
4
Bộ nhớ: khái niệm cơ bản
• Lƣu trữ số lƣợng bit lớn
–mx n: mtừ mỗi từ n bit
–k = Log2(m) tín hiệu địa chỉ đầu vào
– Hoặc m= 2^k từ
– VD: bộ nhớ 4,096 x 8:
•32,768 bits
• 12 tín hiệu địa chỉ
• 8 tín hiệu I/O
• Truy cập bộ nhớ
– r/w: lựa chọn đọc hoặc ghi
– enable: chỉ cho phép khi tích cực
– multiport: đa truy cập tới nhiều vị trí khác nhau
đồng thời
m × n memory
…
…
nbits per word
mwords
enable
2k× n read and write
memory
A0…
r/w
…
Q0
Qn-1
Ak-1
memory external view
CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt

5
Khả năng ghi/chất lƣợng lƣu trữ
• Phân biệt ROM/RAM truyền thống
–ROM
• Chỉ đọc, bit đƣợc lƣu trữ không cần
nguồn
–RAM
• Đọc và ghi, mất dữ liệu nếu không có
nguồn
• Phân biệt truyền thống đã thay đổi
– ROMs cải tiến có thể ghi
•e.g., EEPROM
– RAMs có thể lƣu trữ không cần nguồn
•e.g., NVRAM
• Khả năng ghi
– Tốc độ để một bộ nhớ đƣợc ghi
• Chất lƣợng lƣu trữ
– Khả năng mà bộ nhớ lƣu trữ dữ liệu sau
khi nó đƣợc ghi Khả năng ghi và chất lƣợng lƣu trữ của bộ nhớ
External
programmer
OR in-system,
block-oriented
writes, 1,000s
of cycles
Battery
life (10
years)
Write
ability
EPROM
Mask-programmed ROM
EEPROM FLASH
NVRAM
SRAM/DRAM
Storage
permanence
Nonvolatile
In-system
programmable
Ideal memory
OTP ROM
During
fabrication
only
External
programmer,
1,000s
of cycles
External
programmer,
one time only
External
programmer
OR in-system,
1,000s
of cycles
In-system, fast
writes,
unlimited
cycles
Near
zero
Tens of
years
Life of
product
CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt




