ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
Ộ
ƯƠ
B CÔNG TH
NG
ƯỜ
Ạ Ọ
Ồ
Ự
Ẩ
Ệ
TR
NG Đ I H C CÔNG NGHI P TH C PH M TP. H CHÍ MINH
Ọ
Ệ
KHOA CÔNG NGH HÓA H C
Ợ Ề Ặ
Ố Ứ
Ụ
Ấ Ổ T NG H P B M T SIÊU CH NG TH M (SUPERHYDROPHOBIC) VÀ NG D NG
Ồ
Ệ
Ố Đ ÁN T T NGHI P
ệ
ọ
(Ngành: Công Ngh Hóa H c)
Ề
Ị
Ễ GVHD : Ths.NGUY N TH THANH HI N
L PỚ
: 02DHLHH
Ễ
SVTH : NGUY N TUÂN
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 1
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
MSSV : 2204115009
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 2
1.
Ờ Ả Ơ L I C M N
ự ế ự ữ ề ắ ớ Trên th c t không có s thành công nào mà không g n li n v i nh ng s h ự ỗ
ợ ề ự ế ườ tr , giúp đ ỡ dù ít hay nhi u, dù tr c ti p hay gián ti pế c a ủ ng i khác. Trong
ố ừ ọ ậ ở ả ắ ầ ườ ạ ọ ờ su t th i gian t khi b t đ u h c t p gi ng đ ế ng đ i h c đ n nay, em đã
ậ ượ ấ ề ự ỡ ủ ầ ạ nh n đ c r t nhi u s quan tâm, giúp đ c a quý Th y Cô, gia đình và b n bè.
ớ ấ ắ ở V i lòng bi ế ơ sâu s c nh t, em xin g i t n ế ử đ n quý ầ Th y Cô Khoa Công
ệ ọ ườ ự ệ ạ ẩ ọ Ngh Hóa H c – Tr ng Đ i H c Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM đã cùng
ạ ố ế ủ ứ ứ ề ế ể ớ v i tri th c và tâm huy t c a mình đ truy n đ t v n ki n th c quý báu cho
ọ ậ ạ ườ ờ ặ ệ ố chúng em trong su t th i gian h c t p t i tr ng. Và đ c bi ọ ỳ ố t, trong h c k cu i
ậ ữ ư ề ướ khóa này khoa đã đ a ra các đ tài th t h u ích cho chúng em tr c khi hoàn
ọ ạ ườ ể ề ặ ổ ợ ệ thành vi c h c t i tr ng trong đó có đ tài “ ố T ng H p B M t Siêu Ch ng
Ứ ề ị Th mấ (Superhydrophobic) Và ng D ng ễ ụ ” do Ths. Nguy n Th Thanh Hi n đã
ẫ ướ h ng d n
ả ơ ễ ề ậ ị Em xin chân thành c m n Ths Nguy n Th Thanh Hi n đã t n tâm h ướ ng
ữ ế ố ờ ẫ ạ ẫ d n em trong su t th i gian qua. N u không có nh ng l ờ ướ i h ả ng d n, d y b o
ự ậ ủ ể ấ ệ ủ c a Cô thì em nghĩ bài báo cáo th c t p này c a em r t khó có th hoàn thi n
ộ ầ ữ ả ơ ượ đ c. M t l n n a, em xin chân thành c m n Cô.
Ờ Ở Ầ L I M Đ U
ể ủ ự ứ ệ ớ ọ Đi cùng v i vi c nghiên c u và s phát tri n c a khoa h c ngày nay đó là
ự ế ụ ứ ồ ừ ứ ữ ắ ủ tính ng d ng c a nó vào th c t . Có nh ng nghiên c u b t ngu n t ầ yêu c u
ế ế ủ ờ ố ữ ư ứ ấ ằ thi t y u c a đ i s ng h ng ngày, nh ng cũng có nh ng nghiên c u xu t phát t ừ
ệ ượ ữ ự ự ế ể ứ ụ ứ nh ng hi n t ng t nhiên mà nghiên c u đ ng d ng vào th c t ề . Đ tài
Ứ ụ ề ợ ổ ố ặ “T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m ấ (Superhydrophobic) Và ng D ng” là
ộ ạ ứ ừ ệ ượ ự ắ ầ ạ ướ ữ m t d ng nghiên c u t hi n t ng t nhiên. B t đ u là nh ng h t n c trên lá
ướ ồ ưở sen, lá môn, trên cánh b m, cánh gián…. đã là ngu n ý t ng cho các nhà khoa
ả ệ ượ ư ụ ọ h c tìm tòi, gi i thích hi n t ế ứ ng và đ a các sáng ki n ng d ng trong th c t ự ế .
ư ơ ừ ữ ứ ụ ế ấ ả ơ ố T nh ng ng d ng đ n gi n nh s n ch ng th m, kính tòa nhà …đ n các thi ế t
ư ệ ạ ấ ố ị b nh đi n tho i, máy quay phim d ướ ướ i n ấ c, gi y ch ng th m…đã và đang
ứ ụ ấ ố ướ ạ ợ ượ đ c nghiên c u. Ngoài tác d ng ch ng th m n c thì nó còn đem l i các l i ích
ư ố ự ủ ả ả ợ khác nh ch ng s bám dính c a rong rêu, t o hay gi m tính ma sát…nên l i ích
ế ấ ớ ụ ề ọ ớ kinh t r t l n. Đây chính là lý do mà em đã ch n đ tài này v i m c tiêu là tìm
ấ ạ ể ứ ể ề ấ ổ ợ ố ụ hi u và t ng h p ch t t o b siêu ch ng th m (superhydrophobic) đ ng d ng
trong th c t ự ế .
Ậ
NH N XÉT
ướ
ẫ
(Giáo Viên H ng D n)
Ậ
NH N XÉT
ệ
ả
(Giáo Viên Ph n Bi n)
Ụ
Ụ
M C L C
Ả
Ụ DANH M C B NG
ộ Trang
N i Dung ậ ệ ề ặ ủ ụ
ượ ộ ố ạ ả ng b m t c a các v t li u thông d ng. ộ ả ủ i c a chúng.
ữ ắ B ngả 1.1 2.1 2.2 Năng l M t s lo i c n quang và đ phân gi ấ Tóm t t nh ng ch t khí chính dùng trong CVD
Ụ DANH M C HÌNH
ộ N i Dung Trang
ướ ủ ồ t c a lá sen và hoa h ng.
Hình 1.1 1.2 1.3 1.4
ề ặ ệ ứ ấ ấ ơ ế ự ụ ạ B m t không dính Hi u ng lá sen. C u trúc hai th b c c a lá sen. ố C u trúc micro/nano c a kh i u làm gia tăng góc ti p xúc. C ch "t ứ ậ ủ ủ làm s ch" trên lá sen: gi ế ố c tròn cu n trôi b i ọ ướ t n 1.5
ồ ề ặ
ồ c trên cánh hoa h ng và lá sen.
ề ặ ượ ng b m t.
1.6 1.7 1.8 1.9 1.10 i lõm.
ắ ử ụ ướ ủ b n.ẩ ấ C u trúc vi mô b m t hoa h ng. ệ ọ ướ ữ ự S khác bi t n t gi a gi ề ặ ọ ướ c trên b m t. t n Gi ự ệ ữ ế S liên h gi a góc ti p xúc theta và năng l ề ặ ồ ọ ướ c trên b m t l Gi t n ệ c c a công ngh quang kh c s d ng ánh sáng Các b 2.1
ậ ệ ỹ (photolithography). Nguyên lý k thu t h photolithography Quá trình mask 2.2
ủ 2.3
ộ ệ ọ ấ ấ ế alignment. C u trúc m t h beam writer c a công ngh EBL. ả ứ C u trúc hóa h c và ph n ng quang hóa ệ ở PMMA do chi u 2.4
c micro ề ặ siêu k n .
ị ướ polydopamine.
hoa.
ạ ỏ 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9
ắ x .ạ X lýử đ t oể ạ b m t ượ ổ ề ặ đ c b sung B m t ấ ề ặ có c u trúc B m t ẫ ủ SEM c a m u InGaN. ừ . ủ ề ặ SEM c a b m t sau lo i b polimer th a ớ S ự l ng đ ng ọ LBL c aủ polyelectrolytes v i các nhóm nh yạ 2.10
ướ ạ ề ặ ơ ồ ể di n ễ các b c t o b m t siêu k n ị ướ ớ m ngả c v i UV. S đ bi u 2.11 ợ s i nano Pt.
ề ặ ị ướ ớ ấ B m t siêu k n c v i c u trúc nano b i ở polyethylene m t ậ 2.12 (HDPE)
ớ ạ ọ đ caoộ Hình nhả SEM c aủ ngố nano PS v i tr ng thái hình h c khác 2.13
ẫ ư ượ ử ọ c x lí hóa h c.
ử
styrene. ủ ẫ ấ 3.1 3.2 3.3 3.4
ử ế ủ . ẫ nhau. SEM các m u polypropylene ch a đ ọ . M u ẫ polypropylene đã x lí hóa h c M u poly ẫ C u trúc micro c a m u đã x lí polypropylene Hình dáng gi ọ ướ t n c và góc ti p xúc c a các m u theo 3.5 ươ ng pháp
ươ ph ẫ SEM m u theo ử ụ s d ng isotactic Ph polypropylene (IPP). ử ụ ng pháp s d ng isotactic polypropylene 3.6 (IPP).
ủ ố ộ
ề ặ ợ
3.7 3.8 3.9
ẫ . ạ Ả ng c a t c đ làm l nh lên m u nh h ị ướ . Các b c đ t o b m t h p kim nhôm siêu k n c ạ ử . Góc ti p xúc c a h p kim nhôm qua các giai đo n x lí ế ử Ả ưở ướ ể ạ ế ưở ủ ợ ờ ướ ủ ế ằ ng c a th i gian x lí b ng n nh h c sôi đ n góc ti p 3.10
ề ặ ợ ử ướ ở ờ xúc. SEM b m t h p kim nhôm x lý n c sôi th i gian khác 3.11
ế ộ
ưở ưở ủ ồ ờ ủ . ế ế 3.12 3.13 nhau Ả nh h Ả nh h ng c a n ng đ STA lên góc ti p xúc ử ng c a th i gian x lí STA đ n góc ti p xúc .
Ụ Ồ
Ệ
NHI M V Đ ÁN
2.
Tìm hi u lý thuy t b m t không th m
ế ề ặ ấ ướ ể t.
Tìm hi u các ng d ng b m t siêu k n
ề ặ ị ướ ứ ụ ể ự ế c trong th c t .
ể ệ ươ ề ặ ế ạ ị Tìm hi u và d ch tài li u các ph ng pháp ch t o b m t siêu k ị
c.ướ n
Tham kh o và d ch tài li u công ngh làm b m t siêu k n
ề ặ ị ướ ệ ệ ả ị ơ c đ n
ế ả ả ệ gi n trong phòng thí nghi m và đánh giá k t qu .
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
Ề Ề Ặ Ổ Ầ ƯỚ PH N 1. T NG QUAN V B M T KHÔNG DÍNH T
ệ ứ ồ 1.1 Hi u ng lá sen, hoa h ng
3. 1.
1.1.
ướ ủ
ồ
ề ặ Hình 1.1. B m t không dính
t c a lá sen và hoa h ng.
ệ ứ 1.1.1 Hi u ng lá sen
ẫ ượ ự ẩ ả Lá sen lâu nay v n đ ề c coi là tiêu chu n vàng v kh năng duy trì s khô
ự ọ ướ ẽ ạ ố ráo trong t nhiên. Trên lá sen, các gi ộ c s đáp xu ng trong hình d ng m t t n
ậ ả ở ạ ế ỏ ồ ộ ọ ố ứ chi c bánh m ng, r i nhanh chóng b t n y tr l i thành m t gi ệ t đ i x ng. Hi u
ứ ượ ạ ợ ể ả ụ ề ệ ấ ơ ng lá sen đã đ c áp d ng đ s n xu t nhi u lo i s i công nghi p, s n và mái
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 17
ế ủ ế ấ ố ch ng th m. Bí quy t c a chúng là "góc ti p xúc" cao.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ệ ứ
Hình 1.2. Hi u ng lá sen.
ế ủ ấ ồ Theo lý thuy t c a Wenzel (hay Kossen), c u trúc l i lõm, xù xì gia tăng
ướ ủ ề ặ ướ ề ượ ề ặ ấ tính ghét n c c a b m t ghét n c. Đi u này đ c th y rõ trên b m t lá sen.
ộ ề ặ ự ề ặ ướ ướ ế B m t lá sen là m t b m t c c ghét n c có góc ti p xúc là 161°. D i kính
ệ ử ể ườ ượ ữ ố ở ướ hi n vi đi n t , ng i ta quan sát đ c nh ng kh i u kích th c micromét
ữ ữ ặ ầ ộ ố ố (m t ph n ngàn mm), trên nh ng kh i u này dày đ c nh ng kh i u nh h n đ ỏ ơ ượ c
ộ ấ ủ ở ứ ậ ạ ộ ph b i m t lo i sáp. Đây là m t c u trúc có th b c (hierarchical structure). Th ứ
ặ ề ế ế ấ ấ ố nh t là m t n n, sau đó là các kh i u micromét, k đ n là c u trúc nanomét và
ộ ề ặ ủ ự ự ậ ớ ỏ ớ sau cùng là l p sáp ph c c m ng. L p sáp th c v t này là m t b m t ghét
ứ ậ ủ
ấ
Hình 1.3. C u trúc hai th b c c a lá sen
.
ượ ề ặ ư ấ ướ n c có năng l ng b m t th p nh sáp paraffin.
ạ ủ ặ ố ớ ố ớ ấ Kh i u l n trên m t lá (a) và hình phóng đ i c a kh i u l n (b) cho th y
ệ ặ ấ ố ỏ ố ớ các kh i u nh nanomét xu t hi n li ti trên m t kh i u l n.
ả ủ ự ủ ư D a trên thành qu c a Barthlott và Neinhuis, nhóm c a giáo s Lei Jiang
ề ặ ệ ể ậ ọ ố (Vi n Hàn lâm Khoa h c Trung Qu c) tìm hi u b m t lá sen qua góc nhìn v t lý
ậ ệ ư ự ấ ọ ộ và v t li u h c. Theo giáo s Jang và các c ng s viên, c u trúc th b c c a b ứ ậ ủ ề
ặ ố ọ ố ả m t lá sen trong đó các kh i u nanomét m c trên các kh i u micromét không ph i
ề ặ ệ ẫ ộ ở ấ ả ộ là m t vi c ng u nhiên. B m t xù xì ư c p đ micromét nh cái ch o rán Teflon
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 18
ủ ự ướ ủ ề ặ ề ặ ẳ ỉ cũng đ làm gia tăng s ghét n c c a b m t. Khi lá sen là b m t ph ng ch có
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ị ố ủ ề ặ ế ấ ấ ch t sáp không thôi, tr s c a góc ti p xúc là 104°. Ch t sáp cho b m t tính ghét
ư ư ự ự ả ộ ọ ướ n c nh ng ch a ph i "c c ghét". Jang và c ng s viên dùng hình h c fractal đ ể
ưở ệ ủ ự ệ ủ ữ ố ố ả xem nh h ng c a kh i u. Khi có s hi n di n c a nh ng kh i u nanomét, góc
ế ế ượ ộ ề ặ ự ị ố ở ti p xúc θ gia tăng đ t bi n v t qua tr s 150° tr thành b m t c c ghét n ướ c.
ữ ố ệ ế ỉ Cũng vì nh ng kh i u nanomét, gi ọ ướ t n c ch có 3 % di n tích ti p xúc v i b ớ ề
ả ể ộ ế ư ề ế ặ m t lá sen. Đi u này đ a đ n m t k t qu hi n nhiên là gi ọ ướ t n ể c có th di
ự ụ ậ ề ặ ặ ố ự ộ đ ng t do khi b m t nghiêng và cu n theo b i b m cho lá sen đ c tính t làm
ủ
ế
ấ
ố
Hình 1.4. C u trúc micro/nano c a kh i u làm gia tăng góc ti p xúc.
ề ặ ơ ớ
ấ
(a) B m t tr n v i ch t sáp,
θ = 104°.
ề ặ ớ
ố
(b) B m t v i kh i u l n,
ớ θ = 150°.
ề ặ ớ
ố
ố
ớ (c) B m t v i kh i u l n và kh i u nanomét,
θ = 160 – 180°.
ạ s ch (selfcleaning).
ướ ơ ề ặ ư ữ ẽ ố N c r i lên b m t lá sen s lăn nh nh ng gi ụ ọ hình c uầ , cu n đi b i t
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 19
ẩ b n và vi trùng.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ơ ế ự
ạ
ụ ẩ
ố
Hình 1.5. C ch "t
làm s ch" trên lá sen: gi
ọ ướ t n
c tròn cu n trôi b i b n.
ề ặ
ấ
ồ
Hình 1.6. C u trúc vi mô b m t hoa h ng
ữ
ồ
ọ
ồ
(a) Nh ng "ng n đ i" micromét trên cánh hoa h ng.
ồ
ỉ
(b) Các khe nano trên đ nh đ i.
ệ ứ ồ 1.1.2 Hi u ng hoa h ng
ệ ử ề ặ ộ ấ ướ ể ệ ấ ồ D i kính hi n vi đi n t , b m t hoa h ng xu t hi n m t c u trúc vi mô
ứ ậ ữ ằ ồ ọ ọ ỡ ộ có hai th b c: (1) nh ng "ng n đ i" kích c micromét n m ngang d c theo m t
ứ ự ấ ị ữ ệ ề ấ ầ ồ th t ọ nh t đ nh và (2) trên đ u nh ng ng n đ i tí hon này xu t hi n nhi u khe
nano.
ệ ứ ơ ấ ủ ồ C c u bám dính c a trên cánh hoa h ng hay là "hi u ng cánh hoa" (petal
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 20
ượ ơ ế ừ ả ướ ừ ả effect) đ c kh o sát và c ch v a ghét n c v a thích n ướ ượ c đ c gi i thích.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ự
ệ
ồ
Hình 1.7. S khác bi
ữ t gi a gi
ọ ướ t n
c trên cánh hoa h ng và lá sen.
