Bài tiểu luận : HP kỹ thuật điện tử tương tự

Chia sẻ: Nguyễn Ngọc Sơn | Ngày: | Loại File: DOC | Số trang:21

Thêm vào BST

Báo xấu

380
lượt xem 35
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Trong những năm gần đây, cùng với sự bùng nổ của cách mạng thông tin, ngành kĩ thuật điện tử là một trong những ngành phát triển với tốc độ nhanh nhất. Những người có trí tưởng tượng phong phú nhất cũng không thể hình dung được tương lai của ngành điện tử sẽ diễn biến theo chiều hướng nào. Các đồ điện tử tin học, các thiết bị thông tin giải trí vừa mới mua sắm đã trở thành lạc hậu, lỗi thời....

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Bài tiểu luận : HP kỹ thuật điện tử tương tự

TRƯỜNG ĐẠI HỌC KỸ THUẬT CÔNG NGHIỆP THÁI NGUYÊN KHOA ĐIỆN TỬ BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ ****** ̉ ̣ BÀI TIÊU LUÂN HP: KỸ THUÂT ĐIÊN TỬ TƯƠNG TỰ ̣ ̣ Đề tai: ………………………………………………………………… ̀ …………………………………………………………………………. GV hướng dân: ̃ ̣ ́ ThS. Pham Duy Khanh Nhom thực hiên: ́ ̣ Lớp HP: ́ Thai Nguyên - …/2012
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KỸ THUẬT CÔNG NGHIỆP THÁI NGUYÊN KHOA ĐIỆN TỬ BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ ****** ̉ ̣ TIÊU LUÂN Đề tai tiêu luân: ............................................................................................. ̀ ̉ ̣ ̣ Môn hoc: ........................................................................................................ Bộ môn: .......................................................................................................... 1. Sinh viên ...............................................MSSV.................................... 2. Sinh viên ...............................................MSSV.................................... 3. Sinh viên ...............................................MSSV.................................... 4. Sinh viên ...............................................MSSV.................................... 5. Sinh viên ...............................................MSSV.................................... 6. Sinh viên ...............................................MSSV.................................... 7. Sinh viên ...............................................MSSV.................................... 8. Sinh viên ...............................................MSSV.................................... 9. Sinh viên ...............................................MSSV.................................... 10. Sinh viên ...............................................MSSV.................................... Yêu câu cua đề tai: ̀ ̉ ̀ ......................................................................................................................... ......................................................................................................................... ......................................................................................................................... ......................................................................................................................... ́ ́ GV hướng dân ̃ Giao viên châm
MỤC LỤC PHẦN I: ĐẶT VẤN ĐỀ Trong những năm gần đây, cùng với sự bùng nổ của cách mạng thông tin, ngành kĩ thuật điện tử là một trong những ngành phát tri ển v ới t ốc độ nhanh nh ất. Những người có trí tưởng tượng phong phú nhất cũng không thể hình dung được tương lai của ngành điện tử sẽ diễn biến theo chiều h ướng nào. Các đồ đi ện t ử tin học, các thiết bị thông tin giải trí vừa mới mua sắm đã trở thành lạc hậu, lỗi thời. Linh kiên điện tử càng ngày càng nhỏ bé, vừa tiết kiệm năng lượng vừa tích hợp nhiều chức năng. mạch điện tử vì thế càng ngày càng thay đổi về hình dáng và cấu trúc. Các vi mạch (IC) đời mới chứa được hàng trăm linh kiện, một IC có th ể thay thế cho nhiều tầng hay nhiều khối chức năng. Mỗi thiết bị điện tử đều gồm rất nhiều mạch, hầu hết những mạch ấy đều được cải tiến từ một số mạch cơ bản ban đầu. Chỉ cần một thay đổi nhỏ là một mạch ban đầu có thể biến thành một mạch mới với tính năng mới. B ằng cách thay đổi cách nối dây, thay đổi vị trí hay thêm bớt linh ki ện là ng ười ta có th ể bi ến mạch cơ bản thành hàng trăm mạch mới với nhiều tính năng tác dụng mới. Mạch dao động đa hài cũng là một mạch cơ bản , nó được dùng nhiều trong hầu hết các thiết bị kĩ thuật số, trong máy thu hình, đầu đĩa, máy tính, trò chơi,đồng hồ hay các thiết bị quảng cáo trang trí …. Riêng lĩnh vực trang trí, có đến vài chục loại IC chuyên đi ều khi ển các đèn chớp sáng hay các chữ chạy nhảy như AN6879, 6877, 6878, 6884, 6891, 6888, 6887… các IC này đều được cải tiến từ mạch dao động đa hài dùng Tranzistor. Với sự hướng dẫn của thầy Phạm Duy Khánh, sinh viên nhóm 12 – lớp h ọc phần H2 xin được trình bày những hiểu biết về mạch đa hài t ự kích trong bài vi ết dưới đây.
