Lession 4 Transistor
http://hqhuy.wordpress.com 1
Néi dung
1. Cấu tạo và nguyên lý làm việc 1.1. Cấu tạo BJT loại NPN, PNP 1.2. Nguyên lý làm việc của BJT 1.3. Hệ số truyền ñạt dòng ñiện của BJT
2. Các cách mắc BJT và các họ ñặc tuyến tương ứng 3. Các tham số cực ñại và giới hạn vùng làm việc của BJT 4. Phân cực cho BJT
4.1. Chế ñộ làm việc của BJT 4.2. Các dạng phân cực 4.3. Xác ñịnh ñiểm công tác tĩnh
5. Sơ ñồ tương ñương của BJT ở chế ñộ khuếch ñại tín hiệu nhỏ
5.1. Sơ ñồ mạng 4 cực dùng cho BJT 5.2. Sơ ñồ tương ñương vật lý
6. BJT làm việc ở chế ñộ chuyển mạch
6.1. Nguyên lý làm việc 6.2. Các tham số của BJT chuyển mạch
7. Darlington BJT 8. BJT công suất lớn
http://hqhuy.wordpress.com 2
CÊu t¹o cña BJT
http://hqhuy.wordpress.com 3
Nguyªn lý lµm viÖc cña BJT
http://hqhuy.wordpress.com 4
In
Out
Amplifier
Out
Gain =
In
http://hqhuy.wordpress.com 5
Moore’s law
• Moore founded Intel with Robert Noyce in 1968 and served as its CEO from 1975 to 1987. Since 1997, he has served as Chairman Emeritus of the company. • While working for Fairchild Semiconductor in 1965, he coined the now famous Moore's Law as he was preparing an article for Electronics magazine. At that time, the law stated that the number of transistors on a chip doubles every year. In 1975, he amended it to say it doubles every two years.
• "If you asked me in 1980, I would have missed the
PC. I didn't see much future for it"
(http://news.zdnet.com/2100-9584_22-123972.html)
http://hqhuy.wordpress.com 6
NPN Transistor Structure
The collector is lightly doped.
N
C
P
B
The base is thin and is lightly doped.
N
E
The emitter is heavily doped.
http://hqhuy.wordpress.com 7
NPN Transistor Bias
No current flows.
N
C
The C-B junction is reverse biased.
P
B
N
E
http://hqhuy.wordpress.com 8
NPN Transistor Bias
N
C
P
B
The B-E junction is forward biased.
N
E
Current flows.
http://hqhuy.wordpress.com 9
NPN Transistor Bias
IC
N
C
Current flows everywhere.
P
B
IB
Most of the emitter carriers diffuse through the thin base When both junctions region since they are attracted are biased.... by the collector.
N
E
IE
Note that IB is smaller than IE or IC.
http://hqhuy.wordpress.com 10
IC
Note: when the switch opens, all currents go to zero.
N
C
P
B
Although IB is smaller it controls IE and IC.
IB
N
E
IE
Gain is something small controlling something large (IB is small).
http://hqhuy.wordpress.com 11
XÐt BJT lµm viÖc ë vïng tÝch cùc
http://hqhuy.wordpress.com 12
• Do tiÕp gi¸p Emit¬ ph©n cùc thuËn, ®iÖn ¸p tæng trªn
tiÕp gi¸p gi¶m ®i vµ b»ng U∑(E) = UtxE – UEB
• TiÕp gi¸p colect¬ ph©n cùc ng−îc nªn tæng ®iÖn ¸p
trªn tiÕp gi¸p lµ
U∑(C) = UtxC + UCB
• Dßng dß : IC0 (phô thuéc nhiÖt ®é) • IC∑ = IC + IC0 • IC0 << IC v× vËy dßng IC∑ @
IC
http://hqhuy.wordpress.com 13
IE, IB, IC vµ c¸c hÖ sè truyÒn ®¹t
dßng ®iÖn a
, b
• IE = IC + IB • Trong ®ã, th«ng th−êng IB << IC vµ IE • HÖ sè truyÒn ®¹t dßng ®iÖn Emit¬ a : Lµ tû sè gi÷a
dßng Colect¬ vµ dßng Emit¬.