ủ ế ấ ướ ớ ề ặ Hình 1.7 cho th y cách ti p xúc c a n ồ c v i b m t lá sen và hoa h ng
ữ ủ ộ ố ọ ướ ạ hoàn toàn khác nhau. Trong khi nh ng kh i u c a lá sen "đ i" gi c t o ra t n
ị ẹ ạ ộ ớ ướ ướ ữ ấ ỗ m t l p không khí b k t l i bên d i, n ọ c th m vào ch trũng gi a các "ng n
ữ ư ấ ặ ồ ở ỉ ồ đ i" trên m t hoa h ng nh ng không th m vào nh ng khe nano đ nh và s ườ n
ề ặ ớ ồ ướ ư ồ đ i. L p không khí này làm cho b m t hoa h ng ghét n c theo đúng nh công
o ch ng t ứ
ứ ủ ế ỏ ề ặ th c Cassie. Góc ti p xúc c a gi ọ ướ t n c là 152 ự b m t cánh hoa là c c
ướ ư ữ ướ ề ặ ở ạ ỗ ghét n ự ế c, nh ng s ti p xúc gi a n c và b m t ự các ch trũng t o ra l c
ướ ề ặ ự ự Van Der Waals làm n c bám dính vào b m t cánh hoa. S bám dính do l c Van
ư ầ ạ ố Der Waals gi ng nh bàn chân th ch sùng bám vào tr n nhà.
ế ề ặ 1.2 Lý thuy t b m t không dính ướ t
2.
ủ ậ ố ặ ề ặ ể ở ấ ả ọ ỡ Ở ấ B m t chi ph i đ c tính c a v t th t c m i kích c . ộ c p đ vĩ t
ướ ề ặ ủ ủ ạ ơ mô (kích th ề c m, cm), hình d ng b m t c a xe h i, máy bay, tàu th y đi u
ứ ả ủ ư ư ủ ỉ ướ ả ch nh khí l u và th y l u làm gi m s c c n c a không khí hay n c; phân tán
ệ ả Ở ấ ộ ướ sóng radar gia tăng hi u qu "tàng hình". c p đ trung mô (kích th c mm,
ề ặ ả ủ ạ ưở ự ế ế ả micromét), mô d ng c a b m t nh h ng đ n s ph n chi u ánh sáng, âm
ề ệ Ở ấ thanh, truy n nhi t, ma xát, mài mòn (wear), ăn mòn (corrosion). ộ c p đ vi mô
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 21
ự ươ ử ủ ườ ẫ nanomét, s t ữ ng tác gi a phân t c a hai môi tr ế ứ ng khác nhau d n đ n s c
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ặ ự ướ ự ề căng b m t, s ấ th m t, s bám dính (adhesion), tính ghét n ướ c
ướ (hydrophobicity) và thích n c (hydrophilicity).
ọ ề ặ ộ ộ ọ ơ ở ủ Khoa h c b m t (surface science) là m t b môn quan tr ng mà c s c a
ự ượ ề ặ ự ề ặ nó d a trên năng l ả ứ ng b m t (surface energy), s c căng b m t, l c mao qu n,
ứ ạ ự ữ ơ ệ ộ ộ ấ ướ đ th m t (wettability), s bám dính và ph c t p h n n a là nhi ọ t đ ng h c
ự ươ ữ ử ở ề ặ ế ố ề ặ b m t và s t ng tác gi a các phân t ấ ả ữ b m t. T t c nh ng y u t ầ này g n
ế ấ ả ọ ư ạ ườ ậ ủ nh quán xuy n t t c m i sinh ho t th ấ ự ấ ng nh t c a chúng ta. Hãy l y s th m
ướ ứ ậ ả ử ụ ặ ỗ ổ ạ t làm thí d . M i bu i sáng sau khi th c d y, ta ph i r a m t, đánh răng, c o
ử ể ề ề ạ ấ ơ râu, trang đi m, đánh son. Chi u v vo g o, n u c m, sau đó r a chén bát, gi ặ t
ạ ộ ộ ầ ấ ả ử ữ ề ầ ắ qu n áo, t m r a, g i đ u v.v... T t c nh ng ho t đ ng này đ u liên h đ n s ệ ế ự
ấ ướ th m t.
Ở ậ ế ỷ ướ ủ ữ ỏ th p niên 50, 60 c a th k tr ầ c khi nh ng th i xà bông "72 ph n
ộ ươ ờ ủ ộ ơ ự ệ ế ấ ạ ầ d u" là m t ph ng ti n duy nh t làm s ch các v t nh . S ra đ i c a b t gi ặ t
ề ặ ủ ướ ứ ả ự ấ ướ ặ ồ ặ làm gi m s c căng b m t c a n c, gia tăng s th m t trên m t đ gi t và
ẹ ủ ỉ ầ ộ ặ ủ ẩ ế ẹ ơ ch c n tác đ ng nh c a máy gi t đ t y các v t nh , đã làm nh gánh n i tr ộ ợ
ườ ụ ữ ạ ủ c a ng i ph n trong sinh ho t gia đình.
ầ ự ấ ướ ả ự ấ ướ Tuy nhiên, không ph i lúc nào ta cũng c n s th m t. S th m t liên
ế ự ề ặ ướ quan đ n s dính (adhesion) và b m t "thích" n ữ ứ c (hydrophylic). Có nh ng ng
ấ ướ ầ ề ặ ờ ế ữ ả ự ụ d ng c n s không th m t và ta ph i nh đ n nh ng b m t "ghét" n ướ c
ề ặ ướ ư ủ ẽ ạ ướ (hydrophobic). B m t thích n c nh kim lo i, th y tinh s làm n ả c ch y
ề ặ ề ặ ộ ướ ỏ loang ra làm thành m t vũng nh dính vào b m t. B m t ghét n c làm cho
ạ ư ể ạ ố ộ ạ ướ n c co l i thành h t tròn gi ng nh viên bi có th di đ ng qua l ả i. Ch o rán
ề ặ ủ ớ ướ ụ ế ph l p Teflon không dính là b m t ghét n c thông d ng trong nhà b p. Hình
ộ ướ ướ ượ ạ d ng m t gi ọ ướ t n ề ặ c trên b m t thích n c và ghét n c đ ọ c phác h a trong
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 22
Hình 1.8.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ề ặ
Hình 1.8. Gi
ọ ướ t n
c trên b m t.
ướ
(a) Ghét n
c (hydrophobic).
ướ
(b) Thích n
c (hydrophilic).
ế ể ễ ừ Góc ti p xúc (contact angle) θ mà ta có th quan sát d dàng t các gi ọ t
ạ ề ặ ộ ượ ư ễ ạ ộ ướ n c trên các lo i b m t là m t l ế ố ng d đo đ c nh ng cũng là m t bi n s vĩ
ự ỳ ữ ể ệ ọ ươ ữ mô c c k quan tr ng bi u hi n nh ng t ng tác gi a các phân t ử ướ n c và phân
ế ố ấ ắ ộ ế ộ ử ủ ề ặ t ế c a b m t ch t r n. Góc ti p xúc là m t bi n s cho bi t đ ghét/thích n ướ c
ề ặ ỏ ơ ế ướ ớ ủ ề ặ c a b m t. Khi góc ti p xúc nh h n 90°, ta có b m t thích n ơ c, l n h n 90°
ề ặ ướ ự ươ ế ữ là b m t ghét n c (Hình 1.8). N u có s t ng thích gi a phân t ử ướ n c và
ử ấ ắ ề ặ ướ ươ phân t ch t r n ta có b m t thích n c, càng t ế ng thích góc ti p xúc càng nh ỏ
ế ế ệ ượ ế ẽ ị ố ti n đ n tr s zero. Ng ượ ạ c l i, n u chúng "ghét" nhau ta s có hi n t ng "đèn
ấ ệ ề ớ nhà ai n y sáng", các phân t ử ướ n ấ ắ c không giao thi p v i anh láng gi ng ch t r n;
ọ ướ ẽ ế ế ở ớ gi ơ c s co tròn và góc ti p xúc tr thành góc tù. Khi góc ti p xúc l n h n t n
ề ặ ở ự ướ ạ 150°, b m t tr nên "c c ghét" n c (superhydrophobic). Gi ọ ướ t n c co l i thành
ư ườ ủ ế ế ả ấ hình c uầ nh ta th ế ng th y trên ch o rán ph Teflon, góc ti p xúc ti n đ n
ữ ệ ế ề ặ ấ 180°. Do di n tích ti p xúc gi a gi ọ ướ t n ỏ ự c và b m t r t nh , s bám dính không
ề ặ ị ộ ả x y ra, gi ọ ướ t n c di đ ng khi b m t b nghiêng.
ự ủ ả ạ ề ặ ử ơ S kh o sát hình d ng c a gi ọ ướ t n ị c trên b m t có l ch s h n 200 năm.
ứ ổ ế ư ư ự ả ộ ơ Năm 1805, Young đã đ a ra m t công th c n i ti ng nh ng đ n gi n d a vào s ự
(cid:0) ự ạ ặ ế ằ cân b ng l c t i m t ti p giáp.
γSV = γLV cos θ + γSL
Ở ế ở ạ ằ ặ ẳ ộ đây, góc ti p xúc θ là góc tr ng thái cân b ng trên m t m t ph ng;
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 23
ượ ề ặ ủ ượ ề ặ ủ γSV là năng l ng b m t c a ch t n n; ấ ề γLV là năng l ấ ỏ ng b m t c a ch t l ng
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ề ặ ứ ọ ượ ặ ế ữ ữ (còn g i là s c căng b m t) và γSL là năng l ấ ng gi a m t ti p giáp gi a ch t
ệ ữ
ự
ế
ượ
ề ặ
Hình 1.9. S liên h gi a góc ti p xúc theta và năng l
ng b m t.
ọ ề n n và gi ấ ỏ t ch t l ng.
ả ượ ọ ườ ứ ữ ượ Gi n l c nh ng ch ng minh toán h c r m rà, năng l ng b m t đ ề ặ ượ c
ể ỏ ướ ị ề ặ dùng đ ph ng đoán b m t đó thích hay ghét n c. Theo đ nh nghĩa, năng l ượ ng
ượ ộ ậ ệ ậ ệ ư ậ ể ẻ ề ặ b m t là năng l ứ ng dùng đ "b đôi" m t v t li u. Nh v y, v t li u c ng
ư ươ ẽ ứ ế ế ứ ả ạ ầ nh kim c ố ng s đ ng đ u b ng, k đ n là g m s , kim lo i và sau cùng là các
ộ ậ ệ ạ ả ượ ề ặ lo i polymer (B ng 1). M t v t li u có năng l ề ặ ng b m t càng cao thì b m t
ạ ướ ậ ệ ư ủ c a nó l i càng thích n c. Ng ượ ạ c l i, các v t li u polymer nh polyethylene
ị ố ở ụ ự ọ ố ả ệ ậ (b c nh a gia d ng) và Teflon có tr s cu i b ng nên là các v t li u ghét
c.ướ n
ả ượ ề ặ ủ ậ ệ ụ B ng 1.1. Năng l ng b m t c a các v t li u thông d ng
2)
ượ ề ặ ậ ệ V t li u Năng l ng b m t (mJ/m
Kim c ngươ 9820
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 24
ạ B ch kim 2340
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
Đ ngồ 1670
Vàng 1410
S tắ 1360
Silicon 1240
B cạ 1140
K mẽ 830
ủ ủ ầ Silica (thành ph n chính c a th y tinh) 290
Sáp paraffin 50
Polyethylene 32
Teflon 16
ộ ọ ọ ấ ỏ ỏ M t quan sát quan tr ng khác là khi gi ọ ướ t n c (hay gi t ch t l ng) nh lên
ề ặ ỗ ủ ể ố ề ỗ ủ ề ặ ồ b m t l ộ i lõm hay b m t r c a m t th x p (porous) có nhi u l th ng, góc
ẽ ế ư ậ ữ ế ổ ộ ế ti p xúc s bi n đ i. Nh v y, góc ti p xúc không nh ng tùy thu c vào năng
ề ặ ủ ị ả ưở ủ ề ặ ạ ở ượ l ấ ề ng b m t c a ch t n n mà còn b nh h ng b i mô d ng c a b m t. Nói
ễ ể ự ồ ộ ề ặ ướ ướ m t cách d hi u, s l i lõm làm b m t thích n c càng thích n ế c (góc ti p
ề ặ ỏ ơ ướ ướ ế ơ xúc nh h n) và b m t ghét n c càng ghét n c (góc ti p xúc to h n). Lý
ế ủ ự ượ ề ệ thuy t c a Wenzel, Kossen và Cassie đã d đoán đ c đi u này và thí nghi m đã
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 25
ự ứ ượ ế th c ch ng đ c lý thuy t.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ề ặ ồ
Hình 1.10. Gi
ọ ướ t n
c trên b m t l
i lõm:
ạ
(a) D ng Wenzel
ạ
(b) d ng Cassie.
ủ ề ặ ị ướ Ứ ụ ự ế 1.3 ng d ng c a b m t siêu k n c trong th c t
3.
ữ ứ ầ ự ấ ướ ụ ữ ả Có nh ng ng d ng c n s không th m ề ờ ế t và ta ph i nh đ n nh ng b
ặ ướ ề ặ ướ ư ủ m t "ghét" n c (hydrophobic). B m t thích n ẽ ạ c nh kim lo i, th y tinh s
ướ ề ặ ề ặ ả ỏ ộ làm n c ch y loang ra làm thành m t vũng nh dính vào b m t. B m t ghét
ướ ạ ư ể ạ ộ ố ạ ướ n c làm cho n c co l i thành h t tròn gi ng nh viên bi có th di đ ng qua l i.
ế ị ế Thi t b nhà b p:
ề ặ ủ ớ ả ướ Ch o rán ph l p Teflon không dính là b m t ghét n ụ c thông d ng trong
nhà b p.ế
ủ
ự
ế
ể
ơ
ở ữ
S n ph lên mái nhà đ tránh s đóng tuy t vào mùa đông
ứ nh ng x
l nh.ạ
ứ ườ
ơ
ẽ ậ
ể
ạ
ộ
S n các b c t
ng công c ng đ tránh v b y, lo n bút.
ơ
S n dùng cho xe.
ả ẽ ả
ơ
ế ượ
ề ả
ề
S n dùng trong ngành hàng h i s gi
i quy t đ
ấ c nhi u v n đ b o
ứ ấ ơ
ậ
ả
ơ
ố
ự trì thân tàu và làm gi m chi phí v n hành. Th nh t, s n có c năng ch ng s
ậ ở
ủ
ơ
đóng bám (antifouling) c a rong rêu, vi sinh v t
ứ đáy tàu. Th hai, s n làm
ứ ả
ủ ướ
ả
ế
ạ
ơ
ế
ệ
gi m s c c n (drag) c a n
c khi n tàu ch y nhanh h n và ti
t ki m nhiên
ế ượ
ệ
ứ ả ủ ướ ẽ ả
ờ ậ
ủ
li u. N u đ
ầ c ph lên tàu ng m, s c c n c a n
c s gi m và nh v y âm
ộ ế
ế
ặ
ồ
ớ
thanh do s tr
ự ượ ủ ướ ọ t c a n
c d c theo m t tàu b t đi ti ng n đây là m t y u
ự
ủ
ế
ầ
ọ
ố
t
ố ố t
i quan tr ng cho s thao tác và s ng còn c a chi c tàu ng m
S n:ơ
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 26
ế ị Thi t b y t ế :
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ủ ớ ượ ơ ợ ệ ứ L p ph có "hi u ng lá sen" còn đ ụ c áp d ng vào t ạ s i cho các lo i
ướ ụ ụ ấ ọ ố ố ả v i ch ng n ự ế ậ ủ c và r t quan tr ng trong các d ng c y khoa ch ng s k t t p c a
ẫ ậ ế t bào trong lúc ph u thu t.
Gi y:ấ
ử ụ ệ ể ằ ề ặ B ng cách s d ng công ngh nano, các nhà phát tri n đã làm ráp b m t
ộ ế ề ấ ồ ướ ạ ỏ ớ ằ gi y. Đây là m t ti n trình g m nhi u b ấ c nh m lo i b l p cellulose th m
ủ ớ ế ể ướ ở n c bên ngoài. Ti p theo, các nhà phát tri n ph l p phim fluorocarbon dày
ề ặ ọ ẽ ấ ả ố ượ ả kho ng 100 nanomet trên b m t gi y. Cu i cùng , h s thu đ ẩ c s n ph m
ấ ố ướ siêu ch ng th m n c.
Ngành xây d ng:ự
ậ ệ ỗ ớ ủ ư ạ ủ ố Ph lên các v t li u nh bê tông, ceramic, g ch, đá hay g , l p ph ch ng
ấ ỏ ế ấ ọ ơ th m khi n cho ch t l ng bên trên phân thành gi ấ t và r i ra ngoài thay vì ng m
ủ ế ắ ớ ố ổ vào bên trong. L p ph hoàn toàn trong su t và không làm bi n đ i màu s c hay
ề ặ ủ ậ ệ ể ị ượ ệ ườ ế ấ k t c u b m t c a v t li u. Nó có th ch u đ c vi c lau chùi th ng xuyên và
ể ế ử ụ ề ớ ờ ớ có th ti p xúc v i tia UV, v i th i gian s d ng nhi u năm.
ệ ử ệ Linh ki n đi n t :
ệ ố ủ ệ ệ ơ Linh ki n c a h th ng đi n c vi mô (microelectromechanical systems,
ệ ấ ệ ố ệ ứ ủ ế ầ MEMS) cũng c n đ n "hi u ng lá sen". Linh ki n c u trúc c a các h th ng này
ở ứ Ở ỡ ọ ượ ề ấ th nguyên micromét. kích c này, tr ng l ư ng không còn là v n đ nh ng
ệ ẽ ả ệ ắ ữ ự ự s bám dính gi a các linh ki n s x y ra làm s thao tác trong vi c l p ráp tr ở
ủ ự ướ ắ ố ớ nên khó khăn. L p ph c c ghét n c ch ng bám dính làm quá trình l p ráp tr ở
ề ặ ễ ướ ặ ố nên d dàng. Ngoài ra, b m t ghét n c còn có đ c tính gia tăng tính ch ng ma
ư ư ủ ệ ộ sát. Các linh ki n di đ ng, quay tí hon nh bánh răng c a, piston c a MEMS
ư ể ầ ầ ờ ộ ơ ệ không th bôi d u nh n nh các linh ki n trong đ ng c to. Chúng c n m t b ộ ề
ặ ự ướ ể ặ ố m t c c ghét n c đ gia tăng đ c tính ch ng mài mòn.