PHẦN II: GIẢI QUYẾT VẤN ĐỀ Mạch đa hài tự kích dùng tranzistor 1. 1.1. Phân tích mạch điện 1.1.1. Cấu tạo Mạch đa hài tự kích dùng Tranzistor có cấu tạo từ hai tầng khuếch đại phụ tải cực góp mắc hồi tiếp với nhau bởi các tụ C1, C2 như hình 1.1a 1.1.2. Sơ đồ mạch đa hài tự kích dùng tranzitor. UB1 t1 t2 t3 t4 t5 t 0 +EC -EC UC1 RB2 RB1 RC RC 0 t C1 C2 0,6V UC1 UC2 1 2 UB2 t T1 T2 0 UC2 0 t (a) (b) Hình 1.1: Sơ đồ nguyên lý mạch đa hài tự kích và giản đồ thời gian. Ta giả thiết mạch là đối xứng thì khi đóng mạch nguồn cung cấp cả hai Tranzistor đều thông, dòng điện qua hai Tranzistor là bằng nhau, đi ện th ế trên c ực góp của các Tranzistor là như nhau. Tuy nhiên hiện tượng đối x ứng tuy ệt đ ối trong thực tế là không tồn tại do có sai số giữa các điện trở, tụ điện, độ t ản m ạn các tham số của các Tranzistor cùng loại .. v.v nên một trong hai Tranzistor s ẽ dẫn mạnh hơn. 1.2. Nguyên lí hoạt động Giả thiết Tranzistor T1 dẫn mạnh hơn → IC1 tăng → UC1 giảm, lượng giảm áp này thông qua tụ C1 đưa cả sang cực gốc đèn T2 làm UB2 giảm theo. Điện áp điều
khiển UB2 của T2 giảm làm IC2 giảm và UC2 tăng. Lượng tăng áp trên cực góp của T2 thông qua tụ C2 đưa cả đến cực gốc của T1 nên UB1 tăng → IC1 tiếp tục tăng. Quá trình này chỉ kết thúc khi IC2 giảm về bằng “0” (T2 khoá hẳn: UC2≈ EC) và IC1 đạt giá trị IC1bh (T1 mở boã hòa: UC1 ≈ 0). Ngay khi T1 mở bão hoà, T2 khoá chắc chắn thì tụ C2 được nạp theo đường: +EC → RC2 → C2 → rbeTr1 → mát (âm nguồn EC). Đồng thời với quá trình nạp điện của tụ C2 là quá trình phóng điện của tụ C1: +C1 → rceTr1 → EC (qua nội trở của nguồn) → RB2 → -C1. Chính quá trình phóng điện của tụ C 1 tạo nên một sụt áp âm trên tiếp giáp gốc - phát của T2 giữ cho T2 ở trạng thái khóa chắc chắn. Theo thời gian dòng phóng của tụ C 1 giảm dần, điện thế trên cực gốc của T2 bớt âm dần. Khi điện áp UbeTr2 ≥ 0 thì đèn T2 sẽ thông lại bắt đầu một quá trình hồi tiếp như sau: IC2 tăng → UC2 giảm → UB1 giảm → IC1 giảm → UC1 tăng → UB2 tăng Kết thúc quá trình hồi tiếp trên, T1 khóa, T2 thông bão hòa bắt đầu quá trình nạp điện của tụ C1 và phóng điện của tụ C2, UC1 ≈ EC, UC2 ≈ 0. Qua các phân tích ở trên ta thấy mạch có thể tự động chuyển từ trạng thái cân bằng không ổn định này sang trạng thái cân bằng không ổn định khác mà không cần tín hiệu kích thích từ ngoài. 1.3. Các thông số cơ bản đáp ứng các yêu cầu cho trước EC WR R R T1 R C C UC1 R UC2 T T2 EC 1 R Hình 1.2: Sơ đồ nguyên lý mạch phát xung dùng Tranzistor
