Ví d A564, B733, C828, Transistor Nh t b n : th ệ D1555 trong đó các Transistor ký hi u là A và B là Transistor thu n PNP còn ký hi u là C ệ ệ ầ ố và D là Transistor ng làm vi c cao còn các Transistor B và D th ấ ng có công xu t l n và t n s làm vi c th p h n. ơ Transistor do M s n xu t. th Transistor do Trung qu c s n xu t : B t đ u b ng s 3, ti p theo là hai chũ cái. Ch cái th c nh t cho bi ứ ế ấ ch th hai cho bi ữ ứ sau ch th t s ố ở 3. Cách xác đ nh chân E, B, C c a Transistor. ủ ủ ướ c V i các lo i Transistor công xu t nh thì th t ấ nào s xu t , nh ng chân E luôn i bên trái n u ta đ Transistor nh hình d ướ ở ự N u là Transistor do Nh t s n xu t : thí d Transistor C828, A564 thì chân C ở ữ gi a , ấ ế chân B N u là Transistor Trung qu c s n xu t thì chân B ế Tuy nhiên m t s Transistor đ ộ ố chính xác ta dùng ph ươ Transistor công xu t nh . ỏ ấ V i lo i Transistor công xu t l n (nh hình d chân là : Bên trái là c c B, Transistor công xu t l n th có th t * Đo xác đ nh chân B và C V i Transistor công xu t nh thì thông th ườ đ nh chân B và suy ra chân C là chân còn l i. ạ ị Đ đ ng h thang x1Ω , đ t c đ nh m t que đo vào t ng chân , que kia chuy n sang ộ ồ hai chân còn l h c đ nh là que đen thì là Transistor ng ồ ố ị ng pháp ki m tra Transistor Ph ươ N i dung : Trình bày ph ươ ộ hình nh minh ho quá trình đo ki m tra Transistor. 1. Ph Transistor khi ho t đ ng có th h h ng do nhi u nguyên nhân, nh h ng do nhi ề đ m, do đi n áp ngu n tăng cao ho c do ch t l ấ ượ ồ ộ ẩ tra Transistor b n hãy nh c u t o c a chúng. ể ư ỏ ặ ớ ấ ạ ủ ạ
ấ ạ ủ ng t ể ươ ự ể ấ c NPN t B sang C và B sang E ( que đen vào B ) thì t ự ng đ ng nh ượ ừ ế ể ki m tra hai Diode đ u chung c c Anôt, đi m ư ươ ươ ng h p đo khác kim không lên. ườ ợ
C u t o c a Transistor Ki m tra Transistor ng chung là c c B, n u đo t ự đo hai diode thu n chi u => kim lên , t ề ậ ng t Ki m tra Transistor thu n PNP t ậ ươ ể t c các tr ấ ả ể ki m tra hai Diode đ u chung c c Katôt, đi m ự ể ự ấ
ế ừ ủ ươ ng t c các tr B sang C và B sang E ( que đ vào B ) thì t ng h p đo khác kim ề ườ ỏ ợ ấ ả ng nh đo hai diode thu n chi u => kim lên , t ậ
các tr ở B sang C => kim không lên là transistor đ t BE ứ ề ể ị ỏ ề ừ ườ B sang E ho c t ặ ừ
ặ ậ ả ặ ừ B sang C kim lên c hai chi u là ch p hay dò BE ho c BC. ề ị ậ ạ ả t . ế c h t nhìn vào ký hi u ta bi ạ ệ t đ ế ượ t là ECB ( d a vào tên Transistor ). < xem l ự ầ ượ c, và các chân c a Transistor l n l ủ c Transistor trên là bóng ạ i ị thang x1Ω
c chi u BE và BC => kim không lên. ể ồ ậ ượ c 2 và b c 4 và b c 6 : Đo gi a C và E kim không lên ượ ầ c 1ướ : Chu n b đo đ đ ng h ồ ở ị ẩ ướ : Đo thu n chi u BE và BC => kim lên . c 3 ướ ề c 5 ướ : Đo ng ướ ề ữ ướ t. ố ế ị ậ t Transistor b ch p BE ị
ướ ướ ướ ậ ị ứ ế t bóng b đ t BE ị ướ ướ ữ ứ ị ậ ẩ ướ ướ ữ
ng h p đo gi a C và E kim lên m t chút là b ị dò CE. ườ ữ ộ ậ ợ ố ấ ố ỹ ậ ủ ộ ố
ậ ủ i h n c a transistor, v t qua dòng gi i h n này ớ ạ ủ ớ ạ ượ ệ
i h n c a transistor đ t vào c c CE , v t qua đi n áp ự ạ ượ ự ệ ệ ặ ẽ ị i h n mà Transistor làm vi c bình th t quá t n s ng, v ầ ố ườ ượ ệ ị ả ế l ổ ủ ệ ố ầ bi n đ i c a dòng ICE l n g p bao nhiêu l n dòng IBE ớ ấ ộ ấ t quá công xu t c c đ i c a Transistor thì Transistor s b h ng . ỷ ệ ế ộ ấ ự ạ ủ ẽ ị ỏ t . ệ ặ ườ ng ấ ạ ư ố ư ụ ở chung là c c B c a Transistor, n u đo t ự đ ư ươ không lên. Trái v i các đi u trên là Transistor b h ng. ị ỏ ớ Transistor có th b h ng ng h p . ợ * Đo thu n chi u t ậ ho c đ t BC ặ ứ B sang E ho c t * Đo t ừ * Đo gi a C và E kim lên là b ch p CE. ữ * Các hình nh minh ho khi đo ki m tra Transistor. ể t Transistor còn t Phép đo cho bi ố Minh ho phép đo trên : Tr ướ ế ng