Kính xe h i:ơ
ầ ử ủ ượ Nguyên lý c a nano kính xe ô tô là các ph n t nano khi đ ủ ẽ ấ c ph s l p
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 27
ề ặ ỗ ủ ắ ườ ấ ượ ề ặ ế ầ đ y b m t r c a kính mà m t th ng không th y đ c, khi n b m t kính
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ả ơ ố ủ ề ặ ự ớ ẵ tr n nh n, gi m t i đa l c hút c a b m t kính v i các phân t ử ướ n ế c khi n cho
ử ướ ự ạ ớ ậ ọ ướ ẽ ị các phân t c t n co l i v i nhau. Chính vì v y gi ỏ c s không b lan t a t n
ặ ạ ể ẽ ị ữ trên bè m t kính, mà co l i thành nh ng viên bi tròn, khi xe di chuy n s b gió
ầ ổ th i bay đi, giúp tăng t m quan sát, nâng cao an toàn.
Công d ng:ụ
(cid:0) ạ ướ ế ầ ạ Tăng t m nhìn, h n ch dùng g t n ư c m a
(cid:0) ả ạ ố Ch ng khúc x , gi m chói khi lái xe ban đêm.
(cid:0) ắ ố ỏ Ch ng m i m t, giúp lái xe an toàn
(cid:0) ệ ả ị ố ở ạ B o v kính không b kính tr l i
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 28
(cid:0) ề ặ ấ ẩ ụ ễ ệ ả Gi m bám b i trên b m t kính, d dàng v sinh ch t b n.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
Ầ ƯƠ Ề Ặ Ị ƯỚ Ạ PH N 2. CÁC PH NG PHÁP T O B M T SIÊU K N C
4.
ư ở ề ặ ị ướ ế ầ ườ Nh đã trình bày ph n lý thuy t thì b m t siêu k n c th ng có đ ộ
ạ ợ ướ ấ ế ỏ ề đ ồ g gh cượ t o thành b ngằ các s i kích th ớ c r t nh nên góc ti p xúc v i
ượ ề ặ ệ ượ ỏ ự ướ ớ n c l n và năng l ng b m t nh . Chính vì các hi n t ng t nhiên quan sát
ứ ể ươ ề ặ ạ nên các nhà nghiên c u đã tìm hi u ph ng pháp t o ra các b m t siêu k n ị ướ c
ề ặ ạ ợ ằ b ng cách t o trên b m t các s i nano hay micro.
ậ ệ ườ ượ ế ạ ươ V t li u micro, nano th ng đ ằ c ch t o b ng hai ph ng pháp:
Ph
ươ ừ ố ươ ạ ạ ng pháp t trên xu ng ( topdown): là ph ng pháp t o h t kích th ướ c
ừ ạ ướ ớ ơ nano t các h t có kích th c l n h n.
ể ế ể ế ỹ Nguyên lý: dùng k thu t ậ nghi nề và bi n d ng ố ớ ạ đ bi n v t li u th kh i v i ậ ệ
ỡ ạ ứ ạ ướ ươ ổ t ch c h t thô thành c h t kích th c nano. Đây là các ph ơ ng pháp đ n
ể ế ẻ ề ư ề ệ ả ấ ả ạ ậ ệ gi n, r ti n nh ng r t hi u qu , có th ti n hành cho nhi u lo i v t li u
ướ ươ ạ ượ ử ụ ớ ớ v i kích th ớ c khá l n. Ph ế ng pháp bi n d ng đ c s d ng v i các k ỹ
ệ ự ế ể ạ ằ ạ ậ ặ thu t đ c bi ự ớ t nh m t o ra s bi n d ng c c l n (có th >10) mà không làm
ể ượ ừ ề ộ ỉ phá h y v t li u. ủ ậ ệ Nhi t đệ ộ có th đ c đi u ch nh tùy thu c vào t ng tr ườ ng
ế ệ ộ ơ ớ ệ ộ ế ạ ợ ụ ể h p c th . N u nhi t đ gia công l n h n nhi t đ k t tinh l i thì đ ượ ọ c g i
ế ượ ế ạ là bi n d ng nóng , còn ng ượ ạ c l i thì đ ọ c g i là ạ bi n d ng ngu i ộ . K t quế ả
ượ ậ ệ ề ề ặ ớ ộ thu đ c là các v t li u nano m t chi u (dây nano) ho c hai chi u (l p có
ề chi u dày nm).
Ph
ươ ươ ạ ng pháp t ừ ướ d i lên ( bottomup): là ph ng pháp hình thành h t nano t ừ
ử ỏ ươ ượ các nguyên t , ion (nh ). Ph ng pháp t ừ ướ d i lên đ ạ ể ấ c phát tri n r t m nh
ấ ượ ẽ ộ ủ ả ầ ớ ẩ m vì tính linh đ ng và ch t l ố ng c a s n ph m cu i cùng. Ph n l n các
ệ ượ ế ạ ừ ươ ậ ệ v t li u nano mà chúng ta dùng hi n nay đ c ch t o t ph ng pháp này.
ươ ể ươ ươ Ph ng pháp t ừ ướ d i lên có th là ph ng pháp v t lýậ , ph ng pháp hóa h cọ
ặ ế ợ ả ho c k t h p c hai.
(cid:0) ươ ươ ậ ệ ạ ừ ử Ph ậ ng pháp v t lý: là ph ng pháp t o v t li u nano t nguyên t ặ ho c
ử ể ệ ậ ượ ạ ể chuy n pha . Nguyên t đ hình thành v t li u nano đ c t o ra t ừ
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 29
ươ ậ ệ ồ ph ng pháp v t lý: ố b c bay nhi ệ (đ tố , phún xạ, phóng đi n h quang t ).
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ươ ậ ệ ể ượ ồ Ph ng pháp chuy n pha: v t li u đ ộ ớ ố c nung nóng r i cho ngu i v i t c
ể ượ ạ ị ử ộ đ nhanh đ thu đ c tr ng thái vô đ nh hình , x lý nhi ể ả ệ đ x y ra t
ể ươ ộ ị chuy n pha vô đ nh hình tinh th ( ế ể k t tinh ) (ph ng pháp ngu i nhanh ).
ươ ậ ườ ượ ể ạ ạ Ph ng pháp v t lý th ng đ c dùng đ t o các h t nano, màng nano.
(cid:0) ươ ọ ươ ệ ạ ừ Ph ng pháp hóa h c: là ph ậ ng pháp t o v t li u nano t các ion.
ươ ể ặ ấ ạ ọ ộ Ph ậ ng pháp hóa h c có đ c đi m là r t đa d ng vì tùy thu c vào v t
ệ ụ ể ườ ổ ỹ ế ạ ả ậ ợ li u c th mà ng i ta ph i thay đ i k thu t ch t o cho phù h p. Tuy
ể ạ ẫ ươ ọ nhiên, chúng ta v n có th phân lo i các ph ng pháp hóa h c thành hai
ệ ạ ậ ươ lo i: hình thành v t li u nano t ừ pha l ngỏ (ph ng pháp ế ủ , sol k t t a
ệ ươ ể ạ gel,...) và t ừ pha khí (nhi t phân ,...). Ph ạ ng pháp này có th t o các h t
ố ộ nano, dây nano, ng nano, màng nano, b t nano,...
ươ ự ừ Ngoài ra còn có ph ng pháp d a trên s k t h p c a ự ế ợ ủ c haiả t ố trên xu ng và
ỹ ạ ệ ừ ướ t d i lên k thu t ậ nh phư ị ủ dung d ch polymer , tách pha và m đi n. Trong các
ươ ể ở ộ ố ổ ợ ph ng pháp k trên ể đây chúng tôi đã tìm hi u và t ng h p m t s ph ươ ng
ườ ề ặ ể ạ ị ướ ướ pháp th ng dùng đ t o b m t siêu k n c d i đây.
ắ 2.1 Quang kh c (lithography)
1.
1.1.
ươ ế ổ 2.1.1 Lý thuy t t ng quan ph ắ ng pháp quang kh c
ậ ử ụ ệ ắ ỹ ẫ Quang kh c hay lithography là k thu t s d ng trong công ngh bán d n
ệ ậ ệ ạ ằ ế ủ ậ ệ ệ ớ và công ngh v t li u nh m t o ra các chi ti t c a v t li u và linh ki n v i hình
ướ ứ ạ ử ụ ằ ị ạ d ng và kích th ệ c xác đ nh b ng cách s d ng các b c x (ánh sáng, chùm đi n
ề ặ ể ạ ấ ả ủ ế ả ổ ầ ử t …) làm bi n đ i các ch t c n quang ph trên b m t đ t o ra hình nh c n
ự ế ữ ế ậ ệ ủ ậ ỹ ạ t o. Trên th c t , thu t ng ti ng Vi t c a các k thu t này không đ ượ ầ ủ c đ y đ ,
ỉ ọ ắ ườ ượ ể ặ ị ế n u ta ch g i “quang kh c” thì th ng đ c m c đ nh hi u là lithography s ử
ậ ử ụ ế ọ ỹ ụ d ng ánh sáng (ti ng Anh g i là photolithography), còn k thu t s d ng chùm
ệ ử ườ ượ ị đi n t (electron beam lithography – EBL) th ng đ ắ c d ch thô là “quang kh c
ệ ử ư ư ữ ế ệ ậ ọ chùm đi n t ”. Nh ng đ n hi n nay cũng ch a có thu t ng chính xác, nên m i
ườ ứ ạ ế ớ ng i c t m dùng ti ng Anh v i photolithography và electron beam lithography
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 30
(EBL).
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ể ả ộ ả ử ụ ư Quy trình lithography chung có th mô t nh sau: s d ng m t c n quang
ạ ậ ệ ữ ơ ế ạ ộ ọ (là m t lo i v t li u h u c nh y quang, ti ng Anh g i là resist – photoresist, e
ậ ệ ẵ ớ ầ ạ ủ ủ ế ỏ beam resist) ph lên phi n đã có s n l p màng m ng c a v t li u c n t o linh
ứ ạ ượ ệ ệ ầ ạ ặ ạ ủ ế ạ ki n, b c x đ c chi u qua m t n mang hình d ng c a linh ki n c n t o, quá
ấ ả ả ứ ướ ổ ế trình này làm thay đ i tính ch t c n quang do ph n ng quang hóa. B c ti p
ữ ử ẽ ấ ộ ọ ơ ị theo s dùng m t dung d ch h u c khác (g i là ch t tráng r a – developer) cho
ầ ả ử ữ ố phép r a trôi nh ng ph n c n quang không mong mu n (do quá trình quang hóa b ị
ặ ạ ả ể ạ ệ ế ế ấ ổ ố ệ bi n đ i tính ch t) đ t o thành m t n b o v trên phi n. Cu i cùng, linh ki n
ướ ủ
ắ ử ụ
ệ
Hình 2.1. Các b
c c a công ngh quang kh c s d ng ánh sáng (photolithography).
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 31
ờ ẽ ượ ạ s đ c t o ra nh các quá trình ăn mòn.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ự ự ượ ả ỹ ậ Vào kho ng năm 1951, k thu t photolithography th c s đ ệ c hoàn thi n
ấ ả ư ử ệ ể ị ớ v i vi c phát tri n các hóa ch t c n quang, các dung d ch tráng r a cũng nh các
ớ ộ ủ ả ủ ậ ỹ k thu t quay ph cho phép ph c n quang v i đ chính xác cao nên ph ươ ng
ậ ệ ụ ứ ặ ộ ọ ệ pháp này ng d ng r ng rãi trong khoa h c v t li u, đ c bi t là trong công ngh ệ
bán d n.ẫ
ể ể ự ỳ ơ ắ ươ ả Ta có th hi u c c k đ n gi n là quá trình quang kh c t ng t ự ư ệ nh vi c
ụ ả ẽ ạ ả ạ b n ch p nh lên phim, sau đó tráng phim s cho b n hình nh âm trên phim
ẽ ạ ỏ ủ ề ệ ệ ả ữ chính là hình nh 2 chi u c a linh ki n, sau đó, vi c ăn mòn s lo i b nh ng
ứ ạ ử ụ ạ ẽ ạ ầ ố ph n không mong mu n. Tùy b c x s d ng mà b n s có cách t o ra m t n ặ ạ
khác nhau.
1.1.1.
ắ ằ 2.1.1.1 Quang kh c b ng ánh sáng
(Photolithography)
ậ ỹ ử ạ ể ế ả ử ụ K thu t này s d ng ánh sáng t ặ ngo i đ chi u hình trên c n quang đ c
ệ ặ ạ ể ạ ủ ệ ệ ả ẫ bi ả t là công ngh bán d n. Và m t n đ t o ra hình nh c a linh ki n trên c n
ổ ế ủ ủ ạ ạ ắ quang là th y tinh th ch anh có ph kim lo i (ph bi n là chromium, Cr) có kh c
ủ ệ ượ ự ế ị ọ hình c a linh ki n và quá trình quang hóa đ ệ c th c hi n trên thi t b g i là mask
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 32
́ ướ ể ở aligner theo mô hnh d ủ i đây. Các quy trình c a nó có th theo 2 cách hình .
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ậ ệ
ỹ
Hình 2.2. Nguyên lý k thu t h photolithography Quá trình mask alignment.
ế ệ ế ị ử ụ ườ ị ớ ạ Ta bi t là các h thi t b s d ng ánh sáng th ng b gi ệ ở i h n b i hi n
ễ ạ ị ượ ể ế ộ ượ t ng nhi u x và photolithography cũng b nh c đi m này. Vì th mà đ phân
ả ủ ỉ ằ ỉ ố gi ạ i c a lithography ch n m trong ph m vi vài trăm nanomet, hay nó ch t ấ t nh t
ế ớ ỡ ệ ẽ ấ ở cho các chi ti t l n c 1 micromet tr lên. Có nghĩa là các c u ki n nano s không
ể ượ ế ạ ớ ả ậ ệ ể ạ th đ c ch t o v i photolithography. Gi i pháp đ t o ra v t li u vài nano là
ử ụ s d ng chùm đi n t ệ ử .
1.1.2.
ệ ử ắ 2.1.1.2 Quang kh c chùm đi n t (Electron beam
lithography – EBL)
ư ử ế ề ầ ố N u xét v quy trình x lý thì EBL cũng g n gi ng nh photolithography
ặ ạ ạ ư ế ẳ ạ ậ ộ ở (Hình 2.1) nh ng b ph n chi u x và m t n t o hình tr nên khác h n. Chùm
ệ ử ướ ể ộ ụ ự ế ễ ắ đi n t có b c sóng c c ng n vì th chúng d dàng có th h i t ể thành đi m
ạ ộ ỏ ả ệ ử ự c c nh , cho phép t o ra đ phân gi ơ ữ i siêu cao. H n n a, chùm đi n t có th d ể ễ
ờ ệ ố ự ề ể ể ộ ế dàng đi u khi n nh h th ng cu n dây lái tia, do đó chúng có th quét tr c ti p
ề ặ ả ể ạ ứ ầ ạ ả ố trên b m t c n quang đ t o ra b c hình b n mu n mà không c n ph i dùng
ấ ỳ ộ ệ ố ặ ạ ơ ọ ề ầ ấ ế đ n b t k m t h th ng m t n c h c nào. Đi u c n duy nh t là thi ế ế t k
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 33
ụ ư ề ệ ầ ạ ố ờ m ch linh ki n mình mu n nh các ph n m m chuyên d ng và đ a vào máy tính
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ẽ ử ụ ể ề ứ ể ề ể ộ đi u khi n. Máy tính s s d ng b c hình này đ đi u khi n cu n lái tia quét
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 34
ự ư ạ ươ t ng t nh TV t o hình trên màn hình.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ộ ệ
ủ
ệ
ấ
Hình 2.3. C u trúc m t h beam writer c a công ngh EBL.
ộ ệ ườ ượ ọ ầ ấ M t h EBL (cũng th ng đ ố c g i là beam writer) có c u trúc g n gi ng
ệ ử ướ ế ầ ươ ớ v i m t ể ộ kính hi n vi đi n t quét . Các b c ti n hành ban đ u cũng t ng t ự
ể ạ ả ư ệ ứ ệ ạ ố ấ nh vi c b n làm vi c trên SEM, t c là cũng focus đ t o nh t t nh t trên b ề
ề ặ ặ ủ ệ ử ẽ ư ứ ế ẫ ẫ m t c a m u. Nh ng n u ta focus trên b m t m u, t c là chùm đi n t s phá
ế ệ ấ ả ấ ượ ế ằ ệ ủ h y m t ch t c n quang resist, vì th vi c này đ c thay th b ng vi c focus
ộ ề ặ ề ặ ẫ ớ ể ẩ ạ trên m t b m t kim lo i chu n khác và sau đó di chuy n b m t m u t i cùng
ế ậ ế ố ợ ộ đ cao đó. Sau khi thi ạ ả t l p các thông s thích h p cho quá trình chi u x c n
ẽ ự ệ ệ ạ ọ ả quang (quá trình này g i là alignment), b n s th c hi n vi c ghi hình trên c n
ề ậ ấ ọ ơ ớ quang (g i là quá trình exposure). Quá trình này ch m h n r t nhi u so v i
ấ ủ ẩ ả ộ ấ photolithography. Đây cũng là m t lý do đ y giá thành s n xu t c a EBL lên r t
ư ế ị ộ ệ ắ ơ ệ ệ ế cao (ch a nói đ n giá thành thi t b m t h EBL công nghi p đ t h n h mask
1.1.3.
ấ ả ủ ầ aligner c a photolithography g p c trăm l n).
ả 2.1.1.3 C n quang
ế ủ ể ắ ả ầ ộ ự C n quang là m t ph n không th thi u c a quang kh c, đóng vai trò c c
ế ị ấ ượ ọ ấ ữ ủ ắ ợ ỳ k quan tr ng quy t đ nh ch t l ng c a quang kh c. Đây là h p ch t h u c ơ
ấ ướ ự ủ ụ ả ổ polymer có kh năng thay đ i tính ch t d ặ ứ i s tác d ng c a ánh sáng ho c b c
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 35
ấ ở ể ệ ả ặ ơ ị ổ ạ ự x , s thay đ i tính ch t đây th hi n kh năng b hòa tan ho c tr trong dung
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ạ ả ử ể ả môi tráng r a. Có th phân ra hai lo i c n quang chính là c n quang d ươ ng
ả ứ
ấ
ở
ọ Hình 2.4. C u trúc hóa h c và ph n ng quang hóa
PMMA do chi u x
ế ạ.