Mạch có hai đầu ra được lấy trên hai cực góp của hai Tranzistor T 1 (UC1) và T2 (UC2). UC1, UC2 thực chất là hai dãy xung có biên độ sấp xỉ bằng nguồn nuôi của mạch là EC và UC1 = 5C2. Chu kỳ T của hai dẫy xung ra này được tính theo biểu thức: T = τ1 + τ2. Trong đó : τ1 = R1.C1.Ln2 ≈ 0,7. R1.C1 là hằng số thời gian phóng của C1. τ2 = R2.C2.Ln2 ≈ 0,7. R2.C2 là hằng số thời gian phóng của C2. ⇒T ≈ 0,7.(R1.C1 + R2.C2). Nếu ta chọn: R1 = R2 = R, C1 = C2 = C thì T =1,4.R.C. Nhìn vào biểu thức của T ta thấy khi muốn thay đổi t ần s ố xung ra ta ch ỉ việc thay đổi điện dung tụ C hoặc giá trị điện trở R. Ở hình 1.2, khi ta thay đổi biến trở WR thì hằng số thời gian phóng nạp của tụ C 1 và C2 đều thay đổi, dẫn đến độ rộng xung ra thay đổi. Với cách mắc trên ta có chu kỳ T là: T ≈ 1,4.(WR + R).C. Trong mạch ta chọn Tranzistor là loại N-P-N có công su ất nh ỏ nh ưng h ệ s ố khuếch đại lớn như loại Tranzistor silic có nhãn hiệu C828, hoặc C945. Ví dụ 1: Có các số liệu RB1 = RB2 = R = 10kΩ; RC1 = RC2 =1kΩ; C1 = C2 = 0,47µF ta có thể dùng biến trở để tần số xung ra là 50Hz như sau: 1 T= f = 50Hz =1/50=0.02(s) f Ta có T=1,4(R +WR)C 0, 02 � R + WR= = 30, 4k Ω 1, 4.0, 47.10−6 WR = 30,4-R = 30,4 – 10 = 20,4kΩ Vậy cần điều chỉnh giá trị của biến trở WR = 20,4 kΩ thì tần số xung ra là 50Hz Hằng số thời gian phóng của tụ C1 là: τ1 = RB2 .C1.Ln2 ≈ 0,7R1C1 Hằng số thời gian phóng của tụ C1 là: τ2= RB1 .C2.Ln2 ≈ 0,7R2C2
T ≈ 0,7(R1C1 + R2C2) Khi C1 ≠ C2 thì τ1 ≠ τ2 các xung ra sẽ là các xung không đối xứng hay nói cách khác độ rộng của 2 xung là khác nhau. 1.4. Mô phỏng mạch bằng phần mềm multisim Hình 1.3 : Mô phỏng mạch đa hài dùng Tranzistor
Hình 1.4 : Giản đồ điện áp ra UC1 (màu đỏ) và điện áp UB1(màu xanh)
Hình 1.5 : Giản đồ điện áp ra UC2 (màu đỏ) và điện áp UB2(màu xanh) Mạch đa hài dùng IC khuếch đại thuật toán 2. 2.1. Phân tích mạch điện Uc Để lập các xung vuông tần số thấp hơn 1000Hz sơ đồ đa hài (đối xứng hoặc không đối xứng) dùng IC tuyến tính dựa trên +cấu trúc của mUra max ạch so sánh h ồi + ột m UP tiếp dương có nhiềR ưu điểm hơn sơ đồ dùng Tranzistor đã nêu. Tuy nhiên do tính u chất tần số của IC khá tốt nên ở tần số cao việc ứng dụng tsơ đồ IC mang nhiều t4 t 0 2 ưu điểm hơn. t1 t3 +U _ U _ CC Hình 2.1 là sơ đồ nguyên lý ( hình 2.1a) và giP n đồ thời gian ( hình 2.1b) làm việc ả -U N của mạch phát xung dùng vi mạch khuếch đại rthuật toán. U ra max KĐTT C +Ura max ura + -UCC t 0 P R2 R1 -Ura max τ1 τ2 (a) (b) T