ph n xác đ nh chân Transistor > B B B B => Bóng t Phép đo cho bi B c 1 : Chu n b . ẩ B c 2 : Đo thu n gi a B và E kim lên = 0 Ω ậ ữ B c 3: Đo ng c gi a B và E kim lên = 0 Ω ữ ượ => Bóng ch p BE Phép đo cho bi B c 1 : Chu n b . ẩ B c 2 và 3 : Đo c hai chi u gi a B và E kim không lên. ề ả => Bóng đ t BE Phép đo cho th y bóng b ch p CE ấ B c 1 : Chu n b . ị B c 2 và 4 : Đo c hai chi u gi a C và E kim lên = 0 Ω ề ả => Bóng ch p CE Tr Các thông s KT, Sò C.Xu t N i dung : Các thông s k thu t c a Transistor, Transistor s (Digital transistor), Sò công xu t . ấ 1. Các thông s k thu t c a Transistor ố ỹ Dòng đi n c c đ i : Là dòng đi n gi ệ ự ạ Transistor s b h ng. ẽ ị ỏ Đi n áp c c đ i : Là đi n áp gi ớ ạ ủ ệ i h n này Transistor s b đánh th ng. gi ủ ớ ạ T n s c t : Là t n s gi ầ ố ớ ạ ấ ố ắ này thì đ khuy ch đ i c a Transistor b gi m . ạ ủ ộ H s khuy ch đ i : Là t ạ ế ế Công xu t c c đ i : Khi hoat đ ng Transistor tiêu tán m t công xu t P = UCE . ICE n u ấ ự ạ công xu t này v ượ ấ 2. M t s Transistor đ c bi ộ ố * Transistor s ( Digital Transistor ) : Transistor s có c u t o nh Transistor th ố nh ng chân B đ Transistor s th c đ u thêm m t đi n tr vài ch c KΩ ệ ượ ấ ng đ ề c s d ng trong các m ch công t c , m ch logic, m ch đi u ộ ượ ử ụ ố ườ ạ ắ ạ ạ
ườ ể ư ự ế ể ề i ta có th đ a tr c ti p áp l nh 5V vào chân B đ đi u ệ ể ể ủ ng có các ký hi u là DTA...( d n thu n ), DTC...( đèn ậ ệ ườ c ), RN22...(đèn ượ ượ ề c ) KRA...( đèn thu n), RN12...( đèn ng ậ ụ ượ ậ
ng đ ườ ồ ặ ồ ạ ộ ế ế ể ề ấ ấ ớ ể ớ ấ ạ ộ trong song song v i c c CE. ườ ớ ự ấ ấ ệ ở ầ ồ ị ủ ấ ộ ạ ộ ồ ồ ế ạ . t b không có Transistor thì ch a ph i là thi ụ ộ Ứ ự t b đi n t ế ị ệ ử ả ấ ư ọ ộ ạ ự ộ ạ ệ ợ ậ , vì v y t b đi n t ế ị ệ ử ệ ạ ệ ế ượ ắ ủ ể ộ ộ ạ ấ ệ ấ ả ấ ệ ộ ồ ử ụ ạ ệ ượ ấ ầ ở c c p tr c ti p vào Transistor hay đi qua đi n tr , ồ c là ngu n c p cho c c CE. c quy ự ế ượ ệ ự ồ ấ ướ ồ ạ ệ ể ử ụ ụ ộ ấ ồ ấ ằ ế ng (+), n u ồ ươ ả ậ . ự ể ặ ị ị ệ ấ ộ ồ ạ ộ ở ị ạ ệ ẵ ạ ế ớ ẵ ẵ ả ị ạ ộ ạ ơ ồ ế ệ ạ ạ ộ c đ nh thiên thông qua Rđt. ạ ng có biên đ r t nh ( t ể ượ ị ạ ỏ ừ ườ ồ
ộ ấ ệ ạ ư ặ ể ớ ố ụ ệ ư ệ ỏ ả c m t tín hi u t ng t ặ ệ ươ ả ự ầ ặ ả ầ ượ ế ộ ư ơ ổ ộ ớ ị ự ế ầ ậ ộ ế ạ ệ ẽ ể ầ ộ ệ ự ế ụ ả ẫ ả ầ ấ ộ ố ặ ả ụ ị
ị khi n , khi ho t đ ng ng ạ ộ khi n đèn ng t m . ở ắ Minh ho ng d ng c a Transistor Digital ạ ứ ụ * Ký hi u : Transistor Digital th ệ ng c ) , KRC...( đèn ng thu n ), UN...., KSR... . Thí d : DTA132 , DTC 124 vv... * Transistor công xu t dòng ( công xu t ngang ) ấ ượ c Transistor công xu t l n th c g i là sò. Sò dòng, Sò ngu n vv..các sò này đ ượ ọ ng t k đ đi u khi n b cao áp ho c bi n áp ngu n xung ho t đ ng , Chúng th thi ườ ộ ế có đi n áp ho t đ ng cao và cho dòng ch u đ ng l n. Các sò công xu t dòng( Ti vi m u) ầ ệ ị ự ng có đ u thêm các diode đ m th Sò công xu t dòng trong Ti vi m u C p ngu n và đ nh thiên cho Transistor ị ự N i dung : ng d ng c a Transistor, C p ngu n cho Transistor, Đ nh thiên (phân c c ) ấ Ứ ụ cho Transistor ho t đ ng, M ch phân c c có h i ti p. ự -1. ng d ng c a Transistor ủ Th c ra m t thi ế ị , các Transistor có th xem là m t linh ki n quan tr ng nh t trong các thi ể ấ lo i IC th c ch t là các m ch tích h p nhi u Transistor trong m t linh ki n duy nh t, ấ ề c dùng đ khuy ch đ i tín hi u Analog, chuy n tr ng trong m ch đi n , Transistor đ ạ ạ ể ệ thái c a m ch Digital, s d ng làm các công t c đi n t , làm các b t o dao đ ng v v... ệ ử ử ụ 2. C p đi n cho Transistor ( Vcc - đi n áp cung c p ) Đ s d ng Transistor trong m ch ta c n ph i c p cho nó m t ngu n đi n, tuỳ theo m c đích s d ng mà ngu n đi n đ cu n dây v v... ngu n đi n Vcc cho Transistor đ ệ c và thu n C p ngu n