a
dc - HÖ sè truyÒn ®¹t dßng ®iÖn Emit¬ mét chiÒu ac - HÖ sè truyÒn ®¹t dßng ®iÖn Emit¬ xoay chiÒu
a
=
-
=
α
=α dc
ac
@
I C I E
dI C dI E
I ∆ C I ∆ E
I Ci I Ei
I 1-Ci I 1-Ei
-
http://hqhuy.wordpress.com 14
IE
• Do IB << IC vµ IE nªn cã thÓ coi IC • Trªn thùc tÕ a
ac
@
tøc lµ a
dc th−êng kh«ng kh¸c nhiÒu a ac vµ cã gi¸ trÞ gÇn b»ng 1
dc
• a cã gi¸ trÞ kho¶ng tõ 0,9 ‚ 0,998 • a
Ýt phô thuéc vµo dßng IC vµ tÇn sè tÝn hiÖu
@ a
http://hqhuy.wordpress.com 15
• HÖ sè truyÒn ®¹t dßng ®iÖn Colect¬ b : Cßn gäi lµ hÖ sè
khuyÕch ®¹i dßng ®iÖn.
• Ph©n biÖt chÕ ®é mét chiÒu hay xoay chiÒu còng cã kh¸i
b
b
=
β
ca
cdβ
- @
dI C dI
I 1-Ci I 1-Bi
B
niÖm: dc - HÖ sè khuÕch ®¹i dßng ®iÖn mét chiÒu ac - HÖ sè khuÕch ®¹i dßng ®iÖn xoay chiÒu I I ∆ C = C I I ∆ B B
• Hai gi¸ trÞ b
I = Ci I Bi ac còng kh«ng kh¸c nhau nhiÒu
dc vµ b
-
dc
ac
b @ b
http://hqhuy.wordpress.com 16
http://hqhuy.wordpress.com 17
• Quan hÖ gi÷a a
, b
I +
B
I =I E I
=
I
®−îc x¸c ®Þnh nh− sau:
B ) I 1+
C β ( β
C =I E
B
I
=
I +
I
α
I α
C
C0
E
IE = IB + IC
=
α
β
=
α
β =
=
β
β + β1
E β +1 α 1-
α
α α-1
@
http://hqhuy.wordpress.com 18
IC = 99 mA
C
The current gain from base to collector b. b. is called b.b.
P
B
IB = 1 mA
N
E
b =
b b b
= 99
99 mA IC IB 1 mA
http://hqhuy.wordpress.com 19
IE = 100 mA
IC = 99 mA
C
Kirchhoff’s current law:
P
B
IB = 1 mA
99 mA
IE = IB + IC = 1 mA +
N
E
= 100 mA
http://hqhuy.wordpress.com 20
IE = 100 mA
IC = 99 mA
In a PNP transistor, holes flow from emitter to collector.
C
B
IB = 1 mA
Notice the PNP bias voltages.
E
http://hqhuy.wordpress.com 21
IE = 100 mA
Transistor Currents Quiz
b b b b
is the ratio of collector current to
______ current.
base
emitter
The sum of the base and collector currents is the __________ current.
In NPN transistors, the flow from emitter to collector is composed of _______.
electrons
holes
In PNP transistors, the flow from emitter to collector is composed of _______.
http://hqhuy.wordpress.com
Both NPN and PNP transistors show __________ gain.
current 22
C¸c d¹ng m¾c m¹ch c¬ b¶n cña BJT
• Cã 3 d¹ng m¾c c¬ b¶n:
Baz¬ chung - Ký hiÖu CB (Common Base) Emit¬ chung - Ký hiÖu CE (Common Emitter) Colect¬ chung - Ký hiÖu CC (Common Colector)
http://hqhuy.wordpress.com 23
M¹ch Baz¬ chung - BC
M¹ch vµo:
( Uf
I
=
IE - dßng vµo, kh¶o s¸t ®Æc tuyÕn tÜnh
BE
E
CBU
const
M¹ch ra:
UBE - ®iÖn ¸p vµo = ) IC - dßng ra UCB - §iÖn ¸p ra
fi
kh¶o s¸t ®Æc tuyÕn tÜnh
=
I
( Uf
)
=
C
CB
EI
const
fi
http://hqhuy.wordpress.com 24
http://hqhuy.wordpress.com 25
http://hqhuy.wordpress.com 26
• Vïng tÝch cùc: (Active - Region) ®©y lµ vïng khuÕch ®¹i tÝn
hiÖu
£ 0. C¶ hai tiÕp
• Vïng b+o hoµ: (Saturation Region) khi UCB xóc Emit¬ vµ Colect¬ ®Òu ph©n cùc thuËn
• Vïng c¾t dßng: (Cutoff - Region) víi gi¸ trÞ IE £ 0. Vïng nµy tiÕp xóc Emit¬ ph©n cùc ng−îc, dßng IE = 0. T¹i vïng c¾t dßng c¶ hai tiÕp xóc ph©n cùc ng−îc
• Vïng ®¸nh thñng: (Breakdown - Region) nÕu UCB qu¸ lín sÏ g©y nªn hiÖn t−îng ®¸nh thñng tiÕp gi¸p Colect¬ lµm dßng IC t¨ng ®ét ngét (®¸nh thñng Zener hay ®¸nh thñng th¸c lò hoÆc c¶ hai)
• Chó ý: §èi víi m¹ch m¾c kiÓu Base chung th−êng cã hÖ sè
th−êng < 1 ).