Hình 2.1: Sơ đồ nguyên lý mạch phát xung (a) và giản đồ thời gian (b). Nhìn vào sơ đồ nguyên lý ta thấy KĐTT (khuếch đại thuật toán) cùng hai đi ện trở R1 và R2 tạo thành một mạch trigơ smit có điện áp ngưỡng lấy trên điện trở R 1: uP = uR1. Điện áp đặt tới đầu vào của trigơ Smit (đầu vào đảo của KĐTT) được lấy trên tụ C và tuân theo quy luật biến thiên của điện áp trên tụ: UN = UC. Với cách mắc của trigơ smit nói trên cùng mạch R, C nh ư hình vẽ ta đ ược m ột mạch dao động tự kích có giản đồ thời gian mô tả hoạt động như hình 2.1b. 2.2. Nguyên lý hoạt động của mạch Khi điện thế trên đầu vào N (điện áp trên tụ C) đạt t ới ng ưỡng l ật c ủa trig ơ Smit thì sơ đồ sẽ lật trạng thái và điện áp ra đột biến giá trị ngược lại với giá trị cũ. Sau đó thế trên đầu vào N thay đổi theo hướng ngược lại và tiếp tục cho đến khi đạt ngưỡng lật khác. Quá trình thay đổi UN được điều khiển bởi thời gian phóng nạp của C từ Ur qua R. + Khoảng thời gian (0 ÷ t1) điện áp ra của KĐTT ở giá trị ura = +Ura max. R1 R1 = + U ra max .β , với β = ⇒ u P = U + P = + U ra max R1 + R 2 R1 + R 2 Đến thời điểm t 1 điện thế trên N đạt đến ngưỡng uc = U + P = + U ra max.β của trigơ Smit nên sơ đồ lật trạng thái.
+ Từ t1 ÷ t2 , ura = - Uramax → điện áp ngưỡng cũng lật trạng thái: u P = U − P = −U ra max.β , đồng thời tụ C phóng điện từ + C → R → KĐTT → -UCC → nội trở nguồn → mát → - C. Khi điện áp trên tụ giảm về bằng không thì t ụ l ại n ạp theo chiều ngược lại từ mát → C → R → KĐTT → - Ucc, điện áp trên tụ tăng dần với cực tính ngược lại. Tại t2 điện thế trên N đạt đến giá trị ngưỡng uC=U-P=-β.Uramax → sơ đồ lại lật trạng thái → ura=+ Uramax → uc = U + P = +U ra max.β , đồng thời tụ C phóng điện theo đường +C → mát → nội trở nguồn → +UCC → R → → -C. Khi điện áp trên tụ giảm về “0” thì tụ được nạp theo chi ều ng ược l ại từ +UCC → KĐTT → R → C → mát. 2.3. Các thông số cơ bản đáp ứng các yêu cầu cho trước Qua các phân tích trên ta thấy quá trình phóng và nạp của tụ C đ ều thông qua điện trở R trong các khoảng thời gian 0 ÷ t1, t1 ÷ t2, lúc đó phương trình vi phân để xác định UN(t) có dạng: dU N U _UN = ± ra max . dt RC Giải phương trình vi phân trên với điều kiện đầu là U N(t = 0) = U-P = - Ura max.β ta  t − có nghiệm sau: U N (t ) = U ra max 1 − (1 − β.e R.C ).     Tại thời điểm t1 điện áp trên tụ đạt giá trị UN(t1) = U+P = Ura max.β  − 1 τ ⇔ U ra max 1 − (1 + β).e RC  = β.U ra max. (*) ⇒ U N (t 1 ) = U + P     Với τ1 là hằng số thời gian phóng nạp của tụ C khi Ura = Ura max. R τ1 (*) ⇔ (1 − β) = (1 + β).e− RC , thay β = R + R , tối giản và lấy ln hai vế ta được: 1 1 2 τ1 R R ⇔ = Ln(1 + 2 1 ) ⇒ τ 1 = R.C.Ln(1 + 2 1 ). R.C R2 R2 Nếu ta chọn R1 = R2 thì : τ1 = R.C.Ln3 ≈ 1,1. R.C. Do quá trình phóng nạp của tụ đều qua R nên ta có τ1 = τ2 = τ ≈ 1,1.R.C nên chu kỳ T của xung ra :