Vcc cho Transistor ng ậ ượ Ta th y r ng : N u Transistor là ng c NPN thì Vcc ph i là ngu n d ượ ế Transistor là thu n PNP thì Vcc là ngu n âm (-) ồ 3. Đ nh thiên ( phân c c ) cho Transistor * Đ nh thiên : là c p m t ngu n đi n vào chân B ( qua tr đ nh thiên) đ đ t Transistor vào tr ng thái s n sàng ho t đ ng, s n sàng khuy ch đ i các tín hi u cho dù r t nh . ỏ ấ * T i sao ph i đ nh thiên cho Transistor nó m i s n sàng ho t đ ng ? : Đ hi u đ ể ế ượ c đi u này ta hãy xét hai s đ trên : ề trên là hai m ch s d ng transistor đ khuy ch đ i tín hi u, m t m ch chân B không ạ Ở ử ụ c đ nh thiên và m t m ch chân B đ đ ộ ượ ị 0,05V đ n ế Các ngu n tín hi u đ a vào khuy ch đ i th ệ ư ế 0,5V ) khi đ a vào chân B( đèn ch a có đ nh thiên) các tín hi u này không đ đ t o ra ủ ể ạ ị ư dòng IBE ( đ c đi m m i P-N pha có 0,6V m i có dòng ch y qua ) => vì v y cũng ậ ỉ không có dòng ICE => s t áp trên Rg = 0V và đi n áp ra chân C = Vcc s đ th 2 , Transistor có Rđt đ nh thiên => có dòng IBE, khi đ a tín hi u nh vào Ở ơ ồ ứ ị chân B => làm cho dòng IBE tăng ho c gi m => dòng ICE cũng tăng ho c gi m , s t áp ụ trên Rg cũng thay đ i => và k t qu đ u ra ta thu đ đ u vào nh ng có biên đ l n h n. => K t lu n : Đ nh thiên ( hay phân c c) nghĩa là t o m t dòng đi n IBE ban đ u, m t ộ s t áp trên Rg ban đ u đ khi có m t ngu n tín hi u y u đi vào c c B , dòng IBE s ồ ụ tăng ho c gi m => dòng ICE cũng tăng ho c gi m => d n đ n s t áp trên Rg cũng tăng ặ ho c gi m => và s t áp này chính là tín hi u ta c n l y ra 3. M t s mach đ nh thiên ệ ặ khác . * M ch đ nh thiên dùng hai ngu n đi n khác nhau . ạ M ch đ nh thiên dùng hai ngu n đi n khác nhau ạ ệ ệ ồ ồ ị
ở c nhi u ngu n tín hi u m nh y u khác nhau, thì m ch đ nh ị ồ ạ ệ ế B xu ng Mass. ố ở ệ ế ử ụ ạ ề ng s d ng thêm đi n tr phân áp Rpa đ u t ấ ừ ệ ị ể ườ ị ị ở ồ ế ạ ạ ấ ừ ầ ự ự ế ở ị ộ ổ ụ ế ạ ị ế ộ ầ ử ế ạ ọ ạ ề ể ạ ằ ầ
ặ ắ kí sinh gi a ti p giáp BE ữ ế ắ ủ ủ ế ụ ụ ộ * Mach đ nh thiên có đi n tr phân áp ệ Đ có th khu ch đ i đ ạ ượ ể thiên th M ch đ nh thiên có đi n tr phân áp Rpa ạ * M ch đ nh thiên có h i ti p . Là m ch có đi n tr đ nh thiên đ u t đ u ra (c c C ) đ n đ u vào ( c c B) m ch này ệ ạ ầ có tác d ng tăng đ n đ nh cho m ch khuy ch đ i khi ho t đ ng. ế Trong ch đ tuy n ạ ế ộ ạ ộ ệ ớ khuy ch đ i dòng đi n v i tính hay còn g i là ch đ khuy ch đ i, Transitor là ph n t ế dòng Ic b ng β l n dòng bazo (dòng đi u khi n ) Trong đó β là h s khuy ch đ i dòng ế ệ ố đi n .ệ Ic = βIB * : Xét đ c tính đóng c t: C a PNP ủ Ch đ đóng c t c a Transitor ph thu c ch y u vào các t ế ộ và BC.
c thì + : Quá trình m : Đ cho transitor m đ ể ở ượ ở
giá tr -Ub2 đ n Ub1 còn nó th nào các b n xem nh ng cu n giáo trình v đi n t b t đ u t ắ ầ ừ ề ệ ử ữ ế ế ạ ố ị
+ Quá trình đóng : Đ cho transitor đóng thì b t đ u t giá tr t Ub1 đ n -Ub2. Cái này các ắ ầ ừ ể ị ừ ế
sách. b n cũng tham kh o thêm ạ ả ở
* S đ m c Darlington ơ ồ ắ
Nói chũng các BJT có h s khuy ch đ i t ng đ i th p mà yêu c u dòng đi u khi n l n nên ệ ố ạ ươ ế ể ớ ề ấ ầ ố
s đ m c Darlington là m t yêu c u đ t ra v i các ghép 2 transitor Q1 và Q2 có h s ơ ồ ắ ệ ố ặ ầ ộ ớ
khuy ch đ i là β1 β2. ạ ế
Khi m c thành Darling ton thì h s khuy ch đ i t ng là β = β1 + β2 + β1β2 M t khác đ tăng ạ ổ ệ ố ế ắ ể ặ
3 transotor h s khuy ch đ i lên ta có th m c t ệ ố ể ắ ừ ế ạ
S đ m c Darlington: ơ ồ ắ
* : Xét nguyên lý ho t đ ng c a PNP ạ ộ ủ
(Hình nh trên là hình nh tham kh o ) ả ả ả
M ch kh o sát v nguyên t c ho t đ ng c a transistor NPN ạ ộ ủ ề ạ ả ắ
Ta c p m t ngu n m t chi u UCE vào hai c c C và E trong đó (+) ngu n vào c c C và (-) ự ự ề ấ ồ ộ ộ ồ
ngu n vào c c E. ự ồ
ự C p ngu n m t chi u UBE đi qua công t c và tr h n dòng vào hai c c B và E , trong đó c c ở ạ ự ề ắ ấ ộ ồ
(+) vào chân B, c c (-) vào chân E. ự
Khi công t c m , ta th y r ng, m c dù hai c c C và E đã đ c c p đi n nh ng v n không có ấ ằ ự ắ ặ ở ượ ấ ư ệ ẫ
dòng đi n ch y qua m i C E ( lúc này dòng IC = 0 ) ệ ạ ố
Khi công t c đóng, m i P-N đ c phân c c thu n do đó có m t dòng đi n ch y t ắ ố ượ ạ ừ ự ệ ậ ộ ồ (+) ngu n
UBE qua công t c => qua R h n dòng => qua m i BE v c c (-) t o thành dòng IB ề ự ạ ắ ạ ố
Ngay khi dòng IB xu t hi n => l p t c cũng có dòng IC ch y qua m i CE làm bóng đèn phát ậ ứ ệ ạ ấ ố
sáng, và dòng IC m nh g p nhi u l n dòng IB ề ầ ạ ấ
Nh v y rõ ràng dòng IC hoàn toàn ph thu c vào dòng IB và ph thu c theo m t công th c . ư ậ ứ ụ ụ ộ ộ ộ
IC = β.IB
Trong đó IC là dòng ch y qua m i CE ạ ố
IB là dòng ch y qua m i BE ạ ố
β là h s khuy ch đ i c a Transistor ạ ủ ệ ố ế
Gi i thích : Khi có đi n áp UCE nh ng các đi n t và l tr ng không th v ả ệ ử ư ệ ỗ ố ể ượ ố ế t qua m i ti p
giáp P-N đ t o thành dòng đi n, khi xu t hi n dòng IBE do l p bán d n P t ể ạ ệ ệ ấ ẫ ớ ạ ự ỏ i c c B r t m ng ấ
và n ng đ pha t p th p, vì v y s đi n t t do t l p bán d n N ( c c E ) v ậ ố ệ ử ự ạ ấ ộ ồ ừ ớ ự ẫ ượ t qua ti p giáp ế
sang l p bán d n P( c c B ) l n h n s l ng l tr ng r t nhi u, m t ph n nh trong s các ớ ơ ố ượ ự ẫ ớ ỗ ố ề ầ ấ ỏ ộ ố
đi n t tr ng t o thành dòng IB còn ph n l n s đi n t b hút v phía c c C ệ ử đó th vào l ế ỗ ố ầ ớ ố ệ ử ị ự ề ạ
i tác d ng c a đi n áp UCE => t o thành dòng ICE ch y qua Transistor. d ướ ủ ụ ệ ạ ạ
S ho t đ ng c a Transistor PNP hoàn toàn t ng t ự ạ ộ ủ ươ ự Transistor NPN nh ng c c tính c a các ư ủ ự
ngu n đi n UCE và UBE ng i . Dòng IC đi t E sang C còn dòng IB đi t E sang B. ệ ồ c l ượ ạ ừ ừ
Chú ý : Transitor là linh kiên đóng m b ng dòng đi n ch không b ng đi n áp. ở ằ ứ ệ ệ ằ
Linh ki n bán d n - DIODE Khái ni m và c u t o c a Diode ấ ạ ủ ệ ệ ẫ
ẫ ệ ấ ạ ủ
ẫ ệ ệ ế
ấ ề i, s d ng các tính ch t c a các ch t bán d n ẫ th đ ng và phi tuy n, cho phép dòng đi n đi qua nó theo ệ ử ụ ộ c l ấ ủ
ượ ạ ử ụ ẫ
c hai ch t bán d n là P và N , n u ghép hai ch t bán d n theo m t ti p giáp P - N ẫ ẫ ấ ế
ặ
ớ ẫ ỗ ố ữ ạ ề ặ ế ể ấ ề ộ ế c m t Diode, ti p giáp P -N có đ c đi m : T i b m t ti p xúc, các đi n t ệ ử ư ừ d th a ể tr ng => t o thành m t ộ ạ ấ
ấ ạ ủ
hình trên là m i ti p xúc P - N và cũng chính là c u t o c a Diode bánd n. ẫ ấ ạ ủ ố ế Ở
ẫ ệ
ớ ả ệ ự
ự
ạ ộ ẫ ươ ệ ố ớ
ẫ
ế ể
ng nên khi ghép v i kh i ố ng chuy n đ ng khu ch tán ộ ễ kh i N chuy n sang. ừ ố ố ướ (đi n tích âm) t ệ ư ừ
tr ng thu hút và khi chúng ti n l b l tr ng và d th a đi n t ) trong khi kh i N tích ệ ử tr ng). ộ ố ệ ử ị ỗ ố
ướ ử
i d ng ánh sáng (hay các b c x đi n t có b i g n ế ạ ầ trung hòa. Quá trình này có c sóng g n đó). ầ ớ ướ ạ ứ ạ ệ ừ ượ ướ
ế ng bên kh i N hình thành m t đi n áp g i là đi n áp ti p ộ ế ệ ệ ố ố
ừ ố ệ ả ườ ệ ở
ế ố ớ ờ
ứ ế ấ ộ
ọ ể kh i n đ n kh i p nên c n tr chuy n ng t ố lúc ghép 2 kh i bán d n v i nhau thì quá ẫ i đi n áp ti p xúc. Lúc này ta nói ti p xúc P- ệ t làm ố ớ ế ằ ệ ả ố
Linh ki n bán d n - DIODE Khái ni m và c u t o c a Diode ệ 1 : Khái ni m ệ t bán d n là các linh ki n đi n t Đi ố m t chi u mà không theo chi u ng ề ộ 2 : Ti p giáp P - N và C u t o c a Diode bán d n. ấ ạ ủ ế Khi đã có đ ượ ấ ta đ ộ ượ ế trong bán d n N khuy ch tán sang vùng bán d n P đ l p vào các l ẫ ẫ ế l p Ion trung hoà v đi n => l p Ion này t o thành mi n cách đi n gi a hai ch t bán d n. ệ ạ ề ệ ớ M i ti p xúc P - N => C u t o c a Diode . * ố ế Ký hi u và hình dáng c a Diode bán d n. ủ Chà mãi m i xong chõ này (có s tham kh o tài li u) Ho t đ ng và phân c c cho Diode ạ ộ 1 : Ho t đ ng do mang đi n tích d Kh i bán d n