, a
khuÕch ®¹i ®iÖn ¸p tõ 50 ®Õn 300, hÖ sè khuÕch ®¹i dßng ®iÖn < 1 (do IC /IE = a
http://hqhuy.wordpress.com 27
M¹ch Emit¬ chung - CE
http://hqhuy.wordpress.com 28
http://hqhuy.wordpress.com 29
http://hqhuy.wordpress.com 30
• Vïng tÝch cùc: (hay cßn gäi lµ vïng khuÕch ®¹i) khi tiÕp xóc Emit¬ ph©n cùc thuËn vµ tiÕp xóc Colector ph©n cùc ng−îc. • Vïng b+o hoµ: Khi c¶ hai tiÕp xóc Emit¬ vµ Colect¬ ph©n cùc thuËn. Khi nµy dßng IC t¨ng rÊt nhanh. §iÖn ¸p b+o hoµ UCE bh » 0,3V.
• Vïng c¾t dßng: N»m d−íi ®Æc tuyÕn øng víi IB = 0 øng víi c¶ hai tiÕp xóc Emit¬ vµ Colect¬ ph©n cùc ng−îc. Víi IB = 0, cã dßng d− - gäi lµ ICE0. Dßng nµy ®−îc x¸c ®Þnh nh− trªn víi cùc Baz¬ hë (IB = 0).
• Vïng ®¸nh thñng: Khi UCE qu¸ lín ®Õn mét gi¸ trÞ nµo ®ã lµm
®¸nh thñng tiÕp xóc Colect¬. Khi ®ã dßng IC t¨ng vät.
http://hqhuy.wordpress.com 31
M¹ch Colect¬ chung - CC
http://hqhuy.wordpress.com 32
http://hqhuy.wordpress.com 33
Giíi h¹n vïng lµm viÖc cña BJT
http://hqhuy.wordpress.com 34
: §iÖn ¸p b}o hoµ Colect¬ - Emit¬ th−êng
@ 0,3V
• UCE bh UCE bh ⇒ ph¶i chän UCE > UCE bh
: Dßng ®iÖn Colect¬ cùc ®¹i.
• IC max
⇒ ph¶i chän IC < ICmax
• ICE0
: Dßng d− cña Colect¬ øng víi IB = 0 dßng
nµy giíi h¹n vïng c¾t dßng.
: §iÖn ¸p cùc ®¹i trªn Colect¬ - Emit¬ ®Ó
• UCE max
tiÕp xóc Colect¬ kh«ng bÞ ®¸nh thñng.
: t¹i nhiÖt ®é nhÊt ®Þnh th−êng lµ T = 250C.
• PCmax
http://hqhuy.wordpress.com 35
http://hqhuy.wordpress.com 36
£ UCEmax
ICmax
• UCE bh • ICE0 • ICUCE
£ UCE IC £ PCmax
£ £
http://hqhuy.wordpress.com 37
• VÝ dô 3-1:
Cho BJT 2N4123 cã PCmax =
625mW ë nhiÖt ®é T0 = 250C. HÖ sè g PCmax PCmax = 5mW/0C. H}y x¸c ®Þnh gi¸ trÞ c«ng suÊt PCmax t¹i nhiÖt ®é T = 1250C.