ả (positive resist) và c n quang âm (negative resist).
ả ươ ể ị ử ạ ả ế C n quang d ứ ng là lo i c n quang có th b r a trôi sau khi chi u b c
ả ươ ể ấ ạ x . C n quang d ấ ng đi n hình nh t là PMMA (polymethylmetacrylate) có c u
ư ở ọ ứ ẽ ượ ế ế trúc hóa h c nh ạ ả hình v trên. Lo i c n quang th hai đ c bi ả t đ n là c n
ư ử ấ ặ ị ị quang âm, nó là ch t m c đ nh b hòa tan trong dung môi tráng r a nh ng sau khi
ạ ẽ ừ ế ế ả ạ ầ ị ị ị b chi u x thì ph n b chi u x s không b hòa tan. Tùy t ng c n quang mà s ẽ
ư ỗ ạ ả ữ ử ấ ấ có nh ng ch t tráng r a và ch t hòa tan khác nhau, cũng nh m i lo i c n quang
ể ộ ả có th cho đ phân gi i khác nhau.
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 36
ộ ố ạ ả ộ ả ả ủ B ng 2.1. M t s lo i c n quang và đ phân gi i c a chúng.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
1.2.
ệ ạ ề ặ ị ướ ằ ươ 2.1.2 Công ngh t o b m t siêu k n c b ng ph ng
pháp quang kh cắ
ị ướ ứ ề ặ ứ ọ Khi nghiên c u b m t siêu k n ụ c, các nhà khoa h c đã ng d ng
ươ ắ ể ạ ậ ệ ỹ ph ề ặ ng pháp quang kh c đ t o b m t nano cho v t li u siêu k n ậ ị ướ K thu t c.
ợ ự ể ấ này có l i th là ế cho phép s ki m soát c u trúc và hình thái h c c a ề ặ ọ ủ b m t.
ươ ữ Theo ph ng pháp này các b m t ớ ề ặ khuôn m uẫ v i nh ng thanh c t ộ tròn, vuông,
ườ ề ch m ấ ngôi sao, ch m ấ vuông v iớ đ ng kính , chi u cao, ả và kho ng cách khác
ượ ả ắ ể ề ấ ọ ố nhau đ c tìm hi u. Đi u quan tr ng là ph i n m rõ m i quan h gi a ệ ữ c u trúc
ạ và tr ng thái ề ặ . ướ ủ b m t t c a
ấ ấ ầ Theo Bhushan đ ể ch t oế ạ c u trúc ằ mirco, nano và phân t ng c u trúc b ng
ấ ạ ả b n sao trên b m t ề ặ silicon siêu nhỏ thì s d ng ộ ử ụ m t lo i nh a ự epoxy. C u trúc
ượ ạ ở nano sau đó đã đ c t o ra b i ankan (nhexatriacontane) k t quế ả hình thành c uấ
ỉ ệ ứ ậ trúc t l ầ đôi phân t ng th b c.
ả ỉ ệ Còn tác gi ạ Shieh t o b m t ề ặ siêu k n ớ ấ ị ướ v i c u trúc t l c đôi mirco /
ươ ớ ề ặ ướ ằ nano b ng ph ng pháp quang kh cắ v i b m t t và ăn mòn hóa, tác gi ả chế
ố ở ượ ắ t oạ m tộ b m t ề ặ Si siêu k n ặ ị ướ đ c tr ng ư b i các m ng ả ng nano đ c ế c s p x p
ậ ự ư ượ ằ tr t t ỏ nh đám c nano. Các ố ng nano đ c ch t o ế ạ b ng cách s d ng ử ụ ph ngươ
ắ ế pháp quang kh c (ebeam) và kh cắ khô, ti p theo là ể ạ kh cắ hydro plasma đ t o
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 37
ỏ ố ượ ử thành các nanograss (đám c nano) trên b m t, ề ặ cu i cùng ề ặ đ , b m t ớ c x lí v i
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ề ặ ả ổ ị CHF3 plasma. Các b m t này kh năng k n ạ ị ướ cao, tr ng thái n đ nh c , góc ti pế
xúc l nớ và ma sát th pấ .
ươ ắ ượ Ph ng pháp quang kh c photolithography cũng đ ể ạ ứ c nghiên c u đ t o
ề ặ ề ặ ẫ ả ố ỡ các m ng ng kích c micro/nano tr t t ậ ự trên b m t. M u b m t nano đ cượ
ạ ươ ươ hình thành b iở h t nano b cạ theo ph ng pháp mạ. Ph ng pháp này cho phép để
ượ ị ướ ấ có đ c m t ộ c u trúc phân t ng ầ b m t ề ặ siêu k n c.
ộ ỹ ượ Kh cắ keo là m t k thu t ậ ngày càng đ c quan tâm trong ch t o ấ ế ạ c u trúc
ề hai chi u và ba chi uề . Quá trình này s d ng ử ụ các h tạ hòa tan đ lo i b m u. ể ạ ỏ ẫ Bề
ị ướ ượ ị ự ạ ẩ ợ m tặ siêu k n c đ ỗ c chu n b d a trên h n h p các h t nano polystyrene (PS
ỗ ợ NP) / PMMA (Poly Methyl MethAcrylate). H n h p này đ ượ ph lênủ c ộ ả m t b n
ủ ượ ằ ọ th y tinh và sau đó PSNPs d ư đ c lo i b ạ ỏ. H quan sát th y ệ ử ụ ấ r ng vi c s d ng
ế ấ 400 nm PSNP, b m t ề ặ cho th y m t ộ góc ti p xúc n cướ cao 170o.
ệ ộ ườ Theo m t tài li u khác thì ng i ta dùng kim lo i ạ b cạ ph lênủ ộ ớ m t l p
ử ụ ề ặ đ nơ PS. Sau đó, s d ng ị dung d ch PVA đúc trên b m t và s y ấ khô. Sau đó lo iạ
ằ ộ ớ ư ậ ỏ PS b ng hòa tan trong THF và nh v y hình thành m t l p màng m ng có c uấ
ạ ế trúc phân c pấ đôi làm b ngằ các h t nano b cạ trên PVA. Sau khi bi n tính ề ặ b m t
ế ấ v iớ 1H, 1H, 2H, 2Hperfluorodecanethiol, b m t ề ặ cho th y m t ộ góc ti p xúc n cướ
kho ngả 153o và góc tr tượ nh h n ỏ ơ 3o.
ể ả ừ ặ Đ s n xu t ấ các b m t ề ặ siêu k n ị ướ t c các v t li u ậ ệ a n ư ướ ho c các b c ề
ấ m tặ k d u ị ầ từ v t li u ậ ệ a d u ự ệ ư ầ , s hi n di n c a ệ ủ các c u trúc lõm trên b m t ề ặ là
ọ ề ặ ị ướ ị ầ ớ ộ ấ ấ r t quan tr ng. B m t siêu k n c và k d u v i m t c u trúc phân c p ấ ba
ả ấ c ượ s n xu t trên đ PMMA s d ng ử ụ vi h tạ PS . Các h tạ micro PS đã đ cượ ph lênủ
ươ ư ọ ượ t mấ PMMA b iở ph ng pháp ph ủ quay. H t ạ PS micro ng ng đ ng đ ằ c b ng
ươ ắ ộ ờ ề ph ng pháp kh c p lasma (oxy). Tùy thu c vào th i gian kh cắ , chi u cao và m tặ
ườ ắ c t ngang đ ng kính c a ủ tr c t ụ ộ nano đã đ ể cượ ki m soát .
ố ớ ứ ạ ỹ Đ i v i các ng d ng ụ quang h c,ọ kh cắ keo là m tộ k thu t ậ c nh tranh để
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 38
ề ả ấ ố ch t o ế ạ ra c u trúc ba chi u tr t t ể ậ ệ ậ ự. Đ v t li u có th ể ch ng ph n x ạ trong
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ệ ề ả ộ ượ ậ vùng c n quang ạ ồ h ng ngo i (NIR) và c i thi n đ truy n thì b m t ề ặ đ ẩ c chu n
ị ướ
Hình 2.5. X lýử đ t oể ạ b m t
ề ặ siêu k n
c micro
Ghi chú:
ị ướ
(a) B
ướ ử đ t oể ạ b m t
c x lý
ề ặ siêu k n
c micro
: (I) Phún xạ vàng; (II) AZ5214
ả
ộ
ớ l p c n quang
, (III) L p ớ ch ngố l
t, r a
ử (IV) Kh cắ vàng; (V) DRIE (kh cắ
ớ
ph n ng
ả ứ ion ) quá trình plasma; (VI) Bóc vàng và l p ph
ủ Teflon.
Ố
ượ
ạ ỏ ằ
ắ
(a’) ng nano v i
ớ m t nặ ạ Au và đ
c lo i b b ng kh c axit
ướ . t
Ố
ượ ắ ế
ạ
(b) ng micro đ
c s p x p sau khi
kh cắ keo h t PS
1 μm trên PMMA và 1 phút
ắ
kh c plasma
oxy.
ấ
(c) C u trúc 3D c a
ủ b m t
ề ặ sau 9 phút c aủ RIE.
(d) C c u
ơ ấ nano hình nón b m t
ề ặ silic đã nung ch yả quy mô là 200 nm.
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 39
ấ ằ ượ ả bị kh c ắ keo b ng h t c u ạ ầ nano PS trên t m silica đ c nóng ch y.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ủ ươ M ngả hai chi uề c a các h t ạ PS đã s d ng ử ụ ph ng pháp kh cắ ion ph nả
ế ằ ngứ b ng cách s d ng ỗ ử ụ h n h p c a ợ ủ Au và CF4 là khí cho quá trình. K t qu b ả ề
ư ự ặ m tặ đã đ cượ đ c tr ng b i ở s hình thành các m ngả silica có hình d ngạ , chi uề
ườ ụ ộ ờ cao, đ ng kính và ph thu c vào th i gian kh cắ . Các b m t ề ặ cho th y đấ ộ truy nề
ấ ả ố cao trong khu v cự NIR và có tính ch t ch ng ph n x ạ ạ. Bên c nh đó, b m t ề ặ này
ổ cũng có tính siêu k n ị ướ sau khi b sung c fluorosilane.
ứ Các ng d ng ụ quang h c,ọ kh cắ giao thoa quang h c (ọ ho c ặ kh cắ n i baổ
ộ ỹ ồ chi uề ) là m t k thu t ấ ậ h p d n ẫ . Theo Accardo và đ ng nghi p, ệ đ ể chu n bẩ ị bề
ị ướ ớ ộ ề ằ m tặ siêu k n ằ c b ng PMMA v i đ truy n quang và tia X cao b ng ph ươ ng
ứ ề pháp kh cắ quang h c vàọ kh cắ ion ph n ng ả ứ (RIE). B m t ề ặ n n ch a micro và các
ố ẫ ế ng nano, s i ợ nano phân ph iố ng u nhiên (Hình 2.5.a, 2.5.a'). Góc ti p xúc n cướ
ớ ộ ậ ữ ề ặ cao như 170o v i m t góc b m t tr tượ nh 5ỏ o. S d ng ỹ ử ụ k thu t này, ề nh ng n n
ể ạ ượ ấ ề ủ ằ 3D khác nhau có th đ t đ c trên ch t n n th y tinh b ng cách thay đ i ổ góc t iớ
ả c aủ tia laser. Sau khi r aử ch tấ c n quang , các tính năng 3D đ cượ kh cắ b iở x lýử
4.
ằ ả ứ plasma ion ph n ng b ng khí CF
ấ ộ ủ C u trúc và đ ộ ướ c aủ b m t ụ ề ặ là ph thu c vào t c a góc t ớ c aủ tia laser i
ượ ờ và th i gian kh cắ . B m t ề ặ dính cao siêu k n ị ướ đã thu đ c c v i ớ góc t iớ 0,8o sau
ả ứ ặ ạ ế ạ ắ 18 phút RIE (kh c ion ph n ng) . M t khác , b m t ề ặ đ t đ n tr ng thái nh lá ư sen
sau khi 9 phút RIE (Hình 2.5.c).
ự ả ạ ố Park và các công s cũng đã thi ế ế ề ặ silica ch ng ph n x có đ t k b m t ộ
ấ truy nề cao v i n n ớ ề silica có c u trúc nano th hi n ể ệ tính năng hình nón b ngằ
ươ ị ướ ph ng pháp kh cắ . Các b m t ề ặ như chu n bẩ ị có tính siêu k n c sau khi l ngắ
ể ọ đ ng h i ơ hóa h c c a ọ ủ 1H, 1H, 2H, 2Hperfluorodecyltrichlorosilane. Đ có đ ượ c
ả độ quang h cọ t ố ơ m u ẫ silic đã nung ch yả c hai m t t h n, ề ặ ặ . Các b m t này đ t đ ạ ộ
ạ ộ ướ truy n ề tuy t v i, ả ệ ờ ph n x th p ạ ấ trên m t ph m vi r ngộ c aủ góc t iớ , b c sóng ,
ạ và tr ng thái phân c c ự có liên quan tính siêu kị n cướ (Hình 2.5.d).
ộ ươ Trong khi đó, Kang và các công sự đã phát tri n ể m t ph ng pháp thay đ iổ
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 40
ạ ằ ỹ ề ặ b ng k thu t b m t ắ ậ kh c m m ề t o các khuôn micro trong mao m ch ề ặ ạ . B m t
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ị ướ ộ ế ớ siêu k n c là m t màng anod ôxit ộ nhôm (AAO) sau khi bi n tính v i m t
ượ ử ụ ặ ạ ẫ fluorosilane. M tộ khuôn PDMS đ c s d ng nh ư m t n cho m u b m t ề ặ siêu
ặ ượ ạ đ ị ướ AAO. Sau khi ngâm, m t n k n c cượ l t raộ ề , b m t ặ đ ổ c b sung
ượ ổ
Hình 2.6. B m t
ề ặ đ
c b sung
polydopamine.
ả
ẫ
(a) TOFSIMS hình nh c a
ủ khuôn m u b m t
ề ặ siêu k n
ị ướ polydopamine,
c
quy mô là 100 μm
ề ặ ướ
ậ ệ
ị ướ ấ
(b) B m t
t trên v t li u siêu k n
c c u trúc mirco.
ị ướ ể ệ polydopamine th hi n tính siêu k n c và dính cao (hình 2.6)
ệ ạ ề ặ ị ướ ằ ươ 2.2 Công ngh t o b m t siêu k n c b ng ph ng pháp sol
2.
gel
2.1.
ế ổ 2.2.1 Lý thuy t t ng quát
ươ ậ ể ạ ộ ố ả ộ ỹ ọ Ph ẩ ng pháp hóa h c solgel là m t k thu t đ t o ra m t s s n ph m
ố ở ấ ạ ộ ườ có hình d ng mong mu n c p đ nano. Quá trình solgel th ế ng liên quan đ n
ữ ử ẽ ị ủ ạ ướ ữ ề nh ng phân t alkoxit kim lo i mà chúng s b th y phân d ệ i nh ng đi u ki n
ả ứ ữ ư ể ạ ớ ượ đ ấ c ki m soát và ngay sau đó nh ng ch t này ph n ng v i nhau t o ng ng t ụ
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 41
ế ầ ạ ạ ể đ hình thành liên k t c u kim lo ioxikim lo i.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ả ứ ượ ừ ể ạ ứ ố Ph n ng solgel đã đ c quan tâm t năm 1800 đ t o g m s và đ ượ c
ứ ộ ầ ựơ ứ ụ ộ nghiên c u r ng rãi vào đ u năm 1970, ngày nay solgel đ c ng d ng r ng rãi
ọ ờ ố trong khoa h c đ i s ng
2.1.1.
ị 2.2.1.1 Đ nh nghĩa quá trình sol–gel
ế ộ ổ M t cách t ng quát, quá trình sol–gel là 1 quá trình liên quan đ n hóa lý
ộ ệ ố ể ừ ạ ỏ ổ ủ ủ ự c a s chuy n đ i c a m t h th ng t precursor thành pha l ng d ng sol sau đó
ắ ạ ạ t o thành pha r n d ng gel theo mô hình precursor sol gel.
2.1.2.
ơ ả ữ ệ 2.2.1.2 Nh ng khái ni m c b n :
ầ ử ữ ể ạ ạ ầ ữ ban đ u đ t o nh ng h t keo. Nó đ ượ ạ c t o Precursor: Là nh ng ph n t
ừ ố ạ ượ ữ ở thành t các thành t kim lo i hay á kim, đ c bao quanh b i nh ng ligand khác
ữ ơ ể ấ ạ ạ ơ nhau. Các precursor có th là ch t vô c kim lo i hay h u c kim lo i.
ứ ủ Công th c chung c a precursor: M(OR)x
nH2n+1
ứ ạ ớ V i: M: kim lo i, R: nhóm ankyl có công th c C
ậ ệ ầ ứ ể ạ Tùy theo v t li u c n nghiên c u mà M có th là Si, Ti, Al ...hay kim lo i
ơ ư hũu c nh Tetramethoxysilan(TMOS),Tetraethoxysilan(TEOS) ...
ộ ệ ạ ắ ự ủ ướ ả c kho ng 0.1 Sol: M t h sol là s phân tán c a các h t r n có kích th
ấ ỏ ể ộ ơ ữ đ n 1ế ỉ μm trong ch t l ng, trong đó ch có chuy n đ ng Brown làm l l ng các
ể ặ h t. ạ Nó có đ c đi m sau:
Kích th
ướ ể ự ươ ự ạ ỏ ữ c h t nh nên l c hút là không đáng k l c t ng tác gi a các
ự ạ h t là l c Van Der Waals.
Các h t chuy n đ ng ng u nhiên Brown do trong dung d ch các h t va
ể ạ ẫ ạ ộ ị
ạ ẫ ch m l n nhau.