lo i P ch a nhi u l tr ng t ứ ề ỗ ố ạ ự t bán d n N (ch a các đi n t tr ng này có xu h do) thì các l ỗ ố ệ ử ự ứ sang kh i N. Cùng lúc kh i P l i nh n thêm các đi n t ố ố ệ ử ậ ạ K t qu là kh i P tích đi n âm (thi u h t l ế ụ ỗ ố ệ ế ố ả ng (thi u h t đi n t và d th a l đi n d ế ụ ư ừ ỗ ố ệ ử ệ ươ i hai bên m t ti p giáp, m t s đi n t biên gi ặ ế ớ Ở nhau, chúng có xu h ng k t h p v i nhau t o thành các nguyên t ạ ế ợ ng d i phóng năng l th gi ể ả Đi n áp ti p xúc hình thành. ệ S tích đi n âm bên kh i P và d ự ươ xúc (UTX). Đi n tr ng sinh ra b i đi n áp có h ướ ệ ở đ ng khu ch tán và nh v y sau m t th i gian k t ư ậ ế ể ừ ộ ộ trình chuy n đ ng khu ch tán ch m d t và t n t ế ể ồ ạ tr ng thái cân b ng kho ng 0.6V đ i v i đi tr ng thái cân b ng. Đi n áp ti p xúc N ở ạ ằ ở ạ t làm b ng bán d n Ge. b ng bán d n Si và kho ng 0.3V đ i v i đi ố ả ằ ế ố ớ ằ ẫ ẫ
c chi u đi n áp ti p xúc t o ra dòng đi n. ệ ề ệ ượ
ệ ễ ặ ế ệ ử
vùng này hình thành các nguyên t i ớ ở ng x y ra ả
tr ng d g p nhau nh t nên quá trình tái h p ợ ấ hai bên
ố ằ ệ ệ ạ ẫ ế trung hòa. Vì v y vùng biên gi ậ c g i là vùng nghèo. Vùng này không ượ ọ ở ạ và l ỗ ố ử do nên đ ạ c cân b ng b i đi n áp bên ngoài. Đây là c t lõi ho t
t. t, tr phi đi n áp ti p xúc đ ố
ệ ề
ặ ế ế ệ ệ
ẫ ủ ệ ố c v i đi n áp ti p xúc, s khuy ch tán c a các đi n t ế
ế ủ ở ở ề ớ
và l do. Nói cách khác đi i và vùng nghèo càng tr nên nghèo h t d n đi n t ạ ỗ và l ệ ử ệ t. N u đ t đi n ặ ế tr ng càng ỗ ố t ch cho ỉ ố
ặ ệ ở ệ ệ ự ng nh t đ nh. ấ ị ữ ự ạ ẫ ộ ướ
ậ
ng (+) vào Anôt ( vùng bán d n P ) và đi n áp âm (-) vào Katôt ( vùng ệ ệ ươ
ẫ ệ ủ ướ ẫ ệ i tác d ng t ụ ệ i, khi đi n
ạ ữ
ằ ẫ ớ ệ ự ạ ả ệ ng tác c a đi n áp, mi n cách đi n thu h p l ẹ ạ ề ươ ạ ớ ế ụ
ệ ệ ề ồ ặ ắ ầ ệ ự ủ ế ữ ệ
m c 0,6V ) ữ ở ứ
ẫ
ự ậ ựơ ở ứ
ạ ng đ c tính c a nó là đ th UI v i u là tr c tung và i là tr c hoành. Giá tr đi n áp đ t m c 0,6V ồ ị ị ệ ụ ụ ặ
ố ể ẽ ấ ả
ỗ ế ượ ư ự ự ệ ậ ạ
ự ế ệ
giá tr 0,6V . ị ậ ạ ẫ ậ ậ ụ
c cho Diode t c là c p ngu n (+) vào Katôt (bán d n N), ngu n (-) vào Anôt ự ẫ ồ
ồ ng tác c a đi n áp ng ượ ấ ệ ứ ủ ộ
ề ệ c đi n áp ng c, mi n cách đi n càng r ng ra và ngăn c n ả c r t l n kho ng 1000V ượ ấ ớ ượ ể ệ ả
c tăng > = 1000V ự ỉ
ồ
ạ
ể đi n Diode
ụ ạ ổ
ể ấ ạ ế ắ
Diode th ng nh ng có hai l p bán d n P - N ớ ự ư
c ng d ng trong ch đ phân c c ng Đi p áp ngoài ng Hai bên m t ti p giáp là vùng các đi n t ặ ế th ở ườ m t ti p giáp r t hi m các h t d n đi n t ệ ự ế ấ ặ ế d n đi n t ệ ố ượ ừ ẫ đ ng c a đi ủ ộ Đi p áp ngoài cùng chi u đi n áp ti p xúc ngăn dòng đi n. ế ệ ệ N u đ t đi n áp bên ngoài ng ế ự ượ ớ tr ng không b ngăn tr b i đi n áp ti p xúc n a và vùng ti p giáp d n đi n t ế ệ ị ố áp bên ngoài cùng chi u v i đi n áp ti p xúc, s khuy ch tán c a các đi n t ệ ử ế ệ b ngăn l ị phép dòng đi n qua nó khi đ t đi n áp theo m t h 2 : Phân c c cho Diode ự * Phân c c thu n: ự Khi ta c p đi n áp d ấ bán d n N ) , khi đó d hai c c đ t 0,6V ( v i Diode lo i Si ) ho c 0,2V ( v i Diode lo i Ge ) thì áp chênh l ch gi ệ di n tích mi n cách đi n gi m b ng không => Diode b t đ u d n đi n. N u ti p t c tăng đi n áp ngu n thì dòng qua Diode tăng nhanh nh ng chênh l ch đi n áp gi a hai c c c a Diode ư không tăng (v n gi ẫ nh tham kh o ả ả Diode (Si) phân c c thu n - Khi Dode d n ậ c gim đi n áp thu n đ ệ Cái đ ớ ủ ườ đ n 0.6V thì bão hòa (các pác thông c m ch này v x u quá các pác c hi u nha) ế c phân c c thu n, n u đi n áp phân c c thu n < 0,6V thì ch a có dòng Khi Diode (lo i Si) đ đi qua Diode, N u áp phân c c thu n đ t = 0,6V thì có dòng đi qua Diode sau đó dòng đi n qua Diode tăng nhanh nh ng s t áp thu n v n gi ữ ở ư c * Phân c c ng ượ ự Khi phân c c ng