BÀI T P PH N BJTẬ Ầ
MÔN K THU T ĐI N TỸ Ậ Ệ Ử
Bài t pậ
2-1 N u dòng đi n c c phát c a BJT là 12,12 mA, tìm dòng đi n c c n n.ế ệ ự ủ ệ ự ề
ĐS 0,12 mA
2-2 N u BJT có dòng đi n rò (Iế ệ CBO) là 5 μA và dòng đi n c c thu là 22 mA, tìm:ệ ự
a. α (chính xác)
b. dòng đi n c c phátệ ự
c. α (g n đúng), khi b qua Iầ ỏ CBO
ĐS (a) 0,995; (b) 22,1055 mA; (c) 0,9952
2-3 Cho h đ c tuy n vào CB c a BJT nh hình 2-1. N u α = 0,95, tìm Iọ ặ ế ủ ư ế C khi VBE =
0,72 V và VCB = 10V.
Hình 2-1 (Bài t p 2-3)ậ
ĐS ≈ 7,6 mA
2-4 M t BJT có IộCBO = 0,1 μA và ICEO = 16 μA. Tìm α.
ĐS 0,99375
2-5 M t BJT NPN có h đ c tuy n vào CE nh hình 2-2 và h đ c tuy n ra CE nhộ ọ ặ ế ư ọ ặ ế ư
hình 2-3.
a. Tìm IC khi VBE = 0,7 V và VCE = 20V
b. Tìm β t i đi m này (b qua dòng đi n rò)ạ ể ỏ ệ
ĐS (a) ≈ 0,95; (b) ≈ 95
2-6 Trên m ch hình 2-4, tìm:ạ
a. IC khi VCB = 10V
b. VCB khi IC = 1 mA
ĐS (a) 1,515 mA; (b) 11,7 V
2-7 BJT Si trên hình 2-5 có h đ c tuy n ra CB nh hình 2-6.ọ ặ ế ư
a. V đ ng t i lên h đ c tuy n này và xác đ nh (b ng đ th ) Vẽ ườ ả ọ ặ ế ị ằ ồ ị CB và IC t iạ
đi m phân c c.ể ự
Bài t p K Thu t Đi n T - Ph n BJT – Trang ậ ỹ ậ ệ ử ầ 1/8
b. Xác đ nh đi m phân c c mà không dùng h đ c tuy n.ị ể ự ọ ặ ế
ĐS (a) 19,5 mA; 4,2 V (g n đúng); (b) 20 mA; 4 Vầ
Hình 2-2 (Bài t p 2-5)ậ
Hình 2-3 (Bài t p 2-5)ậ
Hình 2-4 (Bài t p 2-6)ậ
Hình 2-5 (Bài t p 2-7)ậ
2-8 Trên m ch hình 2-7, tìm:ạ
Bài t p K Thu t Đi n T - Ph n BJT – Trang ậ ỹ ậ ệ ử ầ 2/8
a. VCE khi IC = 1,5 mA
b. IC khi VCE = 12 V
c. VCE khi IC = 0
ĐS (a) 16,95 V; (b) 2, 55 mA; (c) 24 V
Hình 2-6 (Bài t p 2-7)ậ
Hình 2-7 (Bài t p 2-8)ậ
2-9 BJT Si trên hình 2-8 có h đ c tuy n ra CE nh hình 2-9, gi s β = 105.ọ ặ ế ư ả ử
a. V đ ng t i trên h đ c tuy n này và xác đ nh (b ng đ th ) Vẽ ườ ả ọ ặ ế ị ằ ồ ị CE và IC t iạ
đi m phân c c.ể ự
b. Tìm giá tr g n đúng c a Iị ầ ủ CEO c a transistor.ủ
c. Tính VCE và IC t i đi m phân c c mà không s d ng h đ c tuy n.ạ ể ự ử ụ ọ ặ ế
Hình 2-8 (Bài t p 2-9)ậ
Bài t p K Thu t Đi n T - Ph n BJT – Trang ậ ỹ ậ ệ ử ầ 3/8
Hình 2-9 (Bài t p 2-9)ậ
ĐS (a) 42,5 mA; 3,8 V (g n đúng); (b) 1 mA (g n đúng); (c) 42 mA; 3,8 Vầ ầ
2-10 Tìm giá tr c a Rị ủ B trong m ch hình 2-10 làm cho transistor Si bão hòa. Gi s r ngạ ả ử ằ
β = 100 và VCES = 0,3 V.
ĐS 209,86 KΩ
Hình 2-10 (Bài t p 2-10)ậ
2-11 Ngõ vào m ch hình 2-11 là m t xung 0 – E (V). N u BJT Si có β = 120; Vạ ộ ế CES = 0,
tìm giá tr c a E đ BJT ho t đ ng ch đ khóa (l p D).ị ủ ể ạ ộ ở ế ộ ớ
Hình 2-11 (Bài t p 2-11)ậ
ĐS ≥ 10 V
2-12 Tìm giá tr tĩnh c a Iị ủ C và VCE trong m ch hình 2-12.ạ ở
Bài t p K Thu t Đi n T - Ph n BJT – Trang ậ ỹ ậ ệ ử ầ 4/8
Hình 2-12 (Bài t p 2-12)ậ
ĐS 1,98 mA; 10,05 V
2-13 Giá tr c a Iị ủ C trong m ch hình 2-12 s b ng bao nhiêu n u β thay đ i t 120 thànhạ ẽ ằ ế ổ ừ
300. Ph n trăm thay đ i c a Iầ ổ ủ C là bao nhiêu?
ĐS 2 mA; 1,01%
2.14 a. Tìm giá tr đ l i áp toàn ph n (vị ộ ợ ầ L / vS) c a t ng khu ch đ i hình 2-13ủ ầ ế ạ ở
b. Đ l i này s thay đ i bao nhiêu ph n trăm n u giá tr tĩnh c a dòng đi nộ ợ ẽ ổ ầ ế ị ủ ệ
tăng 10%.
Hình 2-13 (Bài t p 2-14)ậ
ĐS (a) -183,8; (b) 9,8%
2.15 a. Tìm đi n áp hi u d ng (rms) trên t i vệ ệ ụ ả L m ch hình 2-14.ở ạ
b. Làm l i câu a n u b đi t thoát Cạ ế ỏ ụ E.
Hình 2-14 (Bài t p 2-15)ậ
ĐS (a) 1,12 V rms; (b) 18,25 mV rms
2.16 BJT m ch hình 2-15 có h đ c tuy n ra CE nh hình 2-16.ở ạ ọ ặ ế ư
a. V đ ng t i DC và đ ng t i AC lên h đ c tuy n ra.ẽ ườ ả ườ ả ọ ặ ế
Bài t p K Thu t Đi n T - Ph n BJT – Trang ậ ỹ ậ ệ ử ầ 5/8