http://hqhuy.wordpress.com 38
Ph−¬ng tr×nh ®−êng t¶i vµ ®iÓm lµm viÖc tÜnh
http://hqhuy.wordpress.com 39
Ph©n cùc cho BJT
• Víi chÕ ®é khuÕch ®¹i, c¸c ®iÖn ¸p cung cÊp cho BJT ph¶i ®¶m b¶o cho BJT lµm viÖc t¹i vïng khuÕch ®¹i (cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1) TiÕp gi¸p Emit¬ - Baz¬: Ph©n cùc thuËn (cid:1)TiÕp gi¸p Colect¬ - Baz¬: Ph©n cùc ng−îc • C¸c kiÓu ph©n cùc – Ph©n cùc b»ng dßng cè ®Þnh (hay ph©n cùc Baz¬) – Ph©n cùc b»ng dßng Emit¬ (hay ph©n cùc Emit¬) – Ph©n cùc b»ng ph©n ¸p – Ph©n cùc b»ng håi tiÕp Colect¬ – KÕt hîp cña c¸c ph−¬ng ph¸p ph©n cùc trªn.
http://hqhuy.wordpress.com 40
Ph©n cùc Baz¬ (hay ph©n cùc b»ng dßng cè ®Þnh)
http://hqhuy.wordpress.com 41
• X¸c ®Þnh ®iÓm lµm viÖc tÜnh Q • ChÕ ®é b(cid:26)o hoµ vµ c¾t dßng
http://hqhuy.wordpress.com 42
Sù xª dÞch ®iÓm lµm viÖc tÜnh Q khi nhiÖt ®é thay ®æi
;RC = 2,2KW
b
VÝ dô : EC = +8V ; RB = 360KW dc = hFE = 100 ë T = 250C dc = hFE = 150 ë T = 1000C T×m ®iÓm lµm viÖc tÜnh Q t¹i nhiÖt ®é T = 250C
vµ T = 1000C (BJT lµ lo¹i Si)
b
http://hqhuy.wordpress.com 43
NhËn xÐt m¹ch ph©n cùc Baz¬:
- M¹ch ®¬n gi¶n - Cã nh−îc ®iÓm: §iÓm lµm viÖc tÜnh Q phô thuéc
nhiÒu vµo nhiÖt ®é.
-øng dông: Chñ yÕu trong chÕ ®é chuyÓn m¹ch.
http://hqhuy.wordpress.com 44
Ph©n cùc Emit¬
http://hqhuy.wordpress.com 45
• XÐt ®iÓm lµm viÖc tÜnh
C
BE
-
I
CQ
UE R
E
• ChÕ ®é b(cid:26)o hoµ vµ c¾t dßng • Sù xª dÞch ®iÓm lµm viÖc tÜnh Q khi nhiÖt ®é
@
thay ®æi
http://hqhuy.wordpress.com 46
Ph©n cùc b»ng ph©n ¸p
http://hqhuy.wordpress.com 47
• XÐt ®iÓm lµm viÖc tÜnh
th
BE
-
I
CQ
UE R
E
• ChÕ ®é b(cid:26)o hoµ vµ c¾t dßng • Sù xª dÞch ®iÓm lµm viÖc tÜnh Q khi nhiÖt ®é
@
thay ®æi
http://hqhuy.wordpress.com 48
VÝ dô : Cho m¹ch ph©n cùc b»ng ph©n ¸p c¸c gi¸
trÞ sau: , RE = 1,5KW RC = 10KW , R2 = 3,9KW R1 = 39KW EC = +22V, b = 140, tranzito lo¹i Si T×m ®iÓm lµm viÖc tÜnh cña m¹ch.
Q(IBQ = 6,0m A; ICQ = 0,85mA; UCEQ = 12,22V)
http://hqhuy.wordpress.com 49
http://hqhuy.wordpress.com 50
• C¸c m¹ch ph©n cùc b»ng dßng Emit¬, ph©n ¸p hay håi tiÕp ®Òu cã mét ®iÓm chung lµ cã ®iÖn trë RE t¹i cùc Emit¬.
