Bài giảng Kiến trúc máy tính: Bộ nhớ chính - Vũ Ngọc Thanh Sang, Đỗ Tấn Đạt

Đocument này là một giảng pháp hoặc một bài viết về đệm lưu trữ tính động (DRAM) và cơ chế refresh của nó. Nội dung được chia sẻ theo các phần: Mở đầu về DRAM, Cơ chế refresh của DRAM, Loại cơ chế refresh: RAS-Only, CAS-Before-RAS, Hidden-Refresh, Kỹ thuật cho refresh tốc độ cao: Page Mode, Column Mode, Nibble Mode và Module thiết kế để tăng dung lượng đệm. Văn bản cũng gồm những ví dụ và đề tài để giúp học sinh hiểu các ý tưởng rõ hơn.

Sinh viên, Nhà nghiên cứu về đệm lưu trữ và các cơ chế truy xuất dữ liệu.

Đocument này chủ yếu trình bày về DRAM và cơ chế refresh của nó. Nó chứa thông tin về việc sử dụng row-access strobe (RAS) và column-access strobe (CAS) để truy xuất các ô lưu trữ, cơ chế refresh được sử dụng để thời gian thường xuyên cập nhật tản dạng trong mỗi ô lưu trữ để ngăn chặn việc mất dữ liệu. Cơ chế refresh có ba loại chính: RAS-Only, CAS-Before-RAS và Hidden-Refresh. Kỹ thuật cho refresh tốc độ cao bao gồm Page Mode, Column Mode, Nibble Mode và nhiều hơn đó. Một số kỉ niệm quan trọng được đánh dấu bao gồm việc DRAM dùng strobe để truy xuất và cập nhật, tạo ra một chuyện từ cơ chế refresh để ngăn chặn việc mất dữ liệu, các loại cơ chế refresh: RAS-Only, CAS-Before-RAS và Hidden-Refresh và kỹ thuật cho refresh tốc độ cao gồm Page Mode, Column Mode và Nibble Mode.