ượ (bán d n P), d i s t ướ ự ươ ẫ dòng đi n đi qua m i ti p giáp, Diode có th chiu đ ố ế ệ thì diode m i b đánh th ng. ớ ị ủ Diode ch b cháy khi áp phân c c ng ị ựơ Chà xong ph n nh này r i! Còn dài quá! ỏ ầ Phân lo i và ki m tra Diode 1 : Phân lo i t ạ ụ ệ Tìm hi u c u t o và công d ng c a các lo i Diode : Diode n áp, Diode thu quang, Diode phát ủ quang, Diode bi n dung, Diode xung, Diode tách sóng, Diode n n đi n ệ * : Diode Zener * C u t o : Diode Zener có c u t o t ấ ạ ươ ghép v i nhau, Diode Zener đ ượ ứ ẫ ậ c, khi phân c c thu n ấ ạ ớ ườ ế ộ ng t ụ ượ ự ự
c Diode zener s gim l ng nh ng khi phân c c ng ạ ẽ ự ư ư ượ ứ i m t m c ộ
ệ ườ ị
ứ
ệ ơ ồ ủ ụ ệ ồ ổ ồ
ở ạ
ố ị ồ
c qua Dz thay đ i, dòng ng c qua Dz có giá tr gi ổ ị ớ ạ i h n ấ ằ ồ ượ ượ ổ
Diode zener nh diode th đi n áp c đ nh b ng giá tr ghi trên diode. ố ị ằ Thí nghi m ho t đ ng c a Zenner ủ ạ ộ ệ Ký hi u và ng d ng c a Diode zener trong m ch. ạ ủ ụ S đ trên minh ho ng d ng c a Dz, ngu n U1 là ngu n có đi n áp thay đ i, Dz là diode n ổ ạ ứ áp, R1 là tr h n dòng. Ta th y r ng khi ngu n U1 > Dz thì áp trên Dz luôn luôn c đ nh cho dù ngu n U1 thay đ i. ồ Khi ngu n U1 thay đ i thì dòng ng ổ kho ng 30mA. ả
i ta s d ng ngu n U1 > 1,5 => 2 l n Dz và l p tr h n dòng R1 sao cho ầ ử ụ ở ạ ắ
Thông th dòng ng ng ng ồ c l n nh t qua Dz < 30mA. ườ ượ ớ ườ ấ
ổ ổ ế ế
ch đ phân c c ngh ch, v diode có m t mi ng thu tinh đ ể ị ỏ ở ế ộ
ng đ ánh sáng c qua diode t ế ộ thu n v i c ớ ườ ậ l ỷ ệ ỷ ộ ế ệ ự ượ
ệ ủ c phân c c thu n, đi n áp làm vi c c a ự ệ
ậ 5mA đ n 20mA ế ả
ệ ạ
r i nh ! haaaaaaaaaaaa ượ ừ ả c s d ng đ làm đèn báo ngu n, đèn nháy trang trí, báo tr ng thái có đi n . vv... ỉ ự ế ồ ượ ử ụ ắ
ế
ệ đi n, và đi n dung bi n đ i khi ta thay đ i đi n ệ ế ổ ổ ư ụ ệ ệ
ưở ỉ ệ ế ệ ổ
t áp VR, đi n áp ng ổ ầ ố c đ t vào Diode Varicap thay đ i , đi n dung ượ ặ ưở ạ
ầ ố ề ạ ộ ỉ
ng b ng đi n áp. ằ ng c a m ch. ủ c s d ng trong các b kênh Ti vi m u, trong các m ch đi u ch nh t n s ầ ệ
ủ ộ ế
đ u ra c a bi n áp xung , ta ph i dùng Diode xung đ ch nh ả t n s cao kho ng vài ch c KHz , diode n n đi n thông ụ ệ ở ầ ố ắ
ả ượ ể
ể ỉ ệ i diode xung có th thay ng nhi u l n. ng không th thay th vào v trí diode xung đ ế ng, diode xung có giá thành cao h n diode th ườ c, nh ng ng ư ơ c l ựơ ạ ườ
ề ầ ng, tuy nhiên ườ
ườ t v i Diode th ệ ớ ng có vòng dánh d u đ t nét ho c đánh d u b ng hai vòng ằ ấ ứ ặ
N u U1 < Dz thì khi U1 thay đ i áp trên Dz cũng thay đ i ổ N u U1 > Dz thì khi U1 thay đ i => áp trên Dz không đ i. ổ * Diode thu quang Diode thu quang ho t đ ng ạ ộ ánh sáng chi u vào m i P - N , dòng đi n ng ố chi u vào diode. ế Kí hi uệ * : Diode phát quang Diode phát phang là Diode phát ra ánh sáng khi đ LED kho ng 1,7 => 2,2V dòng qua Led kho ng t Led đ ồ ể Pác này ch c các pác đã nhìn ngoài th c t *. Diode Varicap ( Diode bi n dung ) Diode bi n dung là Diode có đi n dung nh t ế c đ t vào Diode. áp ng ượ ặ nỨ g d ng c a Diode bi n dung Varicap ( VD ) ế ủ ụ trong m ch c ng h ng ộ ạ hình trên khi ta ch nh tri Ở c a diode thay đ i => làm thay đ i t n s công h ổ ủ Diode bi n dung đ ượ ử ụ ế c ng h ưở ộ *. Diode xung Trong các b ngu n xung thì ở ầ ồ l u. diode xung là diode làm vi c ư th ườ ị ể th cho v trí diode th ế ị V đ c đi m , hình dáng thì Diode xung không có gì khác bi ể ề ặ Diode xung th ấ Kí hi uệ
ỷ ạ ể ế ữ ặ ế
ng dùng trong i m t đi m đ tránh đi n dung ký sinh, diode tách sóng th ấ ể ể ườ ỏ ở ằ ạ
ạ ệ ộ ể
ệ
ồ ặ ệ ế ư ể ắ ộ ỉ
ng có 3 lo i là 1A, 2A và 5A. ườ
ể
ặ ầ ế
ề ồ ở ậ thang x 1Ω , đ t hai que đo vào hai đ u Diode, n u : ả ỏ
ị ậ
ậ ề ề
ị ứ
t , Diode D2 b ch p và D3 b đ t ị ậ c vào Diode kim v ị ộ ể ẫn lên m t chút là Diode b dò.