T = 2. τ ≈ 2.1,1.R.C = 2,2.R.C Hình 2.2: Sơ đồ nguyên lý mạch phát xung sử dụng µA741. Nhìn vào biểu thức trên ta thấy: khi muốn thay đổi tần số của dẫy xung ra ta có thể thực hiện bằng cách thay đổi điện dung của tụ C hoặc thay đổi giá tr ị đi ện tr ở R. Hình 2.2 là sơ đồ nguyên lý một mạch phát xung dùng khuyếch đại thuật toán dùng vi mạch µA741 có độ rộng thay đổi được nhờ biến trở WR. Với mạch này ta có công thức tính chu kỳ của xung ra như sau: T = 2. τ ≈ 2.1,1.(WR + R).C = 2,2.(WR + R).C Ví dụ 2: Cho IC µA741 biết C =200nF tìm thông số WR để tần số điên áp thay đ ổi từ (10-1000)Hz Ta có T=2,2(R + WR).C 0,1 R + WR1= 2, 2.2.0−7 = 227,3k Ω Khi f1 = 10Hz → T1=1/f1=0,1(s) 10−3 = 2,3k Ω Khi f2 = 1000Hz → T2=1/f2=10−3 (s) R + WR1= 2, 2.2.10−7 Chọn R = 1,3kΩ và WR1 = 226kΩ, WR2 = 1kΩ Với R = 1,3kΩ và WR = (1-226)kΩ thì tần số điện áp thay đổi từ (10-1000)Hz 2.4. Mô phỏng mạch bằng phần mềm mutilsim
Hình 2.3 : Mô phỏng mạch đa hài dùng IC khuếch đại thuật toán Hình 2.4 : Giản đồ điện áp Uv(màu xanh) và điện áp Ura(màu đỏ)
Mạch đa hài tự kích dùng IC 555 3. 3.1. Phân tích mạch điện Khối phát xung chủ đạo có nhiệm vụ phát ra một dãy xung vuông liên t ục cung cấp cho khối đếm. Yêu cầu đặt ra đối với khối này là dãy xung vuông đ ược t ạo ra có tần số thay đổi được để từ đó có thể thay đổi được t ốc đ ộ hiển th ị. Hình 3.1 là sơ đồ nguyên lý của một mạch phát xung chủ đạo đáp ứng được các yêu cầu trên. Hình 3.1: Sơ đồ nguyên lý mạch phát xung chuẩn dùng IC 555 Vi mạch 555 là loại vi mạch được dùng để phát xung vuông chuyên dụng. Muốn tạo ra được dẫy xung liên tục người ta tiến hành ghép vi mạch này với tụ điện và điện trở như hình vẽ. Để hiểu rõ nguyên lý ho ạt động c ủa phát xung c ủa vi mạch 555 ta quan sát sơ đồ trải của vi mạch 555 hình 3.2.
Hình 3.2: Sơ đồ trải của 555 trong mạch phát xung chủ đạo. Phần được đóng khung bằng nét đứt là vi mạch 555, nó có c ấu t ạo c ơ b ản t ừ 2 phần tử khuếch đại thuật toán OA1, OA2 và 1 Trigơ R-S. Trong đó hai khu ếch đ ại thuật toán được mắc theo kiểu mạch so sánh có điện áp ng ưỡng đ ược l ấy trên b ộ phân áp dùng 3 điện trở có cùng giá trị R. Với cách mắc như trên thì điện áp ngưỡng của các mạch so sánh là Ucc / 3 đối với OA2 và 2U CC / 3 đối với OA1. Quan sát trên sơ đồ ta thấy điện áp trên tụ C được đặt tới đ ầu vào còn l ại c ủa hai m ạch so sánh nên giá trị điện áp trên tụ sẽ quyết định trạng thái của chúng. Hình 3.3: Giản đồ thời gian của điện áp trên mạch phát xung.
