Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn Kiến Trúc Máy Tính
BỘ NHỚ BÁN DẪN – DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
DRAM dùng n địa chỉ dồn kênh để nạp lần
lượt (2 lần) địa chỉ hàng và địa chỉ cột vào
đệm địa chỉ/
Dung lượng của chip DRAM 22n ×m bit
Các chân tín hiệu điều khiển
•RAS (Row Access Strobe): điều khiển việc nạp địa
chỉ hàng
•CAS (Column Access Strobe): điều khiển việc nạp
địa chỉ cột
•W/R = 0 điều khiển ghi chip, W/R = 1 điều khiển
đọc chip
TỔ CHỨC CHIP NHỚ
Cơ chế refresh của DRAM
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn Kiến Trúc Máy Tính
• Điện tích trên một tụ điện trong một ônhớ của DRAM sẽ bị phóng điện Số
liệu bị thay đổi.
•Khi đọc/ghi bộ nhớ thì DRAM được làm tươi tự động.
•Có 03 kỹ thuật làm tươi (refresh phổ biến)
+Chỉ kích hoạt RAS (RAS –Only –Refresh)
+ Kích hoạt CAS trước RAS (CAS - Before - RAS - Refresh)
+Làm tươi ẩn (Hiden –Refresh)
Cơ chế refresh của DRAM
Khoa Công Nghệ Thông Tin – Đại học Sài Gòn Kiến Trúc Máy Tính
❑Chỉ kích hoạt RAS (RAS –Only –Refresh)
•Sử dụng các chu trình đọc giả để làm tươi DRAM.
•Tín hiệu 𝑅𝐴𝑆 được đặt ở mức tích cực để chọn hàng.
•Các tín hiệu 𝐶𝐴𝑆 bị cấm.
•DRAM được đọc bên trong một hàng vào các cặp dây bit và khuếch đại số
liệu đọc, tuy nhiên không truyền được chúng ra các cặp dây I/O →Số
liệu không truyền ra đệm lối ra.