ơ ậ
ố ượ ả ấ ứ
a-n t sang ca-t ố ộ ệ ố ố
t ch d n đi n theo m t chi u t ế ơ ệ ế ấ ệ
ố ả ặ ở ế ơ ệ ố ế ệ ộ
ầ ề ớ ế ư ậ ệ
ứ ệ ệ ế ả ố
t. Theo nguyên lý dòng đi n ch y t ả ừ ơ n i ệ n i có ề ừ ơ t. ố ca-t ơ ở c chi u v i đi n áp ti p xúc (UTX). Nh v y mu n có dòng ố ng ti p xúc, t c là: ơ ế t thì đi n tr ộ ườ ớ ệ
t. ể ậ ệ ả ầ ạ ố
t phân c c thu n và dòng đi n qua đi ệ ể ạ ậ ự ệ ố ố ọ
ậ t lúc đó g i là dòng đi n thu n ệ ề c ký hi u là IF t c IFORWARD ho c ID t c IDIODE). Dòng đi n thu n có chi u ệ ứ ứ ậ ặ
ệ t. ng đ ố ố
t, t c là đi n tr ườ a-n t sang ca-t ủ ệ ấ ố ứ ệ ở
ớ ả ầ
ế ụ ầ ề ể
t tr nên d n đi n r t t ẫ ố ở ệ ể ạ ậ ằ ầ ằ ấ ấ ỏ ơ ể ớ ớ ớ ệ ạ ầ ằ
ư ậ
ng đi ế ng 0.6V là ng ưỡ ậ ả ưỡ
ế ả ẫ
ự ế ượ ố
ề ượ ớ ượ ế ệ ự
t sang a-n t. Th c t ố ố ế ớ ứ ụ
t thì nó không d n đi n theo chi u ng t b phân c c ng c n u đi ệ ố ị ầ ườ ề ượ ệ
ượ ủ ố
*. Diode tách sóng. Là lo i Diode nh v b ng thu tinh và còn g i là diode ti p đi m vì m t ti p xúc gi a hai ọ ch t bán d n P - N t ệ ẫ các m ch cao t n dùng đ tách sóng tín hi u. ầ Diode n n đi n. ắ Là Diode ti p m t dùng đ n n đi n trong các b ch nh l u ngu n AC 50Hz , Diode này th ạ 2 : Cách ki m tra Đo ki m tra Diode ể Đ t đ ng h ặ ồ Đo chi u thu n que đen vào Anôt, que đ vào Katôt => kim lên, đ o chi u đo kim không lên là ề t ố => Diode t N u đo c hai chi u kim lên = 0Ω => là Diode b ch p. ế ả N u đo thu n chi u mà kim không lên => là Diode b đ t. ế ị ứ phép đo trên thì Diode D1 t Ở N u đ thang 1KΩ mà đo ng ế Ki m tra Diode th t là đ n gi n đúng ko! ể ụ Đ c tính Vol-Amp - Tính ch t - ng d ng ặ 1 : Tính ch tấ Đi ỉ ẫ ề ừ t theo chi u t có đi n th cao đ n n i có đi n th th p, mu n có dòng đi n qua đi ố ế đi n th cao đ n n i có đi n th th p, c n ph i đ t a-n t m t đi n th cao h n ệ ệ ế ấ Khi đó ta có UAK > 0 và ng ế ượ ng do UAK sinh ra ph i m nh h n đi n tr đi n qua đi ệ ạ ườ UAK >UTX. Khi đó m t ph n c a đi n áp UAK dùng đ cân b ng v i đi n áp ti p xúc ầ ủ ằ i dùng đ t o dòng đi n thu n qua đi (kho ng 0.6V), ph n còn l Khi UAK > 0, ta nói đi (th ượ t ừ Khi UAK đã đ cân b ng v i đi n áp ti p xúc thì đi ệ c a đi t lúc đó r t th p (kho ng vài ch c Ohm). Do v y ph n đi n áp đ t o ra dòng đi n ệ ố ủ ườ thu n th ng ng nh h n nhi u so v i ph n đi n áp dùng đ cân b ng v i UTX. Thông th ệ ườ ậ ph n đi n áp dùng đ cân b ng v i UTX c n kho ng 0.6V và ph n đi n áp t o dòng thu n ậ ả ầ ệ kho ng 0.1V đ n 0.5V tùy theo dòng thu n vài ch c mA hay l n đ n vài Ampere. Nh v y giá ế ớ ụ ả ố ắ t b t t kho ng 0.6V đ n 1.1V. Ng tr c a UAK đ đ có dòng qua đi ố ủ ể ị ủ đ u d n và khi UAK = 0.7V thì dòng qua Diode kho ng vài ch c mA. ầ ụ ẫ là v n c ca-t N u Diode còn t ẫ ế ệ c v i hi u đi n th l n. Tuy nhiên dòng đi n t n t ệ ồ ạ ng không c n quan tâm trong các ng d ng công nghi p. M i ọ ng ệ ượ ấ c quá l n (VBR c nh ng n u đi n áp ng t ch nh l u đ u không d n đi n theo chi u ng đi ớ ế ệ ỉ ố ng ch u đ ng c a Diode) thì đi là ng ố t tăng nhanh và đ t ủ ệ ưỡ t. Vì v y khi s d ng c n tuân th hai đi u ki n sau đây: cháy đi ử ụ ố i dòng ng c r t nh (c μA) và th ỏ ỡ ẫ ư ề ị ự ậ ư t b đánh th ng, dòng đi n qua đi ệ ố ị ủ ề ầ
t không đ i đa cho phép (do nhà s n xu t cung ố ượ ớ ả ấ
ị
ệ ủ c (t c UKA) không đ c l n h n giá tr t ị ố ơ ả ấ ể ượ ớ ơ ậ ứ ự ượ ệ ưỡ ng đánh th ng c a đi ủ ủ ố t,
* Dòng đi n thu n qua đi ệ c p, có th tra c u trong các tài li u c a hãng s n xu t đ xác đ nh). ể ấ * Đi n áp phân c c ng c l n h n VBR (ng cũng do nhà s n xu t cung c p). ứ ấ ả ấ