• ChÝnh ®iÖn trë nµy t¹o thµnh håi tiÕp ©m trong m¹ch nªn ®+ c¶i thiÖn ®¸ng kÓ nhiÒu th«ng sè vµ lµm m¹ch æn ®Þnh h¬n khi nhiÖt ®é thay ®æi
=
U
R
E
E C 10
http://hqhuy.wordpress.com 51
http://hqhuy.wordpress.com 52
http://hqhuy.wordpress.com 53
U
bhCE
=
I
bhC
R =
bh
E C R C
I
bhC
R =
off
UCEoff = EC
E C I
CEO
=
I
bhB
I Cbh b
dc
http://hqhuy.wordpress.com 54
C¸c tham sè chÝnh cña BJT chuyÓn m¹ch
http://hqhuy.wordpress.com 55
http://hqhuy.wordpress.com 56
• VÝ dô 3-6: Cho BJT lµm viÖc ë chÕ ®é xung cã c¸c tham sè b = hFE = 250, EC = 10V, UV = 10V, ICbh = 10mA, ICEO = 10m A, UCEbh = 0,3V. TÝnh gi¸ trÞ cña RB, RC, Rbh, Roff
http://hqhuy.wordpress.com 57
M« h×nh t−¬ng ®−¬ng cña BJT
C
C
DC
DC
B
B
DE
DE
E
E
http://hqhuy.wordpress.com 58
Qui ®Þnh chiÒu dßng ®iÖn
http://hqhuy.wordpress.com 59
M« h×nh t−¬ng ®−¬ng tÝn hiÖu nhá
• hai tham sè vµo lµ dßng i1 vµ ®iÖn ¸p vµo u1; • hai tham sè ra lµ dßng i2 vµ ®iÖn ¸p u2
http://hqhuy.wordpress.com 60
M« h×nh tham sè Z
=
=
+
f
i
)
=
=
+
f
2 i
)
u 1 u
2
i ,( 1 i ,( 1
2
iz 111 iz 121
iz 12 2 iz 22
2
http://hqhuy.wordpress.com 61
Tham sè z
=
=
z
11
z 12
u 1 i
u 1 i 1
=
2
=
0
i
0
2
i 1
2
2
=
=
z
z
22
21
u i
u i 1
=
2
=
0
i
0
2
i 1
http://hqhuy.wordpress.com 62
M« h×nh tham sè Y
=
=
+
,
(
)
=
=
+
(
,
)
i 1 i
2
uuf 1 2 uuf 1
2
uy 11 1 uy 1 21
uy 12 2 uy 22
2
http://hqhuy.wordpress.com 63
M« h×nh t−¬ng ®−¬ng tham sè H
=
=
+
f
)
2
=
=
+
f
2 )
u 1 i
2
ui ,( 1 ui ,( 1
2
ih 111 ih 121
uh 12 uh 22
2
http://hqhuy.wordpress.com 64
=
1
h 11
=
h 12
u 1 i 1
=
0
u
2
2
=
u iu
0
1
2
=
=
h
h
21
22
i 2 i 1
=
0
u
2
2
=
i iu
0
1
http://hqhuy.wordpress.com 65
• h11 - thay b»ng hi: gäi lµ ®iÖn trë vµo; • h12 - thay b»ng hr: gäi lµ hÖ sè truyÒn ®¹t ®iÖn
¸p ng−îc;
• h21 - thay b»ng hf: gäi lµ hÖ sè truyÒn ®¹t dßng ®iÖn thuËn (hÖ sè khuyÕch ®¹i dßng ®iÖn);
• h22 - thay b»ng ho: gäi lµ dÉn n¹p ra.
http://hqhuy.wordpress.com 66
M« h×nh t−¬ng ®−¬ng tham sè h dïng cho BJT
• Emit¬ chung (EC): hie, hre, hfe, hoe • Baz¬ chung (BC): hib, hrb, hfb, hob • Colect¬ chung (CC): hic, hrc, hfc, hoc
=
h
ac
fb
b
=
h
ac
fe
a
http://hqhuy.wordpress.com 67
http://hqhuy.wordpress.com 68
http://hqhuy.wordpress.com 69
B¶ng tham sè h
http://hqhuy.wordpress.com 70
S¬ ®å t−¬ng ®−¬ng rót gän
http://hqhuy.wordpress.com 71
X¸c ®Þnh tham sè h
v
be
BE
=
=
¶ ¶ D
h ie
@
u i
u i
U i
v
b
B
=
U
Const
CE
D ¶ ¶
v
be
BE
=
=
¶ ¶ D
h re
@
u u
u u
U U
ce
CE
ra
=
Const
I
B
D ¶ ¶
c
C
=
=
D ¶ ¶
h
fe
@
i ra i
i i
i i
v
b
=
UB
Const
CE
D ¶ ¶
c
C
=
=
D ¶ ¶
h oe
@
i ra u
i u
i u
ra
ce
CE
=
Const
I
B
D ¶ ¶
http://hqhuy.wordpress.com 72
M« h×nh t−¬ng ®−¬ng vËt lý (M« h×nh tham sè re)
.