ả ả ờ ớ ạ ế ẫ ạ Sol có th i gian b o qu n gi i h n vì các h t Sol hút nhau d n đ n đông t ụ
ấ ị ể ế ẫ ạ ạ ộ ờ các h t keo. Các h t Sol đ n m t th i đi m nh t đ nh thì hút l n nhau đ tr ể ở
ử ớ ế ơ ướ ở ữ thành nh ng phân t l n h n, đ n kích th c c 1100 nm và tùy theo xúc tác có
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 42
ữ ể ặ ị ứơ m t trong dung d ch mà phát tri n theo nh ng h ng khác nhau.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ộ ệ ấ ỏ ắ ạ Gel: M t h Gel là 1 tr ng thái mà ch t l ng và r n phân tán vào nhau,
ạ ướ ấ ắ ấ ỏ ứ ế ầ trong đó 1 m ng l i ch t r n ch a các thành ph n ch t l ng k t dính l ạ ạ i t o
ự ư ụ ủ ạ ẽ ạ ạ ướ ồ ộ thành Gel. S ng ng t c a các h t s t o thành m ng l i. Tăng n ng đ dung
ổ ộ ặ ệ ộ ệ ằ ạ ả ị d ch, thay đ i đ pH ho c tăng nhi t đ nh m h hàng rào c n tĩnh đi n cho các
ạ ế ụ ớ ể ế ạ ở ạ ươ h t t ng tác đ các h t k t t v i nhau, t o thành Gel. N u nung nhi ệ ộ t đ
ừơ ế ả ẩ ở ề ớ ạ bình th ng thì s n ph m là Gel khô, n u nung ệ đi u ki n siêu t ả i h n s n
ẩ ph m là Gel khí
2.2.
ủ ằ ươ 2.2.2 Quá trình ph màng b ng ph ng pháp solgel
ồ ướ G m 4 b c:
ố ừ ướ ử ề ạ B c 1: Các h t keo mong mu n t các phân t huy n phù precursor phân
ộ ệ ấ ỏ ể ạ ộ tán vào m t ch t l ng đ t o nên m t h Sol.
B c 2: S l ng đ ng dung d ch sol t o ra các l p ph trên đ b ng cách
ế ằ ự ắ ướ ủ ạ ọ ớ ị
phun, nhúng, quay.
B c 3: Các h t trong h sol đ
ướ ệ ạ ượ ự ạ ỏ c polymer hóa thông qua s lo i b các
ầ ổ ệ ệ ạ ị ở ạ ạ ộ ướ thành ph n n đ nh h và t o ra h gel tr ng thái là m t m ng l i liên
t cụ
B c 4: Cu i cùng là quá trình x lí nhi
ướ ử ố ệ ệ ầ t nhi ữ t phân các thành ph n h u
ơ ạ ể ạ ộ ị ơ c , vô c còn l i và t o nên m t màng tinh th hay vô đ nh hình.
ề ơ ế ả ứ ạ ọ ớ V c ch hóa h c: Quá trình sol–gel hình thành v i 2 d ng ph n ng chính là
ả ứ ả ứ ủ ư ụ ư ồ ph n ng th y phân và ph n ng ng ng t ả ứ bao g m ph n ng ng ng t ụ ượ r u và
ả ứ ư ph n ng ng ng t ụ ướ n c.
2.3.
ạ ề ặ ị ướ ệ 2.2.3 Công ngh solgel t o b m t siêu k n c
ươ Ph ng pháp solgel đã đ cượ nghiên c u đứ ể s d ng ể ử ụ đ ch t o ề ặ ế ạ b m t
ị ướ ể ả ỗ ề ề siêu k n ả ấ ề c cho nhi u nhóm trên nhi u ch t n n khác nhau k c g và v i.
ư ể ặ ổ ộ Trong m t quá trình solgel đ c tr ng là quá trình chuy n đ i thành v t li u ậ ệ th yủ
ạ ộ ủ tinh thông qua m t lo t các quá trình th y phân và ph n ng ả ứ trùng ng ngư . B ngằ
ề ỗ ộ cách thay đ iổ đi u ki n ệ quá trình và các h n h p ợ ph n ng, ả ứ đ nhám b m t ề ặ có
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 43
ề ặ ườ ả ị ể thể ki m soát . B m t siêu k n ị ướ phủ solgel th c ng có kh năng ch u nhi ệ t
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ự ượ ố t t. B m t ề ặ t làm s ch ạ đ c ch t o ế ạ t ừ ộ sol nhôm đ m t c ượ s d ng ử ụ nhôm tri
ớ ạ secbutoxit (Al (OsecBu) 3) làm nguyên li uệ . Sol đ cượ tr nộ v i h t nano nhôm
o C. Sự
ủ ở có kích th cướ 80 nm. Sau đó, nó đã ph quay lên lam kính và x líử 400
ệ ư ặ ẫ ệ hi n di n c a ạ ủ h t nano nhôm d n đ n ế m t b m t ộ ề ặ thô đ c tr ng b i ự ở s hình
ể ạ ấ thành nhú hình nón kho ngả 1 μm. Đ t o ra m t ộ ộ đ nhám ộ c p đ nano ề ặ , b m t
ướ ấ cượ nhúng trong n đ c sôi trong 5 phút. K t quế ả cho th yấ b m t ề ặ có c u trúc
ấ
Hình 2.7. B m t
ề ặ có c u trúc
hoa.
ủ ạ
ượ
ướ
(a) SEM c a h t nano nhôm đã đ
c nhúng trong n
c sôi.
ề ặ (b) B m t micro
c ượ flo hóa
, quan sát b ngằ FESEM, l y tấ ừ thô, l pớ SiO2 đ
ộ
(Hình nhỏ là m tộ đ phóng đ i
ạ th p)ấ
ả
ượ
(c) SEM hình nh c a
ủ phim gel siêu k n
ị ướ trên wafer đ
c
ắ ồ c kh c đ ng
ế ủ
ỹ
(d) Hình nhả k thu t s
ậ ố c aủ đ th y tinh
ớ v iớ l p ph
ủ siêu k n
ị ướ chu n bẩ
c
ị
ố ượ
từ SOLS có ch aứ 0,90% kh i l
ng
APTS
ặ hoa v iớ đ c tính kép micro / nano (Hình 2.7.a)
ớ ị ướ ở Theo Mahadik ch t oế ạ l p ph ủ siêu k n c b i quá trình ử ụ solgel, s d ng
ệ ồ methyltrimethoxysilane như ngu n nguyên li u (precusor) . Sol đ cượ nhúng phủ
ấ ị ướ ề ặ lên t m kính , nung k tế ở 150oC và cho ra b m t siêu k n c v i ớ có m tặ
o.
ế ấ trimethylchlorosilane. B m t ề ặ cho th y m t ộ góc ti p xúc n ả cướ kho ng 170
ệ ạ ề ặ ồ Còn Lakshmi và đ ng nghi p t o b m t siêu k b i ế ợ ị ở k t h p gi a ữ polymer
ứ ố perfluoroalkylmethacrylic trong ma tr nậ solgel có ch a các h t ạ silica b c cháy .
ự ệ ể ệ ế S hi n di n c a ệ ủ fluoropolymer th hi n rõ tính k d u ị ầ v i ớ góc ti p xúc 146o v iớ
ớ ầ ờ ethylene glycol và 113o v i d u nh n.
ớ ồ Trong khi đó Kim và đ ng nghi p ệ ch t oế ạ l p ph ủ silica siêu k n ị ướ b ngằ c
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 44
ươ ệ ị ph ng pháp phun đi n trong dung d ch solgel.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ầ ộ ố Trong m t s bài báo g n đây, ọ các nhà khoa h c đã nghiên c u ớ ứ l p ph ủ
ằ ộ ớ silica đ nhám l n b ng phun đi n ể ệ đ ph ị ủ dung d ch ch a ứ tetraethoxysilane và
ượ ớ methyltriethoxysilane (Hình 2.7.b). Hay SiO2 đ ệ c phun đi n v i 1H , 1H, 2H,
ượ 2Hperfluorooctylsilane có năng l ề ặ ng b m t th p ấ và th hi n ể ệ tính ch t ấ t làmự
ẳ ạ s ch, siêu k n ị ướ và không th m ấ t c ố ố ớ các ch t l ng t đ i v i ạ ấ ỏ khác nhau, ch ng h n
ữ ướ như s a, cà phê , và n c trái cây.
ể ả ế ặ ố M t khác, đ c i thi n ệ m i liên k t các h t ạ và các ch t n n ấ ề , các h tạ có
ả ứ ớ ằ thể ph n ng v i các ch t n n ấ ề b ng cách hình thành ế liên k t hóa tr ị. Ví d ,ụ t mấ
ị ướ ề ặ ở ộ ươ ọ đ ngồ siêu k n c có đ nhám b m t b i ph ng pháp ăn mòn hóa h c và t oạ
ồ ử các nhóm hydroxyl ề trên b m t ặ đ ng (Cu OH). Sau đó, s ụ d ng
ố vinyltrimethoxysilane ph ủ trên đ ngồ . Trong su t quá trình s olgel các nhóm
ế hydroxyl trên b m t ề ặ đ ngồ có thể ph n ng ớ ả ứ v i các nhóm ộ ẫ silanol d n đ n m t
ớ ế ộ liên k tế c ng hóa tr ị gi aữ l p ph ủ và đ ngồ . B m t ề ặ này có góc ti p xúc v i n ớ ướ c
ả ố cao 155o và có kh năng ch ng ăn mòn t ố (Hình 2.7.c). t
ị ướ ứ ủ ộ M t nghiên c u khác c a Kavale v b m t ề ề ặ siêu k n c có tính ch ngố
ề ặ ộ ượ ươ ph n xả ạ ho c đ truy n cao cũng đ c làm b ng ằ ph ng pháp ề ặ solgel. B m t
ượ ớ ằ này đ c làm b ng silica ph ủ methyltrimethoxysilane và PMMA. L p ph ủ silica
ế ấ ẩ ượ đ c chu n b v i ị ớ 7% PMMA, cho th y m t ộ góc ti p xúc n cướ cao như 170o v iớ
g nầ 91% trong vùng nhìn th y đ ấ ượ . c
ề ặ ị ướ ề ể ộ ừ B m t siêu k n c và đ truy n quang cũng có th làm t ạ các h t nano
ớ ự ằ ươ silica r ngỗ (HSN). L p ph ủ này đ ệ cượ th c hi n b ng ph ng pháp nhúng phủ
ế trong 3 aminopropyltriethoxysilane HSNs (APTS) –(đã bi n tính) ấ ề trên ch t n n
ủ ệ ắ ọ th y tinh b iở ủ nhi t và ọ l ng đ ng h i ơ hóa h c c a ủ 1H, 1H, 2H, 2H
ề ồ ỉ perfluorooctyltrimethoxysilane. Đi u ch nh n ng đ ộ APTS và t c đố ộ quá trình
o v i đ trong
ộ ề ặ ủ ẽ ạ ị ướ ớ ớ ộ nhúng ph s t o ra m t b m t siêu k n ế c v i góc ti p xúc 150
ả su t t ố ố (kho ng 90 t %) đ t đ ạ ượ (Hình 2.7.d). c
ệ ạ ề ặ ươ 2.3 Công ngh t o b m t siêu k n ị ướ ằ ph c b ng ng pháp
3.
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 45
ọ ằ ư ọ ơ ệ ng ng đ ng h i hóa h c b ng nhi t (Thermal CVD)
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
3.1.
ươ ơ ọ ế ổ 2.3.1 Lý thuy t t ng quan ph ư ng pháp ng ng đ ng h i
ệ ọ ằ hóa h c b ng nhi t
ươ ư ằ ọ ọ ơ ệ ọ Ph ng pháp ng ng đ ng h i hóa h c b ng nhi t (g i nôm na là nhi ệ t
ệ ấ ộ ọ CVD) đã và đang đóng m t vai trò quan tr ng trong công ngh IC, nh t là trong
ế ạ ệ ỏ vi c ch t o màng m ng silicon oxide, silicon nitride, borophosphosilicate,
ấ ượ ớ tungsten và polycrystalline silicon v i ch t l ng cao.
3.2.
ữ ướ ậ ể 2.3.2 Nh ng b ả c v n chuy n căn b n trong quá trình
CVD
ệ ả ứ ấ ộ ớ ệ Nhi t CVD là m t quy trình mà các ch t khí ph n ng v i nhi ơ t và h i
ư ấ ụ ặ ủ ấ ề ạ ỏ ớ ủ c a ch t khí ng ng t trên m t c a t m n n t o thành màng m ng v i thành
ạ ả ự ấ ấ ầ ọ ớ ph n hóa h c mong mu n. ố ố CVD r t nh y c m v i dòng ch t khí và s phân ph i
ề ượ ả ứ ệ ề ỏ ồ không đ ng đ u l ng khí trong lò ph n ng. ệ ố Đi u ki n đòi h i là h th ng
ấ ố ẩ ấ ả ớ ỏ ả ố CVD này ph i cung c p màng m ng v i ph m ch t t t, kh năng tái sinh t t, có
ệ ố ể ố ể ệ ạ ề ấ ố ộ ủ t c đ ph cao và h th ng ki m soát t t đ không gây thi t h i cho t m n n.
ậ ệ ắ ượ ặ ơ ủ ộ ạ ớ Trong CVD, v t li u r n thu đ ể c là d ng l p ph , b t ho c đ n tinh th .
ậ ệ ế ề ệ ệ ằ ổ ệ ộ ế B ng cách thay đ i đi u ki n thí nghi m, v t li u đ , nhi ầ t đ đ , thành ph n
ể ạ ượ ả ứ ủ ấ ỗ ợ ữ ặ ấ ạ c u t o c a h n h p khí ph n ng, áp su t....có th đ t đ c nh ng đ c tính
ủ ậ ệ khác nhau c a v t li u.
ể ặ ệ ủ ế ạ ệ ể ượ Đi m đ c bi t c a công ngh CVD là có th ch t o đ c màng v i đ ớ ộ
ứ ạ ị ố ề ể ế ạ ả ồ ộ ặ dày đ ng đ u và ít b x p ngay c khi hình d ng đ ph c t p. M t đi m đ c
ọ ọ ể ắ ủ ư ắ ọ ọ ớ ạ tr ng khác c a CVD là có th l ng đ ng ch n l c, l ng đ ng gi ộ i h n trong m t
ự ế ượ ử ụ ể ế ạ khu v c nào đó trên đ có trang trí hoa văn. CVD đ ề c s d ng đ ch t o nhi u
ụ ế ạ ứ ụ ệ ạ ỏ lo i màng m ng. Ví d ch t o các màng ng d ng trong công ngh vi đi n t ệ ử
ư ệ ệ ẫ ớ ố ớ ỉ ố nh : màng cách đi n, d n đi n, l p ch ng g , ch ng oxi hóa và l p epitaxy. Ch ế
ị ệ ộ ề ố ử ụ ượ ậ ệ ữ ớ ạ ợ t o s i quang ch u nhi t có đ b n t t, s d ng đ c v i nh ng v t li u nóng
ả ở ệ ộ ặ ờ ế ạ ợ ệ ộ ch y nhi t đ cao và ch t o pin m t tr i, s i composit nhi ậ t đ cao, các v t
ẫ ở ệ ệ ộ li u siêu d n nhi t đ cao.
3.3.
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 46
ươ 2.3.3 Ph ng pháp CVD
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ượ ố ư ể ặ ậ ườ Khí precursor đ c dòng đ i l u v n chuy n, g p môi tr ng nhi ệ ộ t đ
ẽ ả ệ ượ ữ ạ ớ cao hay plasma s x y ra hi n t ng va ch m gi a các electron v i ion hay
ể ạ ể ạ ớ ớ electron v i notron cũng có th là electron va ch m v i electron đ t o ra g c t ố ự
ế ặ ế ườ do. Sau đó, các phân t ử ố ự g c t ố do khu ch tán xu ng đ , g p môi tr ng nhi ệ ộ t đ
ạ ế ẽ ả ả ứ ạ ạ ề ặ ế ả ụ ẩ cao t i đ s x y ra các ph n ng t o màng t i b m t đ . S n ph m ph sinh
ả ứ ẽ ế ượ ra sau khi ph n ng sau đó s khu ch tán ng ấ ấ ư c vào dòng ch t l u, dòng ch t
ư ả ụ ộ ồ ỏ ẩ ư ư l u đ a khí precursor d , s n ph m ph , khí đ c ra kh i bu ng.
ả ứ ả ở ầ ặ Trong CVD x y ra ph n ng pha khí g n ho c trên b m t đ đ ề ặ ế ượ c
ấ ở ể ậ ệ ắ ớ ả ạ ộ nung nóng: tác ch t th khí t o thành v t li u r n c ng v i s n ph m ẩ ở ể th
khí.
C ch c a quá trình:
ơ ế ủ
ả ứ ế ấ ủ Khu ch tán c a ch t ph n ng t ớ ề ặ ế i b m t đ .
ự ấ ả ứ ụ ủ ấ ề ặ ế S h p ph c a ch t ph n ng vào b m t đ .
X y ra các ph n ng hóa h c.
ả ứ ả ọ
Gi
ả ấ ủ ả ứ ẩ ả i h p c a các s n ph m khí sau khi ph n ng.
Khu ch tán các s n ph m ph ra bên ngoài
ụ ế ẩ ả
ả ứ : ạ Các lo i ph n ng
(cid:0) ự ệ ằ ả S nhi t phân (Pyrolysis ): B ng cách phân gi ấ i các ch t khí nh ư
ợ ộ ậ ề ấ hydrides, carbonyls và các h p ch t organometalo trên m t v t n n
nung nóng.
(cid:0) ự ượ ử ệ ử S hóa kh (Reduction) ữ c dùng trong vi c kh nh ng : Hydro đ
ư ữ ạ ấ ợ lo i ch t khí nh halides, carbonyl halides, oxyhalides và nh ng h p
ấ ứ ch t có ch a khí oxy.
