Sự kết cặp của phonon quang dọc - plasmon trong các lớp bán dẫn InGaN
Bài viết tiến hành nghiên cứu sự tồn tại của các mode kết cặp của LO phonon và plasmon trong các lớp màng mỏng bán dẫn InGaN bằng lý thuyết hàm điện môi. Chúng tôi xác định và phân tích phổ truyền qua của vật liệu để tìm kiếm bằng chứng về sự tồn tại của các mode kết cặp LO phonon-plasmon.