®Õn 50W ®Õn 50W
®Õn 2MW ®Õn
• M¹ch BC: re tõ vµi W • M¹ch EC: re tõ vµi W
; rc tõ 1MW ; rc tõ 40KW
50KW
.
http://hqhuy.wordpress.com 73
M« h×nh tham sè re
EB
U U
T
=
-
I
I
(
e
)1
E
SE
C
=
EB
r c
=
¶ ¶
r e
U I
= =
U I
IC I
Const Const
( (
BC EC
) )
E B
E
T
¶ ¶
r e
U I
26 mV I
E
E
@ @
http://hqhuy.wordpress.com 74
+
1
=
=
;
r e
r c
h re h oe
h re h oe
=
+
1(
)
h
r b
h ie
fe
h re h oe
b
a
=
=
=
;
h
ac
fe
ac
ac b
b +
h +
1
1
fe h
ac
fe
-
http://hqhuy.wordpress.com 75
BC
• Trë kh¸ng vµo: rv = re • Trë kh¸ng ra: rra = rc
http://hqhuy.wordpress.com 76
EC
+
b
(
ri eb
BE
=
=
=
=
b
+
b
(
)1
r e
r e
r v
U i b
ri ee i b
)1 i b
rra = rc
@
http://hqhuy.wordpress.com 77
CC
http://hqhuy.wordpress.com 78
CC
b
+
b
+
i
i
)1
v
b
r e
Ri e
E
b
r e
Ri b
E
B
=
=
=
=
r v
( + b i
u i
U i
i
b
v
b
b
rv = b re + (b +1)RE
b RE
@
http://hqhuy.wordpress.com 79
CC
•
v
=
b
+
=
b
+
=
(
i
)1 i
(
)1
i =
e
b
b
b
b ( +
+ b
(
u )1 v + )1
R
u r v
r e
E
u v r v
i
e
u +
v R
E
r e
@
rra = RE//re
re
=
=
K
1»
u
R E +
u ra u
R
v
E
r e b
+
(
)1 i
e
b
=
=
=
b
@
K
i
i ra i
i i
i
v
b
b
»
http://hqhuy.wordpress.com 80
VÝ dô
• Dïng m« h×nh t−¬ng ®−¬ng tham sè re ®Ó tÝnh c¸c tham sè sau cña m¹ch khuÕch ®¹i dïng BJT: §iÖn trë vµo rv, ®iÖn trë ra rra, hÖ sè khuÕch ®¹i ®iÖn ¸p Ku, hÖ sè khuÕch ®¹i dßng ®iÖn Ki.
+EC
RC
C2
R1
C1
ura
uv
R2
CE
RE
http://hqhuy.wordpress.com 81
v
rra = Rc// rc
r =
v
u i v rv = R1// R2// b re
http://hqhuy.wordpress.com 82
b
(
//
)
c
r c
R c
r c
=
=
-=
K
K
u
u
u ra u
R c r e
v
)( Ri b b i r e
b
// r e
b
=
=
- - @
=
=
i
K
ra
i
i ra i
i ra i
i ra i
i b i
r c
ri cb + R c
b
b r c + R c
r c
v
b
v
=
=
fi
i
b
) iR 2 + b
R 2 + b
R 1 //
// R
i b i
// R 1 R //
( R 1
2
v r e
v
2
r e
R 1
b
b
//
fi
=
=
K
Ki
K
i
i
R 2 + b
b
+
( R 1 // R
rR ) c 2 + // R
)
(
R 1
2
) r e
R ( // 1 )( RR c 1
2
r e
r c
@ b
http://hqhuy.wordpress.com 83
Sù phô thuéc cña hfe vµo tÇn sè
http://hqhuy.wordpress.com 84
C¸c tham sè cùc ®¹i
http://hqhuy.wordpress.com 85
Transistor Structure and Bias Quiz
The heaviest doping is found in the ___________ region.
emitter
base
The thinnest of all three regions is called the ____________.
The collector-base junction is ___________ biased.
reverse
The base-emitter junction is ____________ biased.
forward
http://hqhuy.wordpress.com
The majority of the emitter carriers flow to the ___________.
collector
86
http://hqhuy.wordpress.com 87