(cid:0) Oxy hóa (Oxidation): Ch t khí s ph n ng v i khí oxy
ả ứ ẽ ấ ớ ở nhi ệ ộ t đ
0C:
ư ẳ ạ cao, ch ng h n nh 450
S hình thành c a h p ch t:
ủ ợ ự ấ
ấ ơ ườ ư ấ ầ ợ ợ ỗ Thay vì đ n ch t, trong tr ng h p c n h n h p hai ch t nh silicon và
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 47
ườ ợ ủ ấ ư carbon nh trong tr ng h p c a silicon carbide, chúng ta cho hai ch t khí
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ứ ấ ộ ừ ứ ư ấ ộ (m t ch t ch a silicon t silane, m t ch t ch a carbon nh mêtan) và hai
0C) theo ph nả
ả ứ ấ ớ ở ệ ộ ch t silane và mêtan ph n ng v i nhau nhi t đ cao (140
ng:ứ
SiCl4(g) + CH4(g) SiC(s) + 4HCl(g) (1400C)
Các ch t khí trong quy
ấ trình CVD:
ế ầ ễ ễ ộ ấ H u h t các ch t khí trong CVD ả đ c, d cháy, có kh năng ăn mòn, d sinh
ợ ủ ấ ả ự ổ ữ ư ặ ung th carcinogenic hay là s t ng h p c a t ổ t c nh ng đ c tính này, gây t n
ườ ệ ố ề ỏ ạ ứ h i s c kh e cho ng ấ i đi u hành h th ng, ăn mòn máy móc, phân tán các ch t
ấ ẫ ầ ơ ọ ố ướ hóa h c trong d u b m và các ng d n gas. Các ch t khí d ớ ộ ộ i đây, v i đ đ c
ế ừ ố ượ đ c x p t ế cao đ n th p ấ theo t ỷ ệ ươ t l ng đ i: Arsine, diborane, phosphine,
hydrogen chloride và ammoniac.
ả ắ ữ ấ B ng 2.2: Tóm t t nh ng ch t khí chính dùng trong CVD
ộ Đ nguy TLV Ký hi uệ Dễ STEL IDHL ể Tên hóa h cọ ế hi m đ n TWA hóa h cọ cháy (ppm) (ppm) ỏ ứ s c kh e (ppm)
Ammoniac NH3 X 2 25 35 500
Argon 0
Arsine X 4 0.05 6 AsH3
Boron trichloride 3 1 100 BCl3
Boron trifluoride 3 1 100 BF3
Chlorine 3 0.5 1 30 Cl2
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 48
Carbon dioxide 1 5000 30000 50000 CO2
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
Diborane B2H6 0.1 0.3 40 3
Dichlorosilane SiH2Cl2 3 100 5
0 He Helium
0 H2 X Hydrogen
3 50 3 HBr Hydrogen bromide
3 100 5 HCl Hydrogen chloride
0 N2 Nitrogen
3 15 2000 10 NF3 Nitrogen trifluoride
2 50 N2O X Nitrous oxide
0 N/A N/A N/A O2 X Oxygen
4 1 200 0.3 PH3 X Phosphine
4 5 SiH4 x Silane
3 100 5 Silicon tetrachloride SiCl4
3 100 1250 SF6 Sulfur hexafluoride
3 CF4 X Tetrafluoromethane
3 3 Tungsten hexafluoride WF6 6
Phân lo i:ạ
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 49
Tetraortho silicate 2 10 (C2H5)4SiO4 X 1000 (TEOS)
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ả ứ ạ ằ ệ ườ Thermal CVD: CVD kích ho t ph n ng b ng nhi t, th ng đ ượ c
oC). Đây là ph
ệ ở ự ệ ộ ươ th c hi n nhi t đ cao (trên 900 ầ ng pháp đ u tiên và
ổ ể c đi n.
MOCVD (Metal organic chemical vapor deposition): CVD nhi
ệ ư t nh ng
ấ ữ ơ ạ ợ ử ụ s d ng precursor là h p ch t h u c kim lo i.
ử ụ PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition): s d ng năng
ả ứ ủ ể ạ ệ ộ ấ ượ l ng c a plasma đ kích ho t ph n ng. Do đó nhi ơ t đ th p h n
oC.
ề ả nhi u, kho ng 300500
HDPCVD (l ng đ ng h i hóa h c plasma m t đ cao).
ậ ộ ắ ọ ơ ọ
ALCVD: (l ng đ ng h i hóa h c l p nguyên t ) precursor th khí
ọ ớ ử ể ắ ơ ọ
ụ ớ ề ặ ế ả ứ ư ượ ượ đ c đ a vào liên t c t i b m t đ và lò ph n ng đ ạ c làm s ch
ọ ẫ ế ắ ả ứ ặ ơ ọ ớ v i khí tr ho c rút chân không. Ph n ng hóa h c d n đ n l ng đ ng
ế ạ ả ệ ủ màng x y ra trên đ t i nhi ệ ộ ướ t đ d i nhi ủ t phân h y c a precursor
ứ ạ ầ ọ ả ứ ch a thành ph n kim lo ivà ph n ng pha khí là không quan tr ng.
3.4.
ệ ạ ề ặ ị ướ ằ ươ 2.3.4 Công ngh t o b m t siêu k n c b ng ph ng
ọ ằ ư ọ ệ ơ pháp ng ng đ ng h i hóa h c b ng nhi t
ứ ề ươ ề ặ ể ạ ề Nhi u nghiên c u ph ặ ộ ồ ng pháp này đ t o đ g gh cho b m t ho c
ủ ớ ị ướ ề ặ ồ ư ự ư ụ ủ ề ọ ph l p k n ạ c lên b m t g gh . Ví d nh s ng ng đ ng c a InGaN t o
ế ả ề ặ ớ thành các m ng nano, sau đó bi n tính v i octylphosphonic acid (OPA) thì b m t
o. Ho c c u trúc phân t ng thanh nano
ể ệ ị ướ ớ ặ ấ ầ th hi n tính k n ế c v i góc ti p xúc 154
ượ ạ ư ự ụ ơ ấ ề ủ ọ ZnS đ c t o thành do s ng ng t h i hóa h c lên ch t n n đã ph vàng . L pớ
ượ ự ệ ệ ặ trên cùng đ ư c đ c tr ng b i ở s hi n di n c a ủ nanolá và dây nano m ngỏ t oạ
ữ ấ ộ ấ thành m t c u trúc l iướ (Hình 18c và d). Nh ng c u trúc nano nhánh phát tri nể
ấ ỉ trên đ nh c a ủ các thanh nano, t o raạ m tộ phân c pấ c u trúc kép nano / micro. Góc
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 50
ế ti p xúc n cướ c a b m t ủ ề ặ là trên 150o.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ẫ
ủ Hình 2.8. SEM c a m u InGaN.
(a) Nhìn trên xu ng.ố
ạ (b) Nhìn c nh hông
ắ
(c) Vùng c t ngang
ẫ
(d) SEM m u ZnS
ạ ộ ượ M t quy trình khác t o b m t ề ặ siêu k n ị ướ r tấ g ghồ c ề đ ằ c làm b ng
ấ ồ ươ ơ m tộ ch t đàn h i silicon thông qua ph ng pháp ắ l ng đ ng ấ ọ h i hóa ch t
ự ắ ượ ự (AACVD). S l ng đ ng ọ AACVD đ c th c hi n ệ b ng ằ ph ủ nhúng silicone th yủ
ể ề ế tinh đàn h iồ đ tăng tính b n c c a ơ ủ màng AACVD. Góc ti p xúc n ướ ủ bề c c a
m tặ đ tạ 165o.
ợ ượ ằ ươ H p kim magiê đã đ ế c bi n tính b iở lò vi sóng b ng ph ng pháp ng ngư
ơ ọ ọ đ ng h i hóa h c plasma (PECVD) ử ụ s d ng trimethylmethoxysilane như nguyên
ệ ầ ờ ắ ộ ủ li u ban đ u. Khi th i gian l ng đ ng ọ tăng lên, đ nhám c a màng tăng và bề
ạ ợ ề ặ m tặ hình thái h cọ t o ra các h t ạ hay s i có kích th ướ nanomet. B m t này cho c
ờ ắ ế góc ti p xúc n cướ 150o v i th i gian ớ ọ l ng đ ng h n ơ 20 phút.
ươ ị ướ 2.4 Các ph ạ ề ặ ng pháp t o b m t siêu k n c khác
4.
4.1.
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 51
ươ 2.4.1 Ph ng pháp layer by layer
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ỹ ử ụ ộ ể K thu t l p ậ ớ theo l pớ (LBL) cũng đ cượ s d ng r ng rãi đ ch t o ế ạ bề
ộ ươ ử ụ m tặ siêu k n ị ướ LBL là m t ph c. ng pháp s d ng m àng m ng ỏ có l pớ tích đi nệ
ươ ắ ươ ạ ự ắ trái d uấ b ng ằ ph ng pháp l ng. Nói chung, ph ng pháp này là d ng t l p ráp
ệ ươ ượ ị ấ ở b i quá trình h p thu đi n tích d ng hay âm do đ c nhúng vào các dung d ch.
ỗ ướ ấ ư ị ạ ẽ ượ ử ằ Sau m i b c h p thu, dung d ch d còn l ớ c r a b ng dung môi nên l p i s đ
ạ ế ụ ượ ế ấ ớ ượ ằ phim này l i ti p t c đ c h p thu ti p. L p màng đ c hình thành b ng cách
ậ ệ ẽ ệ ấ ả ớ xen k các l p v t li u tích đi n trái d u v i b ớ ướ ử ở ữ c r a ụ ơ gi a. Ví d đ n gi n có
ư ể ệ ấ ướ ử ư ộ th xem tích đi n trái d u nh + và , và b ể c r a nh W. Đ làm m t màng
ứ ự ớ ỏ m ng LBL v i 5 bilayers theo th t sau W + W W + W W + W W + W W +
W.
ỗ ượ ằ ạ B m t ề ặ h n h p ợ phân c pấ LBL đ c làm b ng h t nano silica có kích
ứ ị ướ ườ ượ ự th cướ và ch c năng khác nhau. B m t ề ặ có tính k n c th ng đ c th c hi n ệ ở
ả ộ ỉ ố ớ l p cu i cùng. Các tác gi ch ra r ng ằ b m t ề ặ có tính k n ụ ị ướ ph thu c vào c số
ế ề ặ ấ ượ l ng các l p ớ nano silica và c u trúc liên k t b m t. Sun ộ và các c ng s ự đã th cự
ạ ẫ hi nệ các h t nano silica trên m tộ ch t n n ấ ề khuôn m u PDMS ổ d ng ạ t ong . Tính
ị ướ ụ ộ ế k t dính cao và th pấ c a ủ b m t ề ặ siêu k n c ph thu c vào bilayers khác nhau
ắ c aủ quá trình (v i ớ nhi ế tệ liên k t ngang và b m t ề ặ flo hóa b iở l ng đ ng ơ ọ h i hóa
ứ ộ ượ ự ch tấ ) cho th y ấ m c đ phân c p ấ khác nhau nanomicro có thể đ ệ c th c hi n
ươ ằ b ng ph ng pháp này.
ử ụ ự ệ s ồ Kim và đ ng nghi p d ng ệ hi n t ượ t ng nhiên c a ấ ủ n p g p ế
ể ạ ấ ậ polyelectrolyte đ t o ra b m t ề ặ có c u trúc phân c p.ấ Trên th c t ọ ự ế h nh n ra ,
ậ ệ ượ ạ ở ươ m tộ v t li u composite đ c t o b i ph ng pháp LBL b ng ằ polyelectrolyte đa
ạ l pớ (PEM) có ch aứ h t nano ự Ag. S tích t ạ ụ ủ h t nano c a Ag trong ma tr nậ PEM
ứ ấ ạ ế ự gây ra ng su t nén mà t o ra các n p nhăn t nhiên ủ ề ặ c a b m t.
ượ L pớ PEM đ c làm t ừ polyethylenimine (LPEI) và poly (axit acrylic)
ổ ộ (PAA) cho phép trao đ i cation ớ trong l p màng khi nó đ cượ nhúng trong m t dung
ượ ấ d chị b cạ acetate. Các ion Ag + đ ư c đ a vào c u trúc ma tr nậ PEM và đ cượ
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 52
ạ ỏ ư gi mả kích th ể c ướ đ có đ ạ ượ h t nano c Ag. Sau khi lo i b các polimer d thì b ề
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ấ ế m tặ n p nhăn hình thành v iớ kích th cướ micromet và các c u trúc Ag có các hình
ố ớ ổ ớ d ngạ đĩa ho cặ v yả gi ng nh ư v i kích th ướ nanomet. Sau khi b sung c ộ v i m t
ủ ề ặ
ạ ỏ
ừ Hình 2.9. SEM c a b m t sau lo i b polimer th a
ị ướ ợ h p ch t ấ flo, b m t ề ặ tính siêu k n c có ế n góc ti p xúc cướ 170o, góc tr tượ nh .ỏ
ể ả ệ ồ Đ s n xu t ấ màng m ngỏ và nh g n, ứ ỏ ọ Zhang và đ ng nghi p đã nghiên c u
ắ ớ s ự l ng đ ng ọ LBL c aủ polyelectrolytes v i các nhóm ử ụ nh yạ UV. H đã s d ng ọ
ệ ấ ươ ứ ch t mang đi n tích d ng là axit acrylic ph c h p ợ v i ớ (DARPAA) diazoresin
ắ poly và diazoresin (DAR) (Hình 2.10.c). Các LBL l ng trên PEC (polyelectrolyte
ứ ế ấ ẫ ph c h p ợ ) d n đ n m t ộ hình thành m tộ c u trúc phân c p ấ (Hình 2.10.a, 2.10.b).
ế ấ ắ ọ Sau khi ch t nh y ạ UV liên k t ngang ơ qua các nhóm diazonium và l ng đ ng h i
ớ ể m t l p ộ ớ fluoroalkylsilane, các l p ph ủ đã đ ổ cượ chuy n đ i thành siêu k n ị ướ . c
ụ ộ ố ượ Ph thu c vào s l ng các ắ chu kỳ l ng đ ng ọ , ch t phấ ủ ch ngố th m ấ ướ đã thu t
o.
ắ
ớ
Hình 2.10. S ự l ng đ ng
ọ LBL c aủ polyelectrolytes v i các nhóm
nh yạ UV.
ự
ầ
(a) SEM ph n khu v c ngang
ế ạ ớ
Ả
ủ
(b) nh SEM c a UV chi u x v i [PAA/(DARPAA0.4 + DAR)]
ọ ủ
ả ứ
ứ
ủ
(c) Công th c hóa h c c a DAR và ph n ng quang c a DAR và PAA.
ấ ượ ớ tr đ c v i ỏ tượ góc nh nh t là 1
4.2.
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 53
ươ ẫ 2.4.2 Ph ng pháp m u (template)
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ươ ệ ể ấ M uẫ là m tộ ph ng pháp hi u qu ả đ có c u trúc b m t ộ ề ặ . M t mô hình
ặ ượ ằ ươ ho c hình d ng ạ đ c sao chép b ng cách s d ng ử ụ ph ng pháp m uẫ mà trong đó
ượ ố ậ ệ đ v t li u c in , ép ch ng l ả ạ các kho ng tr ng ố có trong m u.ẫ i
Ở ả ị ướ ạ ớ đây các tác gi ề ặ đã t o b m t siêu k n c trên ch t n n ấ ề Ti / Al v i các
ợ ỗ ượ ụ ạ m ngả b ch kim s i nano. Do l nano hình trụ đ c bao b c ọ trong hình l c giác
ượ ử ụ ả ề nên anot oxit nhôm đ c s d ng s n xu t ợ ấ s i nano liên k tế theo chi u d c ọ để
ữ ả ạ ợ ễ ề d đi u khi n ể kho ng cách gi a chúng . Các m ngả b ch kim s i nano thu đ cượ
ỗ ủ ạ ằ b ng cách m đi n ạ ạ ệ b ch kim vào các l chân lông c a m t ộ m uẫ AAO t o ra trên
ế ẫ ị ề ế ả ề ặ ti p theo b m t, ạ ỏ lo i b các m u trong dung d ch ki m. K t qu là m t ộ m ngạ
ướ ạ
ề ặ
ợ
Hình 2.11. S đ bi u
ơ ồ ể di n ễ các b
c t o b m t siêu k n
ị ướ ớ m ngả s i nano
c v i
Pt.
ợ ạ ướ l i các s i nano , t o nên m t ộ b m t ề ặ r tấ thô (Hình 2.11).
ổ Sau khi b sung fluoroalkylsilane ế , góc ti p xúc n cướ đ tạ 158o.
ị ướ ạ ặ ấ ớ Còn tác gi ề ả Sheng t o b m t siêu k n c v i c u trúc nano b iở
ậ ộ polyethylene m t đ cao (HDPE) b ngằ cách phun lên m uẫ AAO. Thông qua đi uề
ườ ch nhỉ đ ng kính c a ủ m uẫ AAO và áp l cự ép đùn, b m t ợ ề ặ s i nano HDPE siêu kị
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 54
ế ớ ượ ướ ượ ạ n c đ c t o ra v i góc ti p xúc kho ngả 150o và góc tr ấ t th p
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ề ặ
ị ướ ớ ấ
ậ ộ
Hình 2.12. B m t siêu k n
c v i c u trúc nano
b i ở polyethylene m t đ cao
(HDPE)
ặ ắ
ợ
ươ ứ
(a, b) FESEM trên và m t c t ngang
c a b m t
ủ ề ặ s i nano
HDPE, t
ng ng
ả
(c) Hình nh quang h c
ủ ọ c a gi
ọ 3 μm trên b m t
ề ặ HDPE siêu k n
ị ướ c
t
ơ ồ
ả
ươ
(d) S đ minh h a
ể ọ đ mô t
các
ph
ng pháp s d ng
ử ụ AAO m uẫ phun ra để
ợ
chu n bẩ
ị s i nano
HDPE.
ượ ử ụ AAO cũng có thể đ ạ ỏ c lo i b kh i ỏ b m t ề ặ nhôm và s d ng nh ư màng.
ạ ố Cheng và các công sự t o các ng nano polystyrene có tính dính c a b m t. ủ ề ặ Các
ớ ạ
ọ
Hình 2.13. Hình nhả SEM c aủ ngố nano PS v i tr ng thái hình h c khác nhau
ẳ
ằ
ạ
(a) B ng ph ng
(b) Hình d ng lõm
ố (c) Các ng nano
.
ố ể ng nano có th ph ng ẳ , lõm (Hình 10).