3.2. Nguyên lý hoạt động của mạch 2Ucc * Giả sử tại thời điểm đầu (t = 0) điện áp trên tụ C là U C = thì đầu ra OA1 3 có mức logic “1” còn đầu ra OA2 có mức logic “0”, đ ầu ra 1 có mức logic “1” (R = 1, S = 0), tranzitor T thông. Tụ C phóng điện qua R B, qua T về mát làm cho điện áp trên nó giảm dần. Đầu ra của mạch phát xung không có xung ra (mức logic “0”). Ucc 2Ucc < UC < thì đầu ra của OA1 và OA2 đều có mức logic “0” trigơ +Khi 3 3 vẫn giữ nguyên trạng thái (R = 0, S = 0), T v ẫn mở, t ụ C ti ếp t ục phóng đi ện, đi ện áp trên nó tiếp tục giảm, xung ra ở mức logic “0”. Ucc + Đến thời điểm t1 U C ≤ , đầu ra OA2 có mức logic “1”, còn đầu ra OA1 3 vẫn có mức logic “0”, 1 nhận trị “0” (R = 0, S = 1). Qua cổng NAND ta nh ận đ ược xung ra ở mức logic “1”, đồng thời tranzitor T khoá tụ C được nạp từ +U CC → RA → RB → C → mát. Quá trình tụ nạp điện áp trên nó tăng dần theo biểu thức sau: t t U − − ( R A + R B ).C ) + CC .e ( RB + RA ).C . Uc = U CC .(1 − e 3 Ucc Ucc > UC ≥ + Trong khoảng thời gian điện áp trên tụ thoả mãn: 2 các đầu 3 3 ra bộ so sánh đều nhận trị “0”, trigơ giữ nguyên trạng thái (R = 0, S = 0), xung ra vẫn tồn tại ở mức logic “1”, T vẫn khóa tụ C tiếp tục được nạp điện. + Cho đến thời điểm t2, UC ≥ 2UCC/3 đầu ra của OA1 chuyển trạng thái lên mức logic “1”, đầu ra của OA 2 vẫn giữ nguyên trạng thái, 1 nhận trị “1” (R =1, S = 0), xung ra nhận mức logic “0” đồng thời T thông bão hoà, tụ C phóng điện, hoạt động của mạch lặp lại như quá trình từ 0 ÷ t1. Kết quả là ta thu được một dẫy xung vuông ở đầu ra trên chân 3 của vi mạch 555. 3.3. Các thông số cơ bản đáp ứng các yêu cầu cho trước Để thay đổi tần số xung ra thì thay đổi hằng s ố th ời gian phóng, n ạp c ủa t ụ C bằng cách thay đổi giá trị các điện trở RA và RB. Thời gian để điện áp trên tụ được nạp từ giá trị U CC/3 đạt đến giá trị 2U CC /3 ta tính được theo công thức sau:   tn tn U CC −( R A +R B ).C −  ( R A +R B ).C  2U CC = + U CC.1 −e .e . 3 3    
Đơn giản phương trình ta được : − tn U CC Ucc ( R A + R B ).C = 2 .e 3 3 Ln hai vế: t n = (R A + RB ).C. ln 2 ≈ 0,69.(R A + RB ).C. Trong khoảng từ 0 ÷ t1 tụ C phóng điện từ giá trị ban đầu là 2UCC /3 đến UCC /3. t 2 − Biểu thức điện áp trên tụ: Uc(t ) = Ucc.e RB .C . 3 − tp U CC 2 Tại t = t1: = Ucc.e RB .C . 