Luận văn Thạc sĩ Vật lí: Chế tạo và nghiên cứu tính chất điện, quang của màng mỏng SiGe ứng dụng trong pin mặt trời thế hệ hai
Mục tiêu nghiên cứu của luận văn nhằm đưa ra được quy trình công nghệ chế tạo vật liệu quang điện Si-Ge độ rộng vùng cấm thay đổi và có hiệu suất cao. Tối ưu hóa thành phần và cấu trúc của vật liệu Si-Ge để thu được các tính chất vật lý cho phép ứng dụng trong pin quang điện. Mời các bạn cùng tham khảo!