ị ướ ở ớ ộ T t cấ ả các b m t ề ặ là siêu k n c trên v i đ bám dính cao v i n ớ ướ c,
ộ nh ngư b m t v i đ u ề ặ ớ ầ lõm có đ bám dính cao nh tấ , trong khi d ng ạ ngố cho
ộ ươ ượ th yấ đ bám dính th pấ t ng đ i. ố Các tác giả cho r ngằ l ng không khí gi aữ
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 55
ặ ấ ướ n c và b m t ề ặ đóng vai trò r t quan tr ng ọ trong các đ c tính bám dính.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
Ề Ặ Ị ƯỚ Ơ Ả Ệ Ạ PH N Ầ 3. CÔNG NGH T O B M T SIÊU K N C Đ N GI N
5.
ươ ủ 3.1 Ph ng pháp tách pha c a các polymer
1.
ứ ấ ậ Các nhà nghiên c u nh n th y quá trình ọ hóa h c chính ở giai đo nạ tách pha
ặ ể ủ c a các polymer có đ c đi m là nó phân chia thành m t ộ pha r nắ giàu polymer và
ị ả ứ m tộ pha l ngỏ nghèo polymer trong ph n ng khi cho polymer tan trong dung d ch .
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 56
ắ Hai pha c aủ polymer r n và ỏ dung môi l ng có th đ ố ơ ể ượ phân chia b iở s ự b c h i c
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ứ ộ ể ạ đ l i m t ộ ma tr nậ x pố polymer. Ch t n n ấ ề x pố này có m t m c đ ộ cao c aủ độ
ế ợ ế ượ ị ướ ủ nhám. N u k t h p v i ớ năng l ng b m t ề ặ th pấ c a m t ộ polymer k n c thì bề
ấ ươ ươ m t ặ có thể không th m n ướ . Ph c ng pháp tách pha này là m tộ ph ả ng pháp s n
ươ ả ơ xu tấ t ng đ i r và ố ẻ đ n gi n.
ươ ể ế ạ Có hai ph ng pháp đ ượ ử ụ đ ch t o các c s d ng b m t ề ặ siêu k n ị ướ : c
Ph
ươ ử ụ ng pháp s d ng isotactic polypropylene (IPP): th hi n s ể ệ ự tách pha
ộ polypropylene khi tr n v i ớ pxylen dung môi.
Ph
ươ ử ụ ị ng pháp s d ng dung d ch polystyrene thêm ethanol: s d ng ử ụ b tộ
ệ ổ polystyrene để tách pha b ngằ vi c b sung ethanol.
1.1.
ươ ự ệ 3.1.1 Ph ng pháp th c hi n.
1.1.1.
ươ 3.1.1.1 Ph ử ụ ng pháp s d ng isotactic
polypropylene (IPP)
ượ Polypropylene là m tộ polymer giá rẻ đ c hòa tan trong dung môi pxylen,
ể s ự tách pha đ ự c ượ th c hi n ớ ệ v i m t ộ lò chân không đ nhanh chóng ạ ỏ lo i b các
xylene đ l ể ạ ề ặ polypropylene thô. i b m t
ị ướ ể ặ ả ự ệ ẫ ạ Đ so sánh đ c tính k n c thì tác gi ạ đã th c hi n hai lo i m u là lo i
ư ử ử ạ ch a x lý và lo i đã x lý.
ẫ ư ử : M u ch a x lí
ượ ặ H tạ Isotacticpolypropylene đ c đ t gi a ấ ữ hai t m kính và tan ch yả trong lò ở
130°C trong vòng 3 phút. Các m tặ kính giúp t o raạ ớ m tộ l p màng m ngỏ khi các
h tạ tan ch y.ả
ẫ ượ ề ệ ử ể ọ Các m u đ c phân tích đ so sánh v i ớ các m uẫ x lý hóa h c v hi u qu ả
ượ ộ ầ ủ ớ ề ệ ủ ỉ ệ c a t l ạ làm l nh, l ả ả ng IPP, đ d y c a l p phim và đi u ki n tan ch y nh
ế ế ưở h ng đ n góc ti p xúc.
M u x lý hóa h c:
ẫ ử ẫ ượ ự ệ ướ ọ M u đ c th c hi n theo các b c sau
B c 1: 20 mg/ml
ướ polypropylene đã t từ ừ hòa tan trong dung d chị 60%
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 57
ể pxylen và 40% MEK theo th tích.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ể ướ B c 2: ị dung d ch đã đ ượ đun nóng đ nế 100°C đ hòa tan c .
ượ ặ ướ B c 3 : M tộ vài gi ỗ tọ h n h p ợ đ c đ t gi a ấ ữ hai t m kính và gia nhi tệ
trong lò chân không.
ẫ ố ướ B c 4 : pxylen đã nhanh chóng b c h i ơ và các m u đ ượ nhanh chóng c
ạ làm l nh đ n ế 70°C.
ượ ữ ệ ộ ổ ị ướ B c 5 : M uẫ đ c gi trong lò chân không ở nhi t đ n đ nh này trong
30 phút đ ể bay h iơ hoàn toàn dung môi.
1.1.2.
ươ ử ụ ị 3.1.1.2 Ph ng pháp s d ng dung d ch polystyrene
thêm ethanol
Các b
ướ ự ư ệ c th c hi n nh sau:
ượ ử ộ ị ướ B c 1: Các wafer đ c x lý b ng ằ m t dung d ch 3:1 H2SO4 và H2O2
trong 1 giờ.
B c 2
ướ ấ ử ướ : sau đó các wafer r a s ch ử ạ v iớ n c c t đã kh ion ấ và s y khô v iớ
ặ nitơ ho c khí argon.
B c 3
ằ ướ : chu n bẩ ị ị dung d ch chính b ng cách thêm 0,25 g polystyrene vào 5
ml dung môi tetrahydrofuran và khu yấ trong 5 phút.
ố ướ B c 4 : cho 2 ml ethanol ở ng tiêm ỗ vào h n h p ớ ố ợ v i t c đ ố ị ộ c đ nh và
ượ ỏ ợ ỗ h n h p này đ c nh lên wafer đ ể làm s ch.ạ
B c 5
ệ ộ ấ ướ : làm khô các m u ẫ ở nhi t đ và áp su t môi tr ườ trong 24 gi ng .ờ
ế ả 3.1.2 K t qu thu đ ượ c
1.1.3.
ủ ẫ ạ 3.1.2.1 Hình d ng c a m u
ứ ạ Hình d ng b m t ủ ề ặ c a các m u ọ ẫ là quan tr ng đ i v i ụ ố ớ nhi uề ng d ng
ặ ệ ứ ấ ộ trong cu c s ng ộ ố , đ c bi t là đ trong su t ố là r t quan tr ng ụ ọ cho các ng d ng
ế ị ả quang h c,ọ màu s cắ cũng là m tộ y u t ế ố quy t đ nh ấ trong r t nhi u ẩ ề s n ph m
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 58
ươ ạ th ng m i.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ư ượ ử
ẫ
Hình 3.1. SEM các m u polypropylene ch a đ
ọ c x lí hóa h c
ư ượ ử ả ữ Trên đây là nh ng hình nh c a ủ m uẫ polypropylene ch a đ c x lí theo
ươ ố ủ ph ử ụ ng pháp s d ng isotactic ộ polypropylene (IPP). Đ trong su t c a nó cho
ậ ấ ẫ ấ th y v n còn ch a ứ các c mụ màu tr ngắ t p trung khác nhau. Nh ngữ c u trúc tinh
ượ ằ ự ủ thể này đ c cho r ng do s hình thành ẫ tinh thể trong quá trình làm mát c a m u.
Ả
ưở
ủ ố ộ
ạ
ẫ
Hình 3.2. nh h
ng c a t c đ làm l nh lên m u
ố ộ
ạ
ậ
ố ộ
ạ
(a) T c đ làm l nh ch m.
(b) T c đ làm l nh nhanh.
ủ ượ Do v yậ , t ỷ ệ làm mát c a các m u ẫ sau đây đã đ l ứ . c nghiên c u
ủ ằ M uẫ tiên đ cượ làm mát t từ ừ b ng cách đ l ả ể ạ các b n th y tinh i trong lò
ứ ẫ ẫ nóng qua đêm. M u th hai đã nhanh chóng làm mát b ngằ n cướ l nhạ . M u đ ượ c
ề ặ ớ ố ụ ạ ộ ấ làm l nh v i t c đ khác nhau cho th y b m t có c m sáng khác nhau và rõ
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 59
ỉ ệ ố ủ ẫ ố ơ ề ràng t l ộ làm mát nhanh thì đ trong su t c a m u t t h n. Tuy nhiên đi u này
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ả ưở ủ ế ướ ỉ ả ưở cũng không nh h ế ng đ n góc ti p xúc c a n c mà ch nh h ế ng đ n màu
ử
ọ Hinh 3.3. M u ẫ polypropylene đã x lí hóa h c
ề ộ ắ s c và đ truy n.
ơ Hình 3.3 cho th yấ m uẫ polypropylene tách pha và bay h i pxylen thì b ề
ệ ề ể ề ẫ ắ ặ ấ ớ ơ ử m t cũng xu t hi n nhi u đi m tr ng và có nhi u h n so v i m u không x lí.
ề ặ ế ặ ể ớ ư Tuy nhiên m t dù b m t khác nhau nh ng góc ti p xúc không khác đáng k v i
138o và 100o.
ề ặ ủ ẫ ươ ứ ể ệ ắ B m t c a các m u theo ph ấ ng pháp th hai cũng xu t hi n các đi m tr ng,
ộ ố ổ ộ ớ ướ ủ ấ ẳ ở ư ớ m t s ch còn l l p silicon phía d i, nh ng l p ph r t nh n mép và có
o.
ẫ
Hình 3.4. M u poly
styrene
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 60
ố ế góc ti p xúc t t 139
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
1.1.4.
ả ướ ể 3.1.2.2 Hình nh d i kính hi n vi
ữ ướ ủ ấ Nh ng hình nh ả SEM d i đây cho th yấ các c u trúc micro c a m t ộ m uẫ đã
ấ ạ ầ ở x lí ử polypropylen. Nó cho th y m t ấ ộ c u trúc ma tr nậ x pố b i các h t c u micro
ử
ủ
ấ
ẫ
Hình 3.5. C u trúc micro c a m u đã x lí polypropylene
1.1.5.
ắ ướ ủ ạ ầ polypropylene tr ng và kích th c c a h t c u là 5 μm.
ộ ồ ề ủ ề ặ 3.1.2.3 Đ g gh c a b m t
ộ Đ nhám trung bình cho các m uẫ polypropylene không x líử là 243,42 nm và
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 61
ể đi n hình c aủ b m t ề ặ polymer nh n.ẳ
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
1.1.6.
ủ
ế
ẫ
Hình 3.6. Hình dáng gi
ọ ướ t n
c và góc ti p xúc c a các m u theo
ươ
ph
ng pháp
ử ụ s d ng isotactic
polypropylene (IPP)
ế 3.1.2.4 Góc ti p xúc:
ủ ướ ế ử ấ ẫ ọ Góc ti p xúc c a n ả c cho th y m u đã x lí hóa h c trung bình kho ng
o.
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 62
ử ả ạ ẫ ọ 140o, m u không x lí hóa h c thì đ t kho ng 100
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ẫ
ươ
Hình 3.7. SEM m u theo
ph
ử ụ ng pháp s d ng isotactic
polypropylene (IPP)
ẫ
ư ử . (a) M u ẫ ch a x lí
ọ . ử (b) M u đã x lí hóa h c
ấ ị Rõ ràng c u trúc c aủ polypropylene đã b thay đ i ổ đáng kể. Các m uẫ đã xử
ầ ấ lí hóa h c cóọ màu tr ng,ắ x pố và có hình c u micro cượ nhìn th y rõ ràng đ , m u ẫ
ị ch a x lý ư ử thì m n màng và không có tính năng riêng bi tệ .
ấ ậ ả ươ ấ ơ Qua đây chúng ta nh n th y tác gi ử ụ đã s d ng ph ả ng pháp r t đ n gi n
ề ặ ị ướ ề ặ ằ ằ ạ ộ ể ạ đ t o ra b m t k n c b ng cách t o đ nhám trên b m t b ng các polymer
o nghĩa là
ủ ướ ế ặ ỉ là polypropylen và polystyrene. M c dù góc ti p xúc c a n c ch có 140
ư ạ ế ị ướ ụ ứ ư ả ấ ạ ch a đ t đ n tr ng thái siêu k n c nh ng r t kh quan khi ng d ng th c t ự ế vì
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 63
ủ ế ướ ấ ộ ổ ố góc ti p xúc c a n ế c cũng r t cao và đ trong su t khá n khi chúng ta ti n
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ư ậ ể ạ ẫ ươ hành làm l nh nhanh m u khi chuy n pha. Nh v y cũng là ph ầ ng pháp đ y
ươ ứ ẹ h a h n cho t ng lai.
ươ ằ ướ ợ ế 3.2 Ph ử ng pháp x lý b ng n c nóng và bi n tính h p kim
2.
ằ nhôm b ng acid stearic
ủ ậ ụ ư ể ợ Nhôm và h p kim c a nó ư ộ ề có nhi uề u đi m khi làm v t d ng nh đ b n
ệ ệ ờ ệ ọ ẫ cao, d n nhi t và d n ẫ đi n tuy t v i và tr ng l ậ ệ ượ th pấ . Do đó nó là v t li u ng
ứ ọ ỹ k thu t ậ khá quan tr ng cho các ng d ng ụ trong hàng không vũ trụ, máy bay,
ố ự ế ự ự ứ ụ qu c phòng. ứ D a vào ng d ng ụ th c t cho các lĩnh v c ng d ng thì đòi h i ỏ nó
ị ướ ấ ả ả ph i có kh năng siêu k n c r t đáng quan tâm.
ươ ể ế ế ề ặ ị ướ ộ ố M t s ph ng pháp đ thi t k b m t siêu k n ợ c cho nhôm và h p
ủ ư ữ ư ệ ắ ọ ươ kim c a nó nh kh c hóa h c (etching), đi n hóa nh ng nh ng ph ng pháp này
ả ưở ấ ớ ế ườ ứ ứ nh h ng r t l n đ n môi tr ộ ng nên các nhà nghiên c u đã nghiên c u m t
ệ ấ ớ ườ ử ằ ơ ướ cách r t thân thi n v i môi tr ả ng và khá đ n gi n là x lí b ng n c sôi và
ế ằ bi n tính b ng stearic acid.
2.1.
ươ ự ệ 3.2.1 Ph ng pháp th c hi n
ấ ợ T m h p kim nhôm có kích th cướ 20 mm x 10 mm x 2 mm, thành ph nầ
ọ tr ng l ượ : Si (0,200,60%), Fe (0,35%), Cu (0,10%), Mn (0,10%), Mg (0,45 ng
ấ ạ 0,90%), Cr (0,10%), Zn (0,10%), Ti (0,10%), các t p ch t khác (0,15%), và Al
ử ệ ượ ử ụ đ c s d ng th nghi m.
ầ ợ ằ Đ u tiên, t mấ h p kim nhôm đ cượ đánh bóng b ng gi y ấ nhám, sau đó r aử
ằ ả s chạ b ng siêu âm trong methanol, acetone và n ướ ấ cho kho ng 10 phút. c c t
ế ượ ử ướ Ti p đ n ợ ế , t m ấ h p kim nhôm đ c x lí v i ớ n c sôi đ ể t o ạ b m t g ề ặ ồ
gh .ề
ố ượ ế Cu i cùng , các t m ấ ợ h p kim nhôm đã đ c bi n tính v i ớ stearic acid
(STA) trong dung d chị nhexane cùng v iớ 2 mmol/l c aủ N,N
ở ệ ộ ử dicyclohexylcarbodiimide (DCC) nhi t đ phòng , sau đó r a b ng ằ nhexane,
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 64
c ướ đã kh ionử n ấ và s y khô trong không khí.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ử ụ ở ư ả DCC đ cượ s d ng đây nh là m t ộ tác nhân m t n ệ ấ ướ hi u qu và c có
ậ ợ ề ạ ự ế thể t o đi u ki n ệ thu n l i cho s hình thành c a ủ các liên k t hóa tr ữ ị gi a các
ướ ể ạ
ề ặ ợ
ị ướ
Hình 3.8. Các b
c đ t o b m t h p kim nhôm siêu k n
c
ở ướ nhóm carboxyl và nhóm hydroxyl hình d i đây.
2.2.
ế ả 3.2.2 K t qu thu đ ượ c
2.2.1.
Ả ưở ủ ướ ử ế ế 3.2.2.1 nh h ng c a các b c x lí đ n góc ti p
ủ ợ
ạ ử
ế
Hình 3.9. Góc ti p xúc c a h p kim nhôm qua các giai đo n x lí
xúc
ế ằ Qua hình chúng ta th yấ r ng góc ti p xúc trên b m t ợ ề ặ h p kim nhôm thay
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 65
ổ đ i đáng k ể sau m iỗ b cướ x lý.ử C th , ụ ể b m t ợ ề ặ h p kim nhôm nguyên b nả v iớ
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
o.
ầ ế ồ ngu n g c ố oxy hóa lúc đ u cho th y ư ấ a n ướ v iớ góc ti p xúc c ả kho ng 45
o sau khi b m t
ế ả ợ Ng ượ ạ góc ti p xúc c l i, gi mả còn kho ng 30 ề ặ h p kim nhôm
ế ằ cượ đánh bóng b ng gi y đ ấ mài, trong khi các góc ti p xúc n cướ tăng kho ngả
ượ ằ ướ 82,1o sau khi đ c làm s ch ạ b ng siêu âm v i ớ methanol, acetone và n ấ c c t.
ướ ố ử ướ ế ế ớ ế Đ n b c cu i x lí qua n c sôi và bi n tính v i acid stearic thì góc ti p xúc
o. tăng lên đ n 154
ế
2.2.2.