3 3 Với tp là hằng số thời gian phóng của tụ C. t p = R B .C. ln 2 ≈ 0,69.R B .C. Chu kỳ T của dãy xung ra: T = tn + tp = 0,69(RA + RB).C + 0,69RB.C = 0,69(RA + 2RB).C. Nếu mắc thêm điôt D song song với điện trở RB như hình vẽ thì tụ C sẽ nạp điện theo đường +Ucc → RA → D → C → mát, thời gian nạp của tụ C sẽ được tính: tn = 0,69.C.RA, và khi này chu kỳ của dãy xung ra sẽ được tính: T = tn + tp = 0,69.RA.C + 0,69.RB.C = 0,69.(RA + RB).C. Nếu ta chọn RA = RB → tn = tp → T = 2.tn = 2.tp = 2.0,69. RA.C = 1,4.RA.C. Trong trường hợp này xung ra có độ rộng và khoảng thời gian không t ồn t ại xung là b ằng nhau. Nhìn vào biểu thức ta thấy khi muốn thay đổi chu kỳ T c ủa xung ra ta có th ể thực hiện bằng 2 cách là thay đổi dung lượng của tụ C hoặc thay đ ổi giá tr ị c ủa điện trở RA, và RB. Trên hình 5 để có thể thay đổi được T ta điều chỉnh hai biến trở WR1 và WR2, đây là hai biến trở đồng trục mà khi ta tăng thì chúng cùng tăng còn khi ta giảm thì chúng cùng giảm nên WR 1 = WR2 = WR. Với mạch như hình 3.1 công thức tính chu kỳ của xung ra như sau: T = 2.0,69.(WR+R1).C1. = 1,4.(WR+R1).C1
Ví dụ 3: Cho IC 555 biết C =100nF tìm thông số WR để tần số điên áp thay đ ổi t ừ (100-1500)Hz Ta có T=1,4(R + WR).C 0, 01 R + WR1= 1, 4.10−7 = 71, 43k Ω Khi f1 = 100Hz → T1=1/f1=0,01(s) 6, 67.10−4 = 4, 76k Ω Khi f2 = 1500Hz → T2=1/f2=6,67. 10−4 (s) R + WR1= 1, 4.10−7 Chọn R = 1,43kΩ và WR1 = 70kΩ, WR2 = 3,33kΩ Với R = 1,43kΩ và WR = (3,33-70)kΩ thì tần số điện áp thay đổi từ (100-1500)Hz 3.4. Mô phỏng mạch bằng phần mềm mutilsim Hình 2.3 : Mô phỏng mạch đa hài dùng IC 555
Hình 2.3 : Giản đồ điện áp ra chân 3 của IC555 PHẦN III. KẾT LUẬN, HƯỚNG PHÁT TRIỂN
Sau quá trình tìm hiểu về các mạch đa hài đặc biệt là các m ạch đa hài t ự kích nhóm chúng em đã hoàn thành đề tài Tìm hiểu về các mạch đa hài tự kích v ới 3 mạch cơ bản đó là : Mạch đa hài tự kích dùng 2 tranzistor, m ạch đa hài t ự kích dùng IC KDTT và mạch đa hài tự kích dùng IC555. Bước đầu hiểu rõ được ch ức năng của các linh kiện trong mạch , hiểu và phân tích nguyên lí hoạt động của từng mạch, biết thiết kế mô phỏng mạch trực quan bằng phần mềm multisim. Qua đó làm tăng niềm đam mê nghiên cứu yêu thích môn h ọc, tìm tòi và ứng d ụng vào các bài toán mạch điện tử thực tế. Khi viết bài này, chúng em đã tìm hiểu và mô ph ỏng nhi ều m ạch đ ể nghiên c ứu và khảo sát. Tuy nhiên vấn đề thì quá phức tạp, tài liệu tham khảo ở trong các loại sách chuyên ngành và trên mạng Internet nhiều nhưng không có tài liệu nào thật sự chi tiết, khả năng thì có hạn nên không tránh khỏi thi ếu sót. R ất mong nh ận đ ược sự góp ý của thầy và các bạn để bài viết của nhóm hoàn thiện hơn . Tháng 8 năm 2012 Xin chân thành cám ơn !