Đề tài có cấu trúc gồm 3 chương trình bày tổng quan về hố lượng tử và lý thuyết lượng tử về hiệu ứng radio điện trong bán dẫn khối; phương trình động lượng tử cho điện tử và hiệu ứng radio điện trong hố lượng tử; áp dụng tính số, vẽ đồ thị và đánh giá kết quả trong trường hợp hố lượng tử AlAs/GaAs/AlAs.

Mục tiêu của đề tài "Tính toán hiệu ứng hấp thụ quang bởi quá trình hấp thụ hai photon trong hố lượng tử bán dẫn parapol" là xác định biểu thức giải tích của hệ số hấp thụ quang trong FSPQW và khảo sát tính số để tìm các tích chất quan trong vật liệu nghiên cứu.

Luận văn có cấu trúc gồm 3 chương trình bày về hố lượng tử và hệ số Ettingshausen trong bán dẫn khối; hệ số Ettingshausentrong hố lượng tử; Tính toán số và vẽ đồ thị kết quả lý thuyết hệ số Ettingshausentrong hố lượng tử GaAs/GaAsA. Mời các bạn cùng tham khảo.

Đềtài nghiên cứu trường âm - điện - từ lượng tử trong hố lượng tử. Biểu thức giải tích trường âm - điện - từ được thu nhận. Các kết quả thu được trong hố được so sánh với kết quả đã được nghiên cứu trong bán dẫn khối cho thấy sự khác biệt cả định tính lẫn định lượng. Mời các bạn cùng tham khảo.

Kết quả chính của luận văn là thiết lập được biểu thức giải tích của cường độ điện trường trong hố lượng tử khi có thêm sóng điện từ mạnh (laser) dưới ảnh hưởng của phonon quang giam cầm. biểu thức này chỉ ra rằng cường độ điện trường phụ thuộc phức tạp và không tuyến tính vào tần số ω, Ω của sóng điện từ, nhiệt độ T của hệ và tham số của hố lượng tử.

Lận văn này đã đưa ra được biểu thức giải tích của hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử khi có thêm sóng điện từ mạnh(laser) . Biểu thức này chỉ ra rằng, hệ số hấp thụ phụ thuộc phi tuyến vào cường độ sóng điện từ E0 , phụ thuộc phức tạp và không tuyến tính nào nhiệt độ T của hệ, tần số Ơ của sóng điện từ và các tham số của hố lượng tử (n, L). Kết quả được so sánh với bài toán tương tự trong bán dẫn khối để thấy được sự khác biệt.

Trong luận văn này, tác giả sử dụng phương pháp phương trình động lượng tử. Từ Hamilton của hệ trong biểu diễn lượng tử hóa lần hai xây dựng phương trình động lượng tử cho điện tử giam cầm, áp dụng phương trình động lượng tử để tính mật độ dòng hạt tải, từ đó suy ra biểu thức giải tích của hệ số hấp thụ.

Luận văn Thạc sĩ Khoa học: Ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh lên hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử có kể đến hiệu ứng giam cầm của phonon (trường hợp tán xạ điện tử - phonon quang)

Mục tiêu của luận án là nghiên cứu hiệu ứng Hall trong các hố lượng tử và siêu mạng dưới ảnh hưởng của một sóng điện từ mạnh bằng lý thuyết lượng tử. Hai trường hợp đặc biệt được xem xét là: từ trường nằm trong mặt phẳng tự do của electron và từ trường vuông góc với mặt phẳng tự do của electron. Chúng tôi xét hai loại tương tác là tương tác electron - phonon quang và electron - phonon âm.

Bài luận văn gồm phần mở đầu, kết luận, danh mục tài liệu tham khảo, phụ lục, và ba chương chính sau: Chương 1 - Tổng quan về hố lượng tử và lý thuyết lượng tử về hấp thụ sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử tự do trong bán dẫn khối, Chương 2 - Hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử, Chương 3 - Tính toán số, vẽ đồ thị trong trường hợp hố lượng tử AlAs/GaAs/AlAs và bàn luận.

Bài luận văn gồm phần mở đầu, kết luận, danh mục tài liệu tham khảo, phụ lục, và ba chương chính sau: Chương 1 - Tổng quan về hố lượng tử và lý thuyết lượng tử về hấp thụ sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử tự do trong bán dẫn khối, Chương 2 - Hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử, Chương 3 - Tính toán số, vẽ đồ thị trong trường hợp hố lượng tử AlAs/GaAs/AlAs và bàn luận.