ụ ố t 1N4007 có thông s k thu t do hãng s n xu t cung c p nh sau: VBR=1000V, ả ố ỹ ậ ấ ấ
t: Ví d đi ư IFMAX = 1A, VF¬ = 1.1V khi IF = IFMAX. Nh ng thông s trên cho bi ế ữ ố
ệ
c l n h n 1000V. ơ
ằ ệ ể ệ ệ c l n h n 1A. ơ ượ ớ ế t không đ ượ ớ ố ậ t không đ c c c đ i đ t lên đi ố ế
ỉ ố ố ằ ẫ ắ ầ
ậ t ch nh l u nói chung thì khi UAK = 0.6V thì đi t đã đ t đ n vài ch c mA. ụ ạ ế
ặ
t theo đi n áp quan h gi a dòng đi n qua đi ố ặ ả ệ ệ ệ ữ
ặ ạ ồ ị ế
ớ ớ ạ ứ ạ ứ ậ ị
ỉ ị ớ ớ
ủ ế ụ ệ ẫ ộ
ậ c m c n i ti p v i đi ự ắ ố ế ụ ệ ố
ng không đáng k so v i đi n tr c a m ch đi n. t vì đi n tr thu n r t nh , th ớ ỏ ườ ộ ấ ệ ở ệ ậ ấ ở ủ ệ ạ ệ ể ớ
ủ ữ ư ố
ự ệ ạ
c l n nh t khi đ t vào diode ch u đ ặ c ị ượ ượ ớ ấ
ỉ ẫ ệ ậ ộ
t có đ c tính ch d n đi n theo m t chi u t ề ừ ề a-n t đ n ca-t ố ố ế ệ ư
ệ ổ ấ ớ ể ỉ ộ ở ự ố ị
t khi phân c c thu n nên ự c dùng đ ch nh l u dòng đi n xoay chi u thành dòng đi n m t chi u. t có n i tr thay đ i r t l n, n u phân c c thu n RD 0 (n i t ế c dùng làm các công t c đi n t ề t), phân c c ngh ch ự ứ , đóng ng t b ng đi u khi n m c ộ ố ắ ắ ằ ậ ệ ử t đ ố ượ ề ể
c ng d ng r ng rãi trong k thu t đi n và đi n t * Dòng đi n thu n qua đi * Đi n áp ng ượ ự ạ ặ ầ ư * Đi n áp thu n (t c UAK)có th tăng đ n 1.1V n u dòng đi n thu n b ng 1A. Cũng c n l u ậ ứ t đã b t đ u d n đi n và ý r ng đ i v i các đi ệ ư ố ớ khi UAK = 0.7V thì dòng qua đi ố 2 : Đ c tính Vol - Amp Đ c tính Volt-Ampere c a Diode là đ th mô t ủ UAK đ t vào nó. Có th chia đ c tuy n này thành hai giai đo n: ặ ể quan h dòng áp khi đi t phân c c thu n. * Giai đo n ng v i UAK = 0.7V > 0 mô t ự ố ả ệ t phân c c ngh ch. quan h dòng áp khi đi * Giai đo n ng v i UAK = 0.7V< 0 mô t ự ố ệ ả t Ge thông s này khác) (UAK l y giá tr 0,7V ch đúng v i các đi t Si, v i đi ố ấ ố ố c phân c c thu n và d n đi n thì dòng đi n ch y u ph thu c vào đi n tr c a Khi đi ở ủ t đ ệ ệ ố ượ ậ ủ t). Dòng đi n ph thu c r t ít vào đi n tr thu n c a m ch ngoài (đ ượ ạ đi ở ố + 3 : Nh ng thông s đáng l u ý c a Diode *: Giá tr trung bình dòng đi n cho phép ch y qua diode khi phân c c thu n ị ậ * Giá tr đi n áp ng ị ệ 4 : ng d ng ụ Ứ Vì đi ố ặ t đ đi ố ượ Ngoài ra đi RD (h m ch), nên đi ở ạ đi n áp, đ ụ ượ ứ . ệ ử ắ ệ ệ ậ ộ ỹ
ạ ẫ ệ ơ ộ ớ ố t Bán D n V i Cu n Dây C a R Le đi n T đ Làm ủ ừ ể
́ ̣ ̉ ̣ ̀ ̉ ̀
̣ ̀ ́ ̀ ̀ ̣ ̉ ư ư ụ ộ ộ ớ s x y ra. N u b n chú ý đ n bi u đ lá t ớ đât ng ượ ̣ ừ ệ ệ ế ạ ế ộ ề ớ ẽ ạ ả ộ ượ ngu n DC đ n cu n dây (vì năng l ấ ừ ượ ẽ ệ ồ ự ệ ấ ng này, ng -T i Sao L i M c Song Song đi ắ ạ Gì? Diode măc song song v i cuôn dây cua relay R200 trong mach điêu khiên ATS? , diode nay đê ̉ chăn dong điên t c vê nguôn đi qua cuôn dây cua R200. ạ N u b n dùng đi n DC thì Diode có tác d ng đúng nh nh trên. V i m t cu n dây, khi b n ế ạ s c p cho nó m t đi n áp thì quá trình bão hòa t ừ ẽ ể ồ ừ ẽ ả ấ ồ ngu n. c chi u v i dòng đi n c p t th y r ng b n thân cu n dây s t o m t dòng đi n ng ệ ấ ừ ệ ộ ấ ằ ng c n ph i tăng Dòng đi n này s làm tăng dòng c p t ả ầ ộ ế di n ra nhanh). Chính s tăng dòng đi n c p không mong mu n này có đ quá trình bão hòa t ố ể ừ ễ i ta m c m t Diode th làm cháy b ngu n DC c a b n. Vì th đ tránh hi n t ộ ệ ượ ồ ể ủ ạ ế ể ườ ắ ộ
c song song v i cu n dây c a b n đ dòng đi n ng cu n dây có th x qua diode, c t ủ ạ ể ệ ộ ượ ừ ộ ể ả ng ớ nh đó s không b cháy ngu n DC. ị ượ ờ ẽ ồ