Ả ưở ủ ử ờ ế ế 3.2.2.2 nh h ng c a th i gian x lí đ n góc ti p
Ả
ưở
ử
ủ
ằ
ờ
ướ
ế
ế
Hình 3.10. nh h
ng c a th i gian x lí b ng n
c sôi đ n góc ti p xúc
xúc
ướ Tính dính ể ể ệ t có th th hi n qua ầ thành ph n hóa h c ọ và độ g ghồ ề c aủ
ợ ượ ướ ể ề ặ H p kim b m t. nhôm đ c x lý ử trong n c sôi đ có đ ượ b m t ề ặ x pố và c
ướ ử ế ằ ờ ướ nhám tr c khi bi n tính v i ớ STA và th i gian x lí b ng n c sôi đóng m tộ vai
ọ ả ổ ủ ự ả trò quan tr ng.Trong nghiên c u ứ này các tác gi đã kh o sát s thay đ i c a góc
ế ướ ử ờ ướ ượ ế ả ti p xúc n c theo th i gian x lí n c sôi thì thu đ c k t qu sau trên Hình
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 66
ả ề ệ ế ờ ố ấ 3.10. K t qu th hi n rõ th i gian t t nh t là 30 giây.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ử
ướ
ở ờ
ề ặ ợ Hình 3.11. SEM b m t h p kim nhôm x lý n
c sôi
th i gian khác nhau
(a) 0s
(b) 10s
(c) 30s
(d) 5 phút
ự ụ ộ ủ S dính ướ liên quan đ nế đ nhám b m t ề ặ , trong khi m c đích t ệ c a vi c
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 67
ợ ướ x líử h p kim nhôm vào n c sôi ể là đ có đ ượ m t b m t ộ ề ặ thô. Vì v y,ậ th iờ c
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ướ ắ ộ ọ ấ gian x líử n c sôi ch c ch n ắ đóng m t vai trò quan tr ng v ề ặ ề c u trúc b m t
ụ ủ ẫ ợ h p kim nhôm. ể ệ Hình 3.11 th hi n rõ hình nh ằ ả c a m u b ng ch p SEM.
ợ ướ ươ B m t ề ặ h p kim nhôm mà không x líử n c sôi t ng đ i ố m nị (Hình
ờ ướ ấ 3.11.a). Khi th i gian x lí ử trong đun sôi n c tăng ế đ n 10 s, c u trúc b m t ề ặ có
ệ ố khác bi t rõ r t ệ th hi n ể ệ trong Hình 3.11.b. Nhi uề hình gi ng nh ư c t ộ (ho cặ r ngặ
ườ ớ núi) v i kích th ả ướ kho ng 3050 c ấ nm và r t nhi u ề h cố có đ ng kính ả kho ng 20
ẫ ấ ả ứ 40 nm xu t hi n ệ ở b m t. ề ặ Lý do d n đ n ế k t quế ọ ả này là các ph n ng hóa h c
ở ầ ợ ượ gi aữ Al và H2O x y raả giai đo n ạ ban đ u khi các h p kim nhôm đ ử c x lý
ướ ế b ngằ n c sôi . K t qu là ả , Al2O3.xH2O và H2 hình thành. Trong khi đó, H2 tách ra
2O3.xH2O. H n n a,
ấ ơ ể có th phá v ộ ỡ m t ph n ầ c u trúc Al ữ m t sộ ố Al2O3.xH2O t oạ
ả ứ ộ ra có thể ph n ng v i ể ạ ớ H2O đ t o thành boehmite. M t ph n ầ boehmite hòa tan
ướ trong n c sôi thêm. Nh ngữ k t quế ấ ả c u trúc x p ố thô ở ề ặ h p kim nhôm ợ b m t
th hi n ể ệ hình 3.11.b.
ờ ướ Khi th i gian x lí ử n c sôi tăng lên Al2O3.xH2O và boehmite t o raạ nhi uề
ụ ộ h nơ . Do đó, kích th ướ ủ các tr c t và c c a h cố tăng d nầ . Kích th cướ tr ụ ộ đ tạ c t
ỗ ế ờ ử 6090 nm và kích th cướ r ng tăng 60100 nm n u th i gian x lý n ướ sôi đ nế 30 c
ể ạ ờ ị ắ ấ giây (Hình 3.11.c.). T i th i đi m này , r t nhi u ẹ ề không khí có thể b m c k t
ự ế ắ ỏ trong khu v c ti p xúc r n và l ng. Do tính không a n ủ ư ướ c a không khí, c nh ngữ
ế ể ả gi tọ n cướ không th xâm nh p ậ vào các khe hở giữ không khí. K t qu là, m tộ
ợ ượ ạ giao di nệ h p ch t ấ v iớ ba pha r nắ , không khí và ch t l ng ấ ỏ đ c t o ra. Do đó,
ệ m tộ gi ọ ướ trên b m t ề ặ th t n c ế ngườ có hình bán c uầ và làm gi mả di n tích ti p
xúc gi aữ gi ọ ướ t n c và b m t r n ề ặ ắ , hình thành b m t ề ặ siêu k n ỵ ướ . c
ướ ế ụ ờ Khi th i gian x líử n c sôi ti p t c tăng , các tr c t ụ ộ và kích th cướ r ngỗ ti pế
ờ ụ t c tăng . Các tr c t ụ ộ và kích th cướ r ngỗ đ t đ ạ ượ 80200 nm khi th i gian c x lýử
ộ cướ sôi là 300s. Khi đó nhi uề Al2O3.xH2O và boehmite hòa tan và m t ph n n ầ k tế
ế ố ớ ề ấ c u tr ụ ộ ẽ k t n i v i nhau c t s và thông nhau. Đi u này làm cho không khí có
ế ượ thể di chuy n tể ừ ch ỗ r ngỗ đ n các h c ố thông nhau nên khi gi ọ ướ đ t n c ặ c đ t
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 68
ế lên b m t ẫ ề ặ , d n đ n ự ụ ế s s t gi m ả c aủ góc ti p xúc n cướ (Hình 3.11.d).
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
2.2.3.
Ả ưở ủ ồ ề ặ ộ 3.2.2.3 nh h ng c a n ng đ STA lên b m t
Ả
ưở
ủ ồ
ế
ộ
Hình 3.12. nh h
ng c a n ng đ STA lên góc ti p xúc
ướ ủ ợ dính t c a h p kim nhôm
ồ ả ủ ợ N ng đ ộ STA có nh h ưở rõ r tệ tính dính ng tướ c a b m t ề ặ h p kim
ả ưở ế nhôm và nh h ng c a ồ ủ n ng đ ộ STA trên góc ti p xúc n c ướ ở b m t ề ặ h p kimợ
ượ ở ượ ử nhôm đ ể c hi n th ị hình ợ 3.12 khi h p kim nhôm đ c x lý b ng ằ STA trong 24
giờ.
ế ệ Nó cho th y r ng ấ ằ góc ti p xúc n cướ tăng d nầ v iớ vi c thêm ồ n ng đ ộ STA
ế ạ trong dung d chị nhexane, và góc ti p xúc đ t giá tr ị cao nh tấ khi STA 5 mmol / L.
ế ồ ề Sau đó, góc ti p xúc gi mả b iở khi n ng đ ế ụ ộ STA ti p t c tăng. Đi u này đ ượ c
ả ợ gi i thích r ng ằ chu iỗ STA ghép trên b m t ề ặ h p kim nhôm là không đủ khi n ngồ
độ STA là d i 5ướ mmol / L, trong khi các chu iỗ STA ghép trên b m t ợ ề ặ h p kim
ạ ế nhôm đã đ t đ n m c ứ t i đaố ồ khi n ng đ ề ặ ộ STA đ tạ 5 mmol / L. Do đó, b m t
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 69
ế ướ ồ ợ h p kim nhôm có góc ti p xúc n c cao nh t ấ khi n ng đ ộ STA là 5 mmol / L.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
2.2.4.
Ả ưở ủ ờ ế 3.2.2.4 nh h ề ử ng c a th i gian x lý STA đ n b
Ả
ưở
ử
ủ
ế
ế
ờ
Hình 3.13. nh h
ng c a th i gian x lí STA đ n góc ti p xúc
ặ ướ ủ ợ m t dính t c a h p kim nhôm
ả ờ ưở ủ Th i gian x lí ử STA cũng có nh h ớ ng l n đ n ế tính dính ề ặ tướ c a b m t
ế ư ượ ợ h p kim nhôm k t qu đ ể ệ ả ượ th hi n trong Hình c 3.5. Nh chúng ta đã đ c bi ế t
ằ đ n tế ừ Hình 3.1 r ng b m t c a ợ ề ặ ủ h p kim nhôm ử v iớ x lý n ư ướ sôi nh ng không c
ế ợ có STA thì mang tính a n ư ướ . Ng c ượ ạ góc ti p xúc c l i, n cướ ở ề ặ h p kim b m t
ờ ơ nhôm để nâng cao 71,1o v iớ 5 mmol / L c aủ STA trong 1 gi . H n n a, ữ góc ti pế
ế ụ ờ xúc n cướ ợ ở ề ặ h p kim nhôm b m t ti p t c tăng v iớ th i gian x lí ử STA kéo dài
ế ợ ẫ và b m t ề ặ h p kim nhôm đ t ạ góc ti p xúc 154,1 o khi m u đ ượ x líử 5 mmol / L c
ế STA cho 24h. Sau đó, góc ti p xúc n cướ không tăng n aữ trong khi ti p t c ế ụ kéo dài
ờ th i gian x líử STA.
2.3.
ọ ủ ề ặ 3.2.3 Hình thái h c c a b m t nhôm siêu k n ị ướ c
ị ướ ủ ợ ế ả ấ Tính ch t siêu k n c c a h p kim nhôm liên quan đ n c hai hình thái và
ậ ọ ượ ử ụ ể ể ấ ấ c u trúc hóa h c . Vì v y, SEM và XPS đo đ c s d ng đ ki m tra c u trúc
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 70
ọ ở ề ặ ợ ể ệ ở hóa h c b m t h p kim nhôm, th hi n Hình 3.14.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
Ả ề ặ ợ ị ướ ấ nh SEM (Hình 3.14.a ) cho th y b m t h p kim nhôm siêu k n c có
ộ ấ ề ồ m t c u trúc không đ ng đ u và thô.
Ả ề ặ ợ ề ấ ồ nh Hình 3.14.b cho th y b m t h p kim nhôm không đ ng đ u và thô
ề ặ ư ụ ể ồ ố bao g m hai hình thái khác nhau: c m gi ng bông hoa nh phát tri n trên b m t
ụ ộ ư ặ ố ố và tr c t sâu gi ng nh r ng núi và h c.
Ả ạ ủ ụ ữ ộ ộ nh Hình 3.14.c và Hình 3.14.d là đ phóng đ i c a m t trong nh ng c m
ư ề ặ ấ ầ ố ộ ộ hoa gi ng nh b m t và m t ph n trong Hình 3.14.b. Qua Hình 3.14.c th y m t
ề ặ ư ự ứ ầ ộ ụ c m bông hoa r ng 100150 nm và g n nh d ng đ ng trên b m t nhôm. Hình
ề ặ ợ ụ ộ ệ ệ ề ề ấ ị 3.14.d cho th y nhi u tr c t hi n di n trên n n do b m t h p kim nhôm siêu k
ợ
ổ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 71
ạ ấ ề ầ ướ ồ n c g gh và t o c u trúc phân t n micro/nano.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
Hình 3.14. SEM m uẫ
ấ ươ ạ ợ ứ Qua các nghiên c u trên cho th y ph ng pháp t o h p kim nhôm siêu k ị
ệ ả ơ ườ ệ ả ượ ấ ả ướ n c đ n gi n, thân thi n môi tr ng mà hi u qu thu đ c r t kh quan. Khi
ớ ướ ế ớ ờ ử x lí v i n c sôi 30s và bi n tính v i 5mmol/l STA trong 24 gi ế đã cho góc ti p
o. B m t
ớ ướ ợ xúc v i n ạ c đ t 154 ề ặ h p kim nhôm siêu k n ấ ị ướ v iớ c u trúc x p ố và c
ả ứ ợ xù xì. C hai tr ụ ộ và h cố t n t ồ ạ trên b m t ề ặ t c là b m t ề ặ h p kim nhôm c t i
ấ ấ nhám có cả c u trúc phân c p quy mô micro và nano.
Ầ Ậ Ế PH N 4: K T LU N
6.
ệ ượ ữ ừ ư ọ ướ T nh ng hi n t ng thiên nhiên nh gi t n c trên lá sen, lá môn… đã
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 72
ứ ể ể ọ kích thích các nhà khoa h c tìm hi u và nghiên c u đ hình thành lý thuy t b ế ề
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ặ ị ướ ắ ầ ừ ộ ướ ề ầ m t k n c. B t đ u t ở đây đã m ra m t h ứ ẹ ng đi đ y ti m năng và h a h n
ươ ủ ề ề ị ướ ề ượ trong t ng lai. Các đ tài, ch đ v tính siêu k n c đã và đang đ c nghiên
ự ế ể ứ ề ọ ụ ứ c u đ ng d ng trong th c t ngày càng nhi u. Dĩ nhiên các nhà khoa h c mong
ố ươ ề ặ ị ướ ạ ơ ơ mu n các ph ng pháp t o ra b m t siêu k n ả c ngày đ n gi n h n và thân
ệ ườ ề ể ơ ớ thi n v i môi tr ng h n. Đó cũng là lý do tôi tìm hi u đ tài này.
ớ ồ ợ ượ ổ V i đ án này tôi đã t ng h p đ ầ c các ph n sau:
ế ề ặ ị ướ ầ ổ ể Ph n t ng quan: tìm hi u lý thuy t b m t k n ụ ứ c và các ng d ng
ề ặ ị ướ b m t k n c trong th c t ự ế .
ề ặ ị ướ ệ ầ ổ ế ạ Ph n công ngh ch t o b m t siêu k n ợ c: t ng h p m t s ộ ố
ươ ư ư ắ ọ ọ ơ ph ng pháp nh quang kh c, solgel, ng ng đ ng h i hóa h c…. Nói
ở ứ ộ ữ ươ ươ ố chung m c đ nào đó thì nh ng ph ng pháp này t ng đ i m i l ớ ạ ớ v i
ợ ừ ư ệ ặ ệ ổ tôi nên vi c t ng h p nó t ề tài li u g p không ít khó khăn. Nh ng đi u
ọ ự ế ữ ươ quan tr ng là tôi đã bi ế ượ t đ c trên th c t đây là nh ng ph ng pháp mà
ị ướ ứ ữ ệ ề ặ công ngh b m t siêu k n ấ c đã nghiên c u và có nh ng thành công nh t
ế ề ẽ ố ấ ị đ nh đã công b . Nó s giúp ích tôi r t nhi u sau này khi ti n hành nghiên
ự ệ ứ c u th c nghi m.
ộ ố ệ ả ố ệ ạ ị Cu i cùng tôi cũng tham kh o, d ch tài li u m t s công ngh t o
ị ướ ể ể ệ ả ơ ề ặ b m t siêu k n c đ n gi n trên quy mô phòng thí nghi m đ hi u sâu
ư ứ ề ế ươ ụ ơ h n v cách ti n hành nghiên c u cũng nh ph ụ ng pháp, d ng c , thi ế t
ứ ệ ị ụ ụ b ph c v cho vi c nghiên c u.
Ph
ươ ớ ế ng pháp tách pha v i polypropylene và polystyrene đã cho k t
ả ươ ố ươ ả ố ộ ố qu t ớ ề ặ ng đ i kh quan v i b m t có đ trong su t t ng đ i và góc
o.
ế ả ti p xúc kho ng 140
Công ngh x lý h p kim nhôm b ng n
ệ ử ằ ợ ướ c sôi và acid stearic đ ể
ề ặ ị ướ ể ấ ứ ữ ạ t o b m t siêu k n ẹ c đã có nh ng thành công đáng k , r t h a h n
ự ệ ệ ợ ượ ử khi th c hi n quy mô công nghi p. H p kim nhôm đ c x lí trong 30
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 73
ớ ướ ộ ề ặ ồ ế ề ạ ớ giây v i n c sôi đã t o m t b m t g gh nên sau bi n tính v i acid
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
ờ ớ ồ ớ ướ ế ộ stearic 24 gi v i n ng đ 5mmol/l đã cho góc ti p xúc v i n ạ c đ t
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 74
154o.
ự
ẩ
ườ
ệ
ng ĐH Công Nghi p Th c Ph m Tp.HCM
ệ
ị
Tr ọ Khoa Công Ngh Hóa H c
ề ễ GVHD: Ths.Nguy n Th Thanh Hi n
Ả Ệ TÀI LI U THAM KH O
7.
8.
[1] W. Barthlott, C. Neinhuis, Planta 202 (1) (1997).
[2] K. Koch, W. Barthlott, Philos Trans Roy Soc A: Math, Phys Eng Sci 367 (2009)
1487–1509.
[3] X.M. Li, D. Reinhoudt, M. CregoCalama, Chem. Soc. Rev. 36 (8) (2007) 1350.
[4] I. Bayer, A. Steele, A. Brown, E. Loth, Appl. Phys. Express 2 (12) (2009) 125
128.
[5] S. Minko, M. Muller, M. Motornov, M. Nitschke, K. Grundke, M. Stamm, J.
Am. Chem. Soc. 125 (2003) 3896.
[6] S. Wang, L. Feng, L. Jiang, Adv. Mater. 18 (2006) 767.
[8] W.B. Zhang, Z. Shi, F. Zhang, X. Liu, J. Jin, L. Jiang, Superhydrophobic and
superoleophilic PVDF membranes for effective separation of waterinoil
emulsions with high flux, Adv. Mater. 25 (2013) 2071–2076.
[9] L. Feng, Y. Zhang, J. Xi, Y. Zhu, N. Wang, F. Xia, L. Jiang, Langmuir 24
(2008) 4114–4119.
[10] M. Kang, R. Jung, H.S. Kim, h.J. Jin, Colloids Surf. A: Physicochem. Eng.
Aspects 313314 (2008) 411.
[11] Y.C. Jung, B. Bhushan, Biomimetic structures for fluid drag reduction in
laminar and turbulent flows, J. Phys. Condens. Matter. 22 (2010) 035104–35111,
to 9.
[12] K. Koch, B. Bhushan, W. Barthlott, Soft Matter 4 (2008) 1943–1963.
[13] B. Bhushan, M. Nosonovsky, Philos. Trans. Roy. Soc. A: Math., Phys. Eng.
ổ
ợ
ề ặ
ấ
ố
Ứ
ụ
T ng H p B M t Siêu Ch ng Th m (Superhydrophobic) Và ng D ng
ễ SVTT: Nguy n Tuân Trang 75
Sci. 368 (2010) 4713–4728.