BÀI 9 CÁC KHU CH ĐI NHI U T NG
BÀI 9 CÁC KHU CH ĐI NHI U T NG
9.1 Các khu ch đi ghép xoay chi u nhi u t ngế
9.2 Các khu ch đi ghép m t chi uế
9.3 Các khu ch đi vi saiế
BÀI GI NG K THU T ĐI N T 1
BÀI 9 CÁC KHU CH ĐI NHI U T NG
BÀI 9 CÁC KHU CH ĐI NHI U T NG
9.1 Các khu ch đi ghép xoay chi u nhi u t ngế
Ta s b t đu nghiên c u các b khu ch đi nhi u t ng ế
b ng cách phân tích m t b khu ch đi ghép xoay chi u ba ế
t ng trên hình 9.1.1.
Ch c năng c a các t ng khác nhau có th xem trên m ch
t ng đng xoay chi u trung t n c a b khu ch đi trênươ ươ ế
hình 9.1.2, trong đó t t c các t đc thay th b ng cách ượ ế
ng n m ch.
BÀI GI NG K THU T ĐI N T 2
BÀI 9 CÁC KHU CH ĐI NHI U T NG
MOSFET M1 ho t đng theo c u trúc c c ngu n chung,
cung c p m t đi n tr đu vào l n v i h s khu ch đi ế
đi n áp v a ph i.
Transistor l ng c c ưỡ Q2 v i c u trúc c c emitter chung t o
ra t ng th hai v i h s khu ch đi đi n áp cao. ế
Transistor Q3, m ch l p emitter, t o ra m t đi n tr đu ra
th p và làm đm cho t ng có h s khu ch đi cao, Q ế 2, t
m t đi n tr t i khá th p (250 ).
Trên hình 9.1.2, các đi n tr phân c c base đc thay th ượ ế
b i RB2 = R1||R2 và RB3 = R3||R4.
Trong b khu ch đi trên hình 9.1.1, c đu vào và đu ra ế
c a b khu ch đi đc ghép xoay chi u qua t ế ượ C1 và C6.
BÀI GI NG K THU T ĐI N T 3
BÀI 9 CÁC KHU CH ĐI NHI U T NG
Vi c b qua các t C2 và C4 nh m thu đc h s khu ch ượ ế
đi đi n áp c c đi t hai b khu ch đi đo. ế
Các t C3 và C5 ghép n i các t ng nh m truy n tín hi u
xoay chi u gi a các b khu ch đi và ngăn các tín hi u m t ế
chi u.
Do đó, m i đi m Q riêng l c a các transistor không b nh
h ng b i s ghép n i các t ng l i v i nhau.ưở
Hình 9.1.2 cho th y m ch t ng đng m t chi u c a b ươ ươ
khu ch đi mà trong đó t t c các t đc b đi. S cách lyế ư
ba t ng khu ch đi transistor đc th hi n trên hình này. ế ượ
BÀI GI NG K THU T ĐI N T 4
BÀI 9 CÁC KHU CH ĐI NHI U T NG
Hình 9.1.1 B khu ch đi ghép xoay chi u ba t ng ế
BÀI GI NG K THU